JPH01235239A - 開口のエッチング形成方法 - Google Patents
開口のエッチング形成方法Info
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- JPH01235239A JPH01235239A JP1024088A JP2408889A JPH01235239A JP H01235239 A JPH01235239 A JP H01235239A JP 1024088 A JP1024088 A JP 1024088A JP 2408889 A JP2408889 A JP 2408889A JP H01235239 A JPH01235239 A JP H01235239A
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はシリコンなど単結晶基板の間口エツチングに係
る。
る。
［従来技術と問題点］
一般に微細加工と呼ばれるエツチング加工によりシリコ
ン基板内に開口をエツチングで形成することは周知の事
である。この開口は光学機器の素子に使用され、又流体
流ノズルとしても用いられている。これら開口の諸例を
下記にあげる。
ン基板内に開口をエツチングで形成することは周知の事
である。この開口は光学機器の素子に使用され、又流体
流ノズルとしても用いられている。これら開口の諸例を
下記にあげる。
ワダ（Ｗａｄａ）その他に付与せる米国特許用４゜２６
９．６５３号には、電子ビーム露出装置として利用する
ためのシリコンをエツチングで６通形成した開口が記載
されている。形成開口の軸線はシリコン基板の公称平面
に直角である。
９．６５３号には、電子ビーム露出装置として利用する
ためのシリコンをエツチングで６通形成した開口が記載
されている。形成開口の軸線はシリコン基板の公称平面
に直角である。
いずれもギアチノ（Ｇｉａｃｈｉｎｏ）その他に付与さ
れた米国特許用４．６２８．５７６号及び第４゜６４７
．０１３４には、燃料噴射弁のノズル部分として用いる
ためのシリコンにエツチング加工で貫通形成した開口に
ついて記載されている。この場合でも、開口軸線は開口
がエツチングで貫通形成された基板の公称平面に対して
直角をなしている。
れた米国特許用４．６２８．５７６号及び第４゜６４７
．０１３４には、燃料噴射弁のノズル部分として用いる
ためのシリコンにエツチング加工で貫通形成した開口に
ついて記載されている。この場合でも、開口軸線は開口
がエツチングで貫通形成された基板の公称平面に対して
直角をなしている。
１９７１年７月発行ＩＢＭテクニカル・ディスクロージ
ャー・ブレティン（Ｉ Ｂ Ｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ ）の第１４
巻第２号の４１７から４１８頁の［形状付与のグリッド
と開口穴の製作」なる標題の記事において、イルミネー
ション開口として利用するための開口列のエツチング加
工について記載されている。詳しく述べると、エピタキ
シャル成長法で形成したエピタキシャル層を有するシリ
コン基板が示されている。次に、シリコン基板を侵すも
エピタキシャル層は侵さないようなエツチング試剤を用
いて裏側から基板をエツチングで除去しそれによりエピ
タキシャル層及び開ロバターンをエツチングで貫通露出
せしめる。それぞれの開口にはエピタキシャル層と直角
な間口軸線がある。
ャー・ブレティン（Ｉ Ｂ Ｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ ）の第１４
巻第２号の４１７から４１８頁の［形状付与のグリッド
と開口穴の製作」なる標題の記事において、イルミネー
ション開口として利用するための開口列のエツチング加
工について記載されている。詳しく述べると、エピタキ
シャル成長法で形成したエピタキシャル層を有するシリ
コン基板が示されている。次に、シリコン基板を侵すも
エピタキシャル層は侵さないようなエツチング試剤を用
いて裏側から基板をエツチングで除去しそれによりエピ
タキシャル層及び開ロバターンをエツチングで貫通露出
せしめる。それぞれの開口にはエピタキシャル層と直角
な間口軸線がある。
米国特許用４，１６９．００８号には、インキ噴射方式
の印刷機のノズルとして利用するための開口のエツチン
グ加工の方法が記載されている。
の印刷機のノズルとして利用するための開口のエツチン
グ加工の方法が記載されている。
トップ（頂部）及び底部の面の両者にかけるエツチング
試薬ビットによりウェーハの公称平面に直角な開口軸線
を有する開口が形成される。底面側からエツチング加工
することにより、ウェーハの厚みにおける変動により発
生する開口の大きさのバラツキが避けられるものと主張
されている。換言すれば、底部平面における開口の寸法
がトップのエツチング試薬ビットの底部平面に対する交
差ではなく底部マスク開口により決められる。それぞれ
の開口軸線に基板の公称平面に直角である。
試薬ビットによりウェーハの公称平面に直角な開口軸線
を有する開口が形成される。底面側からエツチング加工
することにより、ウェーハの厚みにおける変動により発
生する開口の大きさのバラツキが避けられるものと主張
されている。換言すれば、底部平面における開口の寸法
がトップのエツチング試薬ビットの底部平面に対する交
差ではなく底部マスク開口により決められる。それぞれ
の開口軸線に基板の公称平面に直角である。
上述の如き方法に伴う問題は間口面の角度が選択可能で
ない点にある。開口軸線は基板の公称平面に直角な方向
に強いられている。ｕ板面に対して直角以外の方向に流
体の流れを向けるのに追加の構造部が必要とされ、これ
は特定な利用分野に望まれるものである。
ない点にある。開口軸線は基板の公称平面に直角な方向
に強いられている。ｕ板面に対して直角以外の方向に流
体の流れを向けるのに追加の構造部が必要とされ、これ
は特定な利用分野に望まれるものである。
［発明の目的及び構成］
従って、本発明の目的とする所は、単一の単結晶基板か
らあらかじめ選定した開口平面角度を有する開口をエツ
チング加工する方法の提供にある。
らあらかじめ選定した開口平面角度を有する開口をエツ
