JP3009006B2 - 半導体基板の乾燥装置 - Google Patents
半導体基板の乾燥装置Info
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- JP3009006B2 JP3009006B2 JP4013383A JP1338392A JP3009006B2 JP 3009006 B2 JP3009006 B2 JP 3009006B2 JP 4013383 A JP4013383 A JP 4013383A JP 1338392 A JP1338392 A JP 1338392A JP 3009006 B2 JP3009006 B2 JP 3009006B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特に半導体基板の乾燥装置に関する。
し、特に半導体基板の乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板薬液浸漬式処理装置
は、図４に示すようにカセット６に収納された半導体基
板（以下ウエハと称する）５を薬液処理する薬液槽１と
薬液処理後のウエハ５を水洗する水洗槽２と、水洗後の
ウエハ５を乾燥する蒸気乾燥機１２を有している。即
ち、薬液槽１内の薬液により処理されたウエハ５は水洗
槽２で水洗され、蒸気乾燥機１２で乾燥が完了されてい
た。次に蒸気乾燥機１２について図５を用いて説明す
る。
は、図４に示すようにカセット６に収納された半導体基
板（以下ウエハと称する）５を薬液処理する薬液槽１と
薬液処理後のウエハ５を水洗する水洗槽２と、水洗後の
ウエハ５を乾燥する蒸気乾燥機１２を有している。即
ち、薬液槽１内の薬液により処理されたウエハ５は水洗
槽２で水洗され、蒸気乾燥機１２で乾燥が完了されてい
た。次に蒸気乾燥機１２について図５を用いて説明す
る。
【０００３】処理槽１３内のイソプロピルアルコール
（以下、ＩＰＡと称する）１４を外部ヒータ１５が加熱
することにより気化させ、更に気化した蒸気ＩＰＡ１６
が処理槽１３外に洩れないように蓋１７が設けられ、ま
た、蒸気ＩＰＡ１６を冷却して液化させる冷却パイプ１
８が設けられている。
（以下、ＩＰＡと称する）１４を外部ヒータ１５が加熱
することにより気化させ、更に気化した蒸気ＩＰＡ１６
が処理槽１３外に洩れないように蓋１７が設けられ、ま
た、蒸気ＩＰＡ１６を冷却して液化させる冷却パイプ１
８が設けられている。
【０００４】この状態でウエハ５を蒸気ＩＰＡ１６区域
にロボット１９が運び込み、ウエハ５を乾燥するもので
あった。ＩＰＡを加熱してウエハの処理を行うウエハの
蒸気処理技術については、実公昭４８−３１８３６号、
特開昭５５−４４７９８号、特開昭５６−１６８０７２
号、特開昭５５−１６８０７８号、特開昭６３−２５９
２７号の各公報に詳細に説明されている。
にロボット１９が運び込み、ウエハ５を乾燥するもので
あった。ＩＰＡを加熱してウエハの処理を行うウエハの
蒸気処理技術については、実公昭４８−３１８３６号、
特開昭５５−４４７９８号、特開昭５６−１６８０７２
号、特開昭５５−１６８０７８号、特開昭６３−２５９
２７号の各公報に詳細に説明されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
基板薬液浸漬式処理装置では、ウエハ及びカセットの熱
容量が大きく、ＩＰＡ蒸気でＩＰＡ置換するのに時間が
かかること、及びＩＰＡ置換後、ゆっくりとウエハ及び
カセットを引上げないと正常な乾燥ができないため、薬
液槽又は水洗槽の処理時間より蒸気乾燥機での処理時間
の方がはるかに長く、装置の処理能力は蒸気乾燥機の処
理時間により律則されていた。また、引火性の有機溶剤
であるＩＰＡを気化するまで加熱して使用しなければな
らないといる危険性があった。
基板薬液浸漬式処理装置では、ウエハ及びカセットの熱
容量が大きく、ＩＰＡ蒸気でＩＰＡ置換するのに時間が
かかること、及びＩＰＡ置換後、ゆっくりとウエハ及び
カセットを引上げないと正常な乾燥ができないため、薬
液槽又は水洗槽の処理時間より蒸気乾燥機での処理時間
の方がはるかに長く、装置の処理能力は蒸気乾燥機の処
理時間により律則されていた。また、引火性の有機溶剤
であるＩＰＡを気化するまで加熱して使用しなければな
らないといる危険性があった。
【０００６】本発明は、乾燥処理時間を短縮し安全性の
高い半導体基板の乾燥装置を提供することを目的とす
る。
高い半導体基板の乾燥装置を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による乾燥装置
は、所定の薬液で処理された半導体基板を水洗した後乾
燥する乾燥装置において、水洗された前記半導体基板を
浸漬するイソプロピルアルコール（以下、ＩＰＡと称す
る）槽と、前記ＩＰＡ槽から出された前記半導体基板を
乾燥させる遠心乾燥機とを具備し、前記ＩＰＡ槽は、Ｉ
ＰＡに含まれる水分及びパーティクルを取り除くＩＰＡ
精製器を具備していることを特徴とする。
