JPH09213672A - 半導体ウェハ処理装置および処理方法 - Google Patents
半導体ウェハ処理装置および処理方法Info
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- JPH09213672A JPH09213672A JP1406696A JP1406696A JPH09213672A JP H09213672 A JPH09213672 A JP H09213672A JP 1406696 A JP1406696 A JP 1406696A JP 1406696 A JP1406696 A JP 1406696A JP H09213672 A JPH09213672 A JP H09213672A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】水洗工程の多い半導体装置の製造ラインで、効
率的にウェハを乾燥できる半導体ウェハ処理装置及び処
理方法を提供する。 【解決手段】半導体ウェハが水洗され更に乾燥される半
導体ウェハ処理装置であって、水洗用の純水の水面にＩ
ＰＡ液層の形成される水洗槽を有し、前記半導体ウェハ
が前記水洗槽より徐々に引き上げられて、前記半導体ウ
ェハ表面の水分が除去される。
率的にウェハを乾燥できる半導体ウェハ処理装置及び処
理方法を提供する。 【解決手段】半導体ウェハが水洗され更に乾燥される半
導体ウェハ処理装置であって、水洗用の純水の水面にＩ
ＰＡ液層の形成される水洗槽を有し、前記半導体ウェハ
が前記水洗槽より徐々に引き上げられて、前記半導体ウ
ェハ表面の水分が除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハ処理装
置及び処理方法に関し、特に、半導体ウェハの付着水を
効果的に除去する技術に関する。
置及び処理方法に関し、特に、半導体ウェハの付着水を
効果的に除去する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程には、半導体ウェ
ハ（以下、ウェハという）を純水中で水洗する工程が多
数存在する。さらにこの場合にウェハに付着した水を除
去するための乾燥を行っている。この水の乾燥方法に、
いわゆるイソプロピルアルコール（以下、ＩＰＡとい
う）を用いた乾燥法がある。
ハ（以下、ウェハという）を純水中で水洗する工程が多
数存在する。さらにこの場合にウェハに付着した水を除
去するための乾燥を行っている。この水の乾燥方法に、
いわゆるイソプロピルアルコール（以下、ＩＰＡとい
う）を用いた乾燥法がある。
【０００３】上記のＩＰＡを用いる乾燥方法として、こ
れまで種々の方法が提案されている。この中で、乾燥後
にウェハの表面に水滴の乾燥跡（以下、ウォータマーク
という）が残らない方法として、特開昭６２−１９８１
２６号公報に記載されている技術がある。
れまで種々の方法が提案されている。この中で、乾燥後
にウェハの表面に水滴の乾燥跡（以下、ウォータマーク
という）が残らない方法として、特開昭６２−１９８１
２６号公報に記載されている技術がある。
【０００４】以下、図４に基づいてこの従来の技術を説
明する。図４はこの従来の技術でのウェハ乾燥処理装置
の概略構成図である。図４に示すように、筒状容器１０
１と筒状容器１０２とが、その上部の配管１０３を介し
て連結されている。そして、上記の筒状容器１０１には
水洗槽１０４が形成され、この底部に給水管１０５およ
び排水管１０６が接続されており、またその中段側壁に
排水管１０６ａが接続されている。
明する。図４はこの従来の技術でのウェハ乾燥処理装置
の概略構成図である。図４に示すように、筒状容器１０
１と筒状容器１０２とが、その上部の配管１０３を介し
て連結されている。そして、上記の筒状容器１０１には
水洗槽１０４が形成され、この底部に給水管１０５およ
び排水管１０６が接続されており、またその中段側壁に
排水管１０６ａが接続されている。
【０００５】一方、筒状容器１０２には蒸気発生部１０
７が形成され、この蒸気発生部１０７にはＩＰＡ１０８
が貯留されている。そして、上記の筒状容器１０２の底
部にはヒータ１０９が設置されている。また、前述の配
管１０３の中間部に開閉自在な遮蔽板１１０が設けられ
ている。
７が形成され、この蒸気発生部１０７にはＩＰＡ１０８
