DE68924285T2 - Erzeugung von richtungsbestimmten Löchern in Silizium. - Google Patents

Erzeugung von richtungsbestimmten Löchern in Silizium.

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Description

    Bereich der Erfindung
  • Der Bereich der Erfindung betrifft das Ätzen von Öffnungen in monokristalline Grundlagen wie zum Beispiel Silizium.
    • Hintergrund der Erfindung
  • Ätzen von Öffnungen in Siliziumgrundlagen durch Ätzverfahren, die üblicherweise als maschinelle Mikrobearbeitung bezeichnet werden, ist bekannt. Diese Öffnungen wurden in der Optik und auch als Durchflussdüsen für Flüssigkeiten benutzt. Beispiele für diese Öffriungen werden im folgenden Text angegeben.
  • Das an Wada und al. erteilte U.S. Patent 4 269 653 bezieht sich auf eine durch Silizium geätzte Öffnung, die in Bestrahlungsvorrichtungen mit Elektronenstrahlen benutzt wird. Die ausgeführte Öffnungsachse llegt senkrecht zur Nennebene der Siliziumgrundlage.
  • Die beiden, an Giachino und al. erteilten U.S. Patente 4 628 576 und 4 647 013 beziehen sich auf durch Silizium geätzte Öffnungen, die als Düsenteile eines Kraftstoffeinspritzventils benutzt werden. Auch hier liegt die Öffnungsachse senkrecht zur Nennebene der Grundlage durch welche die Öffnung geätzt wurde.
  • Das Technische IBM-Bekanntmachungsbulletin (IBM Technical Disclosure Bulletin), Vol. 14, Nr. 2, vom Juli 1971, Seiten 417-418, betitelt "Herstellung von profilierten Gittern und Öffnungslöchern" bezieht sich auf eine Methode zum Ätzen einer Reihe von Öffnungen, die als Beleuchtungsöffnungen verwendet werden. Noch spezifischer wird eine Siliziumgrundlage mit einer daraufliegenden epitaktischen Schicht dargestellt. Die gewünschte Öffnung oder das gewünschte Öffnungsmuster wird durch die epitaktische Schicht geätzt. Ein Ätzmittel, das die Siliziumgrundlage, aber nicht die epitaktische Schicht angreift, wird dann benutzt, um die Grundlage von der Rückseite abzuätzen und dadurch die epitaktische Schicht und das durch sie geätzte Öffnungsmuster freizulegen. Jede Öffnung hat eine Öffnungsachse, die senkrecht zur epitattiischen Schicht liegt.
  • Das Technische IBM-Bekanntmachungsbulletin, Vol. 25, Nr. 10, Seite 5041, betitelt "Siliziumgitter für die Gewinnung von Ionstrahlen", das das relevanteste vorausgegangene Fachwissen darstellt, bezieht sich auf die Herstellung von Gittern aus Silizium zur Gewinnung von Ionstrahlenquellen durch anisotropische Ätzvertiefungen in den gegenüberliegenden Oberfiächen der Siliziumgrundlage. Öffnungen mit einer oder zwei Öffnungsebenen werden in der Grundlage geformt, dort wo sich die Vertiefungen kreuzen. Die Ätzvertiefungen auf den gegenüberliegenden Seiten der Grundlage befinden sich im allgemeinen in symmetrischer Anordnung zueinander und die sich daraus ergebenden Öffnungen liegen auf Ebenen, die parallel zu den Oberfiächen der Grundlage sind.
  • Das U.S. Patent 4 169 008 bezieht sich auf eine Methode zum Ätzen von Öffnungen, die als Düsen von Tintenspritzdruckern benutzt werden. Ätzvertiefungen, sowohl auf der oberen als auch auf der unteren Oberfläche, bilden eine Öffnung, deren Öffnungsachse senkrecht zur Nennebene der Waffel ist. Durch das Ätzen vom Boden aus wird vorausgesetzt, dass Veränderungen in den Öffnungen, die sich sonst wegen Veränderungen der Waffeldicke ergäben, vermieden werden. Anders formuliert, werden die Dimensionen der Öffnungen auf der Planaroberfiäche des Bodens eher durch die Schutzöffnungen auf dem Boden, als durch die Kreuzung der oberen Ätzvertiefung mit der Planaroberfiäche des Bodens bestimmt. Jede Öffnungsachse liegt senkrecht zur Nennebene der Grundlage.
