JPS649618B2 - - Google Patents

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JPS649618B2
JPS649618B2 JP7049583A JP7049583A JPS649618B2 JP S649618 B2 JPS649618 B2 JP S649618B2 JP 7049583 A JP7049583 A JP 7049583A JP 7049583 A JP7049583 A JP 7049583A JP S649618 B2 JPS649618 B2 JP S649618B2
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JP
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mask
cleaning
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tank
cleaning tank
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JP7049583A
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Toshio Wada
Hiromi Yamashita
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明はIC、LSI、VLSI等の半導体素子製
造に用いる光露光用マスクの洗浄方法とその装置
に係るものである。
半導体素子製造工程に於て経済性を最も大きく
支配しているものは光露光工程であり、従来光露
光用マスクの欠陥発生および光露光工程での半導
体基板からマスクへの異物付着が検討されてい
る。殊に、密着式露光方式から投影式露光方式や
縮小投影式露光方式への露光技術の変更は、半導
体基板からマスクへの異物転写が無くなり顕著に
製造コストを減少した。しかし乍ら、光露光方式
は遠紫外、紫外線をマスクに照射するため、マス
クの透明基板の一主表面上に形成されている遮光
用の所要パターンの導電層もしくは半導体層への
静電荷蓄積により、マスクの使用前後に浮遊塵埃
が表裏面に吸着される。この吸着された塵埃は、
従来のマスク洗浄機において、中性洗剤、純水、
ジエツトスクラブ等で片面もしくは両面（表裏
面）を洗浄しているが、従来装置では転写パター
ンチツプの５％未満に塵埃が出ないことを保証す
ることも不可能であつた。更に、縮小投影露光装
置では、3μ以上の欠陥を“０”とし、且つ洗浄
液の乾燥時のシミ、ヨゴレ等を発生することのな
いレチクル・マスク洗浄機が要望されて居り、こ
の種の要望に応じ且つ作業性の良好なマスク洗浄
技術は未知であつた。
この発明の目的は、作業性に優れ且つマスクの
表裏面に吸着している塵埃等を確実に除去するマ
スク洗浄方法およびその装置を提供することにあ
る。
この発明の他の目的は、縮小投影露光装置に用
いるレチクルマスクの3μ以上の付着物を完全に
除去できるレチクル・マスク洗浄方法およびその
装置を提供することにある。
この発明によれば、ガラスもしくは石英の透明
基板の一主表面に所要形状の導電性もしくは半導
電性の遮光パターンを備えた半導体素子製造用の
光露光マスクの洗浄方法および洗浄装置が実現さ
れる。即ち、この発明の光露光マスクは第一の工
程に於て、基板表裏面を、水、炭酸、燐酸、塩酸
等を含む弱酸性の水溶液、アンモニヤの薄い溶液
のような弱アルカリ性の水溶性もしくはアルコー
ルなどの液体で濡らされる。次に第二の工程で、
マスクを一対の回転ブラシの中間を通過し回転ブ
ラシにてマスクの表裏面の吸着物、付着物、汚
れ、シミ等を機械的に除去する。第三の工程では
マスクの表裏面にシヤワー状の電解液を噴射して
洗い流し、この電解液に濡れたマスクの表裏面を
第四の工程で前工程でマスク上に残る水溶液をア
ルコール系の有機液で洗い流す。最後に第五の工
程でフレオン系もしくはアルコール系の蒸気中に
マスクを通過せしめたのち乾燥雰囲気に導入して
洗浄処理を完了する。
