JP3298037B2 - 乾燥処理装置 - Google Patents
乾燥処理装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、乾燥処理装置に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の乾燥処理装置として、水
を気化潜熱の少ない有機溶剤（イソプロピル アルコー
ル；Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ：以下にＩＰ
Ａという）と置換した後、ＩＰＡの蒸気で加熱して乾燥
する乾燥処理装置が知られている。
を気化潜熱の少ない有機溶剤（イソプロピル アルコー
ル；Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ：以下にＩＰ
Ａという）と置換した後、ＩＰＡの蒸気で加熱して乾燥
する乾燥処理装置が知られている。
【０００３】この乾燥処理装置は、図５に示すように、
処理液例えばＩＰＡの蒸気を発生する蒸気発生部１０
と、この蒸気発生部１０から発生される蒸気と被処理体
例えば半導体ウエハＷ（以下にウエハという）とを接触
させる処理室２０と、処理室２０を通過するＩＰＡの蒸
気を凝縮する冷却部３０とで主に構成されている。この
場合、蒸気発生部１０は、処理室内の下方（底部）に設
けられてＩＰＡを貯留する液貯留部１１を有し、この液
貯留部の下部にはヒータ（加熱部）１２が設けられてい
る。また、前記処理室２０には、ウエハＷを適宜間隔を
おいて保持する複数の保持棒２１が横架されている。ま
た、冷却部３０は、処理室２０の上方の内壁に沿って配
管される冷却蛇管にて形成されており、この冷却蛇管中
に供給される冷媒と処理室２０を通過する蒸気とを熱交
換させて、ＩＰＡの蒸気を凝縮させるようになってい
る。
処理液例えばＩＰＡの蒸気を発生する蒸気発生部１０
と、この蒸気発生部１０から発生される蒸気と被処理体
例えば半導体ウエハＷ（以下にウエハという）とを接触
させる処理室２０と、処理室２０を通過するＩＰＡの蒸
気を凝縮する冷却部３０とで主に構成されている。この
場合、蒸気発生部１０は、処理室内の下方（底部）に設
けられてＩＰＡを貯留する液貯留部１１を有し、この液
貯留部の下部にはヒータ（加熱部）１２が設けられてい
る。また、前記処理室２０には、ウエハＷを適宜間隔を
おいて保持する複数の保持棒２１が横架されている。ま
た、冷却部３０は、処理室２０の上方の内壁に沿って配
管される冷却蛇管にて形成されており、この冷却蛇管中
に供給される冷媒と処理室２０を通過する蒸気とを熱交
換させて、ＩＰＡの蒸気を凝縮させるようになってい
る。
【０００４】このように構成される乾燥処理装置におい
て、蒸気発生部１０のヒータ１２により液貯留部１１中
のＩＰＡを加熱することによってＩＰＡの蒸気を発生さ
せ、その蒸気を処理室２０内に保持されたウエハＷに接
触させると、ウエハＷ表面に付着する水分などは、ウエ
ハＷ表面に接触したＩＰＡ蒸気が凝縮して形成されるＩ
ＰＡの液滴に溶解され、その液滴の落下によりウエハＷ
表面から除去される。この現象がウエハＷが蒸気雰囲気
とほぼ等しい温度になるまで繰り返されることによって
ウエハＷに付着された水滴などの水分が除去され、清浄
な乾燥状態となる。
て、蒸気発生部１０のヒータ１２により液貯留部１１中
のＩＰＡを加熱することによってＩＰＡの蒸気を発生さ
せ、その蒸気を処理室２０内に保持されたウエハＷに接
触させると、ウエハＷ表面に付着する水分などは、ウエ
ハＷ表面に接触したＩＰＡ蒸気が凝縮して形成されるＩ
ＰＡの液滴に溶解され、その液滴の落下によりウエハＷ
表面から除去される。この現象がウエハＷが蒸気雰囲気
とほぼ等しい温度になるまで繰り返されることによって
ウエハＷに付着された水滴などの水分が除去され、清浄
な乾燥状態となる。
【０００５】ところで、前記乾燥処理装置においては、
液貯留部１１に冷却部３０やウエハＷ表面から水分やパ
ーティクル等の不純物を含むＩＰＡの液滴が落下して収
容されるため、そのまま放置しておくと、ＩＰＡ中の水
分及び不純物の量が増大し、その水分及び不純物が再び
ＩＰＡの蒸気と共にウエハＷ表面に付着して、ウエハＷ
を汚染し、製品歩留まりの低下をきたすという問題があ
る。そこで、このような問題を解消するために、種々の
乾燥処理装置が提案されている（特開昭６２−１１５７
２４号公報、特開平４−１５５９２４号公報、特開平４
−１９９７１５号公報等参照）。
液貯留部１１に冷却部３０やウエハＷ表面から水分やパ
ーティクル等の不純物を含むＩＰＡの液滴が落下して収
容されるため、そのまま放置しておくと、ＩＰＡ中の水
分及び不純物の量が増大し、その水分及び不純物が再び
ＩＰＡの蒸気と共にウエハＷ表面に付着して、ウエハＷ
を汚染し、製品歩留まりの低下をきたすという問題があ
る。そこで、このような問題を解消するために、種々の
乾燥処理装置が提案されている（特開昭６２−１１５７
２４号公報、特開平４−１５５９２４号公報、特開平４
−１９９７１５号公報等参照）。
【０００６】例えば、特開昭６２−１１５７２４号公報
に記載されている乾燥処理装置は、前記冷却部３０やウ
エハＷの下方に落下する液滴を捕集する樋、受皿等の捕
集部を設け、この捕集部で捕集したＩＰＡを再生機構を
介して前記液貯留部に戻すように構成されている。
に記載されている乾燥処理装置は、前記冷却部３０やウ
エハＷの下方に落下する液滴を捕集する樋、受皿等の捕
集部を設け、この捕集部で捕集したＩＰＡを再生機構を
介して前記液貯留部に戻すように構成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記乾
燥処理装置においては、処理室に捕集部を設けたり、そ
の捕集部から再生機構を介してＩＰＡを液貯留部に戻す