が貯留されている。そして、上記の筒状容器１０２の底
部にはヒータ１０９が設置されている。また、前述の配
管１０３の中間部に開閉自在な遮蔽板１１０が設けられ
ている。
【０００６】次に、この装置を用いた乾燥方法について
説明する。まず、予め給水管１０５から純水が供給さ
れ、余分な純水を排水管１０６ａにより排出されている
水洗槽１０４の中に、ウェハ１１１を収納したウェハカ
ートリッジ１１２をセットする。その間、排水管１０６
は閉られている。
説明する。まず、予め給水管１０５から純水が供給さ
れ、余分な純水を排水管１０６ａにより排出されている
水洗槽１０４の中に、ウェハ１１１を収納したウェハカ
ートリッジ１１２をセットする。その間、排水管１０６
は閉られている。
【０００７】所望の時間の水洗が終了した段階で純水の
供給を止め前述の遮蔽板１１０を開け、ヒータ１０９で
ＩＰＡ１０８を加熱し、発生するＩＰＡ蒸気を筒状容器
１０１へ導入する。そして、排水管１０６を解放し、水
洗槽１０４の水抜きを行う。この水抜きは徐々に行われ
る。
供給を止め前述の遮蔽板１１０を開け、ヒータ１０９で
ＩＰＡ１０８を加熱し、発生するＩＰＡ蒸気を筒状容器
１０１へ導入する。そして、排水管１０６を解放し、水
洗槽１０４の水抜きを行う。この水抜きは徐々に行われ
る。
【０００８】この水抜きでウェハ１１１の一部が水面に
出た状態から、次第に水面上に位置する部分が増加し、
遂にはウェハ全体が水面上に現れるようになる。このよ
うに水位を徐々に下降させることにより、水面上に現れ
たウェハ部から順次ＩＰＡ蒸気の凝縮が起こり、このウ
ェハ部が乾燥する。凝縮したＩＰＡはウェハ１１１の表
面を流下し水中に溶解する。そして、ウェハ１１１の全
体が水面上に出た後暫時経過すると、ウェハ１１１の全
体の乾燥が達成される。
出た状態から、次第に水面上に位置する部分が増加し、
遂にはウェハ全体が水面上に現れるようになる。このよ
うに水位を徐々に下降させることにより、水面上に現れ
たウェハ部から順次ＩＰＡ蒸気の凝縮が起こり、このウ
ェハ部が乾燥する。凝縮したＩＰＡはウェハ１１１の表
面を流下し水中に溶解する。そして、ウェハ１１１の全
体が水面上に出た後暫時経過すると、ウェハ１１１の全
体の乾燥が達成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の技術
では、ウェハの乾燥処理のための時間が非常に長くな
る。例えば、１回の乾燥に要する時間は１５分程度にな
る。
では、ウェハの乾燥処理のための時間が非常に長くな
る。例えば、１回の乾燥に要する時間は１５分程度にな
る。
【００１０】これは、次のような理由による。すなわ
ち、前述したようにウェハは徐々に水面上に出てくる
が、ＩＰＡ蒸気がウェハの表面に一様に付着させるまで
に多くの時間を要するためである。
ち、前述したようにウェハは徐々に水面上に出てくる
が、ＩＰＡ蒸気がウェハの表面に一様に付着させるまで
に多くの時間を要するためである。
【００１１】また、この乾燥時間を短縮しようとする
と、ＩＰＡ蒸気の供給能力を高める必要があり、処理装
置が大型化される。そして、製造ラインの床占有面積が
増大するようになる。これは、この場合には、ＩＰＡ蒸
気を発生するためのＩＰＡ蒸気発生設備を多数備えつけ
ることが必要になるためである。さらには、配管１０３
でＩＰＡ蒸気が凝縮しないようにするために、配管１０
３を一定の温度に保温することが必要になるためであ
る。
と、ＩＰＡ蒸気の供給能力を高める必要があり、処理装
置が大型化される。そして、製造ラインの床占有面積が
増大するようになる。これは、この場合には、ＩＰＡ蒸
気を発生するためのＩＰＡ蒸気発生設備を多数備えつけ
ることが必要になるためである。さらには、配管１０３
でＩＰＡ蒸気が凝縮しないようにするために、配管１０
３を一定の温度に保温することが必要になるためであ
る。
【００１２】本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
水洗工程の多い半導体装置の製造ラインで、効率的にウ
ェハを乾燥できる半導体ウェハ処理装置及び処理方法を
提供することにある。
水洗工程の多い半導体装置の製造ラインで、効率的にウ
ェハを乾燥できる半導体ウェハ処理装置及び処理方法を
提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このために、本発明の半
