JPS59195653A - フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置Info
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- JPS59195653A JPS59195653A JP58070502A JP7050283A JPS59195653A JP S59195653 A JPS59195653 A JP S59195653A JP 58070502 A JP58070502 A JP 58070502A JP 7050283 A JP7050283 A JP 7050283A JP S59195653 A JPS59195653 A JP S59195653A
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- JP
- Japan
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- cleaning
- washing
- photomask
- mask
- bath
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体素子製造
に用いる光露光用フォトマスクの洗浄方法とその洗浄装
置に係るものである。
に用いる光露光用フォトマスクの洗浄方法とその洗浄装
置に係るものである。
半導体素子製造工程に於て経済性を最も大きく支配して
いるものは光露光工程であプ、従来光露光用マスクへの
欠陥発生および光露光工程での半導体基板からマスクへ
の異物付着が検討されている。殊に、密着式露光方式か
ら投影式無光方式や縮小投影式露光方式への露光技術の
変更は、半導体基板からマスクへの異物転写が無くなり
顕著に製造７ストを減少した。しかし乍ら、光Ｈ光方式
は遠紫外、紫外ｆｆｓ′ｆ：マスクに照射するため、マ
スクの透明基板の一主表面上に形成されている遮光用の
所要パターンの導電層もしくは半導体層への静電荷蓄積
によシ、マスクの使用前後に浮遊塵埃が表裏面に吸着さ
れる。この吸着された塵埃は、従来のマスク洗浄機にお
いて、中性洗剤、純水。
いるものは光露光工程であプ、従来光露光用マスクへの
欠陥発生および光露光工程での半導体基板からマスクへ
の異物付着が検討されている。殊に、密着式露光方式か
ら投影式無光方式や縮小投影式露光方式への露光技術の
変更は、半導体基板からマスクへの異物転写が無くなり
顕著に製造７ストを減少した。しかし乍ら、光Ｈ光方式
は遠紫外、紫外ｆｆｓ′ｆ：マスクに照射するため、マ
スクの透明基板の一主表面上に形成されている遮光用の
所要パターンの導電層もしくは半導体層への静電荷蓄積
によシ、マスクの使用前後に浮遊塵埃が表裏面に吸着さ
れる。この吸着された塵埃は、従来のマスク洗浄機にお
いて、中性洗剤、純水。
ジェットスクラブ等で片面もしくは両面（表裏面）を洗
浄しているが、従来装置では転写パターンチップの５チ
未満に０．５μｍ以上の塵埃が出ないことを保証するこ
とも不可能であった。更に、フォトマスクの洗浄方法で
は表裏面に付着する塵埃の＃丘か、汚染した液体が乾燥
する際に引き起すシミ。
浄しているが、従来装置では転写パターンチップの５チ
未満に０．５μｍ以上の塵埃が出ないことを保証するこ
とも不可能であった。更に、フォトマスクの洗浄方法で
は表裏面に付着する塵埃の＃丘か、汚染した液体が乾燥
する際に引き起すシミ。
ヨゴレ等の洗浄除去が必要であり、これらを作業性良く
確実に行う洗浄方法は未知であった。
確実に行う洗浄方法は未知であった。
この発明の目的は１作業性に優れ確実にマスク表裏面の
塵埃、ヨゴレ、ノミ等を短時間で除去することのできる
洗浄方法とその洗浄装置を提供することにある。
塵埃、ヨゴレ、ノミ等を短時間で除去することのできる
洗浄方法とその洗浄装置を提供することにある。
次に図を用いてこの発明の一実施例を説明する。
相図はこの発明の一実施例を説明する洗浄装置の断面図
である。この実施例は透明石英基板の一表面に所要形状
の酸化クロムの遮光用パターンを被着したフォトマスク
１．２を、水溶性の電解液で洗浄する第一の洗浄槽１０
０および有機薬品で洗浄する第二の洗浄槽２００で順次
処理するものである。フォトマスク１，２０周辺端部は
、マスク表裏面が各槽内で洗浄可能な状態で銀星するよ
うに、所定の治具で保持される。この治具はマスクを洗
浄槽の上方外部から洗浄槽の下方まで移動せしめ、且つ
液体中での→スフの上下運動を行うことが出来る。
である。この実施例は透明石英基板の一表面に所要形状
の酸化クロムの遮光用パターンを被着したフォトマスク
１．２を、水溶性の電解液で洗浄する第一の洗浄槽１０
０および有機薬品で洗浄する第二の洗浄槽２００で順次
処理するものである。フォトマスク１，２０周辺端部は
、マスク表裏面が各槽内で洗浄可能な状態で銀星するよ
うに、所定の治具で保持される。この治具はマスクを洗
浄槽の上方外部から洗浄槽の下方まで移動せしめ、且つ
液体中での→スフの上下運動を行うことが出来る。
第一の洗浄槽１００は、下方に１重量パーセントのアン
モニヤ水溶液を貯えているオーバー・７０−型洗浄浴１
１と、この洗浄浴の液中に設けた一対のパイプ状の回転
ブラシ１２．１３と、洗浄浴１１の上方に設けられた一
対の純水のクヤヮー・パイプ１４．１５と、クヤワーパ
イプと洗浄浴１１とを遮蔽する一対の遮蔽板１６．１７
