JPH0511458A - 現像液及び現像方法 - Google Patents
現像液及び現像方法Info
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- JPH0511458A JPH0511458A JP18814991A JP18814991A JPH0511458A JP H0511458 A JPH0511458 A JP H0511458A JP 18814991 A JP18814991 A JP 18814991A JP 18814991 A JP18814991 A JP 18814991A JP H0511458 A JPH0511458 A JP H0511458A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジストの超微細パターンを歩どまり
良く形成することが可能で、現像後の超純水洗浄により
ウエハー上の現像液成分を完全に除去できる現像液及び
現像方法を提供することを目的とする。 【構成】 界面活性剤とアルカリ水溶液とからなるフォ
トレジスト用現像液において、現像液がＨ2Ｏ2を含むこ
とを特徴とする。
良く形成することが可能で、現像後の超純水洗浄により
ウエハー上の現像液成分を完全に除去できる現像液及び
現像方法を提供することを目的とする。 【構成】 界面活性剤とアルカリ水溶液とからなるフォ
トレジスト用現像液において、現像液がＨ2Ｏ2を含むこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リソグラフィーで用い
られるレジストの現像液に係わり、更に詳しくは超ＬＳ
Ｉ製造プロセスで用いられる微細パターン形成用のレジ
スト現像液及び現像方法に関する。
られるレジストの現像液に係わり、更に詳しくは超ＬＳ
Ｉ製造プロセスで用いられる微細パターン形成用のレジ
スト現像液及び現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術を半導体製造プロセスを例に
とり説明する。
とり説明する。
【０００３】ＬＳＩ製造プロセスにおいて、素子の高集
積化及びウエハーの大口径化がますます進むに伴い、リ
ソグラフィープロセスが一層重要視されている。
積化及びウエハーの大口径化がますます進むに伴い、リ
ソグラフィープロセスが一層重要視されている。
【０００４】リソグラフィープロセスでは、フォトレジ
ストをスピンコートした後、マスクで所定のパターンに
露光し、続いて現像液で現像することにより所定の形状
のレジストパターンを形成する。微細パターン用レジス
トとしては、一般にポシ型レジストが用いられ、現像液
にはアルカリ性現像液が用いられる。
ストをスピンコートした後、マスクで所定のパターンに
露光し、続いて現像液で現像することにより所定の形状
のレジストパターンを形成する。微細パターン用レジス
トとしては、一般にポシ型レジストが用いられ、現像液
にはアルカリ性現像液が用いられる。
【０００５】ここで、パターン形状が高集積化に伴い更
に微細化してくると、現像液がレジストに濡れ難くなり
除去すべきパターン内にレジストが残る等パターン形成
にバラツキが現れ、微細パターンを高い歩どまりで形成
することが難かしくなった。特に８インチ径のウエハー
の場合、ウエハー全体にわたってバラツキのないレジス
トパターンを形成することは極めて困難である。更に、
現像液がシリコンウエハ表面に接触すると、液がアルカ
リ性のためシリコンがエッチングされウエハー表面に微
小な凹凸が発生する。また、ウエハ上に酸化膜が形成さ
れていても超ＬＳＩで要求される薄い酸化膜では現像液
により酸化膜の全体または一部が溶解し、続いて上記し
たようにシリコンがエッチングされるという問題があ
る。本発明者は現像液に適切な界面活性剤を加えること
により以上の問題を解決し、８インチ以上の大口径ウエ
ハーでもレジスト微細パターンを歩どまり良く形成する
ことが可能となった。
に微細化してくると、現像液がレジストに濡れ難くなり
除去すべきパターン内にレジストが残る等パターン形成
にバラツキが現れ、微細パターンを高い歩どまりで形成
することが難かしくなった。特に８インチ径のウエハー
の場合、ウエハー全体にわたってバラツキのないレジス
トパターンを形成することは極めて困難である。更に、
現像液がシリコンウエハ表面に接触すると、液がアルカ
リ性のためシリコンがエッチングされウエハー表面に微
小な凹凸が発生する。また、ウエハ上に酸化膜が形成さ
れていても超ＬＳＩで要求される薄い酸化膜では現像液
により酸化膜の全体または一部が溶解し、続いて上記し
たようにシリコンがエッチングされるという問題があ
る。本発明者は現像液に適切な界面活性剤を加えること
により以上の問題を解決し、８インチ以上の大口径ウエ
ハーでもレジスト微細パターンを歩どまり良く形成する
ことが可能となった。
【０００６】しかし研究を進める過程で、上記の界面活
性剤がシリコン表面に吸着し、超純水のリンス洗浄を行
ってもとりきれず、最終的に素子の特性を低下させるこ
とが分かった。そこで本発明者は、ウエハー上に吸着し
た界面活性剤を除去する方法として、現像後のレジスト
パターンのついたシリコンウエハをＰｔ（例えばメッシ
ュ）を入れた３０％Ｈ2Ｏ2溶液の中に浸漬し、界面活性
剤を除去する方法を発明した。
性剤がシリコン表面に吸着し、超純水のリンス洗浄を行
ってもとりきれず、最終的に素子の特性を低下させるこ
とが分かった。そこで本発明者は、ウエハー上に吸着し
た界面活性剤を除去する方法として、現像後のレジスト