は、所定の薬液で処理された半導体基板を水洗した後乾
燥する乾燥装置において、水洗された前記半導体基板を
浸漬するイソプロピルアルコール（以下、ＩＰＡと称す
る）槽と、前記ＩＰＡ槽から出された前記半導体基板を
乾燥させる遠心乾燥機とを具備し、前記ＩＰＡ槽は、Ｉ
ＰＡに含まれる水分及びパーティクルを取り除くＩＰＡ
精製器を具備していることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明により、薬液処理した半導体基板はＩＰ
Ａ蒸気乾燥機ではなく、ＩＰＡ槽に充填されたＩＰＡ新
液に浸漬させＩＰＡ置換を行った後、遠心乾燥機で乾燥
を完了させるようにしたことにより、安全かつ短時間に
乾燥することができるようになった。
Ａ蒸気乾燥機ではなく、ＩＰＡ槽に充填されたＩＰＡ新
液に浸漬させＩＰＡ置換を行った後、遠心乾燥機で乾燥
を完了させるようにしたことにより、安全かつ短時間に
乾燥することができるようになった。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例につき図面を参照して説
明する。
明する。
【００１０】図１は、本発明の参考例の処理部構成図で
ある。薬液槽１と水洗槽２に加えて、ＩＰＡ槽３と遠心
乾燥機４とを備えている。カセット６に収納されたウエ
ハ５は、薬液槽１で薬液処理され、水洗槽２で水洗され
た後、ＩＰＡ槽３でＩＰＡ置換される。そこでＩＰＡ置
換されたウエハ５は、遠心乾燥機４により低速回転かつ
短時間で容易に乾燥できる。
ある。薬液槽１と水洗槽２に加えて、ＩＰＡ槽３と遠心
乾燥機４とを備えている。カセット６に収納されたウエ
ハ５は、薬液槽１で薬液処理され、水洗槽２で水洗され
た後、ＩＰＡ槽３でＩＰＡ置換される。そこでＩＰＡ置
換されたウエハ５は、遠心乾燥機４により低速回転かつ
短時間で容易に乾燥できる。
【００１１】この参考例にあってはＩＰＡ置換を従来の
蒸気乾燥機を用いることなくＩＰＡ新液に浸漬するため
のＩＰＡ槽３を用い、更に、ＩＰＡ置換後のウエハ５を
乾燥するための遠心乾燥機４を設け、乾燥を完了させる
ように構成したものである。このような例により、ＩＰ
Ａ置換を安全にかつ短時間で処理することができるよう
になり、また、簡単な構成の遠心乾燥機により完全な乾
燥を行うことができるようになった。
蒸気乾燥機を用いることなくＩＰＡ新液に浸漬するため
のＩＰＡ槽３を用い、更に、ＩＰＡ置換後のウエハ５を
乾燥するための遠心乾燥機４を設け、乾燥を完了させる
ように構成したものである。このような例により、ＩＰ
Ａ置換を安全にかつ短時間で処理することができるよう
になり、また、簡単な構成の遠心乾燥機により完全な乾
燥を行うことができるようになった。
【００１２】ついで、ＩＰＡ槽３について図２を用いて
説明する。図２はＩＰＡ槽３の配管フロー図である。内
槽７にＩＰＡ新液を供給するＩＰＡ供給弁９と内槽７か
らオーバーフロー槽８へあふれ出したＩＰＡを排液する
排液配管１０を有している。
説明する。図２はＩＰＡ槽３の配管フロー図である。内
槽７にＩＰＡ新液を供給するＩＰＡ供給弁９と内槽７か
らオーバーフロー槽８へあふれ出したＩＰＡを排液する
排液配管１０を有している。
【００１３】次に、本発明の実施例について図３を参照
して説明する。処理部構成図は図１と同じである。内槽
７にＩＰＡ新液を供給するＩＰＡ供給弁９と、内槽７か
らオーバーフロー槽８へあふれ出したＩＰＡを回収し含
有水分及びパーティクルを取り除き、内槽７へ供給する
ＩＰＡ精製器１１を有している。これによりＩＰＡの消
費量は蒸発分及びカセット６とウエハ５に付着して持ち
出された量だけであり、大幅に削減できる効果がある。
しかも、ウエハ５の乾燥状態に大きく影響を及ぼす水洗
槽２から持ち込まれた水分や空気中から溶け込んだ水分
等、ＩＰＡ中の含有水分量及びパーティクル量を最低限
に抑えることができるため、新液ＩＰＡのみで処理する
場合とほぼ同等なウエハの清浄度の乾燥状態が得られ
る。
して説明する。処理部構成図は図１と同じである。内槽
７にＩＰＡ新液を供給するＩＰＡ供給弁９と、内槽７か
らオーバーフロー槽８へあふれ出したＩＰＡを回収し含
有水分及びパーティクルを取り除き、内槽７へ供給する
ＩＰＡ精製器１１を有している。これによりＩＰＡの消
費量は蒸発分及びカセット６とウエハ５に付着して持ち
出された量だけであり、大幅に削減できる効果がある。
しかも、ウエハ５の乾燥状態に大きく影響を及ぼす水洗
槽２から持ち込まれた水分や空気中から溶け込んだ水分
等、ＩＰＡ中の含有水分量及びパーティクル量を最低限
に抑えることができるため、新液ＩＰＡのみで処理する
場合とほぼ同等なウエハの清浄度の乾燥状態が得られ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウエハを
遠心乾燥する前に高清浄度のＩＰＡで浸漬処理してウエ
ハ表面をＩＰＡ置換できるＩＰＡ槽を備えたことによ
り、乾燥時の処理時間の短縮が実現可能となり装置処理
能力の向上が図れるという効果を有する。また、蒸気Ｉ
