CN100580871C - 基板清洗装置和基板清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板清洗装置，其不需要进行基板的反转，并且能够以不给基板的周边部造成损伤的方式对基板的背面进行清洗。基板保持装置(1)具备从背面支撑保持背面朝下状态的基板的2个基板保持单元(吸附垫(2)、旋转卡盘(3))，支撑的区域不重叠，同时在这些的基板保持单元之间进行基板交接。清洗部件(刷子(5))对由基板保持单元支撑的区域以外的基板的背面进行清洗，利用在2个基板保持单元之间交接基板，对基板的整个背面进行清洗。

Description

基板清洗装置和基板清洗方法
技术领域
本发明涉及对所谓的例如半导体晶片或液晶显示器用的玻璃基板(LCD基板)的基板的背面进行清洗的技术。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，将例如半导体晶片(以下称晶片)保持在清洁的状态是极其重要的。因此在各种的制造工艺或处理工艺的前后，根据需要设置清洗晶片的表面的工艺。
晶片表面的清洗的一般的方法是，通过将刷子从上方推到固定在例如真空卡盘或机械卡盘上的晶片上，在供给去离子水(DeionizedWater：以下称DIW)等的同时使刷子和晶片相对滑动，从而除去表面的微粒。
不仅有必要对形成有电路的晶片上面，而且有必要对晶片的背面实施这样的晶片表面的清洗。在例如对晶片上面涂敷抗蚀剂液，并且以规定的图形曝光抗蚀剂膜之后，显影形成掩模图形的光刻工艺中，如果对微粒附着在晶片的背面的状态置之不理，微粒进入用于载置晶片的台和晶片之间就那样进行曝光。这样的微粒成为使晶片上产生弯曲从而在曝光时引起散焦(聚焦走样的现象)的原因。特别是近年来，随着所谓的浸液曝光或双印刻图形的配线技术的更加微细化，半导体装置的制造工序中包括的工序数也增加。因此，微粒附着在晶片背面的危险率增大，晶片背面的清洗成为近年来的重要课题。
但是，虽然通过进行抗蚀剂液的曝光的曝光装置连接在进行抗蚀剂液的涂敷或显影的涂敷、显影装置上的系统进行光刻工艺，但是在这些的装置内通常以上面朝上的状态搬送晶片。因此，在使用从上方推刷子进行清洗型的基板清洗装置对基板的背面进行清洗时，在晶片的搬送装置和基板清洗装置之间设置称为反向器的基板反转装置，在向基板清洗装置进行晶片的搬入搬出时，有必要使晶片背面成为朝上的状态。然而，在这样的方法中存在需要设置反向器的空间或进行晶片的反转动作的空间从而使涂敷、显影装置大型化的问题。另外，即使为了省略反向器装置而在晶片的下方设置刷子，产生以保持晶片的卡盘等覆盖的静区，也不能对背面全体进行清洗。
针对该问题，在专利文献1中公开了将可旋转地保持晶片的旋转卡盘以与晶片直径相同程度的中空圆筒构成，并且在该中空圆筒内配置有供给清洗液的喷嘴和刷子的基板清洗装置。如果通过机械卡盘将背面朝下(上面朝上)搬送的晶片保持在中空圆筒的开口边上，则成为将刷子从下方按压在晶片的背面的状态。在这种状态下，如果使中空圆筒沿中心轴的周围旋转，晶片背面与刷子相对滑动，因此不使用反向器也能够对晶片背面整体进行清洗。
专利文献1
日本专利第3377414号公报：第0036段落～第0040段落，图3
但是，在专利文献1所记载的基板清洗装置中，采用使用机械卡盘等将晶片的周边部保持在中空圆筒上的构成，因此存在损伤晶片周边部的情况。特别是在进行浸液曝光的情况下，抗蚀剂膜的外边部在浸液曝光时，为了避免与纯水接触剥离，多为通过以抗蚀剂膜覆盖到晶片的带部或垂直端面为止，使抗蚀剂膜的外边部不位于成为浸液状态的区域内。如果通过机械卡盘等机械地保持这样的抗蚀剂膜的形成的晶片的周边部，存在损伤抗蚀剂膜，使微粒产生，牵连到浸液曝光时的抗蚀剂膜剥离的情况。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而提出的，其目的在于提供一种不需要基板的反转，并且能够以不给基板的周边部造成损伤的方式对基板的背面进行清洗的基板清洗装置、基板清洗方法和存储该方法的存储介质。
本发明涉及的基板清洗装置，用于对基板的背面进行清洗，其特征在于，包括：
水平地吸附保持朝向下方的基板背面的第一区域的第一基板保持单元；
从该第一基板保持单元接收基板，水平地吸附保持不与所述第一区域重叠的基板背面的第二区域的第二基板保持单元；
向在所述第一基板保持单元或第二基板保持单元上吸附保持的基板的背面供给清洗液的清洗液供给单元；
用于在从所述第一基板保持单元向所述第二基板保持单元交接基板之前，对所述第二区域进行干燥的干燥单元；和
在基板由第一基板保持单元保持的期间，与包括所述第二区域的基板的背面接触并进行清洗，在该基板由所述第二基板保持单元保持的期间，与所述第二区域以外的基板的背面接触并进行清洗的清洗部件。
在此，所述第二基板保持单元：保持基板的中央并构成为沿铅直方向自由旋转，使完成由所述清洗部件进行的清洗的基板旋转，对在基板的背面残留的清洗液进行甩开干燥。另外，上述干燥单元优选以向基板的背面喷射气体的方式构成。
此外，优选构成为：包括用于使所述第一基板保持单元相对于所述第二基板保持单元相对地在横方向移动的移动单元，利用该移动单元，使已经清洗过的第二区域位于第二基板保持单元的上方。此时，所述第一基板保持单元包括吸附保持面为长方形的2个吸附垫，这些吸附垫以所述吸附保持面的长边方向相对于该第一基板保持单元的移动方向平行的方式保持基板周边部的相对的2处区域；另外，上述第一基板保持部也可以包括吸附保持面为圆弧状的2个吸附垫，这些吸附垫以与被吸附保持的基板成同心圆的方式保持基板周边部的相对的2处区域。