導体ウェハ処理装置は、半導体ウェハが水洗され更に乾
燥される半導体ウェハ処理装置であって、純水の水面に
ＩＰＡ液層の形成される水洗槽を有し、前記半導体ウェ
ハが前記水洗槽より徐々に引き上げられて、前記半導体
ウェハ表面の水分が除去されるようになっている。
導体ウェハ処理装置は、半導体ウェハが水洗され更に乾
燥される半導体ウェハ処理装置であって、純水の水面に
ＩＰＡ液層の形成される水洗槽を有し、前記半導体ウェ
ハが前記水洗槽より徐々に引き上げられて、前記半導体
ウェハ表面の水分が除去されるようになっている。
【００１４】この半導体ウェハ処理装置では、水洗槽内
に給水管が設けられ、前記水洗槽の上部から水洗用の純
水がオーバフローする構造の半導体ウェハ処理装置であ
って、前記水洗槽の上部の縁部に沿ってＩＰＡ流入孔が
分散して設けられ、ＩＰＡ溶液が前記ＩＰＡ流入孔より
純水表面に供給されて前記ＩＰＡ液層が前記純水表面に
形成されるようになっている。
に給水管が設けられ、前記水洗槽の上部から水洗用の純
水がオーバフローする構造の半導体ウェハ処理装置であ
って、前記水洗槽の上部の縁部に沿ってＩＰＡ流入孔が
分散して設けられ、ＩＰＡ溶液が前記ＩＰＡ流入孔より
純水表面に供給されて前記ＩＰＡ液層が前記純水表面に
形成されるようになっている。
【００１５】この半導体ウェハ処理装置を用いる半導体
ウェハの処理では、前記半導体ウェハ処理装置の水洗槽
内で半導体ウェハを水洗した後、前記給水管を閉じ水洗
槽への給水を止め、次に前記ＩＰＡ流入孔を通してＩＰ
Ａを前記純水表面に供給して前記ＩＰＡ液層を形成し、
水洗槽に浸漬していた前記半導体ウェハを徐々に引き上
げて、前記半導体ウェハの表面に付着する水分を除去す
る。
ウェハの処理では、前記半導体ウェハ処理装置の水洗槽
内で半導体ウェハを水洗した後、前記給水管を閉じ水洗
槽への給水を止め、次に前記ＩＰＡ流入孔を通してＩＰ
Ａを前記純水表面に供給して前記ＩＰＡ液層を形成し、
水洗槽に浸漬していた前記半導体ウェハを徐々に引き上
げて、前記半導体ウェハの表面に付着する水分を除去す
る。
【００１６】あるいは、前記水洗槽より半導体ウェハを
引き上げた後、続けて、前記半導体ウェハをＩＰＡ乾燥
機で乾燥させる。
引き上げた後、続けて、前記半導体ウェハをＩＰＡ乾燥
機で乾燥させる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、図１に基づいて本発明の実
施の形態である半導体ウェハ処理装置について説明す
る。図１（ａ）は半導体ウェハの水洗と乾燥を行うため
の処理装置の正面図である。そして、図１（ｂ）はこの
処理装置の平面図である。
施の形態である半導体ウェハ処理装置について説明す
る。図１（ａ）は半導体ウェハの水洗と乾燥を行うため
の処理装置の正面図である。そして、図１（ｂ）はこの
処理装置の平面図である。
【００１８】図１（ａ）および図１（ｂ）に示すよう
に、水洗槽１の上部にＩＰＡ導入口２が取り付けられて
いる。このＩＰＡ導入口２は、図１（ｂ）に示すように
水洗槽上部の縁に沿って設けられる。そして、このＩＰ
Ａ導入口２にＩＰＡ導入管３が接続されている。さら
に、このＩＰＡ導入口２には流入孔４が設けられる。こ
こで、この流入孔４は、水洗槽１の上面より僅かに下に
なる位置にありＩＰＡ導入口２に一様に分散して設けら
れる。そして、ＩＰＡ導入管３にＩＰＡ導入のための開
閉を行うバルブ５が取り付けられている。
に、水洗槽１の上部にＩＰＡ導入口２が取り付けられて
いる。このＩＰＡ導入口２は、図１（ｂ）に示すように
水洗槽上部の縁に沿って設けられる。そして、このＩＰ
Ａ導入口２にＩＰＡ導入管３が接続されている。さら
に、このＩＰＡ導入口２には流入孔４が設けられる。こ
こで、この流入孔４は、水洗槽１の上面より僅かに下に
なる位置にありＩＰＡ導入口２に一様に分散して設けら
れる。そして、ＩＰＡ導入管３にＩＰＡ導入のための開
閉を行うバルブ５が取り付けられている。
【００１９】さらに、水洗槽１の底部に位置するところ
に給水管７が設けられている。このような水洗槽１に、
ボート８に装着されたウェハ９が入れられて水洗と乾燥
がなされる。
に給水管７が設けられている。このような水洗槽１に、
ボート８に装着されたウェハ９が入れられて水洗と乾燥
がなされる。
【００２０】次に、この処理装置を用いた場合の水洗と