  • Die oben genannten Annäherungen sind insofern problematisch, da der Winkel der Öffnungsebene nicht gewählt werden kann. Die Öffnungsebene muss senkrecht zur Nennebene der Grundlage orientiert sein. Die Orientierung des Flüssigkeitsdurchflusses in eine andere, nicht senkrechte Richtung zur Grundlagenebene, die für eine spezielle Anwendung wünschenswert sein könnte, erfordert eine Zusatzstruktur.
    • Ziel der Erfindung
  • Das Ziel der vorliegenden Erfindung besteht daher in der Ausarbeitung einer Methode zum Ätzen von Öffnungen in eine einzige monokristaliine Grundlage, in welcher der Winkel der Öffnungsebene vorgewählt werden kann.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Nach der vorliegenden Erfindung wird eine Methode zum anisotropen Ätzen einer ersten Öffnung in eine monokristalline Grundlage angeboten, so dass die Ebene der ersten Öffnung in einem wählbaren Winkel (ß) im Verhältnis zu den kristallinen Nennebenen der Grundlage geneigt ist, wobei die besagte Methode die folgenden Stufen beinhaltet:
  • a) Dimensionierung der besagten Grundlage hinsichtlich der Dicke (t), wenn beide Planaroberflächen, die obere und die untere wirklich parallel zu den besagten nominellen Kristallinoberflächen sind,
  • b) anisotropisches Ätzen einer ersten Ätzvertiefung durch die besagte obere Planaroberfläche und gegen die besagten nominellen Kristallinebenen in einem ersten vorgewählten Abstand (d&sub1;) von der besagten unteren Planaroberfläche, wobei die besagte erste Ätzvertiefung flache Oberflächenseiten entlang der Kreuzung der Kristallinebenen zu den besagten nominellen Kristallinebenen hat, wobei die Kreuzung der besagten flachen Oberflächenseiten mit der besagten oberen Planaroberfläche einen Kreuzungswinkel ( ), ein erstes Paar Längsränder und ein zweites Paar Querränder der besagten ersten Ätzvertiefung bilden und
  • c) anisotropisches Ätzen einer zweiten Ätzvertiefung durch die besagte untere Planaroberfläche und gegen die besagten nominellen Kristallinebenen in einem zweiten vorgewählten Abstand (d&sub2;) von der besagten oberen Planaroberfläche, wobei die Stellen der ersten und zweiten Ätzvertiefungen sich gegenseitig senkrecht überlappen, wobei der Mittelpunkt der zweiten Ätzvertiefung zu dem Mittelpunkt der ersten Ätzvertiefung seitlich versetzt ist und die Summe des ersten und zweiten vorgewahlten Abstands (d&sub1;) und (d&sub2;) grösser als die Dicke (t) der besagten Grundlage ist, so dass sich ein Abschnitt der besagten zweiten Ätzvertiefung mit einem Abschnitt der besagten ersten Ätzvertiefung kreuzt und somit die erste besagte Öffnung bildet, da die besagte zweite Ätzvertiefung flache Oberflächenseiten längs der sich kreuzenden Kristallinebenen hat, wobei die Kreuzung der besagten flachen Oberflächenseiten mit der besagten unteren Planaroberfläche ein zweites Paar Längsränder und ein zweites Paar Querränder der zweiten Ätzvertiefung bildet, wobei die Ebene der ersten Öffnung als diejenige bezeichnet wird, die zwischen einem ersten hervorstehenden Rand liegt, der von der Kreuzung der erstren Ätzvertiefung mit der oberen Wand der zweiten Ätzvertiefung gebildet wird und einem zweiten hervorstehenden Rand der von der Kreuzung der zweiten Ätzvertiefung mit der unteren Wand der ersten Ätzvertiefung gebildet wird, wobei ein Rand des besagten