ように構成したりする必要があるため、構造が複雑にな
り、装置の大型化及びコストの増大を招くという問題が
ある。
燥処理装置においては、処理室に捕集部を設けたり、そ
の捕集部から再生機構を介してＩＰＡを液貯留部に戻す
ように構成したりする必要があるため、構造が複雑にな
り、装置の大型化及びコストの増大を招くという問題が
ある。
【０００８】この発明は前記事情に鑑みなされたもの
で、簡単な構造で処理液中の不純物を除去することがで
き、装置の小型化及びコストの低減が図れる乾燥処理装
置を提供することを目的とするものである。
で、簡単な構造で処理液中の不純物を除去することがで
き、装置の小型化及びコストの低減が図れる乾燥処理装
置を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１記載の乾燥処理装置は、被処理体を収容す
る処理室内の下方に処理液を貯留する液貯留部を有し、
この液貯留部の処理液を加熱して発生する蒸気を前記被
処理体に接触させて被処理体を乾燥させる乾燥処理装置
において、吸引管部と戻り管部が前記処理室の側壁部を
貫通して前記液貯留部に導かれて処理液を循環させる液
循環管と、この液循環管に介設された循環ポンプ及び処
理液中に混入する不純物を除去する不純物除去手段と、
前記循環ポンプを前記処理液の昇温時に制御する制御部
とを備え、前記液循環管に、処理液を補給する液補給管
が前記不純物除去手段の上流側に接続されていることを
特徴とするものである。
に、請求項１記載の乾燥処理装置は、被処理体を収容す
る処理室内の下方に処理液を貯留する液貯留部を有し、
この液貯留部の処理液を加熱して発生する蒸気を前記被
処理体に接触させて被処理体を乾燥させる乾燥処理装置
において、吸引管部と戻り管部が前記処理室の側壁部を
貫通して前記液貯留部に導かれて処理液を循環させる液
循環管と、この液循環管に介設された循環ポンプ及び処
理液中に混入する不純物を除去する不純物除去手段と、
前記循環ポンプを前記処理液の昇温時に制御する制御部
とを備え、前記液循環管に、処理液を補給する液補給管
が前記不純物除去手段の上流側に接続されていることを
特徴とするものである。
【００１０】また、請求項２記載の乾燥処理装置は、被
処理体を収容する処理室内の下方に処理液を貯留する液
貯留部を有し、この液貯留部の処理液を加熱して発生す
る蒸気を前記被処理体に接触させて被処理体を乾燥させ
る乾燥処理装置において、前記処理室外から液貯留部に
導入されて処理液を循環させる液循環管と、この液循環
管に介設された循環ポンプ及び処理液中に混入する不純
物を除去する不純物除去手段と、前記循環ポンプを前記
液貯留部内に貯留される処理液の液位を検出する液位セ
ンサの検出信号に基づいて制御する制御部とを備え、前
記液循環管には、処理液を補給する液補給管が前記不純
物除去手段の上流側に接続され、前記処理液の液位が設
定液位を下回ったことが前記液位センサにより検出され
た際に、前記制御部により前記液補給管の開閉弁が開弁
されると共に、前記循環ポンプが駆動されるように形成
されることを特徴とするものである。
処理体を収容する処理室内の下方に処理液を貯留する液
貯留部を有し、この液貯留部の処理液を加熱して発生す
る蒸気を前記被処理体に接触させて被処理体を乾燥させ
る乾燥処理装置において、前記処理室外から液貯留部に
導入されて処理液を循環させる液循環管と、この液循環
管に介設された循環ポンプ及び処理液中に混入する不純
物を除去する不純物除去手段と、前記循環ポンプを前記
液貯留部内に貯留される処理液の液位を検出する液位セ
ンサの検出信号に基づいて制御する制御部とを備え、前
記液循環管には、処理液を補給する液補給管が前記不純
物除去手段の上流側に接続され、前記処理液の液位が設
定液位を下回ったことが前記液位センサにより検出され
た際に、前記制御部により前記液補給管の開閉弁が開弁
されると共に、前記循環ポンプが駆動されるように形成
されることを特徴とするものである。
【００１１】この発明において、前記循環ポンプ、不純
物除去手段及び制御部をまとめて収容したケーシングを
備える方が好ましい（請求項３）。
物除去手段及び制御部をまとめて収容したケーシングを
備える方が好ましい（請求項３）。
【００１２】また、前記循環ポンプの制御を、液貯留部
内への処理液の補給と共に行うようにしてもよい（請求
項４）。
内への処理液の補給と共に行うようにしてもよい（請求
項４）。
【００１３】
【作用】請求項１，２記載の乾燥処理装置によれば、処
理室外から液貯留部に導入されて処理液を循環させる液
循環管に循環ポンプ及び処理液中に混入する不純物を除
去する不純物除去手段を介設すると共に、前記循環ポン
プを前記処理液の昇温時に制御するか、或いは、液貯留
部内に貯留される処理液の液位を検出する液位センサの
検出信号に基づいて制御する制御部を設けることによ
り、処理液中の不純物の除去を定期的にかつ確実に行う
ことができる。また、前記液循環管に処理液を補給する
液補給管が前記不純物除去手段の上流側に接続されてい
るので、独立した液補給管が不要になり、装置の小型化
及びコストの低減が図れる。
理室外から液貯留部に導入されて処理液を循環させる液
循環管に循環ポンプ及び処理液中に混入する不純物を除
去する不純物除去手段を介設すると共に、前記循環ポン
プを前記処理液の昇温時に制御するか、或いは、液貯留
部内に貯留される処理液の液位を検出する液位センサの
検出信号に基づいて制御する制御部を設けることによ
り、処理液中の不純物の除去を定期的にかつ確実に行う
ことができる。また、前記液循環管に処理液を補給する
液補給管が前記不純物除去手段の上流側に接続されてい
るので、独立した液補給管が不要になり、装置の小型化
及びコストの低減が図れる。
【００１４】また、請求項３記載の乾燥処理装置によれ
