JPS6336533A - ウエツト洗浄処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、乾燥工程に蒸気乾燥を用いるようにしたウ
ェット洗浄処理方法に関するものである。

（従来の技術） 乾燥工程にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気乾燥
音用いた従来の半導体ウェット洗浄処理方法を第３図を
参照して説明する。被洗浄物である４１体ウェハ１の入
ったテフロンまたは石英等の治具（以下キャリアと言う
）２は、各種の酸によ）洗浄された後、第３図（ａ）に
示すようにウェット洗浄の最終槽３で純水４によりリン
スされる。

しかる後、ウェハ１およびキャリア２に付着している水
分を除去するための乾燥工程として、それらを、第３図
の）の乾燥機５のＩＰＡ蒸気雰囲気６内にさらす。ここ
で、乾燥機５は、該乾燥機底部のヒータ７によ’）　Ｉ
　Ｐ　Ａ　（（ＣＨｓ）ｚ　ＣＨＯＨ）　８ｅ加熱する
ことによシ、該ＩＰＡ８の蒸気雰囲気６を蒸気乾燥室９
内に発生させるように構成される。

この乾燥機５のＩＰＡ蒸気雰囲気６内に上述のようにウ
ェハ１とキャリア２をさらすと、それらの表面でＩＰＡ
は凝縮し、時間経過とともに水分と置換され、ウェハ１
およびキャリア２表面はＩＰＡの凝縮液のみとなる。ま
た、この置換工程を行う間にウェハ１およびキャリア２
は蒸気温度まで上昇する。この後、ウェハ１およびキャ
リア２を蒸気雰囲気６外へ取出すもので、すると、蒸気
によシ加熱されたウェハ１およびキャリア２自身の温度
により、付着しているＩＰＡは蒸発し、ウェハ１および
キャリア２は乾燥する。

（発明が解決しようとする問題点） しかるに、上記のような従来の方法では、洗浄・リンス
工程から乾燥工程に移って、ウェハ１およびキャリア２
ｔ−ＩＰＡの蒸気雰囲気６にさらし九時、ウェハ１およ
びキャリア２が常温であるため、蒸気の凝縮量が多く、
かつ蒸気雰囲気６の温度が低下し、そのため第４図（ａ
）に示すように蒸気雰囲気６の蒸気面６ａが低下し、ウ
ェハ１およびキャリア２が蒸気雰囲気６外へ出てしまう
ため、乾燥ムラが生じる問題点があった。また、蒸気面
６ａが低下すると、それが第４図中）に示すように回復
するのを待たなければならず、しかもウェハ１およびキ
ャリア２が常温だと、それらが蒸気温度まで上昇するの
に時間を要する之め、処理能力が低いという問題点があ
る。さらに、上記のように凝縮量が多いと、ＩＰＡの劣
化が激しく、かつ消費量が多いため費用がかさむ問題点
もある。

この発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的は
、蒸気乾燥工程において、ムラのない良好な乾燥が可能
であり、かつ処理能力が高く、しかも費用を下げること
ができるウェット洗浄処理方法全提供することにある。

（問題点を解決するための手段） この発明では、被洗浄物を洗浄、リンスした後、蒸気乾
燥を行う前に、該被洗浄物を常温以上に加温する。

（作　用） 上記のような方法によれば、被洗浄物は、常温以上に加
温された状態で、乾燥機の蒸気ｆ！囲気内にさらされる
ことになる。この時、被洗浄物が常温以上に加温されて
いると、蒸気の凝縮量が少なく、かつ蒸気雰囲気温度が
下がることがないので、蒸気面の低下は生ぜず、被洗浄
物が蒸気雰囲気外へ出ることはない。また、被洗浄物は
短時間で蒸気温度まで達する。