その後の乾燥方法についてその手順を説明する。水洗の
工程では、水洗槽１に純水が貯水される。そして、ボー
ト８に５０枚程度のウェハ９が装着され、水洗槽１に浸
漬される。そして、図１（ａ）に示すように、給水管７
からの純水噴流６がウェハ９に向って噴出しウェハ９が
効果的に洗浄される。ここで、余分の純水は水洗槽１の
上部をオーバフローして排水されるようになる。
その後の乾燥方法についてその手順を説明する。水洗の
工程では、水洗槽１に純水が貯水される。そして、ボー
ト８に５０枚程度のウェハ９が装着され、水洗槽１に浸
漬される。そして、図１（ａ）に示すように、給水管７
からの純水噴流６がウェハ９に向って噴出しウェハ９が
効果的に洗浄される。ここで、余分の純水は水洗槽１の
上部をオーバフローして排水されるようになる。
【００２１】このようにして、ウェハ９の水洗が終了す
ると、次に、ウェハ９の表面に付着している水分を除去
することすなわちウェハの乾燥が必要になる。このウェ
ハ９の乾燥は次のようにして行う。
ると、次に、ウェハ９の表面に付着している水分を除去
することすなわちウェハの乾燥が必要になる。このウェ
ハ９の乾燥は次のようにして行う。
【００２２】水洗工程が終了すると給水管７からの純水
の噴流が止められる。そして、水洗槽１に純水が満杯に
なって貯留している状態で、バルブ５が開く。次に、Ｉ
ＰＡ溶液が、ＩＰＡ導入管３を通りＩＰＡ導入口２を経
由し流入孔４から流入する。このＩＰＡ溶液は水洗槽１
に貯留する純水表面に拡がっていく。このＩＰＡ溶液の
拡がりで、ＩＰＡ溶液が純水表面を一様に覆いＩＰＡ液
層が形成されるまでの時間は３０秒程度である。
の噴流が止められる。そして、水洗槽１に純水が満杯に
なって貯留している状態で、バルブ５が開く。次に、Ｉ
ＰＡ溶液が、ＩＰＡ導入管３を通りＩＰＡ導入口２を経
由し流入孔４から流入する。このＩＰＡ溶液は水洗槽１
に貯留する純水表面に拡がっていく。このＩＰＡ溶液の
拡がりで、ＩＰＡ溶液が純水表面を一様に覆いＩＰＡ液
層が形成されるまでの時間は３０秒程度である。
【００２３】次に、ボート８と共にウェハ９が水洗槽１
から徐々に引き上げられる。ここで、このウェハ９の引
き上げ速度は１〜２ｍｍ／秒になるように設定される。
このウェハ９の引き上げの状態は、図２に示すようにな
る。すなわち、水洗槽１内には純水１０とその表面に形
成されたＩＰＡ液層１１とがある。ここで、このＩＰＡ
液層１１の層厚は５ｍｍ程度である。
から徐々に引き上げられる。ここで、このウェハ９の引
き上げ速度は１〜２ｍｍ／秒になるように設定される。
このウェハ９の引き上げの状態は、図２に示すようにな
る。すなわち、水洗槽１内には純水１０とその表面に形
成されたＩＰＡ液層１１とがある。ここで、このＩＰＡ
液層１１の層厚は５ｍｍ程度である。
【００２４】そして、ウェハ９が徐々に引き上げられる
と、純水中に浸漬されていたウェハ９の表面は、ＩＰＡ
液層１１の領域を通過する。そして、このＩＰＡ液層１
１を通過する時、上記のウェハ９の表面の純水はＩＰＡ
溶液に置換される。また、ＩＰＡ液層１１の表面層がウ
ェハ９の表面からはじかれるように表面張力が働く。こ
のようにして、ウェハ９表面の水分とＩＰＡ溶液は除去
されウェハ９が乾燥することになる。
と、純水中に浸漬されていたウェハ９の表面は、ＩＰＡ
液層１１の領域を通過する。そして、このＩＰＡ液層１
１を通過する時、上記のウェハ９の表面の純水はＩＰＡ
溶液に置換される。また、ＩＰＡ液層１１の表面層がウ
ェハ９の表面からはじかれるように表面張力が働く。こ
のようにして、ウェハ９表面の水分とＩＰＡ溶液は除去
されウェハ９が乾燥することになる。
【００２５】この実施の形態では、ウェハ９の乾燥に要
する時間は２分以内になる。これは、ＩＰＡ液層１１を
形成するための時間として３０秒程度、ウェハ９の引き
上げ時間として９０秒程度（６インチφウェハの場合で
ある）として見積られた最大の値である。
する時間は２分以内になる。これは、ＩＰＡ液層１１を
形成するための時間として３０秒程度、ウェハ９の引き
上げ時間として９０秒程度（６インチφウェハの場合で
ある）として見積られた最大の値である。
【００２６】次に、図３に基づいて上記とは別の乾燥方
法について説明する。初めに、先述した半導体ウェハ処
理装置で、ボート８に載置したウェハ９の予備乾燥がな
される。ここで、この予備乾燥では、基本的には先述し