zweiten Paars Querränder längsseitig. zum gegenüberliegenden Querrand des besagten ersten Paars Querränder durch eine vorgewählte Längsverschiebung (Δ L) versetzt ist, wobei die besagten gegenüberliegenden versetzten Ränder zu den sich kreuzenden Kristallinebenen gehören. die die besagten ersten und zweiten hervorstehenden Ränder beinhalten. wobei der Neigungswinkel (β) von der Ebene der Öffnung, die den oberen und unteren Planaroberflächen entspricht, der längsseitigen Verschiebung (Δ L) entspricht, die Dicke (t) der Grundlage, der erste vorgewählte Abstand (d&sub1;) der ersten Ätzvertiefüng von der unteren Planaroberfiäche, der zweite vorgewählte Abstand (d&sub2;) der zweiten Ätzvertiefung von der oberen Planaroberfläche und der Kreuzungswinkel ( ) zwischen den besagten Kreuzungsebenen und den besagten Nennebenen wird durch das trigonometrische Verhältnis bestimmt:
  • β = tan&supmin;¹ ((t- (d&sub1; + d&sub2;))/(ΔL - (d&sub1; + d&sub2;) / (tan ))
  • Ein Vorteil der Erfindung nach der obigen Ausführung besteht darin dass der Konstrukteur jeglichen Öffnungswinkel wählen kann, der durch die entsprechende Wahl der oben beschriebenen Werte (ΔL, d&sub1;, d2, sowie dem Typ des monokristallinen Stoffes ( )) wünschenswert ist. Ein anderer Vorteil ist, dass die gewünschte Öffnung vielleicht nur eine einzige Ätzstufe erfordert, in der die untere und obere Planaroberfläche gleich tief geätzt werden. Ferner ergibt sich ein anderer Vorteil daraus, dass eine lenkbare Öffnung nur in einer einzigen Grundlage geformt wird, wofür früher mehrere Grundlagen erforderlich waren. Ein anderer Vorteil ergibt sich daraus, dass in einer einzigen Grundlage mehrere Öffnungen geformt werden können, von denen jede eine andere Öffnungsachse hat,
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die Erfindung wird jetzt anhand von Beispielen und unter Bezugnahme auf die beffiegenden Zeichnungen näher beschrieben, von denen:
  • Figur 1 eine Perspektivdarstellung einer Auslegung ist, in der die Erfindung vorteilhaft angewandt wird,
  • Figur 2 eine Querschnittszeichnung ist, die von den Linien 2-2 von Figur 1 ausgeht,
  • die Figuren 3A bis 3C verschiedene Stufen des Vorgangs bei der Herstellung der in Figur 2 veranschaulichten Auslegung darstellen und
  • Figur 4 eine Aufrisszeichnung eines Abschnitts der in Figur 2 dargestellten Auslegung ist.
    • Beschreibung der bevorzugten Auslegung
  • Zuerst wird unter Bezugnahme auf Figur 1 eine Öffnungseinheit 10 gezeigt. als Darstellung eines Beispiels in dem die Erfindung vorteilhaft angewandt wird. Die hier gezeigte Öffnungseinheit 10 wurde aus einer (100) Siliziumgrundlage 12 hergestellt, die durch eine herkömmliche Vorrichtung aus einer Waffel gesägt wurde, so dass die obere Planaroberfiäche 14 und die untere Planaroberfläche 16 wirklich in der (100) nominellen Kristallinebene liegen. Die erste dargestellte Ätzvertiefung 20 wurde durch die obere Planaroberfiäche 14, mit den Seitenwänden 22, 24, 26 und 28 und der Bodenwand 30, gebildet. Die Seitenwände 22, 24, 26 und 28 liegen in den (111) Kreuzungsebenen, welche (100) die Nennebene in einem Winkel von ungefähr 54,7º kreuzen. Wie hier später detailllerter, unter besonderer Bezugnahme auf Figur 2 dargestellt wird, sind die Öffnungen 40 und 42 symmetrisch in der Grundlage 12 angeordnet.