ば、前記循環ポンプ及び不純物除去手段を、前記循環ポ
ンプを制御する制御部と共に、ケーシング内にまとめて
収容したので、不純物除去機構部分が乾燥処理装置本体
から独立してユニット化したコンパクトな構成となり、
装置のより一層のコンパクト化が図れる。また、既存の
乾燥処理装置にも何等改造を要することなく容易に適用
することが可能となる。
ば、前記循環ポンプ及び不純物除去手段を、前記循環ポ
ンプを制御する制御部と共に、ケーシング内にまとめて
収容したので、不純物除去機構部分が乾燥処理装置本体
から独立してユニット化したコンパクトな構成となり、
装置のより一層のコンパクト化が図れる。また、既存の
乾燥処理装置にも何等改造を要することなく容易に適用
することが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。この実施例では半導体ウエハの乾燥処理
装置に適用した場合について説明する。なお、図５に示
した従来の乾燥処理装置と同じ部分には同一符号を付し
て説明する。
細に説明する。この実施例では半導体ウエハの乾燥処理
装置に適用した場合について説明する。なお、図５に示
した従来の乾燥処理装置と同じ部分には同一符号を付し
て説明する。
【００１６】◎第一実施例 図１はこの発明の第一実施例の乾燥処理装置の断面斜視
図である。図１において、２２は乾燥処理装置の装置本
体を形成する上部が開放された箱状の容器で、この容器
２２内には処理液例えばＩＰＡの蒸気を発生する蒸気発
生部１０と、この蒸気発生部１０から発生される蒸気と
被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下にウエハという）
とを接触させる処理室２０と、処理室２０を通過するＩ
ＰＡの蒸気を凝縮する冷却部３０とが下方から上方に順
に設けられている。前記蒸気発生部１０として、前記容
器２２内の底部にはＩＰＡを所定量貯留する液貯留部１
１が形成され、容器２２の外底部にはＩＰＡを所定の温
度例えば８０℃程度で加熱して蒸気を発生させるための
ヒータ（加熱部）１２が設けられている。
図である。図１において、２２は乾燥処理装置の装置本
体を形成する上部が開放された箱状の容器で、この容器
２２内には処理液例えばＩＰＡの蒸気を発生する蒸気発
生部１０と、この蒸気発生部１０から発生される蒸気と
被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下にウエハという）
とを接触させる処理室２０と、処理室２０を通過するＩ
ＰＡの蒸気を凝縮する冷却部３０とが下方から上方に順
に設けられている。前記蒸気発生部１０として、前記容
器２２内の底部にはＩＰＡを所定量貯留する液貯留部１
１が形成され、容器２２の外底部にはＩＰＡを所定の温
度例えば８０℃程度で加熱して蒸気を発生させるための
ヒータ（加熱部）１２が設けられている。
【００１７】前記処理室２０には、適宜間隔をおいて保
持溝（図示せず）を有する互いに平行な複数の保持棒２
１が横架されており、これら保持棒２１にて例えば５０
枚のウエハＷが適宜間隔をおいて保持されるようになっ
ている。また、前記冷却部３０は、処理室２０の上方の
内壁に沿って配管される冷却蛇管にて形成されており、
この冷却蛇管中に供給される冷媒と処理室２０を通過す
る蒸気とを熱交換させて蒸気を凝縮させ、処理室２０内
にＩＰＡの蒸気を充満させるようにしている。
持溝（図示せず）を有する互いに平行な複数の保持棒２
１が横架されており、これら保持棒２１にて例えば５０
枚のウエハＷが適宜間隔をおいて保持されるようになっ
ている。また、前記冷却部３０は、処理室２０の上方の
内壁に沿って配管される冷却蛇管にて形成されており、
この冷却蛇管中に供給される冷媒と処理室２０を通過す
る蒸気とを熱交換させて蒸気を凝縮させ、処理室２０内
にＩＰＡの蒸気を充満させるようにしている。
【００１８】一方、前記容器２２の上方には、前記液貯
留部１１のＩＰＡを循環させてＩＰＡ中に混入した不純
物を除去するための不純物除去機構の箱型のケーシング
２３が配置されている。このケーシング２３から前記Ｉ
ＰＡを循環させる液循環管２４の両端部である吸引管部
２４ａと戻り管部２４ｂとが容器２２内に垂下されて液
貯留部１１に導かれるように配管されている。前記液循
環管２４には例えばベローズ式の循環ポンプ２５及び不
純物除去手段である例えばフッ素樹脂からなるフィルタ
を備えた濾過器２６が介設され、これら循環ポンプ２５
及び濾過器２６と、循環ポンプ２５を制御する制御部２
７とが前記ケーシング２３内に収容されている。
留部１１のＩＰＡを循環させてＩＰＡ中に混入した不純
物を除去するための不純物除去機構の箱型のケーシング
２３が配置されている。このケーシング２３から前記Ｉ
ＰＡを循環させる液循環管２４の両端部である吸引管部
２４ａと戻り管部２４ｂとが容器２２内に垂下されて液
貯留部１１に導かれるように配管されている。前記液循
環管２４には例えばベローズ式の循環ポンプ２５及び不
純物除去手段である例えばフッ素樹脂からなるフィルタ
を備えた濾過器２６が介設され、これら循環ポンプ２５
及び濾過器２６と、循環ポンプ２５を制御する制御部２
７とが前記ケーシング２３内に収容されている。
【００１９】なお、前記制御部２７による循環ポンプ２
５の制御としては、例えばＩＰＡの昇温（設定温度）時
であってもよく、或いは、前記液貯留部１１に液位セン
サを設け、液量が少なくなった時に図示しない液補給管
からのＩＰＡの補給と共に、循環ポンプ２５を駆動させ
るようにしてもよい。
５の制御としては、例えばＩＰＡの昇温（設定温度）時
であってもよく、或いは、前記液貯留部１１に液位セン
サを設け、液量が少なくなった時に図示しない液補給管
からのＩＰＡの補給と共に、循環ポンプ２５を駆動させ
るようにしてもよい。
