JPH0684857A

JPH0684857A - 基板の洗浄方法

Info

Publication number: JPH0684857A
Application number: JP23104692A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Kodama; 宏之児玉
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1992-08-31
Filing date: 1992-08-31
Publication date: 1994-03-25

Abstract

(57)【要約】【目的】ブラシ洗浄後もガラス基板に付着している微
小な有機物を除去する。【構成】洗浄装置はブラシ洗浄槽１０と乾燥槽２０と
精密洗浄槽３０とで構成されている。ブラシ洗浄後のガ
ラス基板Ｒは乾燥槽２０を経て精密洗浄槽３０に搬送さ
れる。ガラス基板Ｒにはブラシ１２ａ、１２ｂの毛から
剥がれたブラシ片等の微小な有機物が付着している。水
銀ランプ３２ａ、３２ｂから射出された紫外線はガラス
基板Ｒの表面に付着した微小な有機物を分解除去する。
ブラシ１２ａ、１２ｂの毛の材質は照射する紫外光で分
解可能な材質とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は基板の洗浄方法に関し、
特に半導体製造時のフォトリソグラフィ工程時に使用さ
れるフォトマスク（又はレチクル）や半導体ウェハ等を
洗浄する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子等を製造するフォトリソグラ
フィ工程では、通常光学的な転写露光装置によりフォト
マスクやレチクル上の回路パターン像を半導体ウェハ上
に焼き付けている。この場合フォトマスクやレチクル上
に異物が付着していると、この異物が転写されてしま
う。このため、転写された回路パターン上で欠陥とな
り、製造された半導体素子の不良を招く。近年これら半
導体素子の集積度が増し描画されるパターンの線幅が微
細化するにつれて、異物の除去およびその管理（異物の
付着程度の管理等）が重要となってきた。

【０００３】そこで、フォトマスクやレチクル等のマス
ク上の異物の自動的に検出し、異物が認められた場合
は、洗浄装置によりマスク表面の異物を除去し、マスク
表面の清浄化が行われていた。このような洗浄装置には
各種の洗浄方法が採用されている。例えば、特開平１−
３０３７２４号公報には開示されているように超音波を
使用するものや、特開平２−２７８２６２号公報に開示
されているように高圧スプレーを使用するものが知られ
ている。また、特開平２−２７０３２２号公報に開示さ
れているように微粒子凍結粒子を使用するものが開示さ
れているものもある。

【０００４】また、紫外光を基板表面に照射することに
より、汚染物を分解除去する方法が知られている。この
紫外光（ＵＶ光）洗浄を簡単に説明する。紫外光を汚染
物（有機物）に照射することにより、汚染物を励起状態
とするかまたは汚染物を光分解する。一方、紫外光でオ
ゾン（Ｏ₃）を発生させ、オゾン（Ｏ₃）が分解する過
程で生じる活性基の酸素原子（Ｏ^*）を発生させる。そ
して、励起状態の汚染物や光分解反応で生じたフリーラ
ジカル（光分解で化学結合が分解された汚染物の活性基
原子）は活性基の酸素原子（Ｏ^*）と反応して揮発しや
すい単純な分子などに変化する。このように、紫外光洗
浄は汚染物を化学的に分解することにより基板表面から
により除去する方法である。

【０００５】また、特開昭５９−１９５６５２号公報に
開示されているように、回転ブラシを用いたブラシ洗浄
が代表的な洗浄方法として知られている。また、ブラシ
洗浄とはマスク基板の表面に回転ブラシを押圧させて、
摩擦により異物除去する方法である。回転ブラシによる
洗浄には大きく分けて２種類の方法があり、１つは基板
表面と平行な面内でブラシ（平面状のブラシ）を回転さ
せて摩擦するものであり、他の１つはローラ状のブラシ
を回転させて基板とローラブラシとを相対移動させて基
板全面を摩擦するものである。

