JP3127933B2 - ポジ型フォトレジスト現像液 - Google Patents
ポジ型フォトレジスト現像液Info
- Publication number
- JP3127933B2 JP3127933B2 JP28204891A JP28204891A JP3127933B2 JP 3127933 B2 JP3127933 B2 JP 3127933B2 JP 28204891 A JP28204891 A JP 28204891A JP 28204891 A JP28204891 A JP 28204891A JP 3127933 B2 JP3127933 B2 JP 3127933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ammonium hydroxide
- weight
- pattern
- resist
- hydroxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型フォトレジスト
現像液に関し、さらに詳しくは第四級アンモニウム水酸
化物水溶液に糖類または糖アルコール類を配合してなる
現像液に係り、特に高解像度で、微細パターンの形成が
可能でパターン寸法のバラツキが少なく、優れたパター
ンプロフィルを与えることができポジ型フォトレジスト
現像液であり超微細加工の半導体集積回路の製造に有用
である。
現像液に関し、さらに詳しくは第四級アンモニウム水酸
化物水溶液に糖類または糖アルコール類を配合してなる
現像液に係り、特に高解像度で、微細パターンの形成が
可能でパターン寸法のバラツキが少なく、優れたパター
ンプロフィルを与えることができポジ型フォトレジスト
現像液であり超微細加工の半導体集積回路の製造に有用
である。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子工業の発展は著しく、最近の
半導体集積回路は超ＬＳＩに代表されるように高集積化
およびそれに伴い回路を描画する際の最小線幅も次第に
微細化し、レジストパターンを精度よく形成することが
強く要望されている。このような要求に応えることがで
きるのはポジ型レジストであり、これは従来使用されて
きているネガ型レジストより解像度が優れているもので
ある。ポジ型レジストに代表的なものは、ベースである
アルカリ可溶性ノボラック樹脂と光分解剤であるナフト
キノンジアジド化合物とを共に含むものである。このナ
フトキノンアジド系のポジ型レジストの現像液としては
一般にアルカリ水溶液が使用されるが、半導体集積回路
素子を製造する場合には現像液に金属イオンを含有しな
いアルカリ水溶液を使用することが好ましいのは言うま
でもないことである。そこで金属イオンを含有しない有
機アルカリ現像液、例えばテトラメチルアンモニウム水
酸化物やコリン等の水溶液が知られている。（ＩＢＭ
「Technical Disclosure Bulettin 」第13巻、第７号、
第2009ページ、1970年、米国特許第 4,239,661号）
半導体集積回路は超ＬＳＩに代表されるように高集積化
およびそれに伴い回路を描画する際の最小線幅も次第に
微細化し、レジストパターンを精度よく形成することが
強く要望されている。このような要求に応えることがで
きるのはポジ型レジストであり、これは従来使用されて
きているネガ型レジストより解像度が優れているもので
ある。ポジ型レジストに代表的なものは、ベースである
アルカリ可溶性ノボラック樹脂と光分解剤であるナフト
キノンジアジド化合物とを共に含むものである。このナ
フトキノンアジド系のポジ型レジストの現像液としては
一般にアルカリ水溶液が使用されるが、半導体集積回路
素子を製造する場合には現像液に金属イオンを含有しな
いアルカリ水溶液を使用することが好ましいのは言うま
でもないことである。そこで金属イオンを含有しない有
機アルカリ現像液、例えばテトラメチルアンモニウム水
酸化物やコリン等の水溶液が知られている。（ＩＢＭ
「Technical Disclosure Bulettin 」第13巻、第７号、
第2009ページ、1970年、米国特許第 4,239,661号）
【０００３】しかし、テトラメチルアンモニウム水酸化
物やコリン等の水溶液を使用して線幅が微細なパターン
を描画する場合にはレジストプロフィルおよび寸法制御
精度が極端に低下する。このためレジスト感度をあげる
ために現像液のアルカリ濃度を上げたり、あるいは現像
時間を長くしたりされるが、いわゆるスループットに対
する十分な効果を上げることができない。またこの他に
解像度を向上させるための改良として第四級アンモニウ
ム水酸化物水溶液に種々の添加剤、例えば界面活性剤、
有機化合物を添加したものが提案されている。界面活性
剤を添加したものとしては、例えば特開昭５８−９１４
３号、特開昭６１−７０５５１号、特開昭６１−１６７
４８号、特開昭６１−１５１５３７号、特開昭６１−２
３２４５３号、特開昭６１−２３２４５４号、特開昭６
２−３２４５２号、特開昭６２−３２４５４号、特開昭
６２−４７１２５号等があり、界面活性剤にさらにアル
コール、炭化水素などの他の有機化合物を添加したもの
としては、例えば、特開昭６２−２３２４５３号、特開
