JPH0969556A - 半導体ウエハ用キャリア装置及びこれを用いた洗浄装置 - Google Patents

半導体ウエハ用キャリア装置及びこれを用いた洗浄装置

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JPH0969556A
JPH0969556A JP22202995A JP22202995A JPH0969556A JP H0969556 A JPH0969556 A JP H0969556A JP 22202995 A JP22202995 A JP 22202995A JP 22202995 A JP22202995 A JP 22202995A JP H0969556 A JPH0969556 A JP H0969556A
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wafer
semiconductor wafer
tank
carrier
carrier device
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JP22202995A
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Chiaki Sakai
千秋 酒井
Kazumi Asada
和己 浅田
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 IPAによる乾燥時間を短縮できる半導体ウ
エハ用キャリア装置及びこれを用いた洗浄装置を得るこ
と。 【解決手段】 本発明のチャック方式のキャリア装置2
0A及びこれを用いたウエハの洗浄装置1Aは、一対の
U字状棒21A及び3本のウエハ支持棒22Aにヒータ
ー線30を埋設し、これらのヒーター線30に通電し
て、収納、支持されているウエハSをC槽(水洗)で洗
浄した後に付着した溜まり水Wを強制的に加熱、乾燥さ
せ、その後、IPA槽で乾燥するようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、被洗浄半導体ウ
エハ(以下、単に「ウエハ」と略記する)をバッチ浸漬
洗浄する場合に用いられる半導体ウエハ用キャリア装置
(以下、単に「キャリア装置」と略記する)及びこれを
用いた半導体ウエハ用洗浄装置の改良に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】現在、半導体装置の製造プロセスに使用
される半導体ウエハの洗浄装置(以下、単に「洗浄装
置」と略記する)における最終乾燥方式として、遠心力
によるスピンドライヤー方式と蒸気圧の高いIPA(イ
ソプロピルアルコール)方式とがあるが、ウォーターマ
ーク(水しみ)による諸問題を回避する観点からIPA
方式が主流になっている。このIPA方式による洗浄装
置1としては、図9に示したように、A槽、B槽、C槽
・・・、そして最終の乾燥槽であるIPA槽とから構成
されている。洗浄しようとするバッチ組されたウエハS
は、A槽、B槽、C槽、そしてIPA槽に浸漬され、そ
して洗浄、乾燥される。
【0003】この洗浄装置1の問題点は、装置全体が大
型であるにも係わらず洗浄処理能力が低いため、半導体
装置の量産工場では複数台必要となり、貴重な床面積を
広く占有することである。この問題に対しては、半導体
装置製造メーカーでは洗浄工程の削減や洗浄処理時間の
短縮化などを進めており、一方、洗浄装置メーカーでは
洗浄装置のコンパクト化を進めているが、現状では充分
ではない。
【0004】また、前記洗浄装置1においては、ウエハ
Sはそれぞれの洗浄処理条件(1〜3)に応じて洗浄処
理されるが、必ず通る槽がIPA槽である。それ故、前
記洗浄処理能力はIPA槽による乾燥時間で決まること
になる。例えば、C槽では純水洗浄に10分程度の洗浄
処理時間で済むが、IPA槽での乾燥には15分程度の
乾燥時間を必要とする。また現在では、ウエハSが大口
径化しており、そのため熱容量が増加するので、乾燥時
間を短縮することはなお一層必要とされている。そのた
め、IPAの加熱温度を上昇させるなどの検討が行われ
ているが、この処置はIPAの突沸などの問題、乾燥む
らなどの悪影響を招くため、現状では改善されていると
は言えない。従って、洗浄装置1における現状での洗浄
処理時間は、依然としてIPA槽の乾燥時間で制限され
ているのが現状である。
【0005】更にまた、IPAによる乾燥時間を短縮化