【０００６】しかしながら、超音波や高圧スプレー等の
洗浄方法では洗浄力が弱く、微粒子凍結粒子を使う方法
は微粒子の制御が困難であるという問題点がある。ま
た、紫外線照射による洗浄では無機物を分解除去できな
いという問題点がある。そこで、異物の除去効率（洗浄
効果）がもっとも高い方式として今日でもブラシスクラ
ブ洗浄が用いられている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記の如きブラシ洗浄
（ローラブラシ洗浄、平面状ブラシ洗浄）では、基板上
の凹凸部（回路パターンの凹凸部や基板端面）やガラス
基板の端面エッジ部にブラシが衝突（又は接触）して、
ブラシから微小なブラシ片（数μｍ以下）が発生すると
いった現象が見出された。このブラシ片はブラシの一部
がちぎれる等により発生するものであると考えられる。

【０００８】通常ブラシ洗浄では、ブラシによる摩擦と
同時に洗浄液を基板に噴出したり、洗浄液中でブラシを
行う等の方法で異物を洗い流すようにしている。しかし
ながら、このような異物を洗い流す方式のいずれにおい
ても、１μｍ以下の微小なブラシ片は、粘性が高いため
基板の凹凸の段差のエッジ部分に残存し、完全に除去す
ることは極めて難しい。基板に付着したブラシ片はウェ
ハ上に転写され、回路パターンの線幅が微細化するにつ
れて、ブラシ片の転写パターンは致命的な欠陥となる。

【０００９】そこで、本発明はブラシ自体から発生する
微小なブラシ片（有機物）を除去することで、ブラシ洗
浄の長所を生かしたまま、精密な洗浄を実現することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的のために本発明
では、表面に凹凸部を有する基板に（Ｒ）に紫外光を照
射する工程と；紫外光のエネルギーより小さい結合エネ
ルギーを有する有機物のスクラブ材（１２）と基板との
摩擦により基板表面をブラシ洗浄する工程とを有し、ブ
ラシ洗浄後に基板に紫外光を照射し、基板表面に残存し
たスクラブ材のブラシ片（１８）を紫外光の照射により
分解除去することとした。

【００１１】

【作用】本件発明によれば、ブラシ洗浄後に基板表面に
残存するブラシ片を紫外光照射により分解除去すること
で、清浄な基板表面が得られる。また、ガラス基板の表
面を親水性化することでブラシ洗浄の洗浄能力を向上さ
せ、ブラシ洗浄後に基板表面に残存するブラシ片を紫外
光照射により分解除去することで、さらに清浄な基板表
面が得られる。