チング加工する方法の提供にある。
先行技術による方性に伴う上述の問題及びその他の諸問
題の解決ならびに目的の達成は、基板のツチング加工す
るための本文記載の方法により行われる。詳しく述べる
と、本発明の特徴としてこの方法には、公称結晶平面に
ほぼ平行なトップ（頂部）平面と底部平面を有する基板
の寸法を定と め、このトップ平面Ｃ°底部平面との間のへだたりは開
口平面の所定角度に三角函数的に関連せしめられており
、トップ平面を通じかつ公称結晶面に対し開口平面の所
定角度に三角函数的に係る底部平面からの所定距離にま
で第１エツチング試薬ビツト（第１エツチビツト）を異
方性エツチングで形成し、第１エツチング試薬ビツトに
は公称結晶平面に対する交差結晶平面にそった平面側部
が設けられ、平面側部とトップ平面との交差により第１
エツチング試薬ビツトの第１対の長手方向縁部と第１対
の横方向縁部とが形成されており、底部平面を通じかつ
公称・結晶平面に対し開口平面の所定角度に三角函数的
にＩ！ｌ迩するトップ平面からの所定距離までｍ２エツ
チング試薬ビツト（第２エツチビツト）を異方性エツチ
ング加工し、第１エツチング試薬ビツトの一部が第２エ
ツチング試薬ビツトの一部と交差し開口を形成し、第２
エツチング試薬ビツトには交差結晶平面にそって平面側
部が設けられ、平面側部と底部平面との交差により第２
エツチング試薬ビツトの第２対の長手方向縁部と第２対
の横方向縁部とが形成され、第２対の横方向縁部の１つ
は上記開口平面の角度に三角函数的に関連する所定の長
手方向オフセット量だけ第１対の横方向縁部の対向する
１つから長手方向にオフセットされているよう実施され
る段階が含まれる。
題の解決ならびに目的の達成は、基板のツチング加工す
るための本文記載の方法により行われる。詳しく述べる
と、本発明の特徴としてこの方法には、公称結晶平面に
ほぼ平行なトップ（頂部）平面と底部平面を有する基板
の寸法を定と め、このトップ平面Ｃ°底部平面との間のへだたりは開
口平面の所定角度に三角函数的に関連せしめられており
、トップ平面を通じかつ公称結晶面に対し開口平面の所
定角度に三角函数的に係る底部平面からの所定距離にま
で第１エツチング試薬ビツト（第１エツチビツト）を異
方性エツチングで形成し、第１エツチング試薬ビツトに
は公称結晶平面に対する交差結晶平面にそった平面側部
が設けられ、平面側部とトップ平面との交差により第１
エツチング試薬ビツトの第１対の長手方向縁部と第１対
の横方向縁部とが形成されており、底部平面を通じかつ
公称・結晶平面に対し開口平面の所定角度に三角函数的
にＩ！ｌ迩するトップ平面からの所定距離までｍ２エツ
チング試薬ビツト（第２エツチビツト）を異方性エツチ
ング加工し、第１エツチング試薬ビツトの一部が第２エ
ツチング試薬ビツトの一部と交差し開口を形成し、第２
エツチング試薬ビツトには交差結晶平面にそって平面側
部が設けられ、平面側部と底部平面との交差により第２
エツチング試薬ビツトの第２対の長手方向縁部と第２対
の横方向縁部とが形成され、第２対の横方向縁部の１つ
は上記開口平面の角度に三角函数的に関連する所定の長
手方向オフセット量だけ第１対の横方向縁部の対向する
１つから長手方向にオフセットされているよう実施され
る段階が含まれる。
好適には、所定角度は所定の長手方向のオフセットくΔ
Ｌ〉と、第２平面からの第１エツチング試薬ビツトの所
定距離（ｄｌ）と、第１平面からの第２エツチング試薬
ビツトの所定距離（ｄ２）と、交差平面と公称平面との
闇の角度（φ）及び基板の厚み（１）に下記の三角函数
間係で関連１上記によれば、本発明の利点とする所は、
設計する開口角度を選ぶことができる事である。もう１
つの利点としては、所望の開口がトップ平面と底部平面
とが同時に同じ深さにエツチング加工される一回だけの
エツヂング試薬段階のみで足りる点があげられる。更に
別の利点としては、従来多数の基板が必要であったのに
対し方向のきめられる開口がたった１枚の基板内に形成
される点があげられる。更に他の利点は、１枚の基板内
にそれぞれ異なった開口軸線を有する複数の開口が形成
される事である。
Ｌ〉と、第２平面からの第１エツチング試薬ビツトの所
定距離（ｄｌ）と、第１平面からの第２エツチング試薬
ビツトの所定距離（ｄ２）と、交差平面と公称平面との
闇の角度（φ）及び基板の厚み（１）に下記の三角函数
間係で関連１上記によれば、本発明の利点とする所は、
設計する開口角度を選ぶことができる事である。もう１
つの利点としては、所望の開口がトップ平面と底部平面
とが同時に同じ深さにエツチング加工される一回だけの
エツヂング試薬段階のみで足りる点があげられる。更に
別の利点としては、従来多数の基板が必要であったのに
対し方向のきめられる開口がたった１枚の基板内に形成
される点があげられる。更に他の利点は、１枚の基板内
にそれぞれ異なった開口軸線を有する複数の開口が形成
される事である。
次に、本発明の上記目的及び利点の詳細につき好適実施
例の図面を参照してＦ記の如く述べる。
例の図面を参照してＦ記の如く述べる。
［実施例］
先ず、第１図において開口組立体１０が本発明の好適応
用例の解説に示されている。この開口組立体１０はトッ
プ平面１４及び底部平面１６がほぼ（１００）公称結晶
平面上に横たわるように通常の如くウェーハから鋸挽き
された（１００）シリコン基板１２から製作されている
。第１エツチング試薬ビツト２０が側壁２２．２４．２
６及び２８ならびに底部壁３０と共にトップ平面１４を
貴いて形成されている。側壁２２．２４．２６及び２８
は、約５４．７°の角度φで（１００）公称平面に交差
する（１１１）交差平面上に横たわつている。特に第２
図に示す如く、開口４０と開口４２は基板１２内で対称
状に配置されている。
用例の解説に示されている。この開口組立体１０はトッ
プ平面１４及び底部平面１６がほぼ（１００）公称結晶
平面上に横たわるように通常の如くウェーハから鋸挽き
された（１００）シリコン基板１２から製作されている
。第１エツチング試薬ビツト２０が側壁２２．２４．２
６及び２８ならびに底部壁３０と共にトップ平面１４を
貴いて形成されている。側壁２２．２４．２６及び２８
は、約５４．７°の角度φで（１００）公称平面に交差