昭５８−５７１２８号などが挙げられる。しかしながら
これらの場合でもそれぞれ一長一短があり、微細線幅の
リソグラフィーにおいては解像度や寸法精度等について
必ずしも満足すべきものとは言い難い。
物やコリン等の水溶液を使用して線幅が微細なパターン
を描画する場合にはレジストプロフィルおよび寸法制御
精度が極端に低下する。このためレジスト感度をあげる
ために現像液のアルカリ濃度を上げたり、あるいは現像
時間を長くしたりされるが、いわゆるスループットに対
する十分な効果を上げることができない。またこの他に
解像度を向上させるための改良として第四級アンモニウ
ム水酸化物水溶液に種々の添加剤、例えば界面活性剤、
有機化合物を添加したものが提案されている。界面活性
剤を添加したものとしては、例えば特開昭５８−９１４
３号、特開昭６１−７０５５１号、特開昭６１−１６７
４８号、特開昭６１−１５１５３７号、特開昭６１−２
３２４５３号、特開昭６１−２３２４５４号、特開昭６
２−３２４５２号、特開昭６２−３２４５４号、特開昭
６２−４７１２５号等があり、界面活性剤にさらにアル
コール、炭化水素などの他の有機化合物を添加したもの
としては、例えば、特開昭６２−２３２４５３号、特開
昭５８−５７１２８号などが挙げられる。しかしながら
これらの場合でもそれぞれ一長一短があり、微細線幅の
リソグラフィーにおいては解像度や寸法精度等について
必ずしも満足すべきものとは言い難い。
【０００４】先に、本発明者らは第四級アンモニウム水
酸化物水溶液にヒドラジンまたはヒドラジンと界面活性
剤とを組み合わせたポジ型フォトレジスト現像液を提案
した。これは従来のアルカリ系現像液に比べ微細線幅の
パターンプロフィルが得られ、スカムの発生も少ない優
れた現像液であるが、さらに高度な超微細線幅リソグラ
フィーを得る場合においては解像度、寸法精度の安定性
において今一歩不十分であり満足できるものでない。
酸化物水溶液にヒドラジンまたはヒドラジンと界面活性
剤とを組み合わせたポジ型フォトレジスト現像液を提案
した。これは従来のアルカリ系現像液に比べ微細線幅の
パターンプロフィルが得られ、スカムの発生も少ない優
れた現像液であるが、さらに高度な超微細線幅リソグラ
フィーを得る場合においては解像度、寸法精度の安定性
において今一歩不十分であり満足できるものでない。
【０００５】一方、本発明者らはドライエッチングによ
るアルミニウム配線体基板においてハロゲンに起因する
アルミニウムのコロージョンを防止するための表面処理
液として第四級アンモニウム水酸化物水溶液に糖類また
は糖アルコールを配合した水溶液を先に提案した（特願
平２−１４５５４号）。
るアルミニウム配線体基板においてハロゲンに起因する
アルミニウムのコロージョンを防止するための表面処理
液として第四級アンモニウム水酸化物水溶液に糖類また
は糖アルコールを配合した水溶液を先に提案した（特願
平２−１４５５４号）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の事情に鑑み、本
発明は、高解像度を有し優れたレジストパターンプロフ
ィルが得られると共に、パターン寸法のバラツキが小さ
い超微細パターンの形成が可能であるポジ型フォトレジ
スト現像液を提供することにある。
発明は、高解像度を有し優れたレジストパターンプロフ
ィルが得られると共に、パターン寸法のバラツキが小さ
い超微細パターンの形成が可能であるポジ型フォトレジ
スト現像液を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、有機アル
カル系のポジ型レジスト現像液に関し多角的に検討を行
い、第四級アンモニウム水酸化物水溶液に、キシリトー
ルまたはソルビトールを添加配合した水溶液が安定した
精度の高い超微細加工が可能であり、優れたパターンプ
ロフィルを与えることが見出された。 すなわち、本発明は、一般式、〔（Ｒ1 ）3 Ｎ−Ｒ〕+
・ＯＨ- （ただし、式中Ｒは炭素数１〜３のアルキル基、または
炭素数１〜３のヒドロキシ置換アルキル基、Ｒ1 は炭素
数１〜３のアルキル基を示す）で表される第四級アンモ
ニウム水酸化物水溶液１〜１０重量％と、キシリトール
またはソルビトール０．５〜３重量％とを含有するポジ
型フォトレジスト現像液に係わる。
カル系のポジ型レジスト現像液に関し多角的に検討を行
い、第四級アンモニウム水酸化物水溶液に、キシリトー
ルまたはソルビトールを添加配合した水溶液が安定した
精度の高い超微細加工が可能であり、優れたパターンプ
ロフィルを与えることが見出された。 すなわち、本発明は、一般式、〔（Ｒ1 ）3 Ｎ−Ｒ〕+
・ＯＨ- （ただし、式中Ｒは炭素数１〜３のアルキル基、または
炭素数１〜３のヒドロキシ置換アルキル基、Ｒ1 は炭素
数１〜３のアルキル基を示す）で表される第四級アンモ
ニウム水酸化物水溶液１〜１０重量％と、キシリトール
またはソルビトール０．５〜３重量％とを含有するポジ
型フォトレジスト現像液に係わる。
【０００８】本発明において、上記一般式で表される第
四級アンモニウム水酸化物は、炭素数１〜３のアルキル
基を有するテトラアルキルアンモニウム水酸化物、また
はＲがヒドロキシ置換アルキル基であるトリアルキル
（ヒドロキシアルキル）アンモニウム水酸化物であり、