【００２０】次に、前記実施例の作用を述べる。まず、
図示しないウエハ搬送手段によって例えば５０枚のウエ
ハＷを処理室２０の保持棒２１上に保持する。次に、ヒ
ータ１２を通電して液溜１１中のＩＰＡを加熱して蒸発
させると、蒸発したＩＰＡの蒸気は上昇し、ウエハＷ間
に流れ込んだ蒸気はウエハＷに接触する。ウエハＷ表面
に接触した蒸気は凝縮して液滴となり、ウエハＷ表面に
付着する水分などを液滴に溶解して除去しつつ液貯留部
に落下する。この現象がウエハＷが蒸気雰囲気とほぼ等
しい温度になるまで繰り返されることによってウエハＷ
に付着された水滴などの水分及びパーティクルなどの不
純物が除去され、清浄な乾燥状態となる。
図示しないウエハ搬送手段によって例えば５０枚のウエ
ハＷを処理室２０の保持棒２１上に保持する。次に、ヒ
ータ１２を通電して液溜１１中のＩＰＡを加熱して蒸発
させると、蒸発したＩＰＡの蒸気は上昇し、ウエハＷ間
に流れ込んだ蒸気はウエハＷに接触する。ウエハＷ表面
に接触した蒸気は凝縮して液滴となり、ウエハＷ表面に
付着する水分などを液滴に溶解して除去しつつ液貯留部
に落下する。この現象がウエハＷが蒸気雰囲気とほぼ等
しい温度になるまで繰り返されることによってウエハＷ
に付着された水滴などの水分及びパーティクルなどの不
純物が除去され、清浄な乾燥状態となる。
【００２１】前記処理室２０を通過する蒸気は、冷却部
３０の冷却蛇管内を流れる冷媒と熱交換して凝縮される
ことにより、処理室２０内の蒸気の上昇を鈍らせて処理
室２０内に蒸気雰囲気を作る。そして、凝縮されたＩＰ
Ａの凝縮液は、容器２２の内壁部を流下して液貯留部１
１に戻される。
３０の冷却蛇管内を流れる冷媒と熱交換して凝縮される
ことにより、処理室２０内の蒸気の上昇を鈍らせて処理
室２０内に蒸気雰囲気を作る。そして、凝縮されたＩＰ
Ａの凝縮液は、容器２２の内壁部を流下して液貯留部１
１に戻される。
【００２２】一方、不純物除去機構の循環ポンプ２５が
制御部２７により制御され、液貯留部１１のＩＰＡが液
循環管２４を介して循環される。この循環の過程でＩＰ
Ａが濾過器２６で濾過され、ＩＰＡ中の不純物が除去さ
れ、清浄なＩＰＡが戻り管部２４ｂを介して液貯留部１
１に戻される。
制御部２７により制御され、液貯留部１１のＩＰＡが液
循環管２４を介して循環される。この循環の過程でＩＰ
Ａが濾過器２６で濾過され、ＩＰＡ中の不純物が除去さ
れ、清浄なＩＰＡが戻り管部２４ｂを介して液貯留部１
１に戻される。
【００２３】このように乾燥処理装置においては、液貯
留部１１に処理液を循環させる液循環管２４を配管し、
この液循環管２４に処理液中に混入する不純物を除去す
る濾過器２６を介設しているため、簡単な構造で処理液
中の不純物を除去することができ、ＩＰＡ中のパーティ
クルの低減が図れると共に、装置の小型化及びコストの
低減が図れる。特に、処理室２０外から液貯留部１１に
導入されて処理液を循環させる液循環管２４に循環ポン
プ２５及び濾過器２６を介設すると共に、これら循環ポ
ンプ２５及び濾過器２６を、前記循環ポンプ２５の制御
部２７と共に、ケーシング２３内にまとめて収容した構
成としてあるため、不純物除去機構部分が乾燥処理装置
本体から独立してユニット化したコンパクトな構成とな
っており、既存の乾燥処理装置にも何等改造を要するこ
となく容易に適用することが可能である。
留部１１に処理液を循環させる液循環管２４を配管し、
この液循環管２４に処理液中に混入する不純物を除去す
る濾過器２６を介設しているため、簡単な構造で処理液
中の不純物を除去することができ、ＩＰＡ中のパーティ
クルの低減が図れると共に、装置の小型化及びコストの
低減が図れる。特に、処理室２０外から液貯留部１１に
導入されて処理液を循環させる液循環管２４に循環ポン
プ２５及び濾過器２６を介設すると共に、これら循環ポ
ンプ２５及び濾過器２６を、前記循環ポンプ２５の制御
部２７と共に、ケーシング２３内にまとめて収容した構
成としてあるため、不純物除去機構部分が乾燥処理装置
本体から独立してユニット化したコンパクトな構成とな
っており、既存の乾燥処理装置にも何等改造を要するこ
となく容易に適用することが可能である。
【００２４】◎第二実施例 図２はこの発明の第二実施例の乾燥処理装置の断面図で
ある。本実施例の乾燥処理装置において、前記第一実施
例の乾燥処理装置と同じ部分には同一符号を付して説明
する。本実施例の乾燥処理装置においては、その装置本
体である容器２２の側方に不純物除去機構のケーシング
２３が配置されている。このケーシング２３から延出さ
れた液循環管２４の吸引管部２４ａ及び戻り管部２４ｂ
が容器２２の側壁部を貫通して容器２２内の液貯留部に
導かれている。
ある。本実施例の乾燥処理装置において、前記第一実施
例の乾燥処理装置と同じ部分には同一符号を付して説明
する。本実施例の乾燥処理装置においては、その装置本
体である容器２２の側方に不純物除去機構のケーシング
２３が配置されている。このケーシング２３から延出さ
れた液循環管２４の吸引管部２４ａ及び戻り管部２４ｂ
が容器２２の側壁部を貫通して容器２２内の液貯留部に
導かれている。
【００２５】前記液循環管２４の吸引管部２４ａには、
ＩＰＡを補給するための液補給管２８が開閉弁２９を介
して濾過器２６の上流側に接続されており、開閉弁２９
を開弁して循環ポンプ２５を駆動することによりＩＰＡ
を戻り管部２４ｂを介して液貯留部１１に補給できるよ
うに構成されている。
ＩＰＡを補給するための液補給管２８が開閉弁２９を介
して濾過器２６の上流側に接続されており、開閉弁２９
を開弁して循環ポンプ２５を駆動することによりＩＰＡ
を戻り管部２４ｂを介して液貯留部１１に補給できるよ
うに構成されている。
【００２６】なお、前記吸引管部２４ａには、液補給管
２８からのＩＰＡにより吸引したＩＰＡが逆戻りするの