する（１１１）交差平面上に横たわつている。特に第２
図に示す如く、開口４０と開口４２は基板１２内で対称
状に配置されている。
本図では（１００）シリコン基板が示されてはいるが、
本発明はその伯の平面方向に横たわる主要面を設けた基
板例えば（１１０）シリコンを好適に使用することがで
きるものである。一般に、本発明はいかなるｔツクリス
タルの基板にも有利に使用することができる。
本発明はその伯の平面方向に横たわる主要面を設けた基
板例えば（１１０）シリコンを好適に使用することがで
きるものである。一般に、本発明はいかなるｔツクリス
タルの基板にも有利に使用することができる。
次に、第２図においで、開口４０と開口４２は全体とし
てトップエツチング試薬ビット２０とそれぞれの底部エ
ツチング試薬ビット４４と底部エツチング試薬ビット４
６との交差により形成される。第３Ａ図から第３Ｃ図に
ついて詳細に説明するように、底部エツチング試薬ビッ
ト４４は（１１１１交鐙平面上に横たわる側壁４Ｂ、５
０．５２（図示省略）及び５４と（１００７１面上に横
たわるトップ壁５６により形成される。側ｖＪ、４８゜
５０．５２及び５４は底部平面１６又は（１００）面に
対し角度φをなして形成されている。
てトップエツチング試薬ビット２０とそれぞれの底部エ
ツチング試薬ビット４４と底部エツチング試薬ビット４
６との交差により形成される。第３Ａ図から第３Ｃ図に
ついて詳細に説明するように、底部エツチング試薬ビッ
ト４４は（１１１１交鐙平面上に横たわる側壁４Ｂ、５
０．５２（図示省略）及び５４と（１００７１面上に横
たわるトップ壁５６により形成される。側ｖＪ、４８゜
５０．５２及び５４は底部平面１６又は（１００）面に
対し角度φをなして形成されている。
開口４２の開口平面６２は第２図において開口４２の突
起縁部６４及び６６の間の面として示されている。突起
縁部６４は、トップエツチング試薬ビット２０の底部エ
ツチング試薬ビット４４のトップ！！５６に対する交差
により形成される。突起縁部６６は底部エツチング試薬
ビット４４のトップエツチング試薬ビット２０の底部壁
３０に対する交差により形成される。開口４２の開口軸
線６８は突起縁部６４及び６６の真中の開口平面６２に
直角に示される。底部平面１６又は（１００）平面に対
する開口平面の角度は角度Ｂとして示されている。
起縁部６４及び６６の間の面として示されている。突起
縁部６４は、トップエツチング試薬ビット２０の底部エ
ツチング試薬ビット４４のトップ！！５６に対する交差
により形成される。突起縁部６６は底部エツチング試薬
ビット４４のトップエツチング試薬ビット２０の底部壁
３０に対する交差により形成される。開口４２の開口軸
線６８は突起縁部６４及び６６の真中の開口平面６２に
直角に示される。底部平面１６又は（１００）平面に対
する開口平面の角度は角度Ｂとして示されている。
開口４０は第２図において開口４２に対し対称状に基板
１２内に形成されて示されている。底部エツチング試薬
ビット４６には（１００）面上に横たわるトップ壁７６
と（１００）面上に横たわる側！Ｉ！７８．８０．８２
（図示省略）と８４（図示省略）が設けられている。
１２内に形成されて示されている。底部エツチング試薬
ビット４６には（１００）面上に横たわるトップ壁７６
と（１００）面上に横たわる側！Ｉ！７８．８０．８２
（図示省略）と８４（図示省略）が設けられている。
側壁７８．８０．８２及び８４が底部平面１６又は（１
００）面に対し角度φでエツチング加工される。
００）面に対し角度φでエツチング加工される。
開口４０の開口平面９２は開口４０の突起縁部９４及び
９６の間における平面として形成されている。突起縁部
９６はトップエツチング試薬ビット２０の底部エツチン
グ試薬ビット４６のトップ壁７６に対する交差により形
成される。突起縁部９４は底部エツチング試薬ビット４
６のトップエツチング試薬ビット２０の底部壁３０に対
する交差により形成される。開口４０の開口軸Ｉ！９８
は突起縁部９４及び９６の真中で開口平面９２に直角に
示されている。トップ平面１４又は（１００）面に対す
る開口平面９２の角度は本図で角度Ｂに示されている。
９６の間における平面として形成されている。突起縁部
９６はトップエツチング試薬ビット２０の底部エツチン
グ試薬ビット４６のトップ壁７６に対する交差により形
成される。突起縁部９４は底部エツチング試薬ビット４
６のトップエツチング試薬ビット２０の底部壁３０に対
する交差により形成される。開口４０の開口軸Ｉ！９８
は突起縁部９４及び９６の真中で開口平面９２に直角に
示されている。トップ平面１４又は（１００）面に対す
る開口平面９２の角度は本図で角度Ｂに示されている。
次に、第１図及び第２図に示せる部品には同じ参照数字
を付けた第３Ａ図から第３Ｃ図において、開口組立体１
０の製作について述べる。本文に述べる製作方法にはマ
イクロエレクトロニック産業で周知のホトリングラフィ
及びエツチング技術が用いられる。基板１２は第３Ａ図
において、好適にはほぼ（１００）面上に主平面をおい
た厚さ約０．２ｍから０．５ｍｓ＋（２００ミクＤンか
ら５００ミクロン）に切断されたシリコン基板である。
を付けた第３Ａ図から第３Ｃ図において、開口組立体１
０の製作について述べる。本文に述べる製作方法にはマ
イクロエレクトロニック産業で周知のホトリングラフィ
及びエツチング技術が用いられる。基板１２は第３Ａ図
において、好適にはほぼ（１００）面上に主平面をおい
た厚さ約０．２ｍから０．５ｍｓ＋（２００ミクＤンか
ら５００ミクロン）に切断されたシリコン基板である。
トップ及び底部の酸化シリコン層１０２及び１０４がそ
れぞれ半導体分野で周知の慣用技術を用いて基板１２上
に成長形成される。窒化シリコン層１０６と窒化シリコ
ン層１０８が慣用の蒸着技術を用いて酸化シリコン１１
１０２及び１０４上にそれぞれ付着される。酸化シリコ
ン層１０２と窒化シリコン１１１０６とが一体で不動＊
Ｒ１０７を形成する。同様に、酸化シリコン層１０４と
窒化シリコン１１０８の組合せにより不動態層１０９が
形成される。
れぞれ半導体分野で周知の慣用技術を用いて基板１２上
に成長形成される。窒化シリコン層１０６と窒化シリコ
ン層１０８が慣用の蒸着技術を用いて酸化シリコン１１