を有する。洗浄浴１１は下方の入力端ｉｎｌから水溶液
の供給を受け、上端周囲からオーバーフローした水溶液
をクヤワー・パイプ１４，１５から遮幣板１６゜１７の
傾斜に沿って流れる純水と共に洗浄槽の出力端ｏｕｔ
１に排水する。
モニヤ水溶液を貯えているオーバー・７０−型洗浄浴１
１と、この洗浄浴の液中に設けた一対のパイプ状の回転
ブラシ１２．１３と、洗浄浴１１の上方に設けられた一
対の純水のクヤヮー・パイプ１４．１５と、クヤワーパ
イプと洗浄浴１１とを遮蔽する一対の遮蔽板１６．１７
を有する。洗浄浴１１は下方の入力端ｉｎｌから水溶液
の供給を受け、上端周囲からオーバーフローした水溶液
をクヤワー・パイプ１４，１５から遮幣板１６゜１７の
傾斜に沿って流れる純水と共に洗浄槽の出力端ｏｕｔ
１に排水する。
第二の洗浄槽２００は、下方にイソプロピル・アルコー
ルを循環しているオーバーフロー型洗浄浴２１と、この
上方に設けた冷却パイプ２２を有する。洗浄浴２１の内
部には浴中のアルコールを７０℃に加熱し、且つ浴上に
洗浄用の蒸気を発生するヒーター２３および超音波振動
板２４が設けられている。この洗浄槽下方の出力端ｏｕ
ｔ ２ Ｋ流出するアルコールは、ポンプＰとフィルタ
ーＦを通シ洗浄浴２１の下部の入力端ｉｎ２に循環する
。
ルを循環しているオーバーフロー型洗浄浴２１と、この
上方に設けた冷却パイプ２２を有する。洗浄浴２１の内
部には浴中のアルコールを７０℃に加熱し、且つ浴上に
洗浄用の蒸気を発生するヒーター２３および超音波振動
板２４が設けられている。この洗浄槽下方の出力端ｏｕ
ｔ ２ Ｋ流出するアルコールは、ポンプＰとフィルタ
ーＦを通シ洗浄浴２１の下部の入力端ｉｎ２に循環する
。
この実施例によるマスク洗浄は、第一の工程を実施する
第一の洗浄槽１００の上部の人出口１Ｂからマスク１を
導入し、アンモニヤ水と回転ブラシ１２．１３によシマ
スフ表裏面を洗浄浴１１の内部でブラシ洗浄を施す。回
転ブラシはマスク表裏面をそれぞれ下方から上方へ掃き
出す方向にブラックングする。ブラシ洗浄されたマスク
１は。
第一の洗浄槽１００の上部の人出口１Ｂからマスク１を
導入し、アンモニヤ水と回転ブラシ１２．１３によシマ
スフ表裏面を洗浄浴１１の内部でブラシ洗浄を施す。回
転ブラシはマスク表裏面をそれぞれ下方から上方へ掃き
出す方向にブラックングする。ブラシ洗浄されたマスク
１は。
人出口１８に引き出す際にクヤワーーパイプ１４゜１５
から噴出される純水によシ表裏面がリンスされる。この
洗浄工程でマスクは電解液による表裏面からの静電気の
中和と５機械的な洗浄を受ける。
から噴出される純水によシ表裏面がリンスされる。この
洗浄工程でマスクは電解液による表裏面からの静電気の
中和と５機械的な洗浄を受ける。
次に第二の工程を行うため、マスク２は第二の洗浄槽２
００の人出口２５からアルコールの洗浄浴２１の内部に
導入され、アルコール温浴中で超音波洗浄される。この
洗浄浴２１から引出されたマスクは、液の上方でインプ
ロピル会アルコールの蒸気で蒸気洗浄され、更に冷却ノ
くイブ附近を通過して人出口２５に取出される際に乾燥
される。
００の人出口２５からアルコールの洗浄浴２１の内部に
導入され、アルコール温浴中で超音波洗浄される。この
洗浄浴２１から引出されたマスクは、液の上方でインプ
ロピル会アルコールの蒸気で蒸気洗浄され、更に冷却ノ
くイブ附近を通過して人出口２５に取出される際に乾燥
される。
この第二の洗浄工程は、有機薬品による洗浄のみならず
、蒸気洗浄による汚染を受けない洗浄と急速乾燥とで水
溶液使用時におけるシミ、汚れの発生を防止する。
、蒸気洗浄による汚染を受けない洗浄と急速乾燥とで水
溶液使用時におけるシミ、汚れの発生を防止する。
以上の実施例は、作業工程が簡便で且つ作業時間が短い
ため作業性が良好である。又、プラク洗浄、電解液洗浄
、有機薬品洗浄、蒸気洗浄ないし乾燥の一連の洗浄工程
は、フォトマスク表裏面への欠陥として観察され得る塵
埃と汚染を完全に除去することができる。
ため作業性が良好である。又、プラク洗浄、電解液洗浄
、有機薬品洗浄、蒸気洗浄ないし乾燥の一連の洗浄工程
は、フォトマスク表裏面への欠陥として観察され得る塵
埃と汚染を完全に除去することができる。
図はこの発明の一実施例の断面図である。
１００・・・・・・第１の洗浄槽、２００・・・・・・
第２の洗浄槽、１．２・・・・・・フォトマスク、１１
．２１・・・・・・洗浄浴、１２．１３・・・・・・回
転プラ／、１４ 、１５・・・・・・シャワーパイプ、
１６．１７・・・・・・遮蔽板、２２・・・・・・冷却
バイブ、２３・・・・・・ヒーター、２４・・・・・・
超音波振動板。
第２の洗浄槽、１．２・・・・・・フォトマスク、１１
．２１・・・・・・洗浄浴、１２．１３・・・・・・回
転プラ／、１４ 、１５・・・・・・シャワーパイプ、
１６．１７・・・・・・遮蔽板、２２・・・・・・冷却
バイブ、２３・・・・・・ヒーター、２４・・・・・・
超音波振動板。
Claims (2)
- （１）半導体装置の製造に用いるフォトマスクの周辺端
部を主たる表裏面を洗浄可能な状態で垂直な方向に保持
して上下方向に可動し、第一の洗浄処理にて電解液中で
前記フォトマスクの表裏面をプラン洗浄しこれを純水で
シャワー洗浄を行い、次に第二の洗浄処理にてアルコー
ル液中に浸漬し該アルコール液から取出す際にアルコー
ルによる蒸気洗浄と乾燥を施すことを特徴とするフォト