【００１２】

【実施例】本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例による基板の洗浄装置の概
略を示す図である。洗浄装置はブラシ洗浄槽１０と乾燥
槽２０と仕上げ精密洗浄槽３０とからなる。回路パター
ンＰＡ等の所定の凹凸部を有するガラス基板（フォトマ
スク、レチクル等）Ｒは不図示の収納部に収納され、収
納部から最も離れた位置にブラシ洗浄槽１０が配置され
ている。収納部とブラシ洗浄槽１０とに挟まれ、かつブ
ラシ洗浄槽１０の隣にはアルコール系の有機溶剤を用い
た乾燥槽２０が配置され、さらに乾燥槽２０と収納部に
挟まれた位置には紫外線照射により乾式の洗浄を行う精
密洗浄槽３０が配置されている。ブラシ洗浄槽１０と乾
燥槽２０と精密洗浄槽３０とは搬送経路２に沿って、直
線的に配置されている。収納部に横置きに収納されてい
るガラス基板Ｒは縦向きに姿勢変換される。搬送アーム
１４は搬送経路２に沿って横（Ｘ）方向に移動可能であ
り、縦（Ｙ）方向にも移動可能である。ここで、搬送ア
ーム１４はガラス基板Ｒを挟み込むように保持する。ガ
ラス基板Ｒは搬送アーム１４により縦に保持された状態
で搬送経路２に沿って搬送される。ガラス基板Ｒは収納
部（不図示）から乾燥槽２０と精密洗浄槽３０とを飛び
越して、ブラシ洗浄槽１０の上に位置決めされる。ブラ
シ洗浄槽１０の内部には、上から順番にガラス基板Ｒに
純水を噴射するシャワーノズル１１（１１ａ、１１ｂ）
とガラス基板Ｒの表面を擦るように回転する回転ブラシ
１３（１３ａ、１３ｂ）とが設けられている。この回転
ブラシ１３は基板表面に平行な方向に回転軸を有する円
柱状のブラシ１２ａと基板表面に平行の方向に回転軸を
有する円柱状のブラシ１２ｂとからなる。ブラシ１２
ａ、１２ｂの毛は、各回転軸に対して半径方向に延びる
ように植毛されている。ブラシ１２ａ、１２ｂの毛は例
えばナイロン材等で形成されている（詳細後述）。ブラ
シ１２ａ、１２ｂは駆動部１３ａ、１３ｂによりＸ方向
に移動可能であり、ガラス基板Ｒがシャワーノズル１１
ａ、１１ｂの間を通って下方にきたとき、ガラス基板Ｒ
を挟み込むように、ブラシ１２ａとブラシ１２ｂとの間
隔が定められている。ブラシ１２ａは矢印１７ａに示す
ように時計回りに回転し、ブラシ１２ｂは矢印１７ｂに
示すように反時計回りに回転する。すなわち、ブラシ１
２ａとブラシ１２ｂに挟み込まれたガラス基板Ｒはブラ
シ１２ａ、１２ｂの回転によってガラス基板Ｒの表面の
異物をブラシ洗浄槽１０の底部（下方）に向かって掻き
出すように擦られる。このとき、ガラス基板Ｒは上下方
向（Ｚ方向）に一定の上下運動を繰り返す。ブラシ１２
ａ、１２ｂの軸方向（Ｙ方向）の長さは、ガラス基板Ｒ
の横幅（図１ではＹ方向の幅）方向にできるだけ広く接
触するとともに、ガラス基板Ｒの両端部を保持するアー
ム１４には触れないような長さに定められる。ブラシ洗
浄槽１０の底部は錐体状に形成されており、ガラス基板
Ｒに噴射された純水の排液を効率よく回収できる。この
排液は配管１６を介して排出される。

【００１３】図２はシャワーノズル１１ａ、１１ｂとガ
ラス基板Ｒとの配置状態を説明する図である。図２
（ａ）はその様子を横から見た図であり、図２（ｂ）は
その様子をブラシ洗浄槽１０の上から見た図である。シ
ャワーノズル１１ａ、１１ｂから噴射された純水がガラ
ス基板Ｒではねかえることにより、シャワーノズル１１
ａ、１１ｂが汚染される恐れがある。これを防止するた
め、このシャワーノズル１１ａ、１１ｂは図２（ａ）に
示すように、水平面（Ｚ方向と垂直な平面）に対して角
度θの傾きを持って配置されており、ここではθ＝２０
°〜６０°の角度で配置されている。ガラス基板Ｒが縦
方向（Ｚ方向）に移動することにより、ガラス基板Ｒの
縦方向にもれなく純水が噴出される。シャワーノズルか
ら噴射される純水は０．１μｍ以下のパーティクルを除
去した純水であり、炭酸ガス（ＣＯ₂）供給装置１７
ａ、１７ｂにより炭酸ガスを溶解させたものとした。
尚、この純水は所定の温度に温められた温純水でもよ
い。