具体的には、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テト
ラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピィルアン
モニウム水酸化物、トリメチルエチルアンモニウム水酸
化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウ
ム水酸化物、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アン
モニウム水酸化物、トリプロピル（２−ヒドロキシエチ
ル）アンモニウム水酸化物、トリメチル（１−ヒドロキ
シプロピル）アンモニウム水酸化物などが挙げられる。
これらの中でも特に好ましいものは、テトラメチルアン
モニウム水酸化物（以下「ＴＭＡＨ」と記すことがあ
る）、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウ
ム水酸化物（以下「コリン」と記すことがある）であ
る。
四級アンモニウム水酸化物は、炭素数１〜３のアルキル
基を有するテトラアルキルアンモニウム水酸化物、また
はＲがヒドロキシ置換アルキル基であるトリアルキル
（ヒドロキシアルキル）アンモニウム水酸化物であり、
具体的には、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テト
ラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピィルアン
モニウム水酸化物、トリメチルエチルアンモニウム水酸
化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウ
ム水酸化物、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アン
モニウム水酸化物、トリプロピル（２−ヒドロキシエチ
ル）アンモニウム水酸化物、トリメチル（１−ヒドロキ
シプロピル）アンモニウム水酸化物などが挙げられる。
これらの中でも特に好ましいものは、テトラメチルアン
モニウム水酸化物（以下「ＴＭＡＨ」と記すことがあ
る）、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウ
ム水酸化物（以下「コリン」と記すことがある）であ
る。
【０００９】上記の第四級アンモニウム水酸化物は全溶
液中一般的に１〜１０重量％の濃度範囲で選択され、実
際の使用に際しては使用する化合物の種類によりそれぞ
れの適切な濃度が選ばれる。例えばコリンやテトラエチ
ルアンモニウム水酸化物の場合は少なくとも５重量％の
濃度であることが必要であり、５重量％よりも低い場合
は現像が十分に行えず、時には殆ど現像ができないこと
もありパターンが形成されず、またスカムが発生し良好
なパターンが形成できないなど不都合である。ＴＭＡＨ
の場合は３重量％〜４重量％の範囲の濃度が選ばれ、コ
リンのような５重量％の高濃度では、未露光部の膜厚減
少速度が速くなり過ぎレジストが溶解して微細パターン
形成ができない。このように安定して良好なパターンプ
ロフィルを得るには、その使用濃度は使用化合物により
適宜選択することが必要である。
液中一般的に１〜１０重量％の濃度範囲で選択され、実
際の使用に際しては使用する化合物の種類によりそれぞ
れの適切な濃度が選ばれる。例えばコリンやテトラエチ
ルアンモニウム水酸化物の場合は少なくとも５重量％の
濃度であることが必要であり、５重量％よりも低い場合
は現像が十分に行えず、時には殆ど現像ができないこと
もありパターンが形成されず、またスカムが発生し良好
なパターンが形成できないなど不都合である。ＴＭＡＨ
の場合は３重量％〜４重量％の範囲の濃度が選ばれ、コ
リンのような５重量％の高濃度では、未露光部の膜厚減
少速度が速くなり過ぎレジストが溶解して微細パターン
形成ができない。このように安定して良好なパターンプ
ロフィルを得るには、その使用濃度は使用化合物により
適宜選択することが必要である。
【００１０】次に、本発明において第四級アンモニウム
水酸化物と共に使用される糖アルコール類は、キシリト
ール、ソルビトールが挙げられる。これら糖アルコール
類は全溶液中一般に０．１〜３重量％の濃度範囲、好ま
しくは０．５〜３重量％の濃度範囲で使用される。上記
範囲よりも低い場合は超微細パターンを精度よく作成す
ることが困難となり、一方３重量％を越える高濃度で
は、レジストの露光部分の膜減り速度が低下し良好なパ
ターンが形成されない等現像液としての機能を発揮し得
ない。
水酸化物と共に使用される糖アルコール類は、キシリト
ール、ソルビトールが挙げられる。これら糖アルコール
類は全溶液中一般に０．１〜３重量％の濃度範囲、好ま
しくは０．５〜３重量％の濃度範囲で使用される。上記
範囲よりも低い場合は超微細パターンを精度よく作成す
ることが困難となり、一方３重量％を越える高濃度で
は、レジストの露光部分の膜減り速度が低下し良好なパ
ターンが形成されない等現像液としての機能を発揮し得
ない。
【００１１】本発明における現像液は、浸漬法、スプレ
ー法、パドル法などのいずれの方法にも適用でき、現像
時の温度、時間等はレジストの種類に応じて適宜選択さ
れるが、例えば通常のナフトキノンアジド化合物を含有