１０２及び１０４上にそれぞれ付着される。酸化シリコ
ン層１０２と窒化シリコン１１１０６とが一体で不動＊
Ｒ１０７を形成する。同様に、酸化シリコン層１０４と
窒化シリコン１１０８の組合せにより不動態層１０９が
形成される。
第３Ｂ図において、ホトレジスト１１１１１２及び１１
４がそれぞれの不動ｆ！１１１１０７及び１０９の上方
に置かれる。矩形のエツチング試薬パターン１１６が慣
用のホトリソグラフィによりホトレジスト１１１１２で
画かれる。矩形エツチング試薬パターン１１６が不動態
層１０７を通じてエツチング加工され、それによりトッ
プ平面１４の対応する矩形部分を露出せしめトップエツ
チング試薬ビット２０を次のエツチング段階でエツチン
グ処理する。同様に、底部の矩形パターン１２６と底部
矩形パターン１２８とが底部ホトレジスト層１１４及び
不動態［１１０９を通じ画かれる。
４がそれぞれの不動ｆ！１１１１０７及び１０９の上方
に置かれる。矩形のエツチング試薬パターン１１６が慣
用のホトリソグラフィによりホトレジスト１１１１２で
画かれる。矩形エツチング試薬パターン１１６が不動態
層１０７を通じてエツチング加工され、それによりトッ
プ平面１４の対応する矩形部分を露出せしめトップエツ
チング試薬ビット２０を次のエツチング段階でエツチン
グ処理する。同様に、底部の矩形パターン１２６と底部
矩形パターン１２８とが底部ホトレジスト層１１４及び
不動態［１１０９を通じ画かれる。
次に、第３Ｃ図において、水酸化カリウム水溶液やエチ
レンジアミンピロカテコール溶液などのような異方性エ
ツチング用水溶液をトップ矩形パターン１１６と底部矩
形パターン１２６及び底部ツ１−４４及び底部エツチン
グ試薬ビット４６を形成する。図示の（１００）シリコ
ンウェーハに対して、湿式エツチング試薬は（１１１）
面に対するより約１００倍大きい割合で（１００）面に
対して作用する。トップエツチング試薬ピッ１−２０工
程の時間が調整される。換言すれば、トップエツチング
試薬ビット２０が深さｔ−ｄｌ （ｔは基板１２の厚さ
）にエツチング処理される。平面の距離ｄ１へのエツチ
ング中（１１１）面に対しては殆どエツチングが行われ
ない。従って、（１１１）面上に横たわる側壁２２，２
４．２６ （第１図）及び２８（第１図）は矩形パター
ン１１６から僅かに外れる。更に詳述すると、側１！２
２．２４．２６及び２８のトップ平面１４に対する交差
によりエツチング試薬ビット２０の左横縁８ＩＳ１１８
と、右横縁部１２０と、長手方向縁部１２２く第１図）
及び長手方向縁ｇＢ１２４が形成され、これらのすべて
は矩形パターン１１６から僅かに外れている。
レンジアミンピロカテコール溶液などのような異方性エ
ツチング用水溶液をトップ矩形パターン１１６と底部矩
形パターン１２６及び底部ツ１−４４及び底部エツチン
グ試薬ビット４６を形成する。図示の（１００）シリコ
ンウェーハに対して、湿式エツチング試薬は（１１１）
面に対するより約１００倍大きい割合で（１００）面に
対して作用する。トップエツチング試薬ピッ１−２０工
程の時間が調整される。換言すれば、トップエツチング
試薬ビット２０が深さｔ−ｄｌ （ｔは基板１２の厚さ
）にエツチング処理される。平面の距離ｄ１へのエツチ
ング中（１１１）面に対しては殆どエツチングが行われ
ない。従って、（１１１）面上に横たわる側壁２２，２
４．２６ （第１図）及び２８（第１図）は矩形パター
ン１１６から僅かに外れる。更に詳述すると、側１！２
２．２４．２６及び２８のトップ平面１４に対する交差
によりエツチング試薬ビット２０の左横縁８ＩＳ１１８
と、右横縁部１２０と、長手方向縁部１２２く第１図）
及び長手方向縁ｇＢ１２４が形成され、これらのすべて
は矩形パターン１１６から僅かに外れている。
底部エツチング試薬ビット４４と底部エツチング試薬ビ
ット４６の両方がトップ平面１４から深さ６２手ｍにま
でエツチング処理される。即ち、底部エツチング試薬ビ
ット４４と底部エツチング試薬ビット４６は深さｔ −
ｄ ２にまでエツチング処理される。底部エツチング試
薬ビット４４に関しｒは、１１１４８．５０．５２ （
図示省略）及び５４（図示省略）の底部平面１６に対す
る交差により左横縁部１３０と、右横縁部１３２と、長
手方向縁部１３４（図示省略）及び長手方向縁部１３６
（図示省略）が形成され、これらすべての縁部は矩形パ
ターン１２６から僅かに外れている。
ット４６の両方がトップ平面１４から深さ６２手ｍにま
でエツチング処理される。即ち、底部エツチング試薬ビ
ット４４と底部エツチング試薬ビット４６は深さｔ −
ｄ ２にまでエツチング処理される。底部エツチング試
薬ビット４４に関しｒは、１１１４８．５０．５２ （
図示省略）及び５４（図示省略）の底部平面１６に対す
る交差により左横縁部１３０と、右横縁部１３２と、長
手方向縁部１３４（図示省略）及び長手方向縁部１３６
（図示省略）が形成され、これらすべての縁部は矩形パ
ターン１２６から僅かに外れている。
底部エツチング試薬ビット４６については、側壁７８．
８０．８２ （図示省略）および８４（図示省略）の底
部平面１６に対する交差によりそれぞれ左横縁部１３８
と、右横縁部１４０と、長手方向縁部１４２（図示省略
）及び長手方向縁部１４４（図示省略）が形成され、こ
れらすべての縁部は矩形パターン１２８から僅かに外れ
ている。
８０．８２ （図示省略）および８４（図示省略）の底
部平面１６に対する交差によりそれぞれ左横縁部１３８
と、右横縁部１４０と、長手方向縁部１４２（図示省略
）及び長手方向縁部１４４（図示省略）が形成され、こ
れらすべての縁部は矩形パターン１２８から僅かに外れ
ている。
トップエツチング試薬ビット２０及び底部エツチング試
薬ビット４４．４６は本図ではエツチング試薬段階が同
時に行われるように同じ深さ（６１＝６２）にエツチン
グ処理加工されて示されている。即ち、同じ深さにエツ
チングすることによりエツチング工程のタイミングがほ
ぼ同一でそれによりエツチング工程を同時に遂行可能な
らしめる。
薬ビット４４．４６は本図ではエツチング試薬段階が同
時に行われるように同じ深さ（６１＝６２）にエツチン
グ処理加工されて示されている。即ち、同じ深さにエツ