【００１４】図２（ｂ）に示すようにシャワーノズル１
１ａには噴出口１１ａ₁と１１ａ₂とが設けられてお
り、シャワーノズル１１ｂには噴出口１１ｂ₁と１１ｂ
₂とが設けられている。噴出口１１ａ₁からの純水Ａｑ
₁と噴出口１１ａ₂からの純水Ａｑ₂とがガラス基板Ｒ
に均一に噴出されるように純水Ａｑ₁のシャワー形状は
扇型とし、これらの純水Ａｑ₁とＡｑ₂との噴射により
ガラス基板Ｒの全面が均一に湿潤される。純水Ａｑ₁と
Ａｑ₂とがガラス基板Ｒの横幅方向（Ｙ方向）にもれな
く噴出されるように、純水Ａｑ₁とＡｑ₂の扇型の開き
角θ₁と噴出口１１ａ₁と１１ａ₂とのＹ方向の間隔Ｌ
が定められている。同様にして、噴出口１１ｂ₁と１１
ｂ₂からの純水Ａｑ₃とＡｑ₄は扇型に噴出され、純水
Ａｑ₁とＡｑ₂とがガラス基板Ｒの横幅方向（Ｙ方向）
にもれなく噴出されるように、純水Ａｑ₃とＡｑ₄の扇
型の開き角θ₁と噴出口１１ａ₁と１１ａ₂とのＹ方向
の間隔Ｌが定められている。

【００１５】シャワーノズル１１ａ、１１ｂからの純水
Ａｑ₁、Ａｑ₂、Ａｑ₃、Ａｑ₄はブラシ洗浄の前にガ
ラス基板Ｒを湿潤させる。また、この純水Ａｑ₁〜Ａｑ
₄はブラシ１２ａとブラシ１２ｂによるブラシ洗浄時に
も供給され、シャワーノズル１１ａ、１１ｂとブラシ１
２ａ、１２ｂとによって流水下でブラシによる物理的な
洗浄が行われる。

【００１６】乾燥槽２０はガラス基板Ｒに付着した水分
を乾燥除去するものである。供給路２５から供給された
アルコール系（例えばイソプロピレンアルコール等）の
有機溶媒２４は乾燥槽２０の下部に設けられた加熱器２
３により加熱される。これによって有機溶媒２４の蒸気
２６が乾燥槽２０内に満たされ、ガラス基板Ｒの蒸気乾
燥が行われる。蒸気２６は冷却管２１ａ、２１ｂで冷却
され、境界２８（点線部）を境として有機溶媒２４が還
流することにより、乾燥槽２０内（境界２８から下の部
分）を一定の蒸気雰囲気とすることができる。

【００１７】ガラス基板Ｒはアーム１４によりＺ方向に
移動可能であり、停止位置で蒸気２６にさらされる。
ガラス基板Ｒの温度は蒸気２６の温度より低いため、蒸
気２６はガラス基板Ｒによって凝縮され滴下する。ガラ
ス基板Ｒの温度が蒸気２６の温度と同じになるまで蒸気
の凝縮が続き、この過程で水分及び汚れの除去が行われ
る。ガラス基板Ｒから滴下した有機溶媒２４は、汚れて
いるので、清浄な有機溶媒２４と混じることがないよう
にする。このため、汚れた有機溶媒２４を受け皿２２ａ
で受けて回収ライン２２ｂを介して回収される。その
後、ガラス基板Ｒは停止位置で乾燥される。