（実施例） 以下この発明の一実施例を図面を参照して説明するＯ 第１図はこの発明の一実施例に使用される装置の構成図
であフ、（→は最終洗浄処理槽１１を示す。

この最終洗浄処理槽１１には純水バルブ１２全通して純
水を供給できるようになっており、供給された純水は排
水バルブ１３を通して排出することができる。ま之、こ
の最終洗浄処理槽１１には、常温より高い温度、例えば
３０°〜４０℃の純水（以下温水と言い）をパルプ１４
全通して供給できるようになっており、さらに温水は、
処理槽１１上部に設けられたノズル１５に供給されて、
該ノズル１５より処理槽１１内にシャワーとして噴射さ
れるようになっている。

第１図（ロ）は乾燥機２１を示す。この乾燥機２１は、
該乾燥機２１底部のヒータ２２により、蒸気乾燥室２３
底部のＩＰＡ２４’を加熱することによシ、前記蒸気乾
燥室２３内にＩＰＡ２４の蒸気雰囲気２５を発生させる
ように構成されておシ、蒸気乾燥室２３には、半導体ウ
ェハ３１を収容し九キャリア３２を載置するための台２
６が設けられている。

この発明の一実施例は、これらの装置’ｒ用いて実施さ
れる。以下、詳述する。被洗浄物である半導体ウェハ３
１の入・つたキャリア３２（フッ素樹脂製よシ石英製の
方が好ましい）は、各種の酸により洗浄された後、第１
図（→の最終洗浄処理槽１１内で純水により複数回リン
スされる。その際の純水は、純水バルブ１２全通して処
理槽１１に供給される一方、排水バルブ１３全通して処
理［１１から排出される。このリンス後、今度ハ、バル
ブ１４全通して、第１図（ａ）に示すように温水１６が
最終洗浄処理槽１１に供給される。この時、同時に、半
導体ウェハ３１の上方の自然乾燥を防止する目的で、処
理槽１１上部のノズル１５より温水１６がシャワーとし
て処理槽１１内に噴射される。

このようにして処理槽１１に温水１６を供給し、この温
水１６内に半導体ウェハ３１およびキャリア３２を浸す
と、これらが、常温より高い温水１６の温度、例えば３
０°〜４０℃に加温される。そして、このようにして半
導体ウェハ３１とキャリア３２が常温よシ高い温度に加
温され之ならば、それらを、第１図中）に示す乾燥機２
１の蒸気乾燥室２３に挿入する。ここで、蒸気乾燥室２
３には、予め、ヒータ２２によｊりＩＰＡ２４ｅ加熱す
ることにより、ＩＰＡの蒸気雰囲気２５が発生している
。したがって、半導体ウエノ・３１とキャリア３２を蒸
気乾燥室２３内に挿入すると、半導体ウエノ・３１およ
びキャリア３２がＩＰＡの蒸気雰囲気２５にさらされ、
それらの表面で蒸気ＩＰＡが凝縮し、時間経過とともに
水分と置換され、半導体ウエノ・３１およびキャリア３
２の表面はＩＰＡの凝縮液のみとなる。また、この置換
工程を行う間に半導体ウェハ３１およびキャリア３２は
蒸気温度まで上昇する。この後、半導体ウエノＳ３１と
キャリア３２を蒸気雰囲気２５外へ取出すもので、する
と、蒸気により加熱された半導体ウェハ３１とキャリア
３２自身の温度により、付着しているＩＰＡは蒸発し、
半導体ウエノ・３１およびキャリア３２は乾燥する。

このよりな一実施例において、半導体ウエノ）３１およ
びキャリア３２は、蒸気雰囲気２５にさらさ。

れる時、常温より高い温度に加温されている。したがっ
て、この実施例では、半導体ウエノ＼３１およびキャリ
ア３２を蒸気雰囲気２５にさらした時の蒸気の凝縮量が
少なく、かつ蒸気雰囲気２５の温度が下がることがなく
なるもので、したがって、蒸気雰囲気２５の蒸気面の低
下が生ぜず、半導体ウェハ３１およびキャリア３２が蒸
気雰囲気２５外へ出ることはない。また、蒸気面の低下
が生じなければ、該蒸気面の回復に伴い半導体ウエノ・
とキャリアの上部までＩＰＡの凝縮液で濡れるのを待つ
必要がないから、ＩＰＡの凝縮液への置換工程を短時間
で行えるようになる。