然后，还以包围由所述第一基板保持单元或第二保持单元保持的基板的方式构成，由所述移动单元与第一基板保持单元一起移动的杯体，上述杯体的内壁面以飞散到该内壁面上的清洗液难以弹回的材料，例如亲水性的多孔质树脂或表面被粗糙化的陶瓷构成。另外，包括包围所述第二基板保持单元的包围部件，上述干燥单元更优选包括在该包围部件的上端沿周方向形成的气体的喷射口。优选由所述包围部件、与吸附保持在所述第一基板保持单元或第二基板保持单元上的基板的背面包围的空间为减压气氛，还包括用于改变从所述清洗液供给单元向所述包围部件的上端在基板的背面流动的清洗液的流动方向，以描绘将清洗液供给单元和包围部件的上端之间遮蔽的轨迹的方式喷出流体的流体喷出单元。
作为第一基板保持单元与第二基板保持单元的其它的方式，包括：用于使所述第二基板保持单元相对于所述第一基板保持单元相对地进行升降的升降单元；和覆盖该第二基板保持单元的上面的罩部件，也可以构成为：在使第二基板保持单元退避到由第一基板保持单元保持的基板的所述第二区域的下方、同时使所述罩部件位于该第二基板保持单元的上方的状态下，利用所述清洗部件对该第二区域进行清洗。
另外，在这些全部的发明中，还可以构成为进一步地包括，用于向利用所述清洗部件清洗之后的基板的背面照射紫外光，使在基板的背面残留的颗粒收缩的紫外线灯。此外，也可以具备：测对所述清洗部件与基板的背面接触的力进行测量的测量单元；使该清洗部件相对于所述基板相对地进行升降的升降单元；和以根据所述测量单元的测量结果使所述升降单元动作、使所述清洗部件与基板的背面接触的力成为预先设定的范围内的值的方式进行控制的控制单元。
在此，优选，在对上述基板的背面的周边区域实施疏水化处理的情况下，所述清洗部件在清洗该周边区域时不与该基板的背面接触而搅拌从所述清洗液供给单元供给的清洗液，并利用该被搅拌的清洗液的水势对所述周边区域内的基板的背面进行清洗，此外，也可以具备为了使该周边区域亲水化，照射紫外光的第二紫外线灯。
加上这些，优选，在上述第一基板保持单元与用于吸引基板的背面进行吸附保持的吸引管连接的情况下，在该吸引管上设置用于捕捉流入吸引管内的清洗液的捕捉容器，另外，也可以包括用于向滴下至所述第一基板保持单元的吸附保持面的清洗液喷射气体从而吹散这些的清洗液的气体喷嘴。
另外，本发明涉及的基板清洗方法，用于对基板的背面进行清洗，其特征在于，包括：
水平地吸附保持朝向下方的基板背面的第一区域的第一基板保持工序；
接收该基板、水平地吸附保持不与所述第一区域重叠的基板背面的第二区域的第二基板保持工序；
向在所述第一基板保持工序或在所述第二基板保持工序中保持的基板的背面供给清洗液的工序；
在从所述第一基板保持工序向所述第二基板保持工序交接基板之前，对所述第二区域进行干燥的工序；和
在所述第一基板保持工序的期间中，进行包括所述第二区域的基板的背面的清洗，在所述第二基板保持工序的期间中，进行所述第二区域以外的基板的背面的清洗的工序。
在此，可以进一步地包括在完成所述基板的背面的清洗之后，使基板旋转，对在基板的背面残留的清洗液进行甩开干燥的工序。另外，优选通过向基板的背面喷射气体对上述第二区域进行干燥的工序，也可以进一步地包括向在进行上述接触清洗的工序中清洗之后的基板的背面照射紫外光，使残存在基板的背面的颗粒收缩的工序。
根据本发明涉及的基板清洗装置，支撑保持基板的背面，并且就在那样的该状态下进行清洗，因此除了基板清洗装置，不需要设置反转基板的装置的空间，用于进行基板的反转动作的空间。结果，与现有的类型的基板清洗装置相比较，能够使设置该基板清洗装置的涂敷、显影装置等紧凑。
另外，该基板清洗装置，在2个基板保持单元之间进行基板的交接，因此能够不产生由于基板保持单元的覆盖而不能清洗的不工作区(dead space)。由此，因为回避了不工作区的产生，所以没必要机械地保持基板的周边部，能够不对基板周边部造成损伤就进行清洗，能够防止微粒的发生或对抗蚀剂膜的损伤等并能够对产品的成品率提高作出贡献。
附图说明
图1为表示本发明涉及的清洗装置的立体图。
图2为上述清洗装置的平面图。
图3为上述清洗装置的纵截面图。
图4为表示气刀的结构的立体图。
图5为用于说明上述清洗装置的动作的第一工序图。
图6为用于说明上述清洗装置的动作的第二工序图。
图7为表示清洗时的晶片背面的样子的说明图。
图8为表示各动作清洗的区域。
图9为第二实施方式涉及的清洗装置的平面图。
图10为用于说明上述第二实施方式涉及的清洗装置的动作的第一工序图。
图11为用于说明上述第二实施方式涉及的清洗装置的动作的第二工序图。
图12为表示适用于上述清洗装置的涂敷、显影装置的实施方式的平面图。
图13为上述涂敷、显影装置的立体图。
图14为上述涂敷、显影装置的纵截面图。
图15为在内壁面上内垫内衬部件的上部杯体的纵截面图。
图16为在晶片的背面和刷子前端之间设置间隙进行清洗的实施方式的说明图。
图17为对被疏水化的晶片背面侧的周边区域照射UV光的实施方式的说明图。
图18为设置用于消减气刀的气体消费量的助推漂洗机构的实施方式的说明图。
图19为使用平面形状为圆弧状的吸附垫的实施方式的说明图。
图20为在吸附垫的吸气管上设置捕捉容器或喷射器的实施方式的说明图。
图21为具备气帘喷嘴的上部杯体的纵截面图。
符号说明
F液膜
W晶片
1清洗装置
2吸附垫
2a吸附孔
3旋转卡盘
3a吸附孔
3b轴部
5刷子
5a清洗液喷嘴
5b吹气喷嘴
6控制部
11灯盒
12UV灯
13吹气喷嘴
14清洗液喷嘴
15排气管
16排水管
20井口框
21垫支撑部
22桥型框部
23带
24卷挂轴
25驱动机构
26侧板
27升降机构
27a滑动件
27b导轨
31气刀
31a喷射口
32支撑销
32a升降机构
33旋转卡盘电动机
41上部杯体
41a开口部
42内部杯体
43下部杯体
51支撑部
52带
53卷挂轴
54驱动机构
71罩部件
72支撑部
73干燥喷嘴
100基板清洗装置
具体实施方式