たと同様になされる。すなわち、水洗槽１に貯留した純
水１０の表面層にＩＰＡ液層１１が形成され、この純水
１０とＩＰＡ液層１１を通して、ウェハ９が引き上げら
れる。ここで、引き上げ速度は、１０ｍｍ／秒程度にな
るように設定される。このように引き上げ速度を高くし
てウェハの粗い乾燥がなされる。
法について説明する。初めに、先述した半導体ウェハ処
理装置で、ボート８に載置したウェハ９の予備乾燥がな
される。ここで、この予備乾燥では、基本的には先述し
たと同様になされる。すなわち、水洗槽１に貯留した純
水１０の表面層にＩＰＡ液層１１が形成され、この純水
１０とＩＰＡ液層１１を通して、ウェハ９が引き上げら
れる。ここで、引き上げ速度は、１０ｍｍ／秒程度にな
るように設定される。このように引き上げ速度を高くし
てウェハの粗い乾燥がなされる。
【００２７】次に、図３に示すように、予備乾燥の終っ
たウェハ９は、ＩＰＡ乾燥機１２のＩＰＡ槽１３に入れ
られる。このＩＰＡ槽１３には、ＩＰＡ１４が貯留され
ヒータ（図示されず）で熱せられている。そして、ＩＰ
Ａ蒸気１５が充満している。ここで、ＩＰＡ槽１３の上
部に水冷パイプ１６が設置され、これでＩＰＡ蒸気１５
の上部が冷却されてＩＰＡ蒸気がＩＰＡ槽１３から漏れ
ないようにしてある。そして、ウェハ９を載置するキャ
リア１７は、このＩＰＡ槽１３内に設けられたキャリア
支持台１８に３０秒程度の時間置かれる。そして、ウェ
ハ９はキャリア１７と共にＩＰＡ槽１３から引き出され
て、ウェハ９の乾燥が終了する。
たウェハ９は、ＩＰＡ乾燥機１２のＩＰＡ槽１３に入れ
られる。このＩＰＡ槽１３には、ＩＰＡ１４が貯留され
ヒータ（図示されず）で熱せられている。そして、ＩＰ
Ａ蒸気１５が充満している。ここで、ＩＰＡ槽１３の上
部に水冷パイプ１６が設置され、これでＩＰＡ蒸気１５
の上部が冷却されてＩＰＡ蒸気がＩＰＡ槽１３から漏れ
ないようにしてある。そして、ウェハ９を載置するキャ
リア１７は、このＩＰＡ槽１３内に設けられたキャリア
支持台１８に３０秒程度の時間置かれる。そして、ウェ
ハ９はキャリア１７と共にＩＰＡ槽１３から引き出され
て、ウェハ９の乾燥が終了する。
【００２８】この場合は、半導体ウェハの大口径化に対
応できる乾燥方法となる。例えば、ウェハ９の口径が１
２インチφと大きくなると、特に有効な方法となる。第
１の乾燥方法では、このようにウェハの口径が大きくな
ると、水洗槽１からのウェハの引き上げに要する時間が
増大する。１２インチφウェハではこの引き上げに要す
る時間は２００秒程度になる。これに対し、第２の乾燥
方法では４０秒程度となる。このように、第２の乾燥方
法は、ウェハが大口径化になった場合に乾燥時間を短縮
する場合に有効となる。
応できる乾燥方法となる。例えば、ウェハ９の口径が１
２インチφと大きくなると、特に有効な方法となる。第
１の乾燥方法では、このようにウェハの口径が大きくな
ると、水洗槽１からのウェハの引き上げに要する時間が
増大する。１２インチφウェハではこの引き上げに要す
る時間は２００秒程度になる。これに対し、第２の乾燥
方法では４０秒程度となる。このように、第２の乾燥方
法は、ウェハが大口径化になった場合に乾燥時間を短縮
する場合に有効となる。
【００２９】以上の実施の形態では、ウェハは純水およ
びその表面のＩＰＡ液層を通過して引き上げられる場合
について説明されている。しかし、逆に、ウェハは固定
され純水が水洗槽から徐々に排水される場合でも同様
に、ウェハは乾燥されることに言及しておく。
びその表面のＩＰＡ液層を通過して引き上げられる場合
について説明されている。しかし、逆に、ウェハは固定
され純水が水洗槽から徐々に排水される場合でも同様
に、ウェハは乾燥されることに言及しておく。
【００３０】
【発明の効果】このように本発明では、半導体ウェハは
純水表面に形成されるＩＰＡ液層を通して引き上げら
れ、水洗後にウェハ表面に付着する水分は除去される。
純水表面に形成されるＩＰＡ液層を通して引き上げら
れ、水洗後にウェハ表面に付着する水分は除去される。
【００３１】このため、従来の技術では、ウェハの乾燥
処理のための時間が１５分程度になっていたが、本発明
で３分程度と大幅に短縮される。
処理のための時間が１５分程度になっていたが、本発明
で３分程度と大幅に短縮される。
【００３２】また、本発明の半導体ウェハ処理装置は、
装置の小型化に適するものである。そして、製造ライン