するアルカリ可溶性ノボラック樹脂からなるレジストを
使用して、浸漬法により現像する場合は一般的にはこれ
まで使用されている温度（室温）、現像時間で充分に満
足できるパターン形成が可能である。
ー法、パドル法などのいずれの方法にも適用でき、現像
時の温度、時間等はレジストの種類に応じて適宜選択さ
れるが、例えば通常のナフトキノンアジド化合物を含有
するアルカリ可溶性ノボラック樹脂からなるレジストを
使用して、浸漬法により現像する場合は一般的にはこれ
まで使用されている温度（室温）、現像時間で充分に満
足できるパターン形成が可能である。
【００１２】以下に実施例により本発明をより具体的に
示す。
示す。
【００１３】実施例１ 〔試験用レジストパターンの調製〕３インチシリコンウ
エハーに、アルカリ可溶性ノボラック樹脂とナフトキノ
ンジアジド化合物を構成成分として含むＯＦＰＲ−８０
０（東京応化工業社製）をスピナーにより膜厚１．２μ
ｍになるように塗布し、これをクリーンオーブン中８０
℃で３０分間プリベークしたのち、密着露光装置を用い
てテストチャートレクチルを介して露光処理を行った。
なお、ソルビトールの添加量によりレジストの溶解速度
が異なるため、露光量は予め最適露光量を測定しておき
最適露光を行った。 〔現像液の調製〕テトラメチルアンモニウム水酸化物
（ＴＭＡＨ）の２．３８重量％水溶液に、ソルビトール
を表−１に示す量を添加し現像液を調製し試験に供し
た。なお、比較としてソルビトールを添加しないもの、
またソルビトールの代わりにポリエチレングリコールを
添加したものをそれぞれ調製し試験に供した。 〔現像試験〕表−１に示したそれぞれの現像液を用いて
浸漬法により２３℃、６０秒の現像条件で現像を行った
後、超純水によりリンス処理を行ってクリーンオーブン
中１２０℃で３０分ポストベークを行った。その後未露
光部の膜厚減少速度、現像後のレジストパターンの断面
形状のテーパー角度を測定または観察した。なお、断面
形状のテーパー角度は現像したレジスト膜上の０．７５
μｍのラインパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡で
観察、測定したものである。表−１から明らかなように
本発明の現像液は未露光部の膜厚減少速度が充分に抑制
され、テーパー角度の高いシャープなパターンラインが
得られる。
エハーに、アルカリ可溶性ノボラック樹脂とナフトキノ
ンジアジド化合物を構成成分として含むＯＦＰＲ−８０
０（東京応化工業社製）をスピナーにより膜厚１．２μ
ｍになるように塗布し、これをクリーンオーブン中８０
℃で３０分間プリベークしたのち、密着露光装置を用い
てテストチャートレクチルを介して露光処理を行った。
なお、ソルビトールの添加量によりレジストの溶解速度
が異なるため、露光量は予め最適露光量を測定しておき
最適露光を行った。 〔現像液の調製〕テトラメチルアンモニウム水酸化物
（ＴＭＡＨ）の２．３８重量％水溶液に、ソルビトール
を表−１に示す量を添加し現像液を調製し試験に供し
た。なお、比較としてソルビトールを添加しないもの、
またソルビトールの代わりにポリエチレングリコールを
添加したものをそれぞれ調製し試験に供した。 〔現像試験〕表−１に示したそれぞれの現像液を用いて
浸漬法により２３℃、６０秒の現像条件で現像を行った
後、超純水によりリンス処理を行ってクリーンオーブン
中１２０℃で３０分ポストベークを行った。その後未露
光部の膜厚減少速度、現像後のレジストパターンの断面
形状のテーパー角度を測定または観察した。なお、断面
形状のテーパー角度は現像したレジスト膜上の０．７５
μｍのラインパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡で
観察、測定したものである。表−１から明らかなように
本発明の現像液は未露光部の膜厚減少速度が充分に抑制
され、テーパー角度の高いシャープなパターンラインが
得られる。
【００１４】
【表１】
【００１５】実施例２ 糖または糖アルコールとして、キシリトールを使用し、
濃度を３重量％として調製した現像液を使用した以外は
実施例１におけると同様のレジストパターンを同様の現
像条件で実施した。その結果を表−２に示す。
濃度を３重量％として調製した現像液を使用した以外は
実施例１におけると同様のレジストパターンを同様の現
像条件で実施した。その結果を表−２に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】 参考例 糖または糖アルコールとしてサッカロースを使用し、濃
度を３重量％として調製した現像液を使用した以外は、
実施例１におけると同様のレジストパターンを同様の現
像条件で実施した。その結果を表３に示す。
度を３重量％として調製した現像液を使用した以外は、
実施例１におけると同様のレジストパターンを同様の現
像条件で実施した。その結果を表３に示す。
【００１８】
【表３】
【００１９】実施例４ コリンの５重量％水溶液に、ソルビトールを表−４に示
す量をそれぞれ添加し現像液を調製し試験に供した。試
験に供したレジストパターンは実施例１と同様のものを
使用し、実施例１と同様な現像条件で実施した結果を表
−４に示す。
す量をそれぞれ添加し現像液を調製し試験に供した。試