在以下说明的实施方式中，对作为基板清洗装置(以下称清洗装置)的一例的设置在涂敷、显影装置上的类型的清洗装置进行说明。在后面对包括该清洗装置的清洗工序的光刻工艺的具体例进行阐述，但本清洗装置设置在例如涂敷、显影装置的出口附近，起到对形成有抗蚀剂膜的晶片的背面进行清洗之后将晶片输送到后续的曝光装置的作用。
最初，参照图1～图3对本实施方式涉及的清洗装置的结构进行说明。图1为表示清洗装置1的立体图，图2为表示其的平面图，图3为表示纵截面图。
如图1所示，清洗装置1为将大致水平地吸附保持从涂敷、显影装置内的搬送单元(后述的第二接收臂D2)接收到的晶片W的作为第一基板保持单元的吸附垫2；从该吸附垫2接收到晶片W同样大致水平地吸附保持的作为第二基板保持单元起作用的旋转卡盘3；和对晶片W的背面进行清洗的刷子5安装在上面开口的盒状的下部杯体43上的结构。
最初，对作为第一基板保持单元的吸附垫2进行说明。如图1所示，清洗装置1具备2个吸附垫2，各自的吸附垫2由例如细长的块构成。以能够大致平行地支撑保持晶片W背面的周边部附近部(第一区域)的方式配置2个吸附垫2。吸附垫2与图中未示的吸引管连接，具备隔着图2所示的吸附孔2a吸附晶片W并保持的作为真空卡盘的功能。如图1所示，将各自的吸附垫2安装在细长的棒状的垫支撑部21的大致中央部，将这2个垫支撑部21的两端部分别安装在2个桥型框部22上，垫支撑部21和桥型框部22构成井口框20。
2个桥型框部22的两端分别固定2个带23上，该带23设置在下部杯体43的相对的2侧壁(朝向图1的跟前侧和进深侧的侧壁)的外侧沿这些的侧壁伸展设置。各自的带23卷挂在2个一组构成的卷挂轴24上，各卷挂轴24安装在分别与上述2侧壁平行地设置的2个侧板26上。卷挂轴24的一个连接在成为移动单元的驱动机构25上，隔着卷挂轴24或带23操纵桥型框部22，能够使前文所述的井口框20整体沿图1、图2所示的X方向自由地移动。
另外，如图1所示，各自的侧板26，通过由滑动件27a和导轨27b构成的2组升降机构27支撑其底面，固定在清洗装置1的未图示的筐体地面上。在这些的升降机构27的一个上设置有未图示的驱动机构，通过使滑动件27a在导轨27b内升降，能够使上述的井口框20整体沿图中的Z方向升降。
另外，在井口框20上跨设有用于抑制清洗液的飞散的环状的上部杯体41。在上部杯体41的上面设置有与晶片W相比大口径的开口部41a，能够通过该开口部41a在搬送单元和吸附垫2等之间进行晶片W的交接。另外，如图3所示，跨设在井口框20上的上部杯体41以伴随井口框20的动作沿X方向和Z方向移动的方式构成。
接着，对作为第二基板保持单元的旋转卡盘3进行说明。旋转卡盘3是从下方支撑晶片W的背面中央部(第二区域)的圆板。旋转卡盘3设置在大致平行配置的2个吸附垫2的中间，由各自的基板保持单元(吸附垫2、旋转卡盘3)支撑的晶片W背面的第一区域和第二区域不重叠。如图3所示，旋转卡盘3通过轴部3b与驱动机构(旋转卡盘电动机)33连接，旋转卡盘3以通过该旋转卡盘电动机33能够自由旋转和升降的方式构成。另外，与吸附垫2相同，旋转卡盘3也与未图示的吸引管连接，具备隔着图2所示的吸附孔3a吸附晶片W并保持其的作为真空卡盘的功能。
与升降机构32a连接的支撑销32以支撑晶片W的背面并能够升降的方式设置在旋转卡盘3的侧方，通过与外部的搬送单元的联动作用，能够从搬送单元向吸附垫2或从旋转卡盘3向搬送单元进行晶片W的交接。
进一步地，如图4所示，在旋转卡盘3和支撑销32的周围设置有构成包围这些的机器的包围部件的气刀31。气刀31在圆筒(包围部件)的上端沿周方向形成有气体的喷射口31a，通过从该喷射口31a向晶片W背面喷射例如压缩空气等的气体将清洗液吹散到圆筒的外侧，在向旋转卡盘3进行晶片W的交接时，起到作为使旋转卡盘3的表面和以该旋转卡盘支撑的基板的背面(第二区域)在干燥状态下相互接触的干燥单元的作用。如图7所示，气刀31例如由双层圆筒构成，能够将从未图示的供给部供给的气体通过该双层圆筒的中空部供给到喷射口31a。
接着，对进行晶片W的背面清洗的作为清洗部件的刷子5进行说明。刷子5为例如将多个塑料纤维扎成圆柱状的结构，在其上面按压在晶片W背面的状态下，通过使旋转自由的刷子5与晶片W相互滑动，能够除去晶片W背面的微粒。在刷子5上，使用例如PVC海绵、聚氨酯海绵、尼龙纤维等。刷子5安装在支撑其的支撑部51的前端，支撑部51以不干涉晶片W或桥型框部22的方式，成为弯曲成柄杓型的形状。该支撑部51的基端固定在从图1的旋转卡盘3的设置方向看刷子5沿进深侧的侧壁伸展设置的带52上。带52卷挂在2个卷挂轴53上，这些的卷挂轴53安装在上述的进深侧的侧壁外面。卷挂轴53的一个与驱动机构54连接，能够通过带52或支撑部51使刷子5沿图1、图2所示的Y方向自由地移动。
另外，支撑部51的前端设置在未图示的驱动机构上，能够使刷子5沿周方向旋转。进一步地，在支撑部51的前端设置有图2所示的清洗液喷嘴5a和吹气喷嘴5b，从清洗液喷嘴5a向刷子5供给用于从晶片W背面除去微粒的清洗液(例如DIW)，从吹气喷嘴5b供给用于在完成清洗之后促进附着在晶片W背面的清洗液的干燥的例如氮(N2)等的气体。
此外，如图3所示，在下部杯体43的底部设置有用于排出滞留在下部杯体43内的清洗液的排水管16和用于对清洗装置1内的气流进行排气的2个排气管15。为了防止滞留在下部杯体43底部的清洗液不流入排气管15，排气管15从下部杯体43的底面向上方延伸，并且，通过安装在气刀31的周围的成为O环状的罩的内部杯体42覆盖排气管15，使得从上方滴落下来的清洗液不直接进入到排水管15。另外，图中的13为在晶片W的清洗完成之后在晶片W外周附近从上方喷出压缩空气等，用于辅助残存的清洗液的干燥的吹气喷嘴，14为用于与位于刷子5的支撑部51前端的清洗液喷嘴5a一起向晶片W背面供给清洗液的清洗液喷嘴。此外，吹气喷嘴13具备未图示的升降机构，在晶片W搬入搬出时向上方退避，使得不与搬送中的晶片W或搬送单元相互干扰。