での処理装置の床占有面積が小さくなり、多数の処理装
置の必要となる製造ラインの有効利用が可能になる。
装置の小型化に適するものである。そして、製造ライン
での処理装置の床占有面積が小さくなり、多数の処理装
置の必要となる製造ラインの有効利用が可能になる。
【００３３】なお、本発明の方法では、ウェハが大気中
に出る時に水分がウェハ表面に付着していないようにで
きるため、先述したようなウォータマークの問題は無
い。
に出る時に水分がウェハ表面に付着していないようにで
きるため、先述したようなウォータマークの問題は無
い。
【００３４】このようにして、本発明は、水洗工程の多
い半導体装置の製造ラインで、効率的にウェハを乾燥で
きるようにする。
い半導体装置の製造ラインで、効率的にウェハを乾燥で
きるようにする。
【図１】本発明の半導体ウェハ処理装置の正面図と平面
図である。
図である。
【図２】乾燥工程における半導体ウェハを示す拡大正面
図である。
図である。
【図３】本発明の第２の乾燥方法を説明するための処理
装置の正面図である。
装置の正面図である。
【図４】従来の技術を説明するためのウェハ処理装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
１，１０４ 水洗槽 ２ ＩＰＡ導入口 ３ ＩＰＡ導入管 ４ 流入孔 ５ バルブ ６ 純水噴流 ７，１０５ 給水管 ８ ボート ９，１１１ ウェハ １０ 純水 １１ ＩＰＡ液層 １２ ＩＰＡ乾燥機 １３，１０７ ＩＰＡ槽 １４，１０８ ＩＰＡ １５ ＩＰＡ蒸気 １６ 水冷パイプ １７ キャリア １８ キャリア支持台 １０１，１０２ 筒状容器 １０３ 配管 １０６，１０６ａ 排水管 １０７ 蒸気発生部 １０９ ヒータ １１０ 遮蔽板 １１２ ウェハカートリッジ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェハが水洗され更に乾燥される
半導体ウェハ処理装置において、純水の水面にＩＰＡ液
層の形成される水洗槽を有し、前記半導体ウェハが前記
水洗槽より徐々に引き上げられて、前記半導体ウェハ表
面の水分が除去されるようになっていることを特徴とす
る半導体ウェハ処理装置。 - 【請求項２】 水洗槽内に給水管が設けられ、前記水洗
槽の上部から水洗用の純水がオーバフローする構造の半
導体ウェハ処理装置において、前記水洗槽の上部の縁部
に沿ってＩＰＡ流入孔が分散して設けられ、ＩＰＡ溶液
が前記ＩＰＡ流入孔より純水表面に供給されて前記ＩＰ
Ａ液層が前記純水表面に形成されるようになっているこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ処理装置。 - 【請求項３】 前記半導体ウェハ処理装置の水洗槽内で
半導体ウェハを水洗した後、前記給水管を閉じ水洗槽へ
の給水を止め、次に前記ＩＰＡ流入孔を通してＩＰＡを
前記純水表面に供給して前記ＩＰＡ液層を形成し、水洗
槽に浸漬していた前記半導体ウェハを徐々に引き上げ
て、前記半導体ウェハの表面に付着する水分を除去する
ことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。 - 【請求項４】 前記水洗槽より半導体ウェハを引き上げ
た後、前記半導体ウェハをＩＰＡ乾燥機で乾燥させるこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体ウェハの処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1406696A JPH09213672A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体ウェハ処理装置および処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1406696A JPH09213672A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体ウェハ処理装置および処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213672A true