パターンのついたシリコンウエハをＰｔ（例えばメッシ
ュ）を入れた３０％Ｈ2Ｏ2溶液の中に浸漬し、界面活性
剤を除去する方法を発明した。
【０００７】現像後のウエハーをＰｔ／Ｈ2Ｏ2液に浸漬
するこの方法により、シリコンに吸着した界面活性剤を
完全に除去することが可能となり、そして高性能なデバ
イスを作製することが可能となった。この方法は界面活
性剤を除去する方法として非常に優れた方法ではある
が、Ｐｔの入ったＨ2Ｏ2の槽にウエハに浸漬する工程が
加わりリソグラフィー工程が複雑になり、また、Ｈ2Ｏ2
の劣化やウエハ搬送系の腐食等の問題がある。また、レ
ジストパターンが劣化する場合もあり、更に長期間使用
するとＰｔのパーティクルがシリコンウエハ上に付着
し、素子のライフタイム特性等を劣化させるという問題
がある。
するこの方法により、シリコンに吸着した界面活性剤を
完全に除去することが可能となり、そして高性能なデバ
イスを作製することが可能となった。この方法は界面活
性剤を除去する方法として非常に優れた方法ではある
が、Ｐｔの入ったＨ2Ｏ2の槽にウエハに浸漬する工程が
加わりリソグラフィー工程が複雑になり、また、Ｈ2Ｏ2
の劣化やウエハ搬送系の腐食等の問題がある。また、レ
ジストパターンが劣化する場合もあり、更に長期間使用
するとＰｔのパーティクルがシリコンウエハ上に付着
し、素子のライフタイム特性等を劣化させるという問題
がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上の状況に鑑み、本
発明はフォトレジストの超微細パターンを歩どまり良く
形成することが可能で、現像後の超純水洗浄によりウエ
ハー上の現像液成分を完全に除去できる現像液及び現像
方法を提供することを目的とする。
発明はフォトレジストの超微細パターンを歩どまり良く
形成することが可能で、現像後の超純水洗浄によりウエ
ハー上の現像液成分を完全に除去できる現像液及び現像
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の要旨は、
界面活性剤とアルカリ水溶液とからなるフォトレジスト
用現像液において、前記現像液がＨ2Ｏ2を含むことを特
徴とする現像液に存在する。
界面活性剤とアルカリ水溶液とからなるフォトレジスト
用現像液において、前記現像液がＨ2Ｏ2を含むことを特
徴とする現像液に存在する。
【００１０】第２の要旨は、 第１の要旨の現像液を用
い、基体上のフォトレジストをパターニングすることを
特徴とする現像方法に存在する。
い、基体上のフォトレジストをパターニングすることを
特徴とする現像方法に存在する。
【００１１】
【作用】以下に本発明の作用を説明する。
【００１２】本発明における現像液は、アルカリ性現像
剤に界面活性剤、Ｈ2Ｏ2を混合して得られる。この液に
露光後のフォトレジストを浸漬あるいはスピン現像して
レジストパターンを形成する。
剤に界面活性剤、Ｈ2Ｏ2を混合して得られる。この液に
露光後のフォトレジストを浸漬あるいはスピン現像して
レジストパターンを形成する。
【００１３】アルカリ現像剤は、例えば、ＫＯＨ，Ｎａ
ＯＨ等の無機アルカリあるいは例えばコリン、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等の
有機アルカリの水溶液が用いられるが、無機アルカリは
残存するとウエハーにとって極めて有害な不純物となる
ので有機アルカリが好ましく、取扱性からＴＭＡＨがよ
り好ましい。一般的には、東京応化工業製ＮＷＤ−３，
徳山曹達製ＳＤ−１等が用いられる。
ＯＨ等の無機アルカリあるいは例えばコリン、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等の
有機アルカリの水溶液が用いられるが、無機アルカリは
残存するとウエハーにとって極めて有害な不純物となる
ので有機アルカリが好ましく、取扱性からＴＭＡＨがよ
り好ましい。一般的には、東京応化工業製ＮＷＤ−３，
徳山曹達製ＳＤ−１等が用いられる。
【００１４】一方フォトレジストとしては、例えばノボ
ラック系のポジ型及びネガ型レジストが用いられ、具体
的には例えば、ポジ型は東京応化工業製ＯＦＰＲ−８０
０、ＴＳＭＲ−８９００等、ネガ型は東京応化工業製Ｔ
ＨＭＲ−ｉＮ１００等が挙げられる。
ラック系のポジ型及びネガ型レジストが用いられ、具体
的には例えば、ポジ型は東京応化工業製ＯＦＰＲ−８０
０、ＴＳＭＲ−８９００等、ネガ型は東京応化工業製Ｔ
ＨＭＲ−ｉＮ１００等が挙げられる。
【００１５】界面活性剤は、分子量が５００〜５０００
程度の界面活性剤が好ましい。この範囲の分子量の界面
活性剤は非常に安定で、レジストに対する濡れ性を大き
く改善する。また、微細パターンを信頼性高く形成でき
ると共にアルカリ現像液によるシリコンのエッチングを
より一層抑制することが可能となる。低分子量の界面活
性剤の場合（例えば分子量２００〜３００程度）は、ア
ルカリ溶液中では界面活性剤としての効果がなく、高性
能素子の微細パターン形成には好ましくない。つまり、
アルカリ現像液には、５００以上の界面活性剤が必要で
ある。また分子量が大きすぎると十分溶液に溶解せず析
出してパターン不良を生じる。
程度の界面活性剤が好ましい。この範囲の分子量の界面
活性剤は非常に安定で、レジストに対する濡れ性を大き
く改善する。また、微細パターンを信頼性高く形成でき
ると共にアルカリ現像液によるシリコンのエッチングを
より一層抑制することが可能となる。低分子量の界面活
性剤の場合（例えば分子量２００〜３００程度）は、ア