この発明のマスク洗浄方法は、回転ブラシによ
りマスク表裏面から付着物、吸着物、粘着物等を
機械的に剥離し、次に電解液にてマスク表面の異
物を静電吸着状態から解放して洗い流すことが出
来る。又、電解液にアンモニヤ、苛性ソーダ、苛
性カリ等のアルカリ液を用いるときには、被洗浄
マスクに付着する指紋、油性ヨゴレ等を除去する
ことが出来る。更に、マスクの洗浄時に残存する
水溶液をアルコールで置換し、有機ガスによる蒸
気洗浄→乾燥を行うため、乾燥速度が早く、水溶
液の自然乾燥時に見られるようなシミ残りを皆無
にできる。電解液としてアンモニヤ水、燐酸、苛
性カリ等の親水性電解液を用いるときには、被洗
浄マスク表面への洗浄効果がより顕著である。
次に図を用いて本発明の実施例につき、説明す
る。
図はこの発明の一実施例を実現するマスク洗浄
装置の模型図である。この実施例は、透明石英基
板の一表面に所要形状のクロムの遮光用パターン
を被着する半導体素子製造用マスク１１，１２，
１３，１４を工程順に洗浄する四つの洗浄槽２
０，３０，４０，５０を有する。各洗浄槽はそれ
ぞれ被洗浄マスクの表裏面を同時に洗浄可能であ
り、このためマスクは端部にて適切な治具にて保
持され各洗浄槽内で上下運動する。
第一の洗浄槽２０では被洗浄マスク１４の表裏
面を純水もしくは１％以下のアンモニヤ水で濡ら
すため、マスクを対向する一対のシヤワーパイプ
２１，２１′の間隙を通過する。ここを通過した
マスクは一対のナイロン製の回転ブラシ２２，２
２′の間隙をも通過し、表裏面をスクラブされる。
この回転ブラシの回転方向は図に示す如くマスク
面の上から下へ掃き出す方向である。又、回転ブ
ラシは中心部からマスク面に向つてパイプ２１，
２１′と同様の液体を噴出することがある。この
様にこの洗浄槽ではマスクの表裏面を濡らす第一
の工程と、マスクの表裏面を回転ブラシにて機械
的に掃き出す第二の工程とを処理する。
次に被洗浄マスクは第二の洗浄槽３０にて電解
液によるシヤワー洗浄を受ける。この洗浄槽３０
では前工程とは異なり必ず電解液が一対のシヤワ
ーパイプ３１，３１′から流出し、この間にマス
ク１３を通過せしめることにより、電解液がマス
クの表裏面を流動する。この槽３０における第三
の工程は、前工程のブラシ洗浄およびマスク使用
時に蓄積された静電気を除去し、マスク表裏面の
塵埃を静電気から解放して流動する電解液で除去
する。ここでの電解液には0.1％〜２％程度まで
のアンモニヤ水、希塩酸もしくは炭酸水が使用性
が良い。これに対し前工程の第一の洗浄槽２０の
シヤワーパイプ２１，２１′からの流出液として
純水の代りにより洗浄効果の高い電解液を用いる
時には、アンモニヤ、苛性ソーダ、燐酸、燐酸ソ
ーダ等の５％以下の親水性電解液を用い、回転ブ
ラシ２２，２２′によるスクラブ洗浄効果を高め
ることが好ましい。又、第二の洗浄槽３０のシヤ
ワーパイプ３１，３１′の電解液は、必要に応じ
て洗浄終了時に純水への切換えを行い、マスク表
裏面の電解液をリンスして洗い流すことがある。
上述の電解液の濃度は重量パーセントで示してあ
る。
第三の洗浄槽４０にて被洗浄マスク１２は、前
工程までの水溶液を有機液と置換するため、一対
のシヤワーパイプ４１，４１′の間を通り、イソ
プロピル・アルコール槽４２に浸漬され、再びシ
ヤワーパイプ４１，４１′のイソプロピル・アル
コールを噴出されて第四の洗浄槽５０に送出され
る。ここでのアルコールは、メタノール、エタノ
ール等の他のアルコール系薬品を用い得る。アル
コール槽４２は、シヤワーパイプ４１，４１′か
らのアルコールが供給され、四辺の壁部から一杯
にオーバーフローして外部へ流出する。
第四の洗浄槽へ送られた被洗浄マスク１１は、
フレオン５１を加熱器５２により50〜60℃に加熱
し、液面上に得られるフレオン蒸気に接触して蒸
気洗浄を受ける。さらにマスクはこの槽５０の上
部に設けられた冷却器５３の付近を通つて上方へ
取出される時に急速に乾燥される。冷却器５３は
金属パイプ中に10〜28℃の水を流通せしめること
により下部で発生するフレオン蒸気の槽外流出を
防止し、フレオンの消費を抑えるとともにマスク
乾燥を急速に行う。この有機薬品ガスによる蒸気