チングすることによりエツチング工程のタイミングがほ
ぼ同一でそれによりエツチング工程を同時に遂行可能な
らしめる。
所望の又は所定の開口平面の角度に関し本文に記載せる
各種エツチングパラメータの三角函数的関係について第
４図参照の下に次に述べる。説明の便宜上、次に述べる
事は特に開口４２についてである。黙しながら、当業者
には判るようにこの説明は開口４０にも適用できるもの
であり、更に又その他本文に詳しくは示されていない設
計者の要望する開口にも適用できる。更に、本文の説明
は（１００）シリコンウェーハに係る。然し、本文に述
べた教えは、（１００）面が９０″″の角度で平面に交
差する（１１０）結晶ａ造なとの如き他のモノクリスタ
ル性基板にも適用できるものである。
各種エツチングパラメータの三角函数的関係について第
４図参照の下に次に述べる。説明の便宜上、次に述べる
事は特に開口４２についてである。黙しながら、当業者
には判るようにこの説明は開口４０にも適用できるもの
であり、更に又その他本文に詳しくは示されていない設
計者の要望する開口にも適用できる。更に、本文の説明
は（１００）シリコンウェーハに係る。然し、本文に述
べた教えは、（１００）面が９０″″の角度で平面に交
差する（１１０）結晶ａ造なとの如き他のモノクリスタ
ル性基板にも適用できるものである。
第２図について既述せる如く、開口平面６２は突起縁部
６４及び６６を通って延び底部平面１６に対し角度Ｂを
形成している。エツチング試薬ビット４４の側壁４８及
び５０は公称（１００）面に対する５４，７°の角度で
（１１１）面にそつて横たわる。所定角度μは、底部エ
ツチング試薬ビットの左横縁部１３０とトップエツチン
グ試薬ビット２ｏの対向（る右横縁部１２０との間にお
ける長手方向距離（ΔＬ）と、底部平面１６からのトッ
プエツチング試薬ビット２００所定距離（ｄｌ）と、ト
ップ平面１４からの底部エツチング試薬ピット４４の所
定距離（ｄ２）と、（１１１）面と公称（１００）面と
の間の角度（φ）ならびに基板１２の厚み（１）に次の
三角函数的関係で関連する。
６４及び６６を通って延び底部平面１６に対し角度Ｂを
形成している。エツチング試薬ビット４４の側壁４８及
び５０は公称（１００）面に対する５４，７°の角度で
（１１１）面にそつて横たわる。所定角度μは、底部エ
ツチング試薬ビットの左横縁部１３０とトップエツチン
グ試薬ビット２ｏの対向（る右横縁部１２０との間にお
ける長手方向距離（ΔＬ）と、底部平面１６からのトッ
プエツチング試薬ビット２００所定距離（ｄｌ）と、ト
ップ平面１４からの底部エツチング試薬ピット４４の所
定距離（ｄ２）と、（１１１）面と公称（１００）面と
の間の角度（φ）ならびに基板１２の厚み（１）に次の
三角函数的関係で関連する。
このように、所定の角度βは上記式に示されるパラメー
タの任意のものを変えることにより設計ニームの厚み（
１）と対向するエツチング試薬ビットの長手方向オフセ
ット出（ΔＬ）ならびにエツチング試薬の１１問又は厚
み（ｄ１＋ｄ２）の選択により所望の開口角度を選択す
ることができる。
タの任意のものを変えることにより設計ニームの厚み（
１）と対向するエツチング試薬ビットの長手方向オフセ
ット出（ΔＬ）ならびにエツチング試薬の１１問又は厚
み（ｄ１＋ｄ２）の選択により所望の開口角度を選択す
ることができる。
以上により好適実施例の説明の結論がなされる。
この説明より当業者には本発明の趣旨及び範囲を離脱せ
ざる多くの変更及び修正が想倒される。従って、本発明
の範囲はその特許請求の範囲のみにより１ＩＩｊＦｉｉ
さるべきものである。
ざる多くの変更及び修正が想倒される。従って、本発明
の範囲はその特許請求の範囲のみにより１ＩＩｊＦｉｉ
さるべきものである。
第１図は本発明を好適に用いた実施例の斜視図、第２図
は第１図の線２−２による断面図、第３Ａ図、第３Ｂ図
、及び第３Ｃ図は第２図に示す実施例を製作する１にお
ける各種工程を示し、第４図は第２図実施例の一部分を
示す拡大図である。 １０・・・・・・開口組立体、１２・・・・・・（１０
０）シリコン基板、１４・・・・・・トップ（頂部）平
面、１６・・・・・・底部平面、２０・・・・・・第１
エツチング試薬ビツト（第１エツチピツト）、４０．４
２・・・・・・開口、４４．４６・・・・・・底部エツ
チング試薬ビット（底部エッチビット）、６２・・・・
・・開口平面、１１６，１２６．１２８・・・・・・矩
形パターン、ｄ、ｄ２・・・・・・距離、ｔ・・・・・
・基板の厚さ、１１８．１２０・・・・・・横方向縁部
、１２２．１２４・・・・・・長手方向縁部、１３０．
１３２・・・・・・横方向縁部、１３４．１３６・・・
・・・長手方向縁部、ΔＬ・・・・・・長手方向オフセ
ット。
は第１図の線２−２による断面図、第３Ａ図、第３Ｂ図
、及び第３Ｃ図は第２図に示す実施例を製作する１にお
ける各種工程を示し、第４図は第２図実施例の一部分を
示す拡大図である。 １０・・・・・・開口組立体、１２・・・・・・（１０
０）シリコン基板、１４・・・・・・トップ（頂部）平
面、１６・・・・・・底部平面、２０・・・・・・第１
エツチング試薬ビツト（第１エツチピツト）、４０．４
２・・・・・・開口、４４．４６・・・・・・底部エツ
チング試薬ビット（底部エッチビット）、６２・・・・
・・開口平面、１１６，１２６．１２８・・・・・・矩
形パターン、ｄ、ｄ２・・・・・・距離、ｔ・・・・・
・基板の厚さ、１１８．１２０・・・・・・横方向縁部
、１２２．１２４・・・・・・長手方向縁部、１３０．
１３２・・・・・・横方向縁部、１３４．１３６・・・
・・・長手方向縁部、ΔＬ・・・・・・長手方向オフセ
ット。
Claims (2)
- （１）単結晶基板の公称結晶面に対する開口平面の角度
が予選択されるように単結晶の基板内に開口を異方性エ
ッチングで形成するための方法にして、前記公称結晶面
にほぼ平行な頂部及び底部の平面を有する前記基板の寸
法を、前記頂部及び底部の平面間のへだたりが前記開口
平面の前記予選択された角度に三角関数的に関連するよ
う決め、前記頂部平面を通じかつ前記公称結晶面に対し
、前記開口平面の前記予選択された角度に三角関数的に
関連する前記底部平面からの予選択された距離にまで第
１エッチング試薬ビットをエッチング形成し、該第１エ
ッチング試薬ビットは、前記公称結晶面への交差結晶面
にそつて平面側部を有し、前記平面側部と前記頂部平面
との交差により前記第１エッチング試薬ビットの第１対
の長手方向縁部と第１対の横方向縁部とが形成されてお
り、前記底部平面を通じかつ前記公称結晶面に対し前記
開口平面の前記予選択された角度に三角関数的に関連す
る前記頂部平面からの予選択された距離まで第２エッチ
ング試薬ビットを異方性エッチングで形成し、該第２エ
ッチング試薬ビットの一部分は前記第１エッチング試薬
ビットの一部分に交差し前記開口を形成し、前記第２エ
ッチング試薬ビットは前記交差結晶面にそつて平面側部
を有し、該平面側部と前記底部平面との交差により前記
第２エッチング試薬ビットの第２対の長手方向縁部と第
２対の横方向縁部とが形成され、該第２対の横方向縁部
の１つは、前記関口平面の前記角度に三角関数的に係る
予選択された長手方向オフセット量だけ前記第１対の横
方向縁部の対向する１つから長手方向にオフセットされ
ている段階を有する開口のエッチング形成方法。 - （２）単結晶基板の公称結晶面に対する開口平面の角度
が予選択されるよう単結晶基板 内に開口をエッチング形成するための方法にして、前記
公称結晶面にほぼ平行な頂部及び底部の平面を有する前
記基板の寸法を、前記頂部及び底部の平面間のへだたり
が前記開口平面の前記予選択された角度に三角関数的に
係るように決め、前記頂部平面を通じかつ前記公称結晶
面に対し、前記開口平面の前記予選択された角度に三角
関数的に係る前記底部平面からの予選択された距離にま
で第１エッチング試薬ビットをエッチング形成し、該第
１エッチング試薬ビットは前記公称平面に対する交差結
晶面にそつた平面側部を有し、該平面側部と前記頂部平
面との交差により左横方向縁部と右横方向縁部及び１対
の長手方向縁部を有する矩形が形成されており、 前記底部平面を通じかつ前記公称結晶面に対し前記開口
平面の前記予選択された角度に三角関数的に係る前記頂
部平面からの予選択された距離まで第２エッチング試薬
ビットをエッチング形成し、該第２エッチング試薬ビッ
トの一部分が前記第１エッチング試薬ビットの一部分と
交差し前記開口を形成し、前記第２エッチング試薬ビッ
トは前記交差結晶面にそつた平面側部を有し、前記平面
側部と前記底部平面との交差により左横方向縁部と右横
方向縁部と１対の長手方向縁部とを有する矩形が形成さ
れ、前記第２エッチング試薬ビットの前記左横方向縁部
は前記開口平面の前記角度に三角関数的に係る予選択さ
れた長手方向オフセット量だけ前記第１エッチング試薬
ビットの前記右横方向縁部の左方に長手方向にオフセッ
トされている段階を有する開口のエッチング形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US152718 | 1988-02-05 | ||
| US07/152,718 US4808260A (en) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | Directional aperture etched in silicon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235239A true JPH01235239A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=22544109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1024088A Pending JPH01235239A (ja) | 1988-02-05 | 1989-02-03 | 開口のエッチング形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4808260A (ja) |
| EP (1) | EP0328281B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01235239A (ja) |
| CA (1) | CA1286423C (ja) |
| DE (1) | DE68924285T2 (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4907748A (en) * | 1988-08-12 | 1990-03-13 | Ford Motor Company | Fuel injector with silicon nozzle |
| DE4104019C1 (ja) * | 1991-02-09 | 1992-04-23 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De | |
| US5317938A (en) * | 1992-01-16 | 1994-06-07 | Duke University | Method for making microstructural surgical instruments |
| US5920067A (en) * | 1992-03-13 | 1999-07-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Monocrystalline test and reference structures, and use for calibrating instruments |
| DE4233703A1 (de) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Einspritzplatten und Siliziumplatte |
| JP3333560B2 (ja) * | 1992-10-23 | 2002-10-15 | リコーエレメックス株式会社 | シリコン基板のエッチング方法 |
| US5286002A (en) * | 1993-01-12 | 1994-02-15 | Siemens Automotive L.P. | Fuel injector having a composite silicon valve |