できない要因にウエハSの支持方法がある。洗浄装置1
内にウエハSを浸漬し、洗浄するに当たってのウエハS
の支持方法としては、図10に示したような、所謂、キ
ャリア方式によるものと、図11及び図12に示したよ
うな、所謂、キャリアレス方式によるものとがある。キ
ャリア方式による支持方法は、PFA製または石英製キ
ャリア(以下、単に「キャリア」と略記する)10によ
るものであって、このキャリア10は四辺の側板11、
12、13、14から構成されている。一対の相対向す
る側板11、12はそれらの上部がウエハSの直径より
やや広い間隔幅を開け、それらの下部がウエハSの直径
より短い間隔で互いに狭められて前記他の一対の側板1
3、14で保持されている構造で構成されている。そし
て側板11、12の各内側には、側板11、12のほぼ
全幅にわたって、所定のピッチで縦に複数対の溝15が
形成されている。
【0006】バッチ組された、例えば、25枚のウエハ
Sはそれぞれ相対向する前記各一対の溝15に挿入され
ることにより互いに所定の間隔を開けて平行に支持され
る。この場合、ウエハSを支持するキャリア10のウエ
ハ支持部は溝15とこれらの溝15を形成している一対
の側板11、12の相対向している壁15aである。
【0007】次に、キャリアレス方式による支持方法
は、図11及び図12に示したように、テフロン系樹脂
製の棒21で篭型に構成されたチャック20によるもの
である。即ち、このチャック20は、ウエハSの直径よ
り狭い間隔幅で曲げられ、後記の3本のウエハ支持棒2
2を支持する一対のU字状棒21と、これらU字状棒2
1の下部で前記3本のウエハ支持棒22の両端が接続、
固定された構造で構成されている。
【0008】前記各ウエハ支持棒22には、図12Bに
示したように、所定のピッチで、そしてウエハSの厚み
よりやや広い幅の複数のウエハ支持溝23が形成されて
いる。これら各ウエハ支持溝23の両側にはそれら各ウ
エハ支持溝23に向かって傾斜する傾斜面24が形成さ
れていて、これらの傾斜面24によりウエハSの下方周
辺部がウエハ支持溝23に嵌め込み易く構成されてい
る。各ウエハSは、その下方の周辺部がこれら3本のウ
エハ支持棒22に形成された一組のウエハ支持溝23に
嵌め込まれ、ウエハSの下方部分の3点のみで支持され
る。
【0009】このチャック20を用いてウエハSを洗浄
する洗浄装置では、各洗浄槽の内寸法をキャリア方式の
ものより小さくすることができるため、薬液量が30%
程度削減でき、同時に洗浄装置全体の寸法をも抑えら
れ、更にまた、キャリアのように側板が無いため表面積
が少なく、その分熱容量を抑えることができるなどの利
点がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】前者のキャリア10に
ウエハSを収納して洗浄する場合には、図13Aに示し
たように、各ウエハSの周辺部が前記ウエハ支持部であ
る各溝15とこれらの溝15を構成する壁15aとに接
触して支持されているので、これらの接触部分に溜まり
水Wが溜まる。
【0011】また、後者のチャック20では、ウエハS
を支持する場合に、前記のようにウエハSの下部のみで
支持するため、各ウエハSの上部同士が接触しないよう
に、各ウエハ支持溝23の深さは比較的深く形成され
る。従って、このチャック20にウエハSを収納して洗
浄する場合には、図13Bに示したように、各ウエハS
の周辺部が前記ウエハ支持部である各ウエハ支持溝23
に接触、挟持して支持されているので、これらの接触部
分に溜まり水Wが溜まる。前記いずれのウエハの収納、
支持手段であっても、溜まり水Wが溜まることになり、
この溜まり水Wが前記IPA槽での乾燥時間を一層長引
かせる要因になっている。この発明では、この問題点を
解決することを課題とし、発生した溜まり水を予め強制
的に除去して、IPA槽における乾燥処理時間を短縮さ
せることができる半導体ウエハ用キャリア装置及びこれ
を用いた洗浄装置を得ることを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】それ故、本発明のキャリ
ア装置は、複数枚のウエハを所定の間隔を開けて、互い
に平行に支持、収納できるキャリア装置において、各ウ
エハの周辺部が接触するウエハ支持部材に、各ウエハが
接触して溜まる溜まり水を乾燥するための加熱装置を設
け、或いは前記溜まり水を吸引するための吸引ノズルと
真空ポンプとからなる吸引装置を設けて、前記課題を解
決した。
【0013】また、本発明の洗浄装置は、複数枚のウエ