洗浄→乾燥の工程はイソプロピル・アルコールで
も可能であり、加熱器および冷却器の温度設定を
変更して同様な効果を得ることができる。
上述の実施例を実行する図のマスク洗浄装置１
００は、順次被洗浄マスクを処理する四つの洗浄
槽２０，３０，４０，５０を有し、これらの洗浄
槽にマスクを送る機構と共に各槽においてマスク
を上下する機構を有する。更に、各槽を外部で外
気から遮蔽し、ここに除塵フイルター６１と電離
イオンシヤワー６２を通過した清浄空気を導入し
て装置内部の清浄度と静電気発生の防止を行つて
いる。
以上の実施例によれば、洗浄されるマスクの表
面の被着物および汚れは、スクラブ→電解液洗浄
→有機物ガス洗浄→急速乾燥により実質的に表裏
面が完全に洗浄される。又、従来知られている洗
浄工程に比して、工程処理時間は短時間で作業性
に優れ、且つ洗浄工程上の完全性と共に合理的な
洗浄処理が行なわれている。従つて本実施例の洗
浄方法は無塵埃、無汚染の洗浄を要するレチク
ル・マスクの洗浄では特に有利な方法である。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の一実施例を説明するためのマス
ク洗浄装置の縦断面図である。 １００……洗浄装置、１１，１２，１３，１４
……マスク、２０……第一の洗浄槽、３０……第
二の洗浄槽、４０……第三の洗浄槽、５０……第
四の洗浄槽、２１，２１′，３１，３１′，４１，
４１′……シヤワーパイプ、２２，２２′……ブラ
シ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 透明基板の一主表面に所要形状の遮光パター
    ンを備えた半導体素子製造用マスクの洗浄方法に
    おいて、前記マスクの表裏面を液体にて漏らす第
    一の工程と、前記マスクを一対の回転ブラシの中
    間を通過せしめる第二の工程と、前記マスクの表
    裏面に電解液を流動せしめる第三の工程と、前記
    マスクの表裏面に有機液を流動せしめる第四の工
    程と、前記マスクの表裏面を有機ガスの蒸気に接
    触したのち乾燥せしめる第五の工程とを含む半導
    体素子製造用マスクの洗浄方法。 ２ 槽の中心部に透明基板の一主表面に所要形状
    の遮光パターンを備えた半導体素子製造用マスク
    の周辺の少なくとも一部を保持する手段を有し、
    前記マスクの表裏面に液体を噴射する手段と、前
    記マスクの表裏面に接触する一対の回転ブラシを
    有する第一の洗浄槽と、前記マスクを保持する手
    段に保持されたマスクの表裏面に電解液を噴射す
    る手段を有する第２の洗浄槽と、前記マスクを保
    持する手段に保持されたマスクの表裏面に有機薬
    品を噴射する手段を有する第３の洗浄槽と、前記
    マスクを保持する手段に保持されたマスクの表裏
    面を低沸点の有機薬品の蒸気に接触させる手段を
    有する第４の洗浄槽を具備し、前記マスクを保持
    する手段に保持されたマスクが前記各洗浄槽を順
    次処理移動する機構を備えていることを特徴とす
    る半導体素子製造用マスクの洗浄装置。
JP58070495A 1983-04-21 1983-04-21 半導体素子製造用マスクの洗浄方法および洗浄装置 Granted JPS59195646A (ja)

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JP58070495A JPS59195646A (ja) 1983-04-21 1983-04-21 半導体素子製造用マスクの洗浄方法および洗浄装置
US06/602,519 US4569695A (en) 1983-04-21 1984-04-20 Method of cleaning a photo-mask

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JPS59195646A JPS59195646A (ja) 1984-11-06
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