另外，在没有伸展设置各带23、52的下部杯体43的侧壁上安装有容纳UV灯12的灯盒11。以将处理对象的晶片W从左X方向搬入搬出晶片装置1内、此时通过UV灯12的上方的方式构成。UV灯12向完成清洗被搬出的晶片W的背面照射紫外光，起到使残留在晶片W背面的微粒收缩的作用。
此外，如图2所示，通过控制涂敷、显影装置整体的动作的控制部6对设置在各驱动机构25、54、UV灯12、排气管15上的未图示的压力控制部等进行控制。控制部6由例如具有未图示的程序存储部的计算机构成，在程序存储部内存储有计算机程序，该计算机程序具备将从外部的搬送装置接收到的晶片W在吸附垫2和旋转卡盘3之间交接，由刷子5清洗的动作等的步骤(命令)群。然后通过从控制部6读出该计算机程序，控制部6对清洗装置1的动作进行控制。在将该计算机程序收容在例如硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等的存储单元的状态下，存储在程序存储部中。
根据以上说明的结构，参照图5～图8对清洗晶片W的背面的动作进行说明。图5和图6为用于说明晶片W的背面清洗涉及的清洗装置1的各动作的纵截面图。图7为表示清洗时的晶片W背面的样子的说明图。另外图8为模式地表示在分别保持在吸附垫2或旋转卡盘3上的状态下，晶片W的清洗的区域的平面图。另外，在这些的图中，为了图示的方便，根据需要适当地省略UV灯12或吹气喷嘴13等的记载。
如图5(a)所示，例如马蹄形状的搬送单元(第二交接臂D2)将处理对象的晶片W搬入到清洗装置1内并在下部杯体41的开口部41a的上方停止，支撑销32从旋转卡盘3的下方上升并在搬送单元的下方待机。搬送单元从支撑销32的上方下降将晶片W向支撑销32的交接，并退出到清洗装置1的外侧。此时，吸附垫2在保持晶片W的面比刷子5的上面高的位置待机，旋转卡盘3退避至比刷子5的上面低的位置。通过这样的位置关系，一旦支撑销32下降，晶片W就首先被转移到吸附垫2上(图5(b))。
之后，吸附垫2以即使从背面按压刷子5也不移动的方式吸附保持晶片W，并保持着晶片W原封不动地向右方向移动。然后，在将晶片W搬送至预先设定的位置(例如气刀31的左端与晶片W的左端大致一致那样的位置)之后，吸附垫2下降，将晶片W的背面推到刷子5的上面(图5(c))。
接着，在使气刀31动作并防止清洗液蔓延到旋转卡盘3的表面并附着之后，在从支撑部51前端的清洗液喷嘴51a供给清洗液的同时使刷子5旋转，开始晶片W的背面清洗。通过由吸附垫2将晶片W的移动与刷子5的移动组合起来进行背面清洗。具体地说，例如如图8(a)所示，刷子5沿图中的Y方向往复，在切换刷子5的移动方向时，使吸附垫2向左X方向仅移动比刷子5的直径短的距离。由此，刷子5描绘箭头所示那样的轨迹在晶片W的背面移动，能够毫无遗漏地对在图中以左上斜线涂抹的区域T1进行清洗。
在此，在清洗的进行期间中，如图7所示，晶片W的背面整体覆杯体在清洗液的液膜F上，利用刷子5除去的微粒与从该晶片W背面流下的清洗液一起冲洗到下部杯体43。另外，通过从气刀31的喷出口31a向晶片W的背面喷出气体，将清洗液吹散到气刀31的外侧，由此将与气刀31相对的晶片W背面保持为干燥的状态。通过这样的结构，能够防止覆盖晶片W背面的清洗液蔓延至气刀31的内侧。结果，将旋转卡盘3的表面维持在总是干燥的状态，可以防止由处理的清洗液而引起的污染或水迹的形成。
如果完成上述区域T1的清洗，使吸附垫2移动，使晶片W中央部位于旋转卡盘3的上方(图6(a))，接着进行从吸附垫2向旋转卡盘3的晶片W的交接。通过例如保持气刀31动作的状态停止刷子5的移动或旋转、清洗的供给，并且一面解除由吸附垫2的晶片W的吸附，一面使退避的旋转卡盘3上升，支撑晶片W的背面，接着使吸附垫2向下方退避，进行晶片W的交接。
已完成交接的晶片W的旋转卡盘3以与吸附垫2大致相同的高度吸附保持晶片W，因此刷子5成为按压在晶片W上的状态。因此，通过使刷子5再次旋转，供给清洗液，重新开始背面清洗(图6(b))。此时，通过将旋转卡盘3的旋转与刷子5的移动组合起来进行背面清洗。具体地说，例如图8(b)所示，首先使刷子5移动至能够清洗晶片W的最外周的位置后使晶片W慢慢地旋转，如果晶片W一旋转使刷子5移动至能够清洗与以先前的动作清洗的环状的区域相比仅靠仅内周侧刷子的直径程度之后，反复同样的动作。通过这样的动作，一边描绘同心圆状的轨迹一边移动晶片W背面，能够毫无遗漏地对在图中以右上斜线涂抹的区域T2进行清洗。
在此，将区域T1和区域T2合并的区域包括图8(b)所示的晶片W背面整体，以不产生没有清洗的不工作区的方式调整各机器的尺寸或移动范围。另外，在以旋转卡盘3保持晶片W并对其进行清洗的期间中，不仅从刷子5侧的清洗液喷嘴5a，而且也从设置在图6(b)中的气刀31的左侧方的清洗液喷嘴14供给清洗液。因为将在晶片W表面浸湿的区域与干燥的区域混合是在清洗液干燥时会成为产生水迹的原因，因此本发明能够毫无遗漏地使清洗液遍及并且抑制水迹的产生。
如此一旦在完成晶片W背面整体的清洗，停止刷子5的旋转或移动、清洗液的供给、旋转卡盘3的旋转，转到清洗液的甩开干燥的动作。通过使旋转卡盘3以高速旋转将附着在晶片W背面的清洗液甩开，进行甩开干燥。如前文所示，通过使毫无遗漏地浸湿的晶片W一口气甩动并干燥，能够抑制水迹的发生。此时，通过使退避到上方的吹气喷嘴13下降，同时使支撑部51移动，使得刷子5旁边的吹气喷嘴5b位于晶片W周边部上，从晶片W周边部的上面和下面喷出气体，促进甩开干燥。此外，虽然不能对保持在旋转卡盘3上的第二区域进行甩开干燥，但在通过气刀31干燥的状态下与旋转卡盘3接触，因此几乎不会发生水迹。
