JP2001343755A

JP2001343755A - 静電チャック保護方法及びデバイス製造方法

Info

Publication number: JP2001343755A
Application number: JP2000163960A
Authority: JP
Inventors: Kenji Morita; 憲司守田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2000-06-01
Filing date: 2000-06-01
Publication date: 2001-12-14

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の静電チャックは、キャリブレーション時
においても、メンテナンス時においても、吸着面が露出
しているので、吸着面が帯電する場合があった。この帯
電によって、不要な電界が発生する。また、従来の静電
チャックでは、ウェハが局部的に変形するので、電子ビ
ームの露光するウェハ上の位置が、本来露光する位置か
ら外れてしまう。従って、従来の荷電粒子線露光装置に
は、電子ビームが露光する位置の精度が、低くなるとい
う問題点があった。本発明は、この問題点を解決し、キ
ャリブレーション時や真空が破られている時に、静電チ
ャックの吸着面が帯電すること及び吸着面に塵が付着す
ることを防止する静電チャック保護方法を提供すること
を、目的とする。【解決手段】請求項１の静電チャック保護方法は、静電
チャックの吸着面が、帯電することを防止する静電チャ
ック保護方法であって、非露光時に、前記静電チャック
が、前記試料とほぼ同じ形状のカバー部材を前記吸着面
に保持することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線露光装
置に使用される静電チャックの保護方法と、その静電チ
ャック保護方法を用いて、半導体デバイスを製造するデ
バイス製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子ビームなどの荷電粒子線でウェハな
どの試料を露光する荷電粒子線露光装置では、ウェハス
テージに設けられる静電チャックが吸着面にウェハを保
持する。電子ビームを発生する装置やウェハステージ
は、真空中に置かれる。この真空中において、電子ビー
ムは、静電チャックが保持するウェハを、露光する。

【０００３】電子ビームがウェハを露光する位置の精度
を高く保つために、キャリブレーションとウェハステー
ジのメンテナンスとが行われる。キャリブレーション
は、電子ビームの露光位置を補正するためのデータを収
集する動作である。キャリブレーションは、真空中で行
われる。

【０００４】メンテナンスは、ウェハステージがウェハ
を保持する位置を調整する動作である。メンテナンス
は、荷電粒子線露光装置の真空を破って、行われる。

【０００５】一方、電子ビームの進行方向は、電界によ
って影響を受ける。従って、電子ビームが進行する空間
の近傍に、不要な電界が存在すると、電子ビームがウェ
ハを露光する位置は、移動してしまう。このような不要
な電界の中には、キャリブレーション時に発生するウェ
ハからの反射電子が、静電チャックに付着することによ
る帯電によるものや、メンテナンス時に静電チャックに
付着した大気中の塵の帯電によるものが、ある。

【０００６】更に、この塵が静電チャックの吸着面に付
着している状態で、ウェハステージがウェハを保持する
と、ウェハが局部的に変形する場合がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の静電チャック
は、キャリブレーション時においても、メンテナンス時
においても、吸着面が露出しているので、吸着面が帯電
する場合があった。この帯電によって、不要な電界が発
生する。

【０００８】また、従来の静電チャックでは、ウェハが
局部的に変形するので、電子ビームの露光するウェハ上
の位置が、本来露光する位置から外れてしまう。

【０００９】従って、従来の荷電粒子線露光装置には、
電子ビームが露光する位置の精度が、低くなるという問
題点があった。

【００１０】本発明は、この問題点を解決し、キャリブ
レーション時や真空が破られている時に、静電チャック
の吸着面が帯電すること及び吸着面に塵が付着すること
を防止する静電チャック保護方法を提供することを、目
的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１の静電チャック
保護方法は、静電チャックの吸着面が、帯電することを
防止する静電チャック保護方法であって、非露光時に、
前記静電チャックが、前記試料とほぼ同じ形状のカバー
部材を前記吸着面に保持することを特徴とする。