ルカリ溶液中では界面活性剤としての効果がなく、高性
能素子の微細パターン形成には好ましくない。つまり、
アルカリ現像液には、５００以上の界面活性剤が必要で
ある。また分子量が大きすぎると十分溶液に溶解せず析
出してパターン不良を生じる。
【００１６】本発明においては、以上の界面活性剤を現
像液全量中１００ｐｐｍ〜１％含有させる。１％以上で
は、泡だち等が起こり、パターンにバラツキが生じるた
め上記範囲とすることが望ましい。
像液全量中１００ｐｐｍ〜１％含有させる。１％以上で
は、泡だち等が起こり、パターンにバラツキが生じるた
め上記範囲とすることが望ましい。
【００１７】また、Ｈ2Ｏ2濃度は、現像液全量中０．０
０１％以上とすることが望ましく、この範囲で界面活性
剤除去効果は一層向上する。
０１％以上とすることが望ましく、この範囲で界面活性
剤除去効果は一層向上する。
【００１８】以上述べたように、界面活性剤を含むアル
カリ現像液にＨ2Ｏ2を混合させることにより、超純水リ
ンス洗浄によりウエハー上の界面活性剤を完全に除去す
ることが可能となり、しかもレジストの微細パターンを
高精度、高歩どまりで形成することが可能となる。
カリ現像液にＨ2Ｏ2を混合させることにより、超純水リ
ンス洗浄によりウエハー上の界面活性剤を完全に除去す
ることが可能となり、しかもレジストの微細パターンを
高精度、高歩どまりで形成することが可能となる。
【００１９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
る。 （実施例１）本発明の現像液を用いることにより、超純
水リンス洗浄後においてシリコンウエハ上に界面活性剤
が残留しないことを示すために、シリコンウエハを
（ａ）ＴＭＡＨ２．３８％の水溶液、（ｂ）ＴＭＡＨ
２．３８％、界面活性剤（分子量２０００）２５０ｐｐ
ｍを含む水溶液、（ｃ）ＴＭＡＨ２．３８％，界面活性
剤２５０ｐｐｍ及びＨ2Ｏ2０．１％を含む水溶液の現像
液に７０秒浸漬し、超純粋リンスを６０秒行った。続い
て１３０℃で３０分ベークした後、シリコンウエハの表
面をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）により観察した。結果
を図１に示す。
る。 （実施例１）本発明の現像液を用いることにより、超純
水リンス洗浄後においてシリコンウエハ上に界面活性剤
が残留しないことを示すために、シリコンウエハを
（ａ）ＴＭＡＨ２．３８％の水溶液、（ｂ）ＴＭＡＨ
２．３８％、界面活性剤（分子量２０００）２５０ｐｐ
ｍを含む水溶液、（ｃ）ＴＭＡＨ２．３８％，界面活性
剤２５０ｐｐｍ及びＨ2Ｏ2０．１％を含む水溶液の現像
液に７０秒浸漬し、超純粋リンスを６０秒行った。続い
て１３０℃で３０分ベークした後、シリコンウエハの表
面をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）により観察した。結果
を図１に示す。
【００２０】図１（ａ）と（ｂ）から明らかなように、
界面活性剤を含む現像液（ｂ）に浸したウエハのＸＰＳ
スペクトルには界面活性剤に起因するピークが現れ、シ
リコンウエハ表面に界面活性剤が吸着して純水洗浄では
とれないことを示した。しかし、図１（ｃ）が示すよう
に、Ｈ2Ｏ2を含む本発明の現像液（ｃ）を用いた場合に
は界面活性剤のピークは観られず、図１（ａ）の界面活
性剤を含まない場合と全く同じスペクトルとなった。こ
のことは、本実施例の現像液（ｃ）を用いればシリコン
表面から界面活性剤を除去し得ることを示した。
界面活性剤を含む現像液（ｂ）に浸したウエハのＸＰＳ
スペクトルには界面活性剤に起因するピークが現れ、シ
リコンウエハ表面に界面活性剤が吸着して純水洗浄では
とれないことを示した。しかし、図１（ｃ）が示すよう
に、Ｈ2Ｏ2を含む本発明の現像液（ｃ）を用いた場合に
は界面活性剤のピークは観られず、図１（ａ）の界面活
性剤を含まない場合と全く同じスペクトルとなった。こ
のことは、本実施例の現像液（ｃ）を用いればシリコン
表面から界面活性剤を除去し得ることを示した。
【００２１】また、上記のシリコンウエハの表面粗さＲ
ａをＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）で測定したとこ
ろ、本実施例の現像液（ｃ）は、界面活性剤だけを含む
現像液（ｂ）と同様、界面活性剤を含まない（ａ）に比
べて表面荒れを大きく防ぐことができた。 （実施例２）次に、８インチ径のベアシリコンウエハ上
にフォトレジストＴＳＭＲ８９００を１μｍスピンコー
トし、８０℃のプリベーク後，０．６μｍ幅のパターン
を有するマスクを介在して露光した。これをＴＭＡＨ
２．３８％、Ｈ2Ｏ2０．１％、界面活性剤（分子量２０
００）２５０ｐｐｍを含む現像液（実施例１の現像液
ｃ）を用いて７０秒のディッピング現像し、続いて６０
秒超純水リンス、１３０℃のポストベークを行った。
ａをＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）で測定したとこ
ろ、本実施例の現像液（ｃ）は、界面活性剤だけを含む
現像液（ｂ）と同様、界面活性剤を含まない（ａ）に比
べて表面荒れを大きく防ぐことができた。 （実施例２）次に、８インチ径のベアシリコンウエハ上
にフォトレジストＴＳＭＲ８９００を１μｍスピンコー
トし、８０℃のプリベーク後，０．６μｍ幅のパターン
を有するマスクを介在して露光した。これをＴＭＡＨ
２．３８％、Ｈ2Ｏ2０．１％、界面活性剤（分子量２０
００）２５０ｐｐｍを含む現像液（実施例１の現像液