を防止するために、逆止弁が介設されていることが好ま
しい。前記容器２２内の液貯留部１１には液位センサ３
１が設けられており、この液位センサ３１の検出信号に
より制御部２７が循環ポンプ２５及び開閉弁２９を駆動
制御するように構成されている。すなわち、制御部２７
は、液位センサ３１がＩＰＡの液位が設定液位を下回っ
た時に開閉弁２９を開弁させると共に循環ポンプ２５を
駆動させ、ＩＰＡの液位が設定液位に達した時に開閉弁
２９を閉弁させると共に循環ポンプ２５の駆動を停止さ
せるように構成されている。
２８からのＩＰＡにより吸引したＩＰＡが逆戻りするの
を防止するために、逆止弁が介設されていることが好ま
しい。前記容器２２内の液貯留部１１には液位センサ３
１が設けられており、この液位センサ３１の検出信号に
より制御部２７が循環ポンプ２５及び開閉弁２９を駆動
制御するように構成されている。すなわち、制御部２７
は、液位センサ３１がＩＰＡの液位が設定液位を下回っ
た時に開閉弁２９を開弁させると共に循環ポンプ２５を
駆動させ、ＩＰＡの液位が設定液位に達した時に開閉弁
２９を閉弁させると共に循環ポンプ２５の駆動を停止さ
せるように構成されている。
【００２７】このように構成された乾燥処理装置におい
ては、ウエハＷ表面及び冷却部３０で凝縮したＩＰＡが
液貯留部１１に回収されるものの、ＩＰＡの蒸気の一部
は容器２２の上部開放部から図示しない排気系を介して
排気されるため、液貯留部１１のＩＰＡの液量は乾燥処
理に応じて次第に減少する。前記ＩＰＡの液位が設定液
位を下回ったことが液位センサ３１により検出される
と、制御部２７により液補給管２８の開閉弁２９が開弁
されると共に循環ポンプ２５が駆動される。これによ
り、液貯留部１１のＩＰＡが液循環管２４の循環ポンプ
２５及び濾過器２６を介して循環され、液貯留部１１の
ＩＰＡが濾過器２６で不純物を除去されて液貯留部１１
に戻されると共に、液補給管２８から新たなＩＰＡが、
濾過器２６を介して液循環管２４の戻り管部２４ｂから
前記液貯留部１１に供給される。そして、ＩＰＡの補給
により液貯留部１１の液位が設定液位に達したことが液
位センサ３１により検出されると、制御部２７により液
補給管２８の開閉弁２９が閉弁されると共に循環ポンプ
２５の駆動が停止される。
ては、ウエハＷ表面及び冷却部３０で凝縮したＩＰＡが
液貯留部１１に回収されるものの、ＩＰＡの蒸気の一部
は容器２２の上部開放部から図示しない排気系を介して
排気されるため、液貯留部１１のＩＰＡの液量は乾燥処
理に応じて次第に減少する。前記ＩＰＡの液位が設定液
位を下回ったことが液位センサ３１により検出される
と、制御部２７により液補給管２８の開閉弁２９が開弁
されると共に循環ポンプ２５が駆動される。これによ
り、液貯留部１１のＩＰＡが液循環管２４の循環ポンプ
２５及び濾過器２６を介して循環され、液貯留部１１の
ＩＰＡが濾過器２６で不純物を除去されて液貯留部１１
に戻されると共に、液補給管２８から新たなＩＰＡが、
濾過器２６を介して液循環管２４の戻り管部２４ｂから
前記液貯留部１１に供給される。そして、ＩＰＡの補給
により液貯留部１１の液位が設定液位に達したことが液
位センサ３１により検出されると、制御部２７により液
補給管２８の開閉弁２９が閉弁されると共に循環ポンプ
２５の駆動が停止される。
【００２８】本実施例の乾燥処理装置によれば、前記第
一実施例と同様に簡単な構造で液貯留部１１のＩＰＡ中
の不純物を除去することができ、装置の小型化及びコス
トの低減が図れる他、前記液循環管２４に処理液を補給
する液補給管２８が接続され、液位センサ３１及び制御
部２７により液補給管２８の開閉弁２９及び循環ポンプ
２５が駆動制御されるように構成されているので、独立
した液補給管を必要としないでＩＰＡを自動的に補給す
ることができ、装置のより一層のコンパクト化が図れ
る。
一実施例と同様に簡単な構造で液貯留部１１のＩＰＡ中
の不純物を除去することができ、装置の小型化及びコス
トの低減が図れる他、前記液循環管２４に処理液を補給
する液補給管２８が接続され、液位センサ３１及び制御
部２７により液補給管２８の開閉弁２９及び循環ポンプ
２５が駆動制御されるように構成されているので、独立
した液補給管を必要としないでＩＰＡを自動的に補給す
ることができ、装置のより一層のコンパクト化が図れ
る。
【００２９】◎第三実施例 図３はこの発明の第三実施例の乾燥処理装置の断面図で
ある。本実施例の乾燥処理装置において、前記第一実施
例の乾燥処理装置と同じ部分には同一符号を付して説明
する。
ある。本実施例の乾燥処理装置において、前記第一実施
例の乾燥処理装置と同じ部分には同一符号を付して説明
する。
【００３０】本実施例の乾燥処理装置においては、保持
棒２１の下方には、液貯留部１１から起立する支柱４１
によって支持される樋状の受皿４０が配置されており、
この受皿４０によって処理に供されたＩＰＡの液滴を受
け止めることができるようになっている。この受皿４０
の底部にはドレン孔（図示せず）を介してドレン管４２
が配設され、受皿４０に溜った処理済みの凝縮処理液を
外部に排出し得るように構成されている。
棒２１の下方には、液貯留部１１から起立する支柱４１
によって支持される樋状の受皿４０が配置されており、
この受皿４０によって処理に供されたＩＰＡの液滴を受
け止めることができるようになっている。この受皿４０
の底部にはドレン孔（図示せず）を介してドレン管４２
が配設され、受皿４０に溜った処理済みの凝縮処理液を
外部に排出し得るように構成されている。
【００３１】また、容器２２の内壁部における冷却部３
０の下方には、処理室２０を通過する未処理の蒸気の凝
縮されたＩＰＡを回収する凝縮液捕集樋部４３（以下に
捕集樋部という）が全周に渡って設けられている。この
捕集樋部４３により回収されたＩＰＡの凝縮液を図示し