ハを支持、収納した前記キャリア装置を最終水洗槽から
引き上げて、IPA槽に浸漬する直前で、前記加熱装置
で加熱し、或いは吸引装置を作動させて吸引し、前記溜
まり水を強制的に除去して、前記課題を解決した。
【0014】従って、前記溜まり水Wを強制的に加熱、
または吸引により除去するので、IPAによる乾燥処理
時間を短縮することができ、そのためウエハの洗浄処理
時間も短縮させることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、図1乃至図9を参照しなが
ら、本発明のキャリア装置及びこれを用いた洗浄装置の
実施例を説明する。図1は本発明の第1の実施例である
チャック方式のキャリア装置を示していて、同図Aはそ
の一部断面図、同図Bはウエハ支持棒の一部拡大断面図
であり、図2は図1のキャリア装置を用いて、図9に示
したC槽からIPA槽へウエハを移載する場合に溜まり
水を乾燥する状態を説明するための本発明の第1の実施
例の洗浄装置の概念図であり、図3は本発明の第2の実
施例であるキャリア方式のキャリア装置を示していて、
同図Aはその一部断面図、同図Bはウエハ支持棒の一部
拡大断面図であり、図4は図3のキャリア装置を用い
て、図9に示したC槽からIPA槽へウエハを移載する
場合に溜まり水を乾燥する状態を説明するための本発明
の第2の実施例の洗浄装置の概念図であり、図5は本発
明の第3の実施例であるキャリア方式のキャリア装置の
一部要部の拡大断面図であり、図6は図5のキャリア装
置を用いて、図9に示したC槽からIPA槽へウエハを
移載する場合に溜まり水を乾燥する状態を説明するため
の本発明の第3の実施例の洗浄装置の概念図であり、図
7は本発明の第4の実施例であるチャック方式のキャリ
ア装置の一部要部の拡大断面図であり、そして図8は図
7のキャリア装置を用いて、図9に示したC槽からIP
A槽へウエハを移載する場合に溜まり水を乾燥する状態
を説明するための本発明の第4の実施例の洗浄装置の概
念図である。なお、従来技術のキャリアまたはチャック
及びこれらを用いた洗浄装置の構成要素と同一の構成要
素には同一の符号を付し、それらの構成の説明を省略す
る。
【0016】先ず、図1及び図2を参照して、本発明の
第1の実施例であるキャリア装置及びこれを用いた洗浄
装置を説明する。このキャリア装置20Aはチャック方
式のキャリア装置であって、この実施例では、一対のU
字状棒21Aの中心部に電線31(図2)を埋設し、ま
た、3本のウエハ支持棒22Aの中心部よりやや偏心し
た位置に加熱装置であるヒーター線30を埋設し、これ
らのヒーター線30を前記電線31に並列に接続した。
これらの接続は、U字状棒21Aにそれぞれのウエハ支
持棒22Aをねじ込み、そしてそれらの接続部を溶着す
るようにして行われる。
【0017】図1Bにウエハ支持棒22Aの具体的構造
を一部示した。このウエハ支持棒22Aはテフロン製で
あって、その中心部からやや偏心した位置に全長にわた
って石英パイプ32内に内蔵された状態でヒーター線3
0が埋設されている。そしてテフロン樹脂の肉厚部分に
前記ウエハ支持溝23と傾斜面24とが形成された構造
で構成されている。なお、前記U字状棒21A内に埋設
する電線31も、ウエハ支持棒22Aに埋設されたヒー
ター線30と同様に、石英パイプ32で保護し、ウエハ
支持棒22Aの中心部よりやや偏心した内部に電線31
を埋設した構造で構成してもよい。
【0018】そして図2に示したように、このような構
造のそれぞれのU字状棒21Aの一上端部に露出した電
線31と他のU字状棒21Aの一上端部に露出した電線
31とを加熱電源40に接続すると、各ウエハ支持棒2
2A内に埋設されたヒーター線30はこの加熱電源40
に対して並列に接続された構造となり、本発明のキャリ
ア装置20Aが完成する。なお、このキャリア装置20
Aも、従来技術のキャリア10と同様に、洗浄装置1A
の搬送ロボット50により、洗浄処理条件に応じて、各
槽に搬送されるように構成されている。
【0019】次に、この実施例のキャリア装置20Aを
用いた本発明の洗浄装置1AによるウエハSの洗浄、乾
燥処理を説明する。ウエハSの周辺部が3本のウエハ支
持棒22Aの各ウエハ支持溝23に差し込まれた状態で
支持された複数枚のウエハSがC槽で純水洗浄され、そ
の洗浄が終了すると、搬送ロボット50がC槽に浸漬さ
れていたキャリア装置20Aを上方に引き上げ、本発明
の洗浄装置1Aの最終のIPA槽へ搬送する。C槽から
引き上げられた各ウエハSには、前記のように溜まり水
