JPS649620B2 - - Google Patents
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- JPS649620B2 JPS649620B2 JP7050283A JP7050283A JPS649620B2 JP S649620 B2 JPS649620 B2 JP S649620B2 JP 7050283 A JP7050283 A JP 7050283A JP 7050283 A JP7050283 A JP 7050283A JP S649620 B2 JPS649620 B2 JP S649620B2
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- cleaning
- photomask
- tank
- cleaned
- cleaning tank
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はIC、LSI、VLSI等の半導体素子製
造に用いる光露光用フオトマスクの洗浄方法とそ
の洗浄装置に係るものである。
造に用いる光露光用フオトマスクの洗浄方法とそ
の洗浄装置に係るものである。
半導体素子製造工程に於て経済性を最も大きく
支配しているものは光露光工程であり、従来光露
光用マスクへの欠陥発生および光露光工程での半
導体基板からマスクへの異物付着が検討されてい
る。殊に、密着式露光方式から投影式露光方式や
縮小投影式露光方式への露光技術の変更は、半導
体基板からマスクへの異物転写が無くなり顕著に
製造フストを減少した。しかし乍ら、光露光方式
は遠紫外、紫外線をマスクに照射するため、マス
クの透明基板の一主表面上に形成されている遮光
用の所要パターンの導電層もしくは半導体層への
静電荷蓄積により、マスクの使用前後に浮遊塵埃
が表裏面に吸着される。この吸着された塵埃は、
従来のマスク洗浄機において、中性洗剤、純水、
ジエツトスクラブ等で片面もしくは両面（表裏
面）を洗浄しているが、従来装置では転写パター
ンチツプの５％未満に0.5μｍ以上の塵埃が出ない
ことを保証することも不可能であつた。更に、フ
オトマスクの洗浄方法では表裏面に付着する塵埃
のほか、汚染した液体が乾燥する際に引き起すシ
ミ、ヨゴレ等の洗浄除去が必要であり、これらを
作業性良く確実に行う洗浄方法は未知であつた。
支配しているものは光露光工程であり、従来光露
光用マスクへの欠陥発生および光露光工程での半
導体基板からマスクへの異物付着が検討されてい
る。殊に、密着式露光方式から投影式露光方式や
縮小投影式露光方式への露光技術の変更は、半導
体基板からマスクへの異物転写が無くなり顕著に
製造フストを減少した。しかし乍ら、光露光方式
は遠紫外、紫外線をマスクに照射するため、マス
クの透明基板の一主表面上に形成されている遮光
用の所要パターンの導電層もしくは半導体層への
静電荷蓄積により、マスクの使用前後に浮遊塵埃
が表裏面に吸着される。この吸着された塵埃は、
従来のマスク洗浄機において、中性洗剤、純水、
ジエツトスクラブ等で片面もしくは両面（表裏
面）を洗浄しているが、従来装置では転写パター
ンチツプの５％未満に0.5μｍ以上の塵埃が出ない
ことを保証することも不可能であつた。更に、フ
オトマスクの洗浄方法では表裏面に付着する塵埃
のほか、汚染した液体が乾燥する際に引き起すシ
ミ、ヨゴレ等の洗浄除去が必要であり、これらを
作業性良く確実に行う洗浄方法は未知であつた。
この発明の目的は、作業性に優れ確実にマスク
表裏面の塵埃、ヨゴレ、シミ等を短時間で除去す
ることのできる洗浄方法とその洗浄装置を提供す
ることにある。
表裏面の塵埃、ヨゴレ、シミ等を短時間で除去す
ることのできる洗浄方法とその洗浄装置を提供す
ることにある。
次に図を用いてこの発明の一実施例を説明す
る。
る。
図はこの発明の一実施例を説明する洗浄装置の
断面図である。この実施例は透明石英基板の一表
面に所要形状の酸化クロムの遮光用パターンを被
着したフオトマスク１，２を、水溶性の電解液で
洗浄する第一の洗浄槽１００および有機薬品で洗
浄する第二の洗浄槽２００で順次処理するもので
ある。フオトマスク１，２の周辺端部は、マスク
表裏面が各槽内で洗浄可能な状態で露呈するよう
に、所定の治具で保持される。この治具はマスク
を洗浄槽の上方外部から洗浄槽の下方まで移動せ
しめ、且つ液体中でのマスクの上下運動を行うこ
とが出来る。
断面図である。この実施例は透明石英基板の一表
面に所要形状の酸化クロムの遮光用パターンを被
着したフオトマスク１，２を、水溶性の電解液で
洗浄する第一の洗浄槽１００および有機薬品で洗
浄する第二の洗浄槽２００で順次処理するもので
ある。フオトマスク１，２の周辺端部は、マスク
表裏面が各槽内で洗浄可能な状態で露呈するよう
に、所定の治具で保持される。この治具はマスク
を洗浄槽の上方外部から洗浄槽の下方まで移動せ
しめ、且つ液体中でのマスクの上下運動を行うこ