  • Es muss verstanden werden, dass, obgleich eine (100) Siliziumgrundlage dargestellt wird, die Erfindung vorteilhaft mit Grundlagen angewandt werden kann, deren Hauptoberflächen in anderen Planarrichtungen liegen, wie zum Beispiel (110) Silizium. Im allgemeinen kann die Erfindung vorteilhaft mit jeglicher monokristallinen Grundlage benutzt werden.
  • Unter Bezugnahme auf Figur 2 werden die Öffnungen 40 und 42 im allgemeinen durch die Kreuzung der oberen Ätzvertiefung 20 mit den jeweiligen unteren Ätzvertiefungen 44 und 46 gebildet. Wie hier später detaillierter, unter besonderer Bezugnahme auf die Figuren 3A bis 3C beschrieben wird, wird die untere Ätzvertiefung 44 durch die Seitenwände 48, 50, 52 (nicht dargestellt) und 54 (nicht dargestellt) gebildet, die in den (111) Kreuzungsebenen liegen und durch die Seitenwand 56, die in der (100) Ebene liegt bestimmt. Die Seitenwände 48, 50, 52 und 54 werden in einem Winkel im Verhältnis zur unteren Planaroberfläche 16 oder, im allgemeinen, zu den (100) Ebenen gebildet.
  • Die Öffnungsebene 62 der Öffnung 42 wird in Figur 2 als eine Ebene zwischen den hervorstehenden Rändern 64 und 66 der Öffriung 42 dargestellt. Der hervorstehende Rand 64 wird durch die Kreuzung der oberen Ätzvertiefung 20 mit der oberen Wand 56 der unteren Ätzvertiefüng 44 gebildet. Der hervorstehende Rand 66 wird durch die Kreuzung der unteren Ätzvertiefung 44 mit der unteren Wand 30 der oberen Ätzvertiefung 20 gebildet. Die Öfinungsachse 68 der Öffnung 42 wird senkrecht zur Öffnungsebene 62 auf halbem Weg zwischen den hervorstehenden Rändern 64 und 66 dargestellt. Der Winkel der Öffnungsebene im Verhältnis zur unteren Planaroberfläche 16 oder im allgemeinen der (100) Ebenen wird hierbei als Winkel β bezeichnet.
  • Figur 2 stellt die Öffnung 40 als eine symmetrisch in die Grundlage 12 geformte Öffnung bezüglich der Öffnung 42 dar. Die untere Ätzvertiefung 46 hat eine obere Wand 76, die in der (100) Ebene liegt und Seitenwände 78, 80, 82 (nicht dargestellt) und 84 (nicht dargestellt), die in den (111) Ebenen liegen. Die Seitenwände 78, 80, 82 und 84 sind in einem Winkel im Verhältnis zur unteren Planaroberfiäche 16 oder im allgemeinen zu den (111) Ebenen geätzt.
  • Die Öffnungsebene 92 der Öffnung 40 wird als eine Planaroberfläche zwischen den hervorstehenden Rändern 94 und 96 der Öffnung 40 bestimmt. Der hervorstehende Rand 96 wird durch die Kreuzung der oberen Ätzvertiefung 20 mit der oberen Wand 76 der unteren Ätzvertiefung 46 bestimmt. Der hervorstehende Rand 94 wird durch die Kreuzung der unteren Ätzvertiefung 46 mit der unteren Wand 30 der oberen Ätzvertiefung 20 bestimmt. Die Öffnungsachse 98 der Öffnung 40 wird senkrecht zur Öffnungsebene 92 auf halbem Weg zwischen den hervorstehenden Rändern 94 und 96 dargestellt. Der Winkel der Öffnungsebene 92 wird bezüglich der oberen Planaroberfläche 14 oder der (100) Ebenen im allgemeinen, hier als Winkel β bezeichnet.
  • Unter Bezugnahme auf die Figuren 3A bis 3C, in denen sich die gleichen Zahlen auf die gleichen, in den Figuren 1 und 2 dargestellten Teile beziehen, wird jetzt die Herstellung der Öffnungseinheit 10 beschrieben. Die hier beschriebenen Herstellungsstufen beinhalten Photolithographie- und Ätztechniken, die in der Mikroelektronikindustrie bekannt sind. Die Grundlage 12 wird in Figur 3A als eine Siliziumgrundlage dargestellt, die vorzugsweise auf eine Dicke von ungefähr 200 bis 500 Mikron zugesägt wurde, deren Hauptoberflächen wirklich in den (100) Ebenen liegen. Die oben und unten liegenden Siiiziumoxydschichten 102 und 104 werden jeweils auf der Grundlage 12, unter Anwendung herkömmlicher Techniken, die in der Halbleiterindustrie bekannt sind, erzeugt. Die Sillziumnitritschichten 106 und 108 werden jeweils über die Sillziumoxydschichten 102 und 104, unter Anwendung herkömmlicher Dampfauftragtechnlken aufgetragen. Die Siliziumoxydschicht 102 und Siliziumnitritschicht 106 bestimmen zusammen die Passivierungsschicht 107. Genauso bestimmt die Kombination der Siliziumoxydschicht 104 und der Siliziumnitritschicht 108 die Passivierungsschicht 109.
  • Unter besonderer Bezugnahme auf Figur 38 werden photoresistente Schichten 112 und 114 über der jeweiligen Passivierungsschicht 107 und 109 aufgetragen. Die Umrisse des rechteckigen Ätzmusters 116 werden in einer photoresistenten Schicht 112 durch die herkömmlichen photolithographischen Techniken entworfen. Das rechteckige Ätzmuster 116 wird durch die Passivierungsschicht 107 geätzt, wobei ein entsprechender rechtecklger Abschnitt der oberen Planaroberfläche 14 zum Ätzen der oberen Ätzvertiefung 20 in einer entsprechenden Ätzstufe freigelegt wird. Auf ähnliche Art werden die Umrisse der unteren rechteckigen Muster 126 und 128 durch eine untere photoresistente Schicht 114 und eine Passivierungsschicht 109 entworfen.
  • Unter Bezugnahme auf Figur 3 C wird eine feuchte anisotropische Ätzlösung, wie zum Beispiel eine Wasser-Kalium-Hydroxid-Lösung oder eine Äthylen-Diamin-Brenzkatechin-Lösung auf dem oberen rechteckigen Muster 116, sowie auf den unteren rechteckigen Mustern 126 und 128 angewandt, um die jeweffige obere Ätzvertiefüng 20, sowie die unteren Ätzvertiefungen 44 und 46 zu bilden. Hinsichtlich der (100) hier dargestellten Siliziumwaffel, wirkt das feuchte Ätzmittel gegen die (100) Ebenen in einem Verhältnis ein, das ungefähr hundertmal grösser ist, als das Verhältnis gegen die (111) Ebenen. Die Ätzstufen werden zeitgeregelt so dass die obere Ätzvertiefung 20 gegen die (100) Ebenen auf einem Abstand d&sub1; vor der unteren Planaroberfläche 16 geätzt werden. Mit anderen Worten wird die obere Ätzvertiefung auf eine Tiefe t-d&sub1; geätzt, wo d die Dicke der Grundlage 12 ist. Während des Ätzens der Ebenen auf einem Abstand d&sub1; erfolgt relativ wenig Ätzen gegen die (111) Ebenen. Infolgedessen werden die Seitenwände 22, 24, 26 (Figur 1) und 28 (Figur 1), die in den Ebenen (111) liegen etwas von dem rechteckigen Muster 116 versetzt. Spezifischer bestimmt die Kreuzung der Seitenwände 22, 24, 26 und 28 mit der oberen Planaroberfläche 14 jeweils den linken Querrand 118, den rechten Querrand 120 und die längsseitigen Ränder 122 und 124 (Figur 1) der Ätzvertiefung 20, sie sind alle etwas vom rechteckigen Muster 116 versetzt.