ないフィルタを介して液貯留部１１に回収するようにし
てもよい。
０の下方には、処理室２０を通過する未処理の蒸気の凝
縮されたＩＰＡを回収する凝縮液捕集樋部４３（以下に
捕集樋部という）が全周に渡って設けられている。この
捕集樋部４３により回収されたＩＰＡの凝縮液を図示し
ないフィルタを介して液貯留部１１に回収するようにし
てもよい。
【００３２】上記のように、処理済みの凝縮処理液を受
皿４０にて回収して外部に排出し、また、未処理の蒸気
の凝縮されたＩＰＡを捕集樋部４３にて回収して再利用
させるようにした上で、不純物除去機構の循環ポンプ２
５を制御部２７により自動制御して、液貯留部１１のＩ
ＰＡを液循環管２４を介して循環することにより、液貯
留部１１に溜ったＩＰＡ中の不純物を除去して、清浄な
ＩＰＡを戻り管部２４ｂを介して液貯留部１１に戻すこ
とができる。したがって、清浄なＩＰＡを常時乾燥処理
に供することができ、より一層乾燥処理能力の向上を図
ることができる。
皿４０にて回収して外部に排出し、また、未処理の蒸気
の凝縮されたＩＰＡを捕集樋部４３にて回収して再利用
させるようにした上で、不純物除去機構の循環ポンプ２
５を制御部２７により自動制御して、液貯留部１１のＩ
ＰＡを液循環管２４を介して循環することにより、液貯
留部１１に溜ったＩＰＡ中の不純物を除去して、清浄な
ＩＰＡを戻り管部２４ｂを介して液貯留部１１に戻すこ
とができる。したがって、清浄なＩＰＡを常時乾燥処理
に供することができ、より一層乾燥処理能力の向上を図
ることができる。
【００３３】前記のように構成されるこの発明の乾燥処
理装置は単独の装置として使用できることは勿論である
が、半導体ウエハ表面のパーティクル、有機汚染物、金
属不純物等のコンタミネーションを除去するための洗浄
処理システムに組込んで使用することができる。
理装置は単独の装置として使用できることは勿論である
が、半導体ウエハ表面のパーティクル、有機汚染物、金
属不純物等のコンタミネーションを除去するための洗浄
処理システムに組込んで使用することができる。
【００３４】半導体ウエハの洗浄処理システムは、図４
に示すように未処理のウエハＷを収容する搬入部１と、
ウエハＷの洗浄処理を行う洗浄処理部２と洗浄後のウエ
ハＷを収容する搬出部３とで主要部が構成されている。
に示すように未処理のウエハＷを収容する搬入部１と、
ウエハＷの洗浄処理を行う洗浄処理部２と洗浄後のウエ
ハＷを収容する搬出部３とで主要部が構成されている。
【００３５】搬入部１は、洗浄処理前の所定枚数例えば
２５枚のウエハＷを収容するキャリア４ａを待機させる
待機部４と、キャリア４ａからのウエハＷの取り出し、
オリフラ合わせ及びウエハＷの枚数検出等を行うローダ
部５と、外部から搬送ロボットなどによって搬入される
キャリア４ａの待機部４への移送及びこの待機部４とロ
ーダ部５との間でキャリア４ａの移送を行うためのキャ
リア搬送アーム６とを具備してなる。
２５枚のウエハＷを収容するキャリア４ａを待機させる
待機部４と、キャリア４ａからのウエハＷの取り出し、
オリフラ合わせ及びウエハＷの枚数検出等を行うローダ
部５と、外部から搬送ロボットなどによって搬入される
キャリア４ａの待機部４への移送及びこの待機部４とロ
ーダ部５との間でキャリア４ａの移送を行うためのキャ
リア搬送アーム６とを具備してなる。
【００３６】洗浄処理部２には、搬入部１から搬出部３
に向かって直線状に順に、ウエハチャック８ｃを洗浄・
乾燥する第１のチャック洗浄・乾燥処理室７ａ、ウエハ
Ｗ表面の有機汚染物、金属不純物、パーティクル等の不
純物質を薬液によって洗浄処理する第１の薬液処理室７
ｂ、第１の薬液処理室７ｂで洗浄されたウエハＷを例え
ば純水によって洗浄する２つの水洗処理室７ｃ，７ｄ、
第１の薬液処理室７ｂの薬液とは異なる薬液で洗浄する
第２の薬液処理室７ｅ、第２の薬液処理室７ｅで洗浄さ
れたウエハＷを例えば純水によって洗浄する２つの水洗
処理室７ｆ，７ｇ、ウエハチャック８ｃを洗浄・乾燥す
る第２のチャック洗浄・乾燥処理室７ｈ及び前記不純物
質が除去されたウエハＷを蒸気乾燥させるこの発明の乾
燥処理装置を具備する乾燥処理室７ｉが配設されてい
る。
に向かって直線状に順に、ウエハチャック８ｃを洗浄・
乾燥する第１のチャック洗浄・乾燥処理室７ａ、ウエハ
Ｗ表面の有機汚染物、金属不純物、パーティクル等の不
純物質を薬液によって洗浄処理する第１の薬液処理室７
ｂ、第１の薬液処理室７ｂで洗浄されたウエハＷを例え
ば純水によって洗浄する２つの水洗処理室７ｃ，７ｄ、
第１の薬液処理室７ｂの薬液とは異なる薬液で洗浄する
第２の薬液処理室７ｅ、第２の薬液処理室７ｅで洗浄さ
れたウエハＷを例えば純水によって洗浄する２つの水洗
処理室７ｆ，７ｇ、ウエハチャック８ｃを洗浄・乾燥す
る第２のチャック洗浄・乾燥処理室７ｈ及び前記不純物
質が除去されたウエハＷを蒸気乾燥させるこの発明の乾
燥処理装置を具備する乾燥処理室７ｉが配設されてい
る。
【００３７】また、洗浄処理部２の側方には、各処理室
７ａ〜７ｉに沿って配設された案内部８ａと、この案内
部８ａに装着されて水平（Ｘ方向）及び垂直（Ｚ方向）
に移動自在な３基のウエハ搬送ブロック８ｂとで構成さ
れるウエハ搬送装置８が設けられており、ウエハブロッ
ク１１に設けられたウエハチャック８ｃにて保持される
ウエハＷが各処理室７ａ〜７ｈに搬送された後、乾燥処
理室７ｉに搬送されて、上述のＩＰＡ蒸気によって乾燥
処理されるようになっている。
７ａ〜７ｉに沿って配設された案内部８ａと、この案内
部８ａに装着されて水平（Ｘ方向）及び垂直（Ｚ方向）
に移動自在な３基のウエハ搬送ブロック８ｂとで構成さ
れるウエハ搬送装置８が設けられており、ウエハブロッ
ク１１に設けられたウエハチャック８ｃにて保持される
ウエハＷが各処理室７ａ〜７ｈに搬送された後、乾燥処