験に供したレジストパターンは実施例１と同様のものを
使用し、実施例１と同様な現像条件で実施した結果を表
−４に示す。
【００２０】
【表４】
【００２１】実施例５ テトラエチルアンモニウム水酸化物の６重量％水溶液
に、ソルビトールを表−５に示す量をそれぞれ添加し現
像液を調製し試験に供した。試験に供したレジストパタ
ーンは実施例１と同様のものを使用し、実施例１と同様
な現像条件で実施した結果を表−５に示す。
に、ソルビトールを表−５に示す量をそれぞれ添加し現
像液を調製し試験に供した。試験に供したレジストパタ
ーンは実施例１と同様のものを使用し、実施例１と同様
な現像条件で実施した結果を表−５に示す。
【００２２】
【表５】
【００２３】
【発明の効果】本発明の現像液は、未露光部の膜厚減少
速度を充分に抑制し、高解像度で超微細パターンの形成
が可能であると共に、パターン寸法のバラツキが非常に
少なく安定して良好なパターンプロフィルを与えること
ができるなどの優れた効果を有し工業的に極めて有益な
ものである。
速度を充分に抑制し、高解像度で超微細パターンの形成
が可能であると共に、パターン寸法のバラツキが非常に
少なく安定して良好なパターンプロフィルを与えること
ができるなどの優れた効果を有し工業的に極めて有益な
ものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−87838（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−19344（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−259560（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/32 H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式、〔（Ｒ1 ）3 Ｎ−Ｒ〕+ ・ＯＨ
- （ただし、式中Ｒは炭素数１〜３のアルキル基、または
炭素数１〜３のヒドロキシ置換アルキル基、Ｒ1 は炭素
数１〜３のアルキル基を示す）で表される第四級アンモ
ニウム水酸化物水溶液１〜１０重量％とキシリトールま
たはソルビトール０．５〜３重量％とを含有するポジ型
フォトレジスト現像液。 - 【請求項２】 上記一般式で表される第四級アンモニウ
ム水酸化物が、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テ
トラエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒ
ドロキシエチル）アンモニウム水酸化物である請求項第
１項記載の現像液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28204891A JP3127933B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | ポジ型フォトレジスト現像液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28204891A JP3127933B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | ポジ型フォトレジスト現像液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594024A JPH0594024A (ja) | 1993-04-16 |
| JP3127933B2 true JP3127933B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=17647491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28204891A Expired - Lifetime JP3127933B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | ポジ型フォトレジスト現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3127933B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69527494T2 (de) * | 1994-12-06 | 2002-11-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Entwickler für ein lichtempfindliches lithographisches Druckmaterial |
| US6541188B2 (en) | 2001-05-11 | 2003-04-01 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Developer for alkaline-developable lithographic printing plates |