  • Beide unteren Ätzvertiefungen 44 und 46 sind auf eine Tiefe d&sub2; vor der oberen Planaroberfiäche 14 geätzt. Das heisst, dass die untere Ätzvertiefung 44 und die untere Ätzvertiefung 46 auf eine t-d&sub1; Tiefe geätzt sind. Hinsichtlich der unteren Ätzvertiefung 44 bildet die Kreuzung der Seitenwände 48, 50, 52 (nicht dargestellt) und 54 (nicht dargestellt), mit der unteren Planaroberfläche 16 jeweils den linken Querrand 130, den rechten Querand 132, den Längsrand 134 (nicht dargestellt) und den Längsrand 136 (nicht dargestellt), die alle etwas vom rechteckigen Muster 126 versetzt sind. Bezüglich der unteren Ätzvertiefung 46 bildet die Kreuzung der Seitenwände 78, 80, 82 (nicht dargestellt) und 84 (nicht dargestellt) mit der unteren Planaroberfläche 16 jeweils den linken Querrand 138, den rechten Querrand 140, den Längsrand 142 (nicht dargestellt) und den Längsrand 144 (nicht dargestellt), die alle etwas zum rechteckigen Muster 128 versetzt sind.
  • Der obere Ätzrand 20 und die unteren Ätzränder 44 und 46 werden hier mit der gleichen geätzten Tiefe dargestellt (d&sub1; = d&sub2;), so dass die Ätzstufen gleichzeitig stattfinden. Das heisst, durch das Ätzen auf die gleiche Tiefe ist die Zeitregelung der Ätzstufen wirklich die gleiche und deshalb können die Ätzstufen gleichzeitig stattfinden.
  • Das trigonometrische Verhältnis der verschiedenen, oben beschriebenen Ätzparameter hinsichtlich des gewünschten oder gewählten Winkels der Öffnungsebene wird jetzt unter Bezugnahme auf Figur 4 beschrieben. Im Hinblick auf eine klare Darstellung bezieht sich die folgende Beschreibung besonders auf die Öffnung 42. Fachleute auf diesem Gebiet werden jedoch erkennen, dass sich diese Beschreibung auch auf die Öffnung 40 anwendet und ausserdem auf andere, von einem Konstruktor gewünschte Öiinungen, die hier nicht spezifisch dargestellt sind, anwendbar ist. Ferner sollte beachtet werden, dass diese Beschreibung sich auf eine (100) Sffiziumwaffel bezieht. Jedoch sind die hier beschriebenen Theorien auf andere monokristalline Grundlagen, wie zum Beispiel (110) Kristallinstrukturen anwendbar, in denen sich die (111) Ebenen mit den Ebenen in einem 90º Winkel kreuzen.
  • Wie hier schon unter Bezugnahme auf Figur 2 beschrieben wurde, geht die Öffnungsebene 62 durch die hervorstehenden Ränder 64 und 66, wobei sie einen Winkel β zur unteren Planaroberfläche 16 bildet. Die Seitenwände 48 und 50 der Ätzvertiefung 44 liegen längs der (111) Ebenen in einem Winkel zu der (100) Nennebene von 54,7º Der vorgewählte Winkel ß bezieht sich auf den Längsabstand zwischen dem linken Querrand 130 der unteren Ätzvertiefung und dem gegenüberliegenden rechten Querrand 120 der oberen Ätzvertiefung 20. (Δ L), den vorgewählten Abstand der oberen Ätzvertiefung 20 von der unteren Planaroberfiäche 16 (d&sub1;), den vorgewählten Abstand der unteren Ätzvertiefung 44 von der oberen Planaroberfiäche 14 (d&sub2;), den Winkel zwischen den (111) Ebenen und der (100) Nennebene ( ) und die Dicke der Grundlage 12 (t) durch folgendes trigonometrisches Verhältnis:
  • Man kann so sehen, dass der vorgewählte Winkel β vom Konstrukteur durch irgendwelche anderen Parameter, als die in der obigen Formel dargestellten, geändert werden kann, Der Konstrukteur kann somit einen gewünschten Öffnungswinkel wählen, indem er einfach seine Auswahl aus : dem Tvp der monokristallinen Grundlage ( ), der Waffeldicke (t), der Längsverschiebung der gegenüberliegenden Ätzvertiefungen (ΔL) und der Ätzdauer oder Dicke (d&sub1; und d&sub2;) trifft.