如果通过以上说明的动作完成晶片W背面整体的清洗和干燥，以与搬入时相反的动作将晶片W向搬送单元交接并搬出。此时，点亮如图1～图3所示的UV灯12，从马蹄形状的搬送单元的下方向晶片W背面照射紫外线，即使万一存在微粒附着的情况，因为通过紫外线的照射能分解例如有机物，所以能够使这样类型的微粒收缩，减小散焦等的影响。
与晶片W的搬出动作同时进行，将吸附垫2或升降卡盘3移动至图5(a)所示的位置，等待下一个晶片W的搬入。然后反复进行参照图5～图8说明的动作，依次对多个晶片W进行清洗。
接着，参照图9～图11对第二实施方式进行说明。图9为第二实施方式涉及的清洗装置100的结构的平面图，图10和图11为表示其作用的纵截面图。在这些的图中，在与第一实施方式相同的结构上附上与在图1～图8中使用的符号相同的符号。
第二实施方式涉及的清洗装置100，在使作为第二基板保持单元的旋转卡盘3向晶片W的第二区域的下方退避的方面与使晶片W相对旋转卡盘横方向移动的第一实施方式不同。在第二实施方式中，井口框20沿X方向被固定，仅可以沿Z方向升降。使该井口框20升降的升降机构27(参照图1)和使旋转卡盘升降的未图示的升降机构构成用于使第二基板保持单元相对于上述第一基板保持单元进行相对地升降的升降单元。另外，刷子5的支撑部51在基端侧被固定在下部杯体43上。该支撑部51为以基端部的支轴为中心能够自由旋转、伸缩的结构，因此不用沿横方向移动就能够利用刷子5从其中心区域(第二区域)至支撑部51的基端部侧对晶片W进行清洗。
另外，在刷子5的相反侧，用于防止在第二区域的清洗中清洗液滴下到向其下方退避的旋转卡盘3上的具备防水性的例如氟树脂制的罩部件71通过伸缩自由的支撑部72安装在下部杯体43上。进一步地，在该支撑部72上安装有作为使第二区域干燥的干燥单元起作用的干燥喷嘴73，可以向第二区域喷射气体。另外，在本实施方式中，不在旋转卡盘3的周围设置气刀31，因此从罩部件71的外边部向下方喷出例如氮气等的气体，并且在清洗时产生的雾沫不会附着在旋转卡盘3上。
接着，对第二实施方式涉及的清洗装置100的作用进行说明，如图10(a)所示，在晶片W的搬入时，旋转卡盘3退避到下部杯体43的下方，并且罩部件71退避到旋转卡盘3上方的侧面。在该状态下，使升降销32升降，从搬送单元D2接收到晶片W，将晶片W吸附保持在吸附垫2上。
接着如图10(b)所示，使升降销32退避至旋转卡盘3的位置，使罩部件71前进到位于旋转卡盘3的上方的位置之后，使刷子5移动至晶片W的大致中央部。然后，使吸附垫2下降，开始包括第二区域的晶片W中央部的清洗。此时，虽然旋转卡盘3退避到清洗中的第二区域的下方，但罩部件71成为伞状，进一步地从该罩部件71向下方喷出气体，不会附着雾沫，由此将旋转卡盘3保持在干燥状态。如果完成晶片W中央部的清洗，则刷子5向侧面退避，通过从干燥喷嘴73向第二区域喷射气体使该区域干燥。
接着，如图11所示，在罩部件71退避到侧面之后，使旋转卡盘3上升，从吸附垫2向旋转卡盘3转移晶片W，吸附保持已完成清洗和干燥的第二区域。然后，在将晶片W的旋转和刷子5的移动组合起来的同时对没有完成清洗的第二区域以外的晶片W背面进行清洗。此时，罩部件71构成为将用于向侧面退避的升降销32容纳在例如鞘体等中不与清洗液接触即可。
如果完成清洗，在使旋转卡盘3旋转利用甩开干燥使晶片W干燥之后，以与搬入时相反的动作将晶片W从升降销32向外部的搬送单元转移并搬出到清洗装置100的外部。另外，虽然在图9中未表示，但此时当然也可以向晶片W的背面进行由UV灯的紫外线照射。
本实施方式的清洗装置1、100，具有如以下的效果。支撑并保持晶片W的背面，保持这样的状态下进行清洗，因此除了基板清洗装置1，不需要设置反转晶片W的反转器的空间或用于进行晶片W的反转动作的空间。结果，与现有的类型的清洗装置相比较，能够使设置该清洗装置1、100的涂敷、显影装置等紧凑。
此外，本清洗装置1、100，在2个基板保持单元(吸附垫2、旋转卡盘3)之间进行晶片W的交接，因此能够不产生由于吸附垫2、旋转卡盘3的覆盖而不能清洗的不工作区。由此，因为没有必要回避不工作区的产生而机械地保持晶片W的周边部，能够不对晶片W周边部造成损伤就进行清洗，能够防止微粒的发生或对抗蚀剂膜的损伤等并能够对产品的成品率提高作出贡献。
此外，本实施方式涉及的清洗装置1、100采用如下机构：在完成清洗之后通过甩开干燥使附着在晶片W上的清洗液一口气干燥，在旋转卡盘3的周围设置气刀31，向旋转卡盘3转移晶片W时，使旋转卡盘3的表面与以该旋转卡盘支撑的基板的背面(第二区域)在干燥状态下相互接触。通过这样的结构，能够抑制晶片W或旋转卡盘3的水迹的产生，能够防止已清洗的晶片W背面被再污染。
另外，该清洗装置1、100采用清洗效果高的刷子5作为清洗部件，但清洗部件并不限定于此。例如也可以采用通过两流体喷嘴或尾喷管、大声速喷嘴等喷射清洗液等除去微粒的类型的清洗部件。此外，在实施方式中以旋转式的刷子5为例，但取而代之也可以采用振动式的刷子。此外，清洗液的种类也不限定于DIW，也可以为其它的清洗液。
此外，设置在清洗装置上的基板保持单元也并不仅限定于实施方式所示的2个种类(吸附垫2、旋转卡盘3)。例如也可以具备3个种类以上的基板保持单元，在这些的基板保持单元之间两次以上交接基板的结构。在这种情况下，可以理解为最后保持基板的为第二基板保持单元，在此之前保持基板的为第一基板保持单元。
接着，对在涂敷、显影装置上适用的上述清洗装置1的一例进行简单说明。图12为在涂敷、显影装置上连接曝光装置的系统的平面图，图13为该系统的立体图。此外图14为该系统的纵截面图。在涂敷、显影装置上设置有载体块S1，交接臂C从载置在其载置台101上的密封型的载体100取出晶片W并转移到处理块S2上，交接臂C从处理块S2接收到处理完成的晶片W并送回载体100。