Wが付着しているので、IPA槽に浸漬し、乾燥される
直前までに、本発明のキャリア装置20Aの加熱電源4
0を作動させ、ヒーター線30に通電、加熱し、溜まり
水Wを強制的に蒸発させる。そして溜まり水Wを蒸発さ
せながら搬送ロボット50によりキャリア装置20Aを
IPA槽の上方まで搬送し、そして下降させてIPAに
浸漬し、純水洗浄後のウエハSのIPA蒸気乾燥を行
う。所定の時間経過後、搬送ロボット50により引き上
げれば、洗浄、乾燥されたウエハSを得ることができ
る。
【0020】次に、図3を参照しながら、本発明の第2
の実施例であるキャリア装置20Bを説明する。このキ
ャリア装置20Bもチャック方式のものであって、この
実施例では、一対のU字状棒21Bの中心部よりやや偏
心した内部に加熱装置であるヒートパイプ30Aを埋設
し、また、3本のウエハ支持棒22Aの中心部よりやや
偏心した内部にもヒートパイプ30Bを埋設し、後者の
3本のヒートパイプ30Bを前者のヒートパイプ30A
に並列に接続した構造で構成されている。これらの接続
は、U字状棒21Bにそれぞれのウエハ支持棒22Bを
ねじ込み、そしてそれらの接続部を溶着するようにして
行われる。
【0021】図3Bにウエハ支持棒22Bの具体的構造
を一部示した。このウエハ支持棒22Bもテフロン製で
あって、その中心部からやや偏心した位置に全長にわた
ってヒートパイプ30Aが埋設されており、テフロン樹
脂の肉厚部分に前記ウエハ支持溝23と傾斜面24とが
形成され、各ウエハ支持溝23の最深部はヒートパイプ
30Aが露出する直前の深さで止まった構造で構成され
ている。
【0022】そして図4に示したように、このような構
造のそれぞれのU字状棒21Bの両上端部に露出したヒ
ートパイプ30Aと他のU字状棒21Bの両上端部に露
出したヒートパイプ30Aとを循環用ポンプを含む加熱
源41に接続すると、各ウエハ支持棒22B内に埋設さ
れたヒートパイプ30Aはこの加熱源41に対して並列
に接続された構造となり、本発明の第2の実施例のキャ
リア装置20Bが完成する。なお、このキャリア装置2
0Bも、従来技術のキャリア10と同様に、洗浄装置1
Bの搬送ロボット50により、洗浄処理条件に応じて、
各槽に搬送されるように構成されている。
【0023】次に、この実施例のキャリア装置20Bを
用いた本発明の洗浄装置1BのウエハSの洗浄、乾燥処
理を説明する。ウエハSの周辺部が3本のウエハ支持棒
22Bの各ウエハ支持溝23に差し込まれた状態で支持
された複数枚のウエハSはC槽で純水洗浄され、この純
水洗浄が終了すると、搬送ロボット50がC槽から浸漬
していたキャリア装置20Bを上方に引き上げ、本発明
の洗浄装置1Bの最終のIPA槽に搬送する。C槽から
引き上げられた各ウエハSには、前記のように溜まり水
Wが付着しているので、ヒートパイプ30Aに加熱され
た液体を循環、供給し、溜まり水Wを強制的に加熱、蒸
発させる。その後、搬送ロボット50によりキャリア装
置20BをIPA槽の上方まで搬送し、そして下降させ
てIPAに浸漬し、純水洗浄後のウエハSのIPA蒸気
乾燥を行う。所定の時間経過後、搬送ロボット50によ
り引き上げれば、良好に洗浄、乾燥されたウエハSを得
ることができる。
【0024】次に、図6及び図5を参照しながら、本発
明の第3の実施例である洗浄装置1C及びキャリア装置
20Cを説明する。図5に示したキャリア装置20Cは
キャリア方式のものであって、この実施例では、図10
に示したキャリア10の一対の相対向する側板11、1
2の各内側に形成された複数対の各溝15のウエハ支持
部に吸引ノズル60を臨ませ、これらの吸引ノズル60
をパイプ61を通じて搬送ロボット50に固定されてい
る真空ポンプ70に接続した構成を採っている。
【0025】この実施例のキャリア装置20Cを用いた
本発明の洗浄装置1CのウエハSの洗浄、乾燥処理は次
の通りである。キャリアー10の溝15で支持された状
態の複数枚のウエハSをC槽に浸漬し、純水洗浄を行
う。この純水洗浄が終了すると、搬送ロボット50はC
槽に浸漬されていたキャリア装置20Cを上方に引き上
げ、本発明の洗浄装置1Cの最終のIPA槽に搬送す
る。C槽から引き上げられた各ウエハSには、図13に
示したように溜まり水Wが付着しているので、IPA槽
で乾燥される直前までに、本発明のキャリア装置20C
の真空ポンプ70を作動させ、吸引ノズル60及びパイ
プ61を通じて溜まり水Wを強制的に吸引して取り除
く。溜まり水Wを除去した後は、真空ポンプ70の作動