Claims (7)

1. Eine Methode zum anisotropischen Ätzen einer ersten Öffnung in eine monokristalline Grundlage, so dass die Ebene der ersten Öffnung in einem auswählbaren Winkel (β) im Bezug auf die nominellen Kristailinebenen der Grundlage geneigt ist, wobei die besagte Methode folgende Stufen enthält:
a) Dimensionierung der Grundlagendicke (t) wobei die oberen (14) und unteren (16) Planaroberflächen wirklich parallel zu den besagten nominellen Kristallinoberilächen sind :
b) anisotropisches Ätzen einer ersten Ätzvertiefung (20) durch die besagte obere Planaroberfläche (14) und gegen die besagten nominellen Kristallinbenen in einem ersten vorgewählten Abstand (d&sub1;) zu der besagten unteren Planaroberfiäche (16), wobei die erste Ätzvertiefung (20) flache Oberflächenseiten (22, 24) längs der sich kreuzenden Kristallinebenen zu den besagten nominellen Kristallinebenen hat, wobei die Kreuzung der besagten flachen Oberflächenseiten mit der besagten oberen Planaroberfläche einen Kreuzungswinkel ( ), zwei erste Längsränder (122, 124) und zwei erste Querränder (118, 120) der besagten ersten Ätzvertiefung (20) bildet und
c) anisotropisches Ätzen einer zweiten Ätzvertiefung (44) durch die besagte untere Planaroberfläche (16) und gegen die besagten nominellen Kristallinebenen in einem zweiten vorgewählten Abstand (d&sub2;) von der besagten oberen Planaroberfiäche (14), wobei die Stellen der ersten (20) und zweiten (44) Ätzungsvertiefung sich gegenseitig senkrecht überlappen, wobei der Mittelpunkt der zweiten Ätzvertiefung (44) längsversetzt zu dem der ersten Ätzvertiefung (20) ist und die Summe der besagten, vorgewählten ersten und zweiten Abstände (d&sub1;) und (d&sub2;) grösser als die Dicke (t) der besagten Grundlage ist, so dass ein Abschnitt der besagten zweiten Ätzvertiefung (44) sich mit einem Abschnitt der besagten ersten Ätzvertiefung (20) kreuzt, um die erste besagte Öffnung (42) zu bilden, wobei die besagte zweite Ätzvertiefung (44) flache Oberflächenseiten (48, 50) längs der sich kreuzenden Kristallinebenen hat und die Kreuzung der besagten flachen Oberflächenseiten mit der besagten unteren Planaroberfläche (16) ein zweites Paar Längsränder und ein zweites Paar Querränder (130, 132) der besagten zweiten Ätzvertiefung (44) bildet, wobei die Ebene der ersten Öffnung (42) als eine Ebene definiert wird, die zwischen einem ersten hervorstehenden Rand (64) entsteht, gebildet von der Kreuzung der ersten Ätzvertiefung (20) mit der oberen Wand (56) der zweiten Ätzveftiefung (44) und einem zweiten hervorstehenden Rand (66), gebildet durch die Kreuzung der zweiten Ätzvertlefung (44) mit der unteren Wand (30) der ersten Ätzvertiefung (20), wobei ein Rand (130) des besagten zweiten Querrandpaares (130, 132) zum gegenüberliegenden (120) längsversetzt vom ersten Querrandpaar (118, 120) ist, durch eine vorgewählte Längsversetzung (Δ L), wobei die besagten gegenüberliegenden versetzten Ränder (130, 120) zu den sich kreuzenden Kristallinebenen gehören, die die besagten ersten und zweiten hervorstehenden Ränder (64, 66) enthalten, wobei der Neigungswinkel (β) der Ebene (62) der Öffnung, bezüglich der unteren und oberen Planaroberflächen (14, 16), der Längsversetzung (ΔL), der Dicke (t) der Grundlage, dem ersten vorgewählten Abstand (d&sub1;) der ersten Ätzvertiefung (20) von der unteren Planaroberfläche (16), dem zweiten vorgewählten Abstand (d&sub2;) der zweiten Ätzvertiefung (44) von der oberen Planaroberfläche (14) und dem Kreuzungswinkel ( ) zwischen den besagten sich kreuzenden Ebenen und den besagten Nennebenen, dem trigonometrischen Verhältnis entspricht:
ß = tan&supmin;¹((t - (d&sub1;+ d&sub2;))/(ΔL - (d&sub1; + d&sub2;) / (tan )))
2. Eine Methode nach Patentanspruch 1, in der die Kreuzung der besagten flachen Oberflächenseiten (22, 24) mit der besagten oberen Planaroberfläche (14) ein Rechteck mit einem linken Querrand (118), einem rechten Querrand (120) und den besagten ersten zwei Längsrändern (122, 124) bildet und in der die Kreuzung der besagten flachen Oberfiächenseiten (48, 50) mit der besagten unteren Planaroberfläche (16) ein Rechteck mit einem linken Querrand (130), einem rechten Querrand (132) und dem besagten zweiten Längsrandpaar bilden.
3. Eine Methode nach Patentanspruch 1 oder 2, in der der erste vorgewählte Abstand (d&sub1;) der besagten ersten Ätzvertiefung (20) zur besagten unteren Planaroberfläche (16) wirklich gleich mit dem besagten vorgewählten Abstand (d&sub2;) der besagten zweiten Ätzvertiefung (44) zur besagten ersten Planaroberfiäche (14) ist, wobei die besagten Ätzvertiefungen, erste und zweite, (20, 44) gleichzeitig in einer einzigen Ätzstufe gebildet werden.
4. Eine Methode nach Patentanspruch 2, zum anisotropischen Ätzen einer zweiten Öffnung (40) in die besagte Grundlage, so dass die Ebene der besagten zweiten Öffnung in einem vorzuwählenden Winkel (beta) bezüglich der besagten nominellen Kristallinebenen der besagten Grundlage geneigt ist, wobei die Methode ausserdem die Stufe des anisotropischen Ätzens einer dritten Ätzvertiefung (46) enthält, durch die besagte untere Planaroberfläche (16) und gegen die besagten nominellen Kristallinebenen zum besagten zweiten vorgewählten Abstand (d&sub2;) von der besagten oberen Planaroberfiäche (14) wobei ein Abschnitt der besagten dritten Ätzvertiefung (46) sich mit einem Abschnitt der besagten ersten Ätzvertiefüng (20) kreuzt, um die besagte zweite Öffnung (40) symmetrisch zur besagten ersten Öffnung (42) zu bilden.
5. Eine Methode nach jedem der vorausgegangenen Patentansprüche, in der die besagte Grundlage aus einer Siliziumgrundlage besteht.
6. Eine Methode nach jedem der vorausgegangenen Patentansprüche, in der die besagten nominellen Kristallinebenen (100) Ebenen enthalten und die besagten sich kreuzenden Kristailinebenen (111) Ebenen und den besagten Kreuzungswinkel ( ) enthalten, der ungefähr bei 54,7º liegt.
7. Eine Methode nach jedem der Patentansprüche 1 bis 5, in der die besagten nominellen Planaroberflächen (110) Ebenen und die sich kreuzenden Kristallinebenen (111) Ebenen enthalten und der besagte Kreuzungswinkel ( ) ungefähr bei 90º liegt.
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