マスクの洗浄方法。 - （２）半導体装置の製造に用いるフォトマスクの周辺端
部を主たる表裏面を洗浄可能な状態で垂直方向に保持し
て上下方向に移動する手段と、該保持状態のフォトマス
クを電解液中でブラシ洗浄したのち純水でシャワー・リ
ンスする第一の洗浄槽と、次にアルコール液中に浸漬し
て液を攪拌洗浄し液上面に蒸気洗浄部と乾燥部を設けた
第二の洗浄槽とを有するフォトマスクの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070502A JPS59195653A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070502A JPS59195653A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195653A true JPS59195653A (ja) | 1984-11-06 |
| JPS649620B2 JPS649620B2 (ja) | 1989-02-17 |
Family
ID=13433360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070502A Granted JPS59195653A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195653A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279857A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 基板の洗浄方法 |
| JPS6419724A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Wet treatment equipment |
| JPH0521411A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| JPH05206096A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Nec Corp | 半導体基板薬液浸漬式処理装置 |
| KR100802299B1 (ko) | 2003-12-26 | 2008-02-11 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 메가소닉 배스 내 암모니아 흄 제거장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632728A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Fujitsu Ltd | Mask washing apparatus |
| JPS5779619A (en) * | 1980-11-06 | 1982-05-18 | Fujitsu Ltd | Mask cleansing device |
| JPS57128315A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Canon Inc | Manufacture for electrooptic display device |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58070502A patent/JPS59195653A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632728A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Fujitsu Ltd | Mask washing apparatus |
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|---|---|---|---|---|
| JPS61279857A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 基板の洗浄方法 |
| JPS6419724A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Wet treatment equipment |
| JPH0521411A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| JPH05206096A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Nec Corp | 半導体基板薬液浸漬式処理装置 |
| KR100802299B1 (ko) | 2003-12-26 | 2008-02-11 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 메가소닉 배스 내 암모니아 흄 제거장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649620B2 (ja) | 1989-02-17 |
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