| US5308442A (en) * | 1993-01-25 | 1994-05-03 | Hewlett-Packard Company | Anisotropically etched ink fill slots in silicon |
| US5387314A (en) * | 1993-01-25 | 1995-02-07 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of ink fill slots in thermal ink-jet printheads utilizing chemical micromachining |
| US5492277A (en) * | 1993-02-17 | 1996-02-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Fluid injection nozzle |
| DE4318407A1 (de) * | 1993-06-03 | 1994-12-08 | Rossendorf Forschzent | Mikrokapillare mit integrierten chemischen Mikrosensoren und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| WO1995004881A1 (en) * | 1993-08-06 | 1995-02-16 | Ford Motor Company | A fuel injector |
| US5383597A (en) * | 1993-08-06 | 1995-01-24 | Ford Motor Company | Apparatus and method for controlling the cone angle of an atomized spray from a low pressure fuel injector |
| US5956058A (en) * | 1993-11-05 | 1999-09-21 | Seiko Epson Corporation | Ink jet print head with improved spacer made from silicon single-crystal substrate |
| JPH07279796A (ja) * | 1994-02-16 | 1995-10-27 | Nippondenso Co Ltd | 流体噴射ノズルおよびその製造方法 |
| US5487483A (en) * | 1994-05-24 | 1996-01-30 | Xerox Corporation | Nozzles for ink jet devices and method for microfabrication of the nozzles |
| US5901425A (en) | 1996-08-27 | 1999-05-11 | Topaz Technologies Inc. | Inkjet print head apparatus |
| US6071426A (en) * | 1997-12-08 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Micro benchtop optics by bulk silicon micromachining |
| JP3692826B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2005-09-07 | オムロン株式会社 | 半導体装置 |
| US6805432B1 (en) * | 2001-07-31 | 2004-10-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejecting device with fluid feed slot |
| US7105097B2 (en) * | 2002-01-31 | 2006-09-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Substrate and method of forming substrate for fluid ejection device |
| US7387742B2 (en) * | 2002-03-11 | 2008-06-17 | Becton, Dickinson And Company | Silicon blades for surgical and non-surgical use |
| BRPI0308319B1 (pt) * | 2002-03-11 | 2015-06-09 | Beaver Visitec Int Us Inc | Método para fabricar um dispositivo de corte de material cristalino e método para fabricar uma lâmina cirúrgica de material cristalino |
| US20090007436A1 (en) * | 2003-03-10 | 2009-01-08 | Daskal Vadim M | Silicon blades for surgical and non-surgical use |
| US20050155955A1 (en) * | 2003-03-10 | 2005-07-21 | Daskal Vadim M. | Method for reducing glare and creating matte finish of controlled density on a silicon surface |
| US20040181950A1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-23 | Rodgers Murray Steven | Alignment of microkeratome blade to blade handle |