JPH09213672A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11850732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1406696A Pending JPH09213672A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体ウェハ処理装置および処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213672A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6430840B1 (en) | 2000-08-03 | 2002-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for drying a wafer using isopropyl alcohol |
| US6904702B2 (en) | 2002-05-15 | 2005-06-14 | Toho Kasei, Ltd | Method and apparatus for drying substrate |
| US6962007B1 (en) * | 1999-01-18 | 2005-11-08 | Toho Kasei Ltd. | Method and device for drying substrate |
| US7377053B1 (en) * | 2000-01-17 | 2008-05-27 | Daikin Industries, Ltd. | Method and device for drying substrate |
| US20180117639A1 (en) * | 2015-09-15 | 2018-05-03 | International Business Machines Corporation | Drying an extreme ultraviolet (euv) pellicle |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP1406696A patent/JPH09213672A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962007B1 (en) * | 1999-01-18 | 2005-11-08 | Toho Kasei Ltd. | Method and device for drying substrate |
| US7377053B1 (en) * | 2000-01-17 | 2008-05-27 | Daikin Industries, Ltd. | Method and device for drying substrate |
| US6430840B1 (en) | 2000-08-03 | 2002-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for drying a wafer using isopropyl alcohol |
| US6904702B2 (en) | 2002-05-15 | 2005-06-14 | Toho Kasei, Ltd | Method and apparatus for drying substrate |
| US20180117639A1 (en) * | 2015-09-15 | 2018-05-03 | International Business Machines Corporation | Drying an extreme ultraviolet (euv) pellicle |
| US10828678B2 (en) * | 2015-09-15 | 2020-11-10 | International Business Machines Corporation | Drying an extreme ultraviolet (EUV) pellicle |
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| Date | Code | Title | Description |
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