| US6649319B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-11-18 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Method of processing lithographic printing plate precursors |
| KR101012237B1 (ko) * | 2003-07-11 | 2011-02-08 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트 현상 조성물 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP28204891A patent/JP3127933B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0594024A (ja) | 1993-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5175078A (en) | Positive type photoresist developer | |
| JPH0638159B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト用現像液 | |
| US20090130590A1 (en) | Photoresist compositions and process for multiple exposures with multiple layer photoresist systems | |
| JPH063549B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト現像液組成物 | |
| JPH0654384B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| EP0124297B2 (en) | Alkaline solution for developing positive photoresists | |
| CN106324998B (zh) | 光刻图形的形成方法 | |
| EP0677183A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING A DEVELOPER HAVING A LOW LEVEL OF METAL IONS. | |
| JPH0650396B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP3127933B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト現像液 | |
| WO1989006379A1 (en) | Aqueous developing solution and its use in developing positive-working photoresist composition | |
| US7846640B2 (en) | Developer composition for resists and method for formation of resist pattern | |
| JP3491978B2 (ja) | 表面反射防止塗布組成物 | |
| JP3135585B2 (ja) | ２，４―ジニトロ―１―ナフトールを含有するポジ型フォトレジスト組成物 | |
| KR100801051B1 (ko) | 레지스트용 현상제 및 레지스트 패턴의 형성 방법 | |
| JP2712397B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト現像液 | |
| JPH0511458A (ja) | 現像液及び現像方法 | |
| JP2819568B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト現像液 | |
| EP0364895B1 (en) | Positive type photoresist developer | |
| JPS63170640A (ja) | ポジ型ホトレジスト用現像液 | |
| JPH0455504B2 (ja) | ||
| JPH0638160B2 (ja) | ポジ型ホトレジストのスカム除去剤 | |
| JPS63259560A (ja) | ポジ型ホトレジスト用有機アルカリ現像液 | |
| US20060127800A1 (en) | High sensitivity resist compositions for electron-based lithography | |
| JPH0689031A (ja) | ポジ型フォトレジスト現像液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081110 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081110 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |