JP6270675B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
上述した第1の実施形態では、処理ユニット16が、ウェハWの周縁部に形成されたポリシリコン膜を除去するベベルエッチング処理を行う場合の例について説明したが、処理ユニットが実行する処理は、ベベルエッチング処理に限定されない。以下では、第2の実施形態として、ウェハWの裏面の全面をエッチング処理する場合の例について説明する。
1 基板処理システム
4 制御装置
16 処理ユニット
18 制御部
19 記憶部
30 基板保持機構
31 保持部
33 駆動部
40 処理流体供給部
41 吐出部
60 第1冷却機構
62 冷却部
80 第2冷却機構
82 冷却部
100 支持機構
101 支持ピン
102 支持部材
110 弾性部材
120 回転カップ
611,811 対向面
612,812 内部空間
613,813 流入部
614,814 吐出部
621,821 流路
622,822 フィン部
Claims (8)
- SiO2膜と、前記SiO2膜を覆うポリシリコン膜とが形成された基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板に対してフッ硝酸を供給する供給部と、
前記保持部に保持された基板を冷却する冷却機構と、
前記冷却機構により前記基板を冷却しながら、前記供給部から供給されるフッ硝酸によって前記ポリシリコン膜を除去する処理を実行させる制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記供給部から前記基板へのフッ硝酸の供給を停止させ、予め決められた時間が経過した後、前記冷却機構による前記基板の冷却を停止させること
を特徴とする基板処理装置。 - 前記供給部は、
前記基板の一方の面に対してフッ硝酸を供給し、
前記冷却機構は、
前記基板の他方の面に対して冷却気体を供給することによって前記基板を冷却すること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記冷却機構は、
前記基板の一方の面に対して冷却気体を供給することによって前記基板を冷却する第1冷却機構と、
前記基板の他方の面に対して冷却気体を供給することによって前記基板を冷却する第2冷却機構と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - SiO2膜と、前記SiO2膜を覆うポリシリコン膜とが形成された基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板に対してフッ硝酸を供給する供給部と、
前記保持部に保持された基板を冷却する冷却機構と
を備え、
前記冷却機構は、
前記基板の一方の面に対して冷却気体を供給することによって前記基板を冷却する第1冷却機構と、
前記基板の他方の面に対して冷却気体を供給することによって前記基板を冷却する第2冷却機構と
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記供給部から前記基板へのフッ硝酸の供給を開始させ、予め決められた時間が経過した後、前記冷却機構による前記基板の冷却を開始させること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記保持部を回転させる回転機構をさらに備え、
前記供給部は、
前記回転される基板の周縁部に対してフッ硝酸を供給し、
前記冷却機構は、
前記基板の周縁部を冷却すること
を特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - SiO2膜と、前記SiO2膜を覆うポリシリコン膜とが形成された基板を保持部により保持する保持工程と、
前記保持工程において保持された基板を冷却機構により冷却する冷却工程と、
前記冷却工程と重複して行われ、前記保持工程において保持された基板を前記冷却機構により冷却しながら、該基板に対して供給部によりフッ硝酸を供給することによって前記基板に形成されたポリシリコン膜を除去する除去工程と
を含み、
前記除去工程は、
前記供給部から前記基板へのフッ硝酸の供給を停止させ、予め決められた時間が経過した後、前記冷却機構による前記基板の冷却を停止させること
を特徴とする基板処理方法。 - SiO2膜と、前記SiO2膜を覆うポリシリコン膜とが形成された基板を保持部により保持する保持工程と、
前記保持工程において保持された基板を、前記基板の一方の面に対して冷却気体を供給することによって前記基板を冷却する第1冷却機構と、前記基板の他方の面に対して冷却気体を供給することによって前記基板を冷却する第2冷却機構とを備える冷却機構により冷却する冷却工程と、
前記冷却工程と重複して行われ、前記保持工程において保持された基板に対して供給部によりフッ硝酸を供給することによって前記基板に形成されたポリシリコン膜を除去する除去工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。
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