ｃ）を用いて７０秒のディッピング現像し、続いて６０
秒超純水リンス、１３０℃のポストベークを行った。
【００２２】この様にして得られたレジストパターン
は、Ｈ2Ｏ2を含まない現像液（実施例１のｂ）を用いた
場合と同様なウエハー全体にわたって極めてシャープな
０．６μｍのパターンが得られた。
は、Ｈ2Ｏ2を含まない現像液（実施例１のｂ）を用いた
場合と同様なウエハー全体にわたって極めてシャープな
０．６μｍのパターンが得られた。
【００２３】
【発明の効果】本発明により、即ち界面活性剤を含むア
ルカリ水溶液にＨ2Ｏ2を加えることにより、フォトレジ
ストの超微細パターンを歩どまり良く形成すると共に、
界面活性剤を純水洗浄で完全に除去できる現像液及び現
像方法を提供することが可能となる。
ルカリ水溶液にＨ2Ｏ2を加えることにより、フォトレジ
ストの超微細パターンを歩どまり良く形成すると共に、
界面活性剤を純水洗浄で完全に除去できる現像液及び現
像方法を提供することが可能となる。
【図１】各種現像液浸漬、純水リンス後のシリコンウエ
ハ表面のＸＰＳスペクトル図。 （ａ）ＴＭＡＨ２．３８％の水溶液。 （ｂ）ＴＭＡＨ２．３８％、界面活性剤２５０ｐｐｍを
含む水溶液。 （ｃ）ＴＭＡＨ２．３８％，界面活性剤２５０ｐｐｍ及
びＨ2Ｏ2０．１％を含む水溶液。
ハ表面のＸＰＳスペクトル図。 （ａ）ＴＭＡＨ２．３８％の水溶液。 （ｂ）ＴＭＡＨ２．３８％、界面活性剤２５０ｐｐｍを
含む水溶液。 （ｃ）ＴＭＡＨ２．３８％，界面活性剤２５０ｐｐｍ及
びＨ2Ｏ2０．１％を含む水溶液。
Claims (4)
- 【請求項１】 界面活性剤とアルカリ水溶液とからなる
フォトレジスト用現像液において、前記現像液がＨ2Ｏ2
を含むことを特徴とする現像液。 - 【請求項２】 前記アルカリ水溶液がテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液または
ＴＭＡＨを主成分とする水溶液であることを特徴とする
請求項１記載の現像液。 - 【請求項３】 前記界面活性剤の分子量が５００〜５０
００であることを特徴とする請求項１または２記載の現
像液。 - 【請求項４】 請求項１及至３のいずれか１項に記載の
現像液を用い、基体上のフォトレジストをパターニング
することを特徴とする現像方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18814991A JP3115647B2 (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 現像液及び現像方法 |
| PCT/JP1992/000840 WO1993001527A1 (en) | 1991-07-02 | 1992-07-02 | Developing solution and developing method |
| EP92914442A EP0597100A4 (en) | 1991-07-02 | 1992-07-02 | Developing solution and developing method. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18814991A JP3115647B2 (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 現像液及び現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511458A true JPH0511458A (ja) | 1993-01-22 |
| JP3115647B2 JP3115647B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=16218611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18814991A Expired - Fee Related JP3115647B2 (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 現像液及び現像方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0597100A4 (ja) |
| JP (1) | JP3115647B2 (ja) |
| WO (1) | WO1993001527A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6129098A (en) * | 1997-08-29 | 2000-10-10 | Kabushiki Kaisha Ultraclean Technology Research Institute | Apparatus for injecting constant quantitative chemicals and a method thereof |
| US6348157B1 (en) | 1997-06-13 | 2002-02-19 | Tadahiro Ohmi | Cleaning method |
| US7399578B2 (en) | 2001-05-14 | 2008-07-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Alkaline solution and manufacturing method, and alkaline solution applied to pattern forming method, resist film removing method, solution application method, substrate treatment method, solution supply method, and semiconductor device manufacturing method |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1211563B1 (en) * | 2000-11-30 | 2011-12-21 | Tosoh Corporation | Resist stripper composition |
| US11300878B2 (en) | 2017-11-13 | 2022-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist developer and method of developing photoresist |
| US11694896B2 (en) | 2019-10-31 | 2023-07-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist developer and method of developing photoresist |
| DE102020124247A1 (de) | 2019-10-31 | 2021-05-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fotolackentwickler und verfahren zum entwickeln von fotolack |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR850008058A (ko) * | 1984-05-16 | 1985-12-11 | 로이 에이취, 맷신길 | 양성 포토레지스트 전개제 및 전개방법 |
| JPS63136041A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | レジスト現像液組成物 |
| JP2527172B2 (ja) * | 1987-01-09 | 1996-08-21 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
| JPS63274149A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体処理剤 |
| JP2946453B2 (ja) * | 1994-11-15 | 1999-09-06 | 株式会社岡村製作所 | 特定走行区間内の搬送走行体の検出装置 |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP18814991A patent/JP3115647B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-07-02 WO PCT/JP1992/000840 patent/WO1993001527A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1992-07-02 EP EP92914442A patent/EP0597100A4/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6348157B1 (en) | 1997-06-13 | 2002-02-19 | Tadahiro Ohmi | Cleaning method |
| US6129098A (en) * | 1997-08-29 | 2000-10-10 | Kabushiki Kaisha Ultraclean Technology Research Institute | Apparatus for injecting constant quantitative chemicals and a method thereof |
| US7399578B2 (en) | 2001-05-14 | 2008-07-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Alkaline solution and manufacturing method, and alkaline solution applied to pattern forming method, resist film removing method, solution application method, substrate treatment method, solution supply method, and semiconductor device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0597100A1 (en) | 1994-05-18 |
| WO1993001527A1 (en) | 1993-01-21 |
| JP3115647B2 (ja) | 2000-12-11 |
| EP0597100A4 (en) | 1997-04-02 |
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