理室７ｉに搬送されて、上述のＩＰＡ蒸気によって乾燥
処理されるようになっている。
【００３８】なお、洗浄処理部２の上方には空キャリア
及び満杯キャリアを搬送するキャリア搬送部９ａが設け
られている。また、洗浄処理部２の背面側には薬液等の
処理液を収容するタンクや配管群を含む処理液・配管収
容室９ｂが設けられている。
及び満杯キャリアを搬送するキャリア搬送部９ａが設け
られている。また、洗浄処理部２の背面側には薬液等の
処理液を収容するタンクや配管群を含む処理液・配管収
容室９ｂが設けられている。
【００３９】なお、前記実施例では、この発明の乾燥処
理装置を半導体ウエハの乾燥処理装置に適用した場合に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外のガラス基板ある
いはＬＣＤ基板等の被処理体の乾燥処理装置にも適用で
きることは勿論である。また、前記実施例の不純物除去
手段としては、ＩＰＡ中に混入する水分の除去をも含む
ものであってもよい。
理装置を半導体ウエハの乾燥処理装置に適用した場合に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外のガラス基板ある
いはＬＣＤ基板等の被処理体の乾燥処理装置にも適用で
きることは勿論である。また、前記実施例の不純物除去
手段としては、ＩＰＡ中に混入する水分の除去をも含む
ものであってもよい。
【００４０】
【発明の効果】以上に説明したようにこの発明の乾燥処
理装置によれば、前記のように構成されているので、以
下のような効果が得られる。
理装置によれば、前記のように構成されているので、以
下のような効果が得られる。
【００４１】１）請求項１，２記載の乾燥処理装置によ
れば、処理室外から液貯留部に導入されて処理液を循環
させる液循環管に循環ポンプ及び処理液中に混入する不
純物を除去する不純物除去手段を介設すると共に、前記
循環ポンプを前記処理液の昇温時に制御するか、或い
は、液貯留部内に貯留される処理液の液位を検出する液
位センサの検出信号に基づいて制御する制御部を設ける
ので、処理液中の不純物の除去を定期的にかつ確実に行
うことができる。また、前記液循環管に処理液を補給す
る液補給管が前記不純物除去手段の上流側に接続されて
いるので、独立した液補給管が不要になり、装置の小型
化が及びコストの低減が図れる。
れば、処理室外から液貯留部に導入されて処理液を循環
させる液循環管に循環ポンプ及び処理液中に混入する不
純物を除去する不純物除去手段を介設すると共に、前記
循環ポンプを前記処理液の昇温時に制御するか、或い
は、液貯留部内に貯留される処理液の液位を検出する液
位センサの検出信号に基づいて制御する制御部を設ける
ので、処理液中の不純物の除去を定期的にかつ確実に行
うことができる。また、前記液循環管に処理液を補給す
る液補給管が前記不純物除去手段の上流側に接続されて
いるので、独立した液補給管が不要になり、装置の小型
化が及びコストの低減が図れる。
【００４２】２）請求項３記載の乾燥処理装置によれ
ば、前記循環ポンプ及び不純物除去手段を、前記循環ポ
ンプを制御する制御部と共に、ケーシング内にまとめて
収容したので、不純物除去機構部分が乾燥処理装置本体
から独立してユニット化したコンパクトな構成となり、
装置のより一層のコンパクト化が図れる。また、既存の
乾燥処理装置にも何等改造を要することなく容易に適用
することが可能となる。
ば、前記循環ポンプ及び不純物除去手段を、前記循環ポ
ンプを制御する制御部と共に、ケーシング内にまとめて
収容したので、不純物除去機構部分が乾燥処理装置本体
から独立してユニット化したコンパクトな構成となり、
装置のより一層のコンパクト化が図れる。また、既存の
乾燥処理装置にも何等改造を要することなく容易に適用
することが可能となる。
【図１】この発明の乾燥処理装置の第一実施例を示す断
面斜視図である。
面斜視図である。
【図２】この発明の乾燥処理装置の第二実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図３】この発明の乾燥処理装置の第三実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図４】この発明の乾燥装置を具備する半導体ウエハの
洗浄処理システムを示す斜視図である。
洗浄処理システムを示す斜視図である。
【図５】従来の乾燥処理装置を示す断面図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １１ 液貯留部 ２０ 処理室 ２３ ケーシング ２４ 液循環管 ２５ 循環ポンプ ２６ 濾過器（不純物除去手段） ２７ 制御部 ２８ 液補給管 ３１ 液位センサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南 輝臣 佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エ レクトロン九州株式会社 佐賀事業所内 (56)参考文献 特開 平４−199715（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−155924（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−245639（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−41730（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−115724（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−114090（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) F26B 19/00 H01L 21/304 642