とが出来る。
第一の洗浄槽１００は、下方に１重量パーセン
トのアンモニヤ水溶液を貯えているオーバー・フ
ロー型洗浄浴１１と、この洗浄浴の液中に設けた
一対のパイプ状の回転ブラシ１２，１３と、洗浄
浴１１の上方に設けられた一対の純水のシヤワ
ー・パイプ１４，１５と、シヤワーパイプと洗浄
浴１１とを遮蔽する一対の遮蔽板１６，１７を有
する。洗浄浴１１は下方の入力端in１から水溶液
の供給を受け、上端周囲からオーバーフローした
水溶液をシヤワー・パイプ１４，１５から遮幣板
１６，１７の傾斜に沿つて流れる純水と共に洗浄
槽の出力端out１に排水する。
トのアンモニヤ水溶液を貯えているオーバー・フ
ロー型洗浄浴１１と、この洗浄浴の液中に設けた
一対のパイプ状の回転ブラシ１２，１３と、洗浄
浴１１の上方に設けられた一対の純水のシヤワ
ー・パイプ１４，１５と、シヤワーパイプと洗浄
浴１１とを遮蔽する一対の遮蔽板１６，１７を有
する。洗浄浴１１は下方の入力端in１から水溶液
の供給を受け、上端周囲からオーバーフローした
水溶液をシヤワー・パイプ１４，１５から遮幣板
１６，１７の傾斜に沿つて流れる純水と共に洗浄
槽の出力端out１に排水する。
第二の洗浄槽２００は、下方にイソプロピル・
アルコールを循環しているオーバーフロー型洗浄
浴２１と、この上方に設けた冷却パイプ２２を有
する。洗浄浴２１の内部には浴中のアルコールを
70℃に加熱し、且つ浴上に洗浄用の蒸気を発生す
るヒーター２３および超音波振動板２４が設けら
れている。この洗浄槽下方の出力端out２に流出
するアルコールは、ポンプＰとフイルターＦを通
り洗浄浴２１の下部の入力端in２に循環する。
アルコールを循環しているオーバーフロー型洗浄
浴２１と、この上方に設けた冷却パイプ２２を有
する。洗浄浴２１の内部には浴中のアルコールを
70℃に加熱し、且つ浴上に洗浄用の蒸気を発生す
るヒーター２３および超音波振動板２４が設けら
れている。この洗浄槽下方の出力端out２に流出
するアルコールは、ポンプＰとフイルターＦを通
り洗浄浴２１の下部の入力端in２に循環する。
この実施例によるマスク洗浄は、第一の工程を
実施する第一の洗浄槽１００の上部の入出口１８
からマスク１を導入し、アンモニヤ水と回転ブラ
シ１２，１３によりマスク表裏面を洗浄浴１１の
内部でブラシ洗浄を施す。回転ブラシはマスク表
裏面をそれぞれ下方から上方へ掃き出す方向にブ
ラツシングする。ブラシ洗浄されたマスク１は、
入出口１８に引き出す際にシヤワー・パイプ１
４，１５から噴出される純水により表裏面がリン
スされる。この洗浄工程でマスクは電解液による
表裏面からの静電気の中和と、機械的な洗浄を受
ける。
実施する第一の洗浄槽１００の上部の入出口１８
からマスク１を導入し、アンモニヤ水と回転ブラ
シ１２，１３によりマスク表裏面を洗浄浴１１の
内部でブラシ洗浄を施す。回転ブラシはマスク表
裏面をそれぞれ下方から上方へ掃き出す方向にブ
ラツシングする。ブラシ洗浄されたマスク１は、
入出口１８に引き出す際にシヤワー・パイプ１
４，１５から噴出される純水により表裏面がリン
スされる。この洗浄工程でマスクは電解液による
表裏面からの静電気の中和と、機械的な洗浄を受
ける。
次に第二の工程を行うため、マスク２は第二の
洗浄槽２００の入出口２５からアルコールの洗浄
浴２１の内部に導入され、アルコール温浴中で超
音波洗浄される。この洗浄浴２１から引出された
マスクは、液の上方でイソプロピル・アルコール
の蒸気で蒸気洗浄され、更に冷却パイプ附近を通
過して入出口２５に取出される際に乾燥される。
この第二の洗浄工程は、有機薬品による洗浄のみ
ならず、蒸気洗浄による汚染を受けない洗浄と急
速乾燥とで水溶液使用時におけるシミ、汚れの発
生を防止する。
洗浄槽２００の入出口２５からアルコールの洗浄
浴２１の内部に導入され、アルコール温浴中で超
音波洗浄される。この洗浄浴２１から引出された
マスクは、液の上方でイソプロピル・アルコール
の蒸気で蒸気洗浄され、更に冷却パイプ附近を通
過して入出口２５に取出される際に乾燥される。
この第二の洗浄工程は、有機薬品による洗浄のみ
ならず、蒸気洗浄による汚染を受けない洗浄と急
速乾燥とで水溶液使用時におけるシミ、汚れの発
生を防止する。
以上の実施例は、作業工程が簡便で且つ作業時
間が短いため作業性が良好である。又、ブラシ洗
浄、電解液洗浄、有機薬品洗浄、蒸気洗浄ないし
乾燥の一連の洗浄工程は、フオトマスク表裏面へ
の欠陥として観察され得る塵埃と汚染を完全に除
去することができる。
間が短いため作業性が良好である。又、ブラシ洗
浄、電解液洗浄、有機薬品洗浄、蒸気洗浄ないし
乾燥の一連の洗浄工程は、フオトマスク表裏面へ
の欠陥として観察され得る塵埃と汚染を完全に除
去することができる。
図はこの発明の一実施例の断面図である。
１００……第１の洗浄槽、２００……第２の洗
浄槽、１，２……フオトマスク、１１，２１……
洗浄浴、１２，１３……回転ブラシ、１４，１５