本实施方式涉及的清洗装置1(或清洗装置100，以下同)，其构成为在从处理块S2向曝光装置S4进行晶片W的交接时，即如图12所示，在接口块S3的入口部进行成为处理对象的晶片W的背面清洗。
如图13所示，将在此例中用于进行显影处理的第一块(DEV层)B1、用于进行在抗蚀剂膜的下层侧形成反射防止膜的形成处理的第二块(BCT层)B2、用于进行抗蚀剂膜的涂敷的第3块(COT层)B3、用于进行在抗蚀剂膜的上层侧形成反射防止膜的形成处理的第4块(TCT层)B4从下方依次层叠构成上述处理块S2。
第二块(BCT层)B2和第4块(TCT层)B4由通过旋转涂敷涂敷用于形成各个反射防止膜的药液的本实施方式的涂敷单元、用于在进行该涂敷单元进行的处理的前处理和后处理的加热·冷却系统的处理单元群、在上述涂敷单元和处理单元群之间设置的进行它们之间的晶片W的交接的搬送臂A2、A4构成。第三块(COT层)B3中除去上述药液为抗蚀剂液之外也具有相同的结构。
另一方面，就第一块(DEV层)B1而言，显影单元110两层层叠在一个DEV层B1内。然后，在该DEV层B1内设置有用于将晶片W搬送到这些的2层显影单元110的搬送臂A1。即，相对2层显影单元共用搬送臂A1的构成。
此外，如图12和图14所示，在处理块S2上设置有棚架单元U5，通过设置在上述棚架单元U5附近的升降自由的第一交接臂D1将来自载体块S1的晶片W依次搬送到上述棚架单元U5的一个交接单元，例如第二块(BCT层)B2对应的交接单元CPL2上。接着，通过第二块(BCT层)B2内的搬送臂A2，将晶片W从该交接单元CPL2搬送到各单元(反射防止膜单元和加热·冷却系统的处理单元群)，在这些的单元中形成反射防止膜。
其后，将晶片W通过棚架单元U5的交接单元BF2、设置在上述棚架单元U5附近的升降自由的第一交接臂D1、棚架单元U5的交接单元CPL3和搬送臂A3，搬送到第3块(COT层)B3，形成抗蚀剂膜。进一步地，将晶片W从搬送臂A3转移到棚架单元U5的交接单元BF3。此外，也存在将已形成抗蚀剂膜的晶片W在第4块(TCT层)B4进一步形成反射防止膜的情况。这种情况为将晶片W通过交接单元CPL4转移到搬送臂A4上，在反射防止膜的形成之后通过搬送臂A4转移到交接单元TRS4。
另一方面，在DEV层B1内的上部设置有梭臂E，作为用于将晶片W从设置在棚架U5上的交接单元CPL11直接搬送到设置在棚架U6上的交接单元CPL12上的专用的搬送单元。将形成抗蚀剂膜或进一步形成反射防止膜的晶片W通过交接臂D1从交接单元BF3、TRS4转移到交接单元CPL11，从此处通过穿梭臂E直接搬送到棚架单元U6的交接单元CPL12。在此，如图12所示，设置在棚架单元U6和清洗装置1之间的作为搬送单元的交接臂D2以能够自由旋转、进退、升降的方式构成，具备分别专门地搬送清洗前后的晶片W的例如2个臂。通过交接臂D2的清洗前专用的臂从TRS12取出晶片W，搬入到清洗装置1内接受背面清洗。在将清洗完成的晶片W通过交接臂D2的清洗后专用的臂载置到TRS13上之后，放入到接口块S3内。此外，附带有图14中的CPL的交接单元兼作调温用的冷却单元，附带有BF的交接单元兼作可载置多个晶片W的缓冲单元。
接着，通过接口臂B将晶片W搬送到曝光装置S4，在此进行规定的曝光处理之后，载置在棚架单元U6的交接单元TRS6上，返回到处理块S2。接着，将晶片W在第一块(DEV层)B1内进行显影处理，通过搬送臂A1转移到棚架单元U5的交接单元TRS1内。其后，通过交接臂C返回到载体100。此外，图12中的U1～U4为将各自的加热部和冷却部层叠的热系统单元群。
此外，在图12～图14表示的涂敷、显影装置中以将实施方式涉及的清洗装置1设置在接口块S3的入口部为例，但设置清洗装置1的位置并不限定于该例子。例如可以将该清洗装置1设置在接口块S3内，也可以设置在处理块S2的入口部、例如以设置棚架单元U5，对形成抗蚀剂膜之前的晶片W进行背面清洗的方式构成，也可以设置在载体块S1内。
此外，可适用于本发明涉及的清洗装置1的装置并不限定于涂敷、显影装置。例如本清洗装置1也能够适用于进行离子注入后的退火工序的热处理装置。如果微粒附着在晶片W的背面就直接进行退火工序，则存在在该工序中微粒从晶片的背面进入，在该微粒和表面的晶体管之间形成电流的情况。因此，通过在该工序之前对晶片W进行背面清洗，能够使产品的成品率提高。
在此，在使用图1～图11说明的清洗装置1、100中，为了防止从晶片W飞散的清洗液与上部杯体41的内壁面碰撞产生雾沫而成为污染源，优选上部杯体41的内壁面由尽量不弹回飞散的清洗液的部件构成。例如图15所示的上部杯体41构成为通过将由液滴难弹回的材料构成的内衬部件44内垫在上部杯体41的内壁面上抑制雾沫的发生的结构。作为这样的材料的具体例，例如可以列举添加亲水剂等实施亲水处理的树脂制的多孔材料(多孔质树脂)、实施等离子体处理使内壁面粗糙化的氧化铝等的陶瓷材料等。另外，在如上所述内垫的情况下，虽然上部杯体41由例如聚丙烯树脂等的材料构成，但也可以为上部杯体41的整体由上文所述的多孔质材料或陶瓷构成。此外，在图15中省略气刀31等的记载。
另外，例如在进行晶片W的背面清洗时，测量向刷子5施加的按压力和向刷子5的支撑部51施加的扭矩等，并且在上文所述的清洗装置1、100上设置由测量刷子5与晶片W的背面接触的力的测量仪器(测量单元)，和使刷子5的支撑部51升降的升降机构(升降单元)，和上文所述的控制部6构成的清洗压力控制机构，以刷子5与晶片W的背面接触的力以预先设定的范围内的值成为大致一定的方式，使刷子5升降即可。另外，代替刷子5的升降，通过使吸附垫2或旋转卡盘3升降使晶片W上下，对刷子5接触的力进行控制即可。通过使刷子5与晶片W接触的力保持一定，使微粒的除去率稳定，同时因为不向晶片W施加过大的力，所以能够防止晶片W从吸附垫2或旋转卡盘3脱离。