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体を収容する処理室内の下方に処
理液を貯留する液貯留部を有し、この液貯留部の処理液
を加熱して発生する蒸気を前記被処理体に接触させて被
処理体を乾燥させる乾燥処理装置において、吸引管部と戻り管部が前記処理室の側壁部を貫通して前
記液貯留部に導かれて 処理液を循環させる液循環管と、 この液循環管に介設された循環ポンプ及び処理液中に混
入する不純物を除去する不純物除去手段と、 前記循環ポンプを前記処理液の昇温時に制御する制御部
とを備え、 前記液循環管には、処理液を補給する液補給管が前記不
純物除去手段の上流側に接続されていることを特徴とす
る乾燥処理装置。 - 【請求項２】 被処理体を収容する処理室内の下方に処
理液を貯留する液貯留部を有し、この液貯留部の処理液
を加熱して発生する蒸気を前記被処理体に接触させて被
処理体を乾燥させる乾燥処理装置において、 前記処理室外から液貯留部に導入されて処理液を循環さ
せる液循環管と、 この液循環管に介設された循環ポンプ及び処理液中に混
入する不純物を除去する不純物除去手段と、 前記循環ポンプを前記液貯留部内に貯留される処理液の
液位を検出する液位センサの検出信号に基づいて制御す
る制御部とを備え、 前記液循環管には、処理液を補給する液補給管が前記不
純物除去手段の上流側に接続され、 前記処理液の液位が設定液位を下回ったことが前記液位
センサにより検出された際に、前記制御部により前記液
補給管の開閉弁が開弁されると共に、前記循環ポンプが
駆動されるように形成されることを特徴とする乾燥処理
装置。 - 【請求項３】 前記循環ポンプ、不純物除去手段及び制
御部をまとめて収容したケーシングを備えていることを
特徴とする請求項１又は２記載の乾燥処理装置。 - 【請求項４】 前記循環ポンプの制御を、液貯留部内へ
の処理液の補給と共に行うようにしたことを特徴とする
請求項１記載の乾燥処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22116194A JP3298037B2 (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 乾燥処理装置 |
| US08/330,793 US5575079A (en) | 1993-10-29 | 1994-10-28 | Substrate drying apparatus and substrate drying method |
| KR1019940028107A KR100338534B1 (ko) | 1993-10-29 | 1994-10-29 | 기판건조장치및기판건조방법 |
| TW083110221A TW294823B (ja) | 1993-10-29 | 1994-11-04 | |
| US08/697,132 US5671544A (en) | 1993-10-29 | 1996-08-20 | Substrate drying apparatus and substrate drying method |
| KR1020010051301A KR100357316B1 (ko) | 1993-10-29 | 2001-08-24 | 기판 건조장치 및 기판 건조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22116194A JP3298037B2 (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 乾燥処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0861853A JPH0861853A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3298037B2 true JP3298037B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=16762435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22116194A Expired - Fee Related JP3298037B2 (ja) | 1993-10-29 | 1994-08-23 | 乾燥処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3298037B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6206970B1 (en) * | 1997-09-03 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer processor, semiconductor processor gas filtering system and semiconductor processing methods |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP22116194A patent/JP3298037B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0861853A (ja) | 1996-03-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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