| EP1662970A2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-06-07 | Becton, Dickinson and Company | System and method for creating linear and non-linear trenches in silicon and other crystalline materials with a router |
| US7396484B2 (en) * | 2004-04-30 | 2008-07-08 | Becton, Dickinson And Company | Methods of fabricating complex blade geometries from silicon wafers and strengthening blade geometries |
| JP5448581B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2014-03-19 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法及び基板の加工方法 |
| US8729591B2 (en) * | 2009-02-13 | 2014-05-20 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Opto-electronic device package with a semiconductor-based sub-mount having SMD metal contacts |
| JP5991179B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2016-09-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、及び、液体噴射装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3977071A (en) * | 1969-09-29 | 1976-08-31 | Texas Instruments Incorporated | High depth-to-width ratio etching process for monocrystalline germanium semiconductor materials |
| US3888708A (en) * | 1972-02-17 | 1975-06-10 | Kensall D Wise | Method for forming regions of predetermined thickness in silicon |
| US4169008A (en) * | 1977-06-13 | 1979-09-25 | International Business Machines Corporation | Process for producing uniform nozzle orifices in silicon wafers |
| JPS5562732A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-12 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Preparation of aperture stop |
| US4514896A (en) * | 1981-03-25 | 1985-05-07 | At&T Bell Laboratories | Method of forming current confinement channels in semiconductor devices |
| DE3137695A1 (de) * | 1981-09-22 | 1983-04-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit einem mehrschichten-halbleiterkoerper mit pnpn-schichtfolge und verfahren zu seiner herstellung |
| US4600934A (en) * | 1984-01-06 | 1986-07-15 | Harry E. Aine | Method of undercut anisotropic etching of semiconductor material |
| US4733823A (en) * | 1984-10-15 | 1988-03-29 | At&T Teletype Corporation | Silicon nozzle structures and method of manufacture |
| US4647013A (en) * | 1985-02-21 | 1987-03-03 | Ford Motor Company | Silicon valve |
| US4628576A (en) * | 1985-02-21 | 1986-12-16 | Ford Motor Company | Method for fabricating a silicon valve |
| US4758368A (en) * | 1986-07-21 | 1988-07-19 | Motorola Inc. | Method for etching silicon wafers using a potassium hydroxide and water etching solution |
| US4765864A (en) * | 1987-07-15 | 1988-08-23 | Sri International | Etching method for producing an electrochemical cell in a crystalline substrate |
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