这样的将刷子5按压到晶片W的背面对其进行清洗的手法，在晶片W的背面为亲水性的情况下特别有效。另一方面，关于晶片W的表面，存在通过与疏水化处理剂的蒸气接触进行使与抗蚀剂膜的贴紧性提高的疏水化处理的情况。如果在进行该疏水化处理时处理剂的一部分流入晶片的背面侧，则就连晶片W的背面周边部也被疏水化。在被疏水化的区域内难以使清洗液充分普及，如果直接按压刷子5使其旋转，则存在刷子的纤维被削掉从而产生大量的微粒，并且污染晶片W的可能性。因此在对被疏水化处理的晶片W的周边区域进行清洗的情况等，例如如图16所示，以在刷子5的前端和晶片W的背面之间具有例如不到1mm的间隙的方式配置刷子5，在这种状态下，从上文所述的清洗喷嘴5a供给清洗液并使刷子5旋转，进行清洗为好。根据这样的手法，通过刷子5的旋转利用激烈搅拌的清洗液的水势进行清洗，因此能够在抑制来自刷子5的微粒的发生的同时进行清洗。
另外，为了与上述被疏水化处理的晶片W对应，也可以在例如下部杯体43上设置UV灯17，通过该UV灯17向晶片W的周边区域(例如从基板端到中心侧25mm)照射紫外线，在进行分解疏水化剂的亲水化处理之后进行清洗。在这种情况下，例如在从吸附垫2向旋转卡盘3进行晶片W交接之后，通过在使旋转卡盘3旋转的同时以UV光在规定的宽度对晶片W的周边区域进行扫描，能够使该区域整体亲水化。在此UV灯17，例如可以将实施防水处理的单元设置在下部杯体43内，也可以在下部杯体43的底面设置透过UV光的玻璃窗，在其下方侧设置UV灯。另外，照射UV灯的区域并不限定于晶片W的背面的周边区域，例如当然也可以向晶片W的背面整体照射。另外，省略图17中的气刀31等的记载。此外，也可以在别的位置设置UV灯70，利用导光纤维设置照射头。
另外，在气刀31的内部，由从气刀31喷射的气体形成上升气流，存在发生的微粒通过该上升气流从旋转卡盘3的驱动机构33或支撑销32的升降机构32a等向气刀的外侧流出的可能性。因此，例如可以通过对气刀31的内侧的气氛进行吸引排气，将由该气刀31和晶片W的背面所包围的空间保持减压气氛，能够抑制上升气流的发生。
同样在气刀31中，为了通过该气刀31将来自刷子5侧的清洗液全部吹散，不得不喷射大量的气体，在消费能源量增多的同时，存在由大量的气体吹散的清洗液成为雾沫从而成为新的污染源的情况。因此，例如图18所示，可以设置助推漂洗机构34，作为以描绘遮蔽气刀31和刷子5之间的轨迹的方式喷出例如DIW等的清洗水的流体喷出单元，通过利用该纯水的流动改变从刷子5侧流过来的清洗液的流动方向，减弱朝向气刀31的清洗液的流势。由此，在能够减少为了吹散清洗液而需要的气体的量，减少能源消费量的同时，能够抑制雾沫的发生。此外，也可以设置的例如喷出压缩空气遮蔽气刀31和刷子5之间的空气喷嘴作为流体喷出单元代替喷出清洗液的助推漂洗机构34。
接着，就作为第一保持单元的吸附垫2而言，吸附垫2的平面形状并不限定于例如图2所示的细长的长方形。例如如图19所示，也可以使用在载置晶片W时，具备与该晶片W成同心圆的圆弧状的吸附保持面的吸附垫2。这样形状的吸附垫2，在相对的吸附垫2之间形成的区域的面积增大，因此能够使清洗液遍及更广阔的区域，同时在使刷子5移动时不易造成妨碍。
另外，例如在将晶片W载置在旋转卡盘3上进行清洗的期间中，吸附垫2退避到晶片W的下方，因此清洗液滴下到吸附垫2的表面上。因此，如果将吸附垫2的吸引管连接在例如工厂的真空线路上，清洗液从设置在吸附垫2表面的吸附孔2a流入，成为是真空线路的真空度降低的主要原因。因此，例如如图20所示，也可以在吸附垫2的吸引管60上介设捕捉容器61，将流入到该吸引管60的清洗液捕捉到该捕捉容器60内从而防止向下游侧的流出。另外，进一步地如图20所示，也可以将该吸引管60连接在喷射器62上，通过来自喷射器62的排气与工厂的排气线路连接，能够不利用工厂的真空线路就进行晶片W的吸附。
如上所述，如果就在吸附垫2的表面被清洗液浸湿的状态下保持基板W，则存在吸附垫2的吸附力降低从而在清洗中有可能使晶片W脱离，另外也存在被污染的清洗液污染晶片W的背面，并且使清洗后的晶片W的清洁度降低的情况。因此，例如如图21(a)、图21(b)所示，也可以在上部杯体41上设置例如气帘喷嘴45，例如在完成晶片W的清洗到搬入下一个晶片W为止的期间中喷射气体，吹散吸附垫2表面的清洗液。此外，省略图21(a)、图21(b)中的气刀31等的记载。

Claims (24)

1.一种基板清洗装置，用于对基板的背面进行清洗，其特征在于，包括：
水平地吸附保持朝向下方的基板背面的第一区域的第一基板保持单元；
从该第一基板保持单元接收基板，水平地吸附保持不与所述第一区域重叠的基板背面的第二区域的第二基板保持单元；
向在所述第一基板保持单元或第二基板保持单元上吸附保持的基板的背面供给清洗液的清洗液供给单元；
用于在从所述第一基板保持单元向所述第二基板保持单元交接基板之前，对所述第二区域进行干燥的干燥单元；和
在基板由第一基板保持单元保持的期间，与包括所述第二区域的基板的背面接触并进行清洗，在该基板由所述第二基板保持单元保持的期间，与所述第二区域以外的基板的背面接触并进行清洗的清洗部件。
2.如权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述第二基板保持单元：保持基板的中央并构成为沿铅直方向自由旋转，使完成由所述清洗部件进行的清洗的基板旋转，对在基板的背面残留的清洗液进行甩开干燥。
3.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述干燥单元为向基板的背面喷射气体的单元。
4.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于：