【００１８】次にガラス基板Ｒは精密洗浄槽３０で、精
密洗浄が行われる。ガラス基板Ｒはアーム１４によりＺ
方向に移動可能であり、停止位置で紫外線の照射を受
ける。停止位置の近傍には低圧水銀ランプ３２ａ、３
２ｂがガラス基板Ｒと対向するように設けられている。
図３は低圧水銀ランプ３２ａ、３２ｂの構造を示す図で
あり、図３に示すように低圧水銀ランプ３２ａ、３２ｂ
はガラス基板Ｒ全面を覆うことができるような平面型構
造である。図３では水銀ランプ３２ａはガラス基板Ｒの
ガラス面（回路パターンが形成されていない面）と、対
向して設けられており、水銀ランプ３２ｂはガラス基板
Ｒのパターン面と対向して設けられている。図３では水
銀ランプ３２ｂを横から見た図を示している。図３に示
すように、水銀ランプ３２（３２ａ、３２ｂ）はガス管
（３５〜３８）と窓部３９とからなり、ガス管３５はコ
の字型に曲がったガス管３５、３６、３７を横に並べ
て、それらをガス管３８でつなげることによりくし型の
水銀ランプ３２を構成している。図の矢印は水銀ガス４
０を示している。このようにくし型の水銀ランプ３２と
することにより、ガス管１本の照射面積と比べて紫外光
の照射面積を増大することができる。このガス管３２に
よりガラス基板Ｒの表面を一括、かつ均一に照射するこ
とができる。低圧水銀ランプ３２は、例えば波長１８５
ｎｍの紫外光と波長２５４ｎｍの紫外光とを主に射出す
る光源である。波長１８５ｎｍの光は汚染物質（有機
物）を励起状態かまたは光分解するために必要なエネル
ギーを有する波長の紫外光であり、オゾン（Ｏ₃）を発
生させるのに充分なエネルギーを有する光である。ま
た、２５４ｎｍの光はオゾン（Ｏ₃）の吸収特性が高
く、オゾン（Ｏ₃）を分解可能な光である。このオゾン
（Ｏ₃）の発生と分解の過程で活性基の酸素（Ｏ^*）を
生成し、励起状態の汚染物質かまたは光分解された汚染
物質と活性基の酸素（Ｏ^*）が結合して、揮発しやすい
分子に変化することで汚染物質がガラス基板Ｒの表面か
ら除去しやすくなる。結合して除去されやすいように、
活性基の酸素（Ｏ^*）を供給するためのここで、図４を
参照して、紫外光照射による有機物の除去システムをス
クラブ洗浄後に有機物が残存する様子とともに説明す
る。

【００１９】図４は紫外光の照射により有機物を分解除
去する様子を模式的に示す図である。図４（ａ）はブラ
シ１２によりブラシ洗浄を行っている様子を示す図であ
り、図４（ｂ）はブラシ片１８等がガラス基板Ｒの表面
に付着している様子を示す図であり、図４（ｃ）は紫外
光照射によりブラシ片１８等を除去する様子を示す図で
あり、図４（ｄ）は清浄な基板表面を示す図である。
尚、図４（ｃ）ではブラシ片１８等の組成成分のうち、
炭素と水素との結合物（Ｃ−Ｈ）を使って説明してい
る。

【００２０】前述のブラシ洗浄槽１０において、図４
（ａ）に示すように凹凸（回路パターンによる凹凸等）
部のあるガラス基板Ｒの表面上に存在する大きさ数μｍ
〜数十μｍ程度の異物（無機物及び有機物の混合）を純
水（Ａｑ₁〜Ａｑ₄）とブラシ１２ａ、１２ｂとを用い
てブラシスクラブ洗浄という物理的な洗浄手法により除
去する。しかしながら、図４（ｂ）に示すように基板表
面の凹凸のエッジ部分には１μｍ以下の微細な有機物の
カス、ブラシ（１２ａ、１２ｂ）から削り取られたブラ
シ片１８（有機物）などが残存する。これらの有機物は
ブラシ洗浄では除去することができない。

【００２１】そこで、精密洗浄槽３０において、低圧水
銀ランプ３２からの紫外光照射によって、これらの有機
物を分解除去するものである。前述の如く低圧水銀ラン
プ３２は１８５ｎｍの波長を有するスペクトル成分と２
５４ｎｍの波長を有するスペクトル成分との２つのスペ
クトル成分を主成分とする水銀ランプである。図４
（Ｃ）に示すように、波長２４０ｎｍ以下の光（本実施
例では波長１８５ｎｍの光）は酸素との反応によりオゾ
ン（Ｏ₃）を発生する。紫外光のエネルギーをＥとする
と、Ｅ（185nm)＋Ｏ₂→ Ｏ＋Ｏ^* Ｏ₂＋Ｏ→ Ｏ₃ となり、オゾン（Ｏ₃）を発生する。