を止め、搬送ロボット50によりキャリア装置20Cを
IPA槽の上方まで搬送し、そして下降させてIPAに
浸漬し、純水洗浄後のウエハSのIPA蒸気乾燥を行
う。所定の時間経過後、搬送ロボット50により引き上
げれば、所望の状態に洗浄、乾燥されたウエハSを得る
ことができる。
【0026】図8及び図7に示した実施例は、本発明の
第4の実施例である洗浄装置1D及びキャリア装置20
Dである。このキャリア装置20Dはチャック方式のも
のであって、図11及び図12に示したチャック20の
ウエハ支持棒22に形成された各ウエハ支持溝23の上
方に吸引ノズル60Aを臨ませ、これらの吸引ノズル6
0Aをパイプ61を通じて搬送ロボット50に固定され
ている真空ポンプ70に接続した構成を採っている。こ
の実施例のキャリア装置20D及び洗浄装置1Dを用い
たウエハSの一部表面に付着した溜まり水Wを除去し、
洗浄、乾燥する動作は、前記第3の実施例で記したキャ
リア装置20C及び洗浄装置1Cの動作と同一であるの
で、その説明を省略する。
【0027】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明のウエ
ハ用キャリア装置及びこれを用いた洗浄装置は、ウエハ
に付着した溜まり水を加熱や真空吸引により強制的に取
り除くようにしたので、乾燥不足による水シミが無くな
り、洗浄装置における乾燥時間を短縮することができ
た。そしてそのため、洗浄装置の処理能力が向上した。
また、何らかの原因により乾燥不足が発生しても時間的
保険が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例であるチャック方式の
半導体ウエハ用キャリア装置を示していて、同図Aはそ
の一部断面図、同図Bはウエハ支持棒の一部拡大断面図
である。
【図2】 図1の半導体ウエハ用キャリア装置を用い
て、図9に示したC槽からIPA槽へ半導体ウエハを移
載する場合に溜まり水を乾燥する状態を説明するための
本発明の第1の実施例の洗浄装置の概念図である。
【図3】 本発明の第2の実施例であるキャリア方式の
半導体ウエハ用キャリア装置を示していて、同図Aはそ
の一部断面図、同図Bはウエハ支持棒の一部拡大断面図
である。
【図4】 図3の半導体ウエハ用キャリア装置を用い
て、図9に示したC槽からIPA槽へ半導体ウエハを移
載する場合に溜まり水を乾燥する状態を説明するための
本発明の第2の実施例の洗浄装置の概念図である。
【図5】 本発明の第3の実施例であるキャリア方式の
半導体ウエハ用キャリア装置の一部要部の拡大断面図で
ある。
【図6】 図5の半導体ウエハ用キャリア装置を用い
て、図9に示したC槽からIPA槽へ半導体ウエハを移
載する場合に溜まり水を乾燥する状態を説明するための
本発明の第3の実施例の洗浄装置の概念図である。
【図7】 本発明の第4の実施例であるチャック方式の
半導体ウエハ用キャリア装置の一部要部の拡大断面図で
ある。
【図8】 図7の半導体ウエハ用キャリア装置を用い
て、図9に示したC槽からIPA槽へ半導体ウエハを移
載する場合に溜まり水を乾燥する状態を説明するための
本発明の第4の実施例の洗浄装置の概念図である。
【図9】 現用のIPA方式による洗浄装置の構成図で
ある。
【図10】 図9に示した洗浄装置内にウエハを浸漬
し、洗浄するために現用されている半導体ウエハを支持
した状態のキャリアの概念図であって、同図Aはその斜
視図、同図Bは同図AのA−A線上における断面正面図
である。
【図11】 図9に示した洗浄装置内にウエハを浸漬
し、洗浄するために現用されている半導体ウエハを支持
した状態のチャックの概念図であって、同図Aはその斜
視図、同図Bはその正面図である。
【図12】 図11に示したチャックの半導体ウエハが
支持されていない場合の概念図であって、同図Aはその
チャックの斜視図、同図Bはウエハ支持溝が形成された
ウエハ支持棒の一部拡大斜視図である。
【図13】 図9の洗浄装置のC槽で半導体ウエハを純
水洗浄した場合に溜まり水が発生する状態を説明するた
めの図であって、同図Aは図10に示したキャリアのウ
エハ支持部に発生した溜まり水の状態を、同図Bは図1
2のチャックのウエハ支持溝に発生した溜まり水の状態
を示している一部拡大断面図である。
【符号の説明】