包括用于使所述第一基板保持单元相对于所述第二基板保持单元相对地在横方向移动的移动单元，利用该移动单元，使已经清洗过的第二区域位于第二基板保持单元的上方。
5.如权利要求4所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述第一基板保持单元包括吸附保持面为长方形的2个吸附垫，这些吸附垫以所述吸附保持面的长边方向相对于该第一基板保持单元的移动方向平行的方式保持基板周边部的相对的2处区域。
6.如权利要求4所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述第一基板保持单元包括吸附保持面为圆弧状的2个吸附垫，这些吸附垫以与被吸附保持的基板成同心圆的方式保持基板周边部的相对的2处区域。
7.如权利要求4所述的基板清洗装置，其特征在于，包括：
以包围由所述第一基板保持单元或第二保持单元保持的基板的方式构成，通过所述移动单元与第一基板保持单元一起移动的杯体。
8.如权利要求7所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述杯体的内壁面由亲水性的多孔质树脂构成。
9.如权利要求7所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述杯体的内壁面由表面被粗糙化的陶瓷构成。
10.如权利要求4所述的基板清洗装置，其特征在于：
包括包围所述第二基板保持单元的包围部件，
所述干燥单元包括在该包围部件的上端沿周方向形成的气体的喷射口。
11.如权利要求10所述的基板清洗装置，其特征在于：
由所述包围部件、与吸附保持在所述第一基板保持单元或第二基板保持单元上的基板的背面包围的空间为减压气氛。
12.如权利要求10所述的基板清洗装置，其特征在于，包括：
用于改变从所述清洗液供给单元向所述包围部件的上端流动的清洗液的流动方向，以描绘一定轨迹的方式喷出流体的流体喷出单元，所述清洗液在基板的背面流动，所述轨迹为将清洗液供给单元和包围部件的上端之间遮蔽的轨迹。
13.如权利要求12所述的基板清洗装置，其特征在于：
从所述流体喷出单元喷出的流体为清洗液。
14.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，包括：
用于使所述第二基板保持单元相对于所述第一基板保持单元相对地进行升降的升降单元；和覆盖该第二基板保持单元的上面的罩部件，
在使第二基板保持单元退避到由第一基板保持单元保持的基板的所述第二区域的下方、同时使所述罩部件位于该第二基板保持单元的上方的状态下，利用所述清洗部件对该第二区域进行清洗。
15.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，还包括：
用于向利用所述清洗部件清洗之后的基板的背面照射紫外光，使在基板的背面残留的颗粒收缩的紫外线灯。
16.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，还包括：
对所述清洗部件与基板的背面接触的力进行测量的测量单元；使该清洗部件相对于所述基板相对地进行升降的升降单元；和以根据所述测量单元的测量结果使所述升降单元动作、使所述清洗部件与基板的背面接触的力成为预先设定的范围内的值的方式进行控制的控制单元。
17.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述基板的背面的周边区域被实施过疏水化处理，所述清洗部件在清洗该周边区域时不与该基板的背面接触而搅拌从所述清洗液供给单元供给的清洗液，并利用该被搅拌的清洗液的水势对所述周边区域内的基板的背面进行清洗。
18.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述基板的背面的周边区域被实施过疏水化处理，该基板清洗装置包括用于使该周边区域亲水化而照射紫外光的第二紫外线灯。
19.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述第一基板保持单元与用于吸引并吸附保持基板的背面的吸引管连接，在该吸引管上设置有用于捕捉流入吸引管内的清洗液的捕捉容器。
20.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于：
包括用于向滴下至所述第一基板保持单元的吸附保持面的清洗液喷射气体从而吹散这些清洗液的气体喷嘴。
21.一种基板清洗方法，用于对基板的背面进行清洗，其特征在于，包括：
水平地吸附保持朝向下方的基板背面的第一区域的第一基板保持工序；
接收该基板、水平地吸附保持不与所述第一区域重叠的基板背面的第二区域的第二基板保持工序；
向在所述第一基板保持工序或在所述第二基板保持工序中保持的基板的背面供给清洗液的工序；
在从所述第一基板保持工序向所述第二基板保持工序交接基板之前，对所述第二区域进行干燥的工序；和
在所述第一基板保持工序的期间中，进行包括所述第二区域的基板的背面的清洗，在所述第二基板保持工序的期间中，进行所述第二区域以外的基板的背面的清洗的工序。
22.如权利要求21所述的基板清洗方法，其特征在于，还包括：
在完成所述基板的背面的清洗之后，使基板旋转，对在基板的背面残留的清洗液进行甩开干燥的工序。
23.如权利要求21或22所述的基板清洗方法，其特征在于：
进行通过向基板的背面喷射气体对所述第二区域进行干燥的工序。
24.如权利要求21或22所述的基板清洗方法，其特征在于，还包括：
向清洗之后的基板的背面照射紫外光，使在基板的背面残留的颗粒收缩的工序。
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