……シヤワーパイプ、１６，１７……遮蔽板、２
２……冷却パイプ、２３……ヒーター、２４……
超音波振動板。
浄槽、１，２……フオトマスク、１１，２１……
洗浄浴、１２，１３……回転ブラシ、１４，１５
……シヤワーパイプ、１６，１７……遮蔽板、２
２……冷却パイプ、２３……ヒーター、２４……
超音波振動板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体装置の製造に用いるフオトマスクの周
辺端部を主たる表裏面を洗浄可能な状態で垂直な
方向に保持して上下方向に可動し、第一の洗浄処
理にて電解液中で前記フオトマスクの表裏面を回
転ブラシ洗浄しこれを純水でシヤワー洗浄を行
い、次に第二の洗浄処理にてアルコール液中に浸
漬し該アルコール液から取出す際にアルコールに
よる蒸気洗浄と乾燥を施すことを特徴とするフオ
トマスクの洗浄方法。 ２ 第一洗浄槽の中心部にフオトマスクの周辺端
部を垂直方向に保持して上下方向に移動する手段
を有し、前記槽の上層部に純水噴射部を有し、下
層部に電解液を収納できる池を有し、前記池内に
一対の回転ブラシを有する第一の洗浄槽と、第二
洗浄槽の中心部に前記フオトマスクの前記保持手
段と同一の手段を有し、前記第二洗浄槽の上層部
に槽の内壁に沿うように配管された冷却パイプを
有し、下層部に有機溶剤収納用の池を有する第二
の洗浄槽とを具備し、前記フオトマスクを保持し
た保持手段が前記各洗浄槽を順次処理移動する機
能を備えていることを特徴とするフオトマスクの
洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070502A JPS59195653A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070502A JPS59195653A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195653A JPS59195653A (ja) | 1984-11-06 |
| JPS649620B2 true JPS649620B2 (ja) | 1989-02-17 |
Family
ID=13433360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070502A Granted JPS59195653A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195653A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH073577B2 (ja) * | 1985-06-05 | 1995-01-18 | 株式会社ニコン | 基板の洗浄方法 |
| JP2601827B2 (ja) * | 1987-07-15 | 1997-04-16 | 株式会社日立製作所 | ウエット処理装置 |
| JPH0521411A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| JP3009006B2 (ja) * | 1992-01-28 | 2000-02-14 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の乾燥装置 |
| KR100802299B1 (ko) | 2003-12-26 | 2008-02-11 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 메가소닉 배스 내 암모니아 흄 제거장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632728A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Fujitsu Ltd | Mask washing apparatus |
| JPS5779619A (en) * | 1980-11-06 | 1982-05-18 | Fujitsu Ltd | Mask cleansing device |
| JPS57128315A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Canon Inc | Manufacture for electrooptic display device |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58070502A patent/JPS59195653A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59195653A (ja) | 1984-11-06 |
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