【００２２】また、波長２４０ｎｍより長い波長の光
（波長２４０ｎｍから波長３００ｎｍ程度の光）はオゾ
ン（Ｏ₃）に吸収されて、活性酸素原子（Ｏ^*）を発生
させる。特に波長２６０ｎｍ近傍の光（波長２４０ｎｍ
から２７０ｎｍの光）はオゾンによる吸収が大きい。本
実施例では水銀ランプ３２から波長２５４ｎｍの光を射
出させる。Ｅ(254nm) ＋Ｏ₃→ Ｏ₂＋Ｏ^* オゾン（Ｏ₃）発生時とオゾン（Ｏ₃）の分解生成時に
生ずる原子状酸素（Ｏ ^*）は非常に協力な酸化剤であ
る。

【００２３】また、１８５ｎｍの波長の紫外光によりブ
ラシ片１８等（例えばＣ−Ｈの有機化合物）の化学結合
を切断することによって、有機物の光分解を行ってい
る。Ｃ−Ｈ → Ｃ^*＋Ｈ^* そして、光分解反応で生成したこれらの活性基の原子
（Ｃ^*、Ｈ^*）は活性基の酸素原子（Ｏ^*）との反応に
より単純な揮発性分子（ＣＯ₂、Ｈ₂Ｏ、Ｏ₂、Ｈ₂）
に変化し、ガラス基板Ｒの表面から除去される。

【００２４】このように精密洗浄槽３０では、ブラシ洗
浄槽１０での洗浄後でもガラス基板Ｒの表面に残存した
ブラシ片１８等の有機物を、紫外光照射により分解除去
しており、図４（ｄ）に示すようにガラス基板Ｒの表面
を清浄化することができる。オゾン供給器があれば２５
４ｎｍの波長の光を照射するだけでもよく、この２５４
ｎｍの波長の光で分解可能なスクラブ材を用いる。精密
洗浄槽３０ではブラシ片１８等の有機物を除去できれば
よく、必ずしも活性基の酸素原子（Ｏ^*）と結合して除
去させなくてもよい。ブラシ片１８等の有機物への紫外
光の照射により、光分解反応で生成したこれらの活性基
の原子（Ｃ^*、Ｈ^*）同士が結合して分子に変化し、ガ
ラス基板Ｒの表面から除去されるようにしてもよい。た
だし、洗浄能力は活性基の酸素原子（Ｏ^*）と活性基の
原子（Ｃ^*、Ｈ^*）とを結合させた場合の方が格段に向
上する。

【００２５】次にブラシ１２（１２ａ、１２ｂ）の材質
について説明する。ブラシ１２はナイロン、ポリプロピ
レン、ポリビニルホマールなどの波長２６０ｎｍ以下の
紫外光エネルギーに対して分解される結合エネルギーを
有する物質とする。そして、１００Ｗ〜１ＫＷ程度の低
圧水銀ランプから例えば波長１８５ｎｍの光と波長２５
４ｎｍの光を酸素雰囲気下で基板Ｒに照射することによ
り、基板上に残存した微小なブラシ片等の有機物を完全
に除去できる。

【００２６】低圧水銀ランプ３２ａ、３２ｂからの紫外
線の照射により発生するオゾン及び有機物の分解生成物
であるＨ₂Ｏ、ＣＯ₂などはオゾン分解用のフィルター
３３を経由して排気ポンプ３４により系外へ排出され
る。紫外線照射を受けたガラス基板Ｒは冷却のために待
機位置へ移動する。停止位置と待機位置との間に
は、低圧水銀ランプ３２ａ、３２ｂからの紫外線及び熱
の遮蔽の目的で遮蔽板３１ａ、３１ｂが設けられてい
る。水銀ランプ３２（３２ａ、３２ｂ）とガラス基板Ｒ
との距離及び紫外光の照射時間は任意に設定できる。