ＰＡを使用する場合と比べはるかに安全であるという効
果も有する。
遠心乾燥する前に高清浄度のＩＰＡで浸漬処理してウエ
ハ表面をＩＰＡ置換できるＩＰＡ槽を備えたことによ
り、乾燥時の処理時間の短縮が実現可能となり装置処理
能力の向上が図れるという効果を有する。また、蒸気Ｉ
ＰＡを使用する場合と比べはるかに安全であるという効
果も有する。
【図１】本発明の参考例の処理部を示す構成図である。
【図２】図１に示したＩＰＡ槽の配管フロー図である。
【図３】本発明の実施例のＩＰＡ槽の配管フロー図であ
る。
る。
【図４】従来の半導体基板薬液浸漬式処理装置の処理部
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図５】図４の蒸気乾燥機の概略説明図である。
１…薬液槽 ２…水洗槽 ３…ＩＰＡ槽 ４…遠心乾燥機 ５…ウエハ ７…内槽 ８…オーバーフロー槽 ９…ＩＰＡ供給弁 １０…排液配管 １１…ＩＰＡ精製器
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の薬液で処理された半導体基板を水
洗した後乾燥する乾燥装置において、水洗された前記半
導体基板を浸漬するイソプロピルアルコール（以下、Ｉ
ＰＡと称する）槽と、前記ＩＰＡ槽から出された前記半
導体基板を乾燥させる遠心乾燥機とを具備し、前記ＩＰ
Ａ槽は、ＩＰＡに含まれる水分及びパーティクルを取り
除くＩＰＡ精製器を具備していることを特徴とする半導
体基板の乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013383A JP3009006B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体基板の乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013383A JP3009006B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体基板の乾燥装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206096A JPH05206096A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3009006B2 true JP3009006B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=11831575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4013383A Expired - Fee Related JP3009006B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体基板の乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3009006B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6350322B1 (en) * | 1997-03-21 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| KR100935975B1 (ko) | 2007-03-27 | 2010-01-08 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58200540A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-22 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPS59195653A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
| JPH0685386B2 (ja) * | 1985-08-12 | 1994-10-26 | 松下電子工業株式会社 | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPH0210824A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子線レジスト現像方法 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP4013383A patent/JP3009006B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05206096A (ja) | 1993-08-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991104 |
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