1A 本発明の第1の実施例の洗浄装置 1B 本発明の第2の実施例の洗浄装置 1C 本発明の第3の実施例の洗浄装置 1D 本発明の第4の実施例の洗浄装置 20A 本発明の第1の実施例のキャリア装置 20B 本発明の第2の実施例のキャリア装置 20C 本発明の第3の実施例のキャリア装置 20D 本発明の第4の実施例のキャリア装置 21A U字状棒 21B U字状棒 22A ウエハ支持棒 22B ウエハ支持棒 23 ウエハ支持溝 30 ヒーター線 30A ヒートパイプ 30B ヒートパイプ 31 電線 32 石英パイプ 40 加熱電源 41 加熱源 50 搬送ロボット 60 吸引ノズル 60A 吸引ノズル 61 パイプ 70 真空ポンプ S (半導体)ウエハ W 溜まり水

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数枚の半導体ウエハを所定の間隔を開
    けて、互いに平行に支持、収納できる半導体ウエハ用キ
    ャリア装置において、 各半導体ウエハの周辺部が接触する半導体ウエハ支持部
    材に、各半導体ウエハが接触して溜まる溜まり水を乾燥
    するための加熱装置を設けたことを特徴とする半導体ウ
    エハ用キャリア装置。
  2. 【請求項2】 複数枚の半導体ウエハを所定の間隔を開
    けて、互いに平行に支持、収納できる半導体ウエハ用キ
    ャリア装置において、 各半導体ウエハの周辺部が接触する半導体ウエハ支持部
    に、各半導体ウエハが接触して溜まる溜まり水を吸引す
    るための吸引ノズルと真空ポンプとからなる吸引装置を
    設けたことを特徴とする半導体ウエハ用キャリア装置。
  3. 【請求項3】 複数枚の半導体ウエハを支持、収納した
    請求項1に記載の半導体ウエハ用キャリア装置を、最終
    水洗槽から引き上げて、IPA槽に浸漬する直前で、前
    記加熱装置を作動させて、前記溜まり水を乾燥すること
    を特徴とする半導体ウエハ用洗浄装置。
  4. 【請求項4】 複数枚の半導体ウエハを支持、収納した
    請求項2に記載の半導体ウエハ用キャリア装置を、最終
    水洗槽から引き上げて、IPA槽に浸漬する直前で、前
    記吸引装置を作動させて、前記溜まり水を吸引、除去す
    ることを特徴とする半導体ウエハ用洗浄装置。
JP22202995A 1995-08-30 1995-08-30 半導体ウエハ用キャリア装置及びこれを用いた洗浄装置 Pending JPH0969556A (ja)

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JP22202995A JPH0969556A (ja) 1995-08-30 1995-08-30 半導体ウエハ用キャリア装置及びこれを用いた洗浄装置

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JP22202995A JPH0969556A (ja) 1995-08-30 1995-08-30 半導体ウエハ用キャリア装置及びこれを用いた洗浄装置

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JP22202995A Pending JPH0969556A (ja) 1995-08-30 1995-08-30 半導体ウエハ用キャリア装置及びこれを用いた洗浄装置

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JP (1) JPH0969556A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091413A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Nec Kagoshima Ltd カセット及び基板乾燥方法
KR100869644B1 (ko) * 2003-12-24 2008-11-21 동부일렉트로닉스 주식회사 자가 건조형 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 장치

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KR100869644B1 (ko) * 2003-12-24 2008-11-21 동부일렉트로닉스 주식회사 자가 건조형 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 장치

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