【００２７】以上のように、まず不図示の収納部に収納
されたガラス基板Ｒは搬送経路２に沿ってブラシ洗浄槽
１０に搬送される。そしてブラシ洗浄槽１０でスクラブ
洗浄が行われたガラス基板Ｒは次に乾燥槽２０に搬送さ
れ、有機溶媒を用いた乾燥が行われる。その後、ガラス
基板Ｒは精密洗浄槽３０に搬送され、紫外線照射により
ガラス基板Ｒに残存する有機物（有機物のカス、微小な
ブラシ片）を分解除去できる。そして清浄化したガラス
基板Ｒは収納部に戻される。

【００２８】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。上記の実施例では、まずガラス基板Ｒをスクラブ洗
浄した後、ガラス基板Ｒを紫外線照射により残存する有
機物を分解除去するという構成としたが、以下のような
構成、動作としてもよい。まず、精密洗浄槽３０で紫外
光照射を最初に行い、有機物を除去するとともにガラス
基板表面の親水性化を行う。そして、次にブラシ洗浄を
行う。このとき、ガラス基板Ｒは親水性化しているた
め、ブラシ洗浄槽１０における純水下中でのブラシ洗浄
ではガラス基板Ｒの表面に水の層ができ、ガラス基板Ｒ
の表面に付着した異物はガラス基板Ｒから分離し易くな
る。さらに、ガラス基板Ｒは親水性化しているため、ブ
ラシ片１８の付着は少なくなる。

【００２９】次に乾燥槽２０でガラス基板Ｒは乾燥され
る。そして、再び精密洗浄槽３０で紫外線照射を行い、
ガラス基板Ｒに残存する微小量のブラシ１８片を分解除
去する。尚、乾燥槽２０はアルコール等の有機溶剤を用
いず、温純水が満たされた乾燥部を有する乾燥槽にガラ
ス基板Ｒを浸し、所定の早さで引き上げ乾燥を行う方式
を用いてもよい。これにより、薬品を使用することな
く、水シミのない乾燥を行うことができる。

【００３０】前述の実施例ではブラシ１２ａ、１２ｂは
筒状のローラの半径方向に植毛した回転ブラシとした
が、本発明はこれに限定されるものでなく、平板タイプ
のブラシやスポンジタイプのブラシであってもよい。

【００３１】

【発明の効果】本件発明によれば、ブラシ洗浄後に紫外
線照射を行うので、ブラシ洗浄後に残存するブラシ片を
分解除去できる。これにより、清浄な基板表面を得るこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による洗浄装置の概略を示す
図である。

【図２】図１の装置におけるブラス洗浄槽の一部を説明
する概略図である。

【図３】図１の装置における精密洗浄槽の水銀ランプの
詳細を説明する図である。

【図４】本発明の一実施例によるブラシ片の付着の理由
と紫外線照射による分解除去の原理を模式的に示した図
である。

【符号の説明】

Ｒ…ガラス基板１０…ブラシ洗浄槽１２ａ、１２ｂ…回転ブラシ１８…ブラシ片２０…乾燥槽３０…精密洗浄槽３２ａ、３２ｂ…水銀ランプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に凹凸部を有する基板に紫外光を照
射する工程と；前記紫外光のエネルギーより小さい結合
エネルギーを有する有機物のスクラブ材と前記基板との
摩擦により前記基板表面をブラシ洗浄する工程とを有
し、前記ブラシ洗浄後に前記基板に紫外光を照射し、前記基
板表面に残存した前記スクラブ材のブラシ片を前記紫外
光の照射により分解除去することを特徴とする基板の洗
浄方法。
【請求項２】前記紫外線照射部は波長２６０ｎｍ以下
の紫外光を射出することを特徴とする請求項１記載の基
板の洗浄方法。
【請求項３】前記紫外線照射部は波長２４０ｎｍ以下
の紫外光と波長２６０ｎｍ近傍の光とを射出することを
特徴とする請求項２記載の基板の洗浄方法。