第２図は、ウエノ・とキャリアの温度に対する濡れ時間
（キャリアの上部がＩＰＡの凝縮液で濡れる時間）を測
定した結果である。従来の常温（２０℃）では、濡れ時
間の短い石英製キャリアの場合でも約４０秒程かかった
が、例えば３０℃に加温した本発明によれば、石英製キ
ャリアで約３０秒、フッ素樹脂製キャリアで約５８秒に
短縮できる。

さらに、４０℃に加温すれば、より短縮でき、石英製キ
ャリアで約２３秒、フッ素樹脂製キャリアで約４３秒と
なる。

また、半導体ウェハ３１およびキャリア３２を常温より
高い温度に加温しておけば、それらが蒸気雰囲気２５の
蒸気温度に達するまでの時間が短縮される。

なお、半導体ウエノ１３１およびキャリア３２を加温す
る場合に注意しなければならないことは、温度をあまり
上げ過ぎてはいけないことである。

例えば９０°〜１００℃程度に加温した場合は、第１図
（ａ）の最終洗浄処理槽１１から第１図（ｂ）の乾燥機
２１に移す間の空気中にて、すなわち、ＩＰＡによる乾
燥以前に空気中で乾燥してしまい、乾燥ムラが生じる。

そこで、上記一実施例では、半導体ウェハ３１およびキ
ャリア３２ｔ−３０°〜４０℃に加温している。

なお、上記一実施例では、半導体ウエノ・３１をそのキ
ャリア３２とともに洗浄、リンス、乾燥する場合につい
て説明したが、同様にしてプリント基板なども洗浄、リ
ンス、乾燥することができる。

また、蒸発液としてＩＰＡを用いたが、その他の薬品を
用いることもできる。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように、この発明の方法によれば、
被洗浄物を洗浄、リンスした後、蒸気乾燥を行う前に、
該被洗浄物を常温以上に加温するようにしたので、該被
洗浄物を乾燥機の蒸気雰囲気にさらした時の蒸気の凝縮
量を少なくでき、かつ蒸気雰囲気温度が低下することを
防止できるもので、その結果、蒸気雰囲気の蒸気面が下
がることを防止でき、被洗浄物が蒸気雰囲気外に出るこ
とを防止できるから、ムラのない良好な乾燥が可能とな
る。また、蒸気面が低下しなければ、該蒸気面の回復を
待つ必要がなく、かつ被洗浄物が加温されていれば、該
被洗浄物が蒸気温度に短時間で達するので、処理能力を
高めることができる。

また、被洗汁物を蒸気雰囲気にさらした時の蒸気の凝縮
量が少なければ、蒸発液の劣化、消費量が低減され、乾
燥工程に必要な費用を安くすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のウェット洗浄処理方法の−実施例に
使用される最終洗浄処理槽および乾燥機を示す構成図、
第２図は半導体ウェハおよびキャリアの温度に対する漏
れ時間を示す特性図、第３図は従来の方法にて使用され
る洗浄最終槽および乾燥機を示す構格図、第４図は従来
の方法における蒸気面の低下・回復を示す図である。 １１・・・最終洗浄処理槽、１２・・・純水バルブ、１
３・・・排水バルー）、１４・・・バルブ、１５・・・
ノズル、１６・・・温水、２１・・・乾燥様、２２・・
・ヒータ、２３・・・蒸気乾燥室、２４・・・ＩＰＡ、
２５・・・蒸気雰囲気、３１・・・半導体ウェハ、３２
・・・キャリア。 １４　ハーフに７” ３２°モｒソア 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 被洗浄物を薬品により洗浄した後、純水によりリンスし
   、その後、蒸気乾燥を行うようにしたウェット洗浄処理
   方法において、 リンス後、蒸気乾燥を行う前に、被洗浄物を常温以上に
   加温することを特徴とするウェット洗浄処理方法。