【００１２】請求項２の静電チャック保護方法は、前記
非露光時には、キャリブレーション時と真空解除時とが
含まれることを特徴とする。

【００１３】請求項３の静電チャック保護方法は、前記
カバー部材は、露光に使用されない前記試料であること
を特徴とする。

【００１４】請求項４の静電チャック保護方法は、前記
カバー部材は、導電性材料又は半導電性材料であること
を特徴とする。

【００１５】請求項５のデバイス製造方法は、請求項１
乃至請求項4の何れかに記載の静電チャック保護方法を
用いて、基板に設けられるパターンを、前記試料上に投
影する投影工程を含むことを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】＜静電チャック保護方法＞先ず、
図１〜図８を参照しながら、本発明の静電チャック保護
方法を説明する。

【００１７】図１は、本静電チャック保護方法が適用さ
れる荷電粒子線露光装置１を表すブロック図である。図
１を参照しながら、荷電粒子線露光装置１の機能を説明
する。

【００１８】荷電粒子線露光装置１は、電子ビームＥで
ウェハＷを露光する装置である。荷電粒子線露光装置１
には、本体２と制御装置６とが、設けられている。

【００１９】本体２には、鏡筒部３とステージ室４と搬
送室５とが、設けられている。

【００２０】鏡筒部３は、レチクルＲのパターンを電子
ビームＥでウェハＷに投影する、装置である。鏡筒部３
には、レチクルＲを電子ビームＥで照明する装置や、レ
チクルＲを保持する装置や、レチクルＲからの電子ビー
ムＥをウェハに投影する装置が、設けられている。

【００２１】鏡筒部３の底面３１には、レチクルＲから
の電子ビームＥがウェハＷに向けて通過する投影口３２
と、反射電子センサー３３とが、設けられている。底面
３１は、ウェハＷに面している鏡筒部３の外面である。
電子ビームＥがウェハＷを露光すると、ウェハＷから反
射電子Ｅｒが放出される。反射電子センサー３３は、反
射電子Ｅｒを検出するセンサーである。

【００２２】ステージ室４は、その内部の空間（以降、
この空間をステージ空間４０と称す）の状態を、外気と
同じ状態と真空の状態とに制御可能な装置である。ステ
ージ空間４０の状態が、外気と同じ状態になることを、
真空が破られると称す。外気と同じ状態を、真空解除と
称す。ステージ室４には、真空ポンプ４１とゲートバル
ブ４２と開放バルブ４３とウェハステージＷＳとが、設
けられている。

【００２３】真空ポンプ４１は、ステージ空間４０を真
空にする装置である。

【００２４】ゲートバルブ４２は、真空ポンプ４１とス
テージ空間４０とを接続する弁装置である。ゲートバル
ブ４２が開くと、真空ポンプ４１とステージ空間４０と
が、接続する。ゲートバルブ４２が閉じると、真空ポン
プ４１とステージ空間４０とが、遮断される。

【００２５】開放バルブ４３は、外気とステージ空間４
０とを接続する弁装置である。開放バルブ４３が開く
と、外気とステージ空間４０とが、接続する。即ち、開
放バルブ４３が開くと、真空が破られる。開放バルブ４
３が閉じると、外気とステージ空間４０とが、遮断され
る。

【００２６】ウェハステージＷＳは、ウェハＷを移動可
能に保持する装置である。ウェハステージＷＳは、ウェ
ハＷに電子ビームＥが入射する方向と垂直な面内で、ウ
ェハＷを移動する。ウェハステージＷＳは、ステージ空
間４０に設けられている。

【００２７】図２を参照しながら、ウェハステージＷＳ
を更に詳しく説明する。図２は、電子ビームＥがウェハ
Ｗに入射する方向から見たウェハステージＷＳの上面図
である。

【００２８】ウェハステージＷＳには、静電チャック４
４とフィデューシャルマーク４５とが設けられている。

【００２９】静電チャック４４は、ウェハＷを吸着面４
４１に吸着する装置である。吸着面４４１は、ウェハＷ
の裏面が吸着される面である。裏面は、電子ビームＥが
ウェハＷに入射する面と反対側の面である。

【００３０】図２及び図３を参照しながら、静電チャッ
ク４４を更に詳しく説明する。図３は、図２のＡ−Ｂに
示す位置で、静電チャック４４を切断した断面図であ
る。図３は、後述のカバー５１が吸着されている状態
を、表している。

【００３１】静電チャック４４には、基板４４２と絶縁
膜４４３と吸着回路４４４と除電装置４４５ａ、４４５
ｂ、４４５ｃ、４４５ｄとが、設けられている。

【００３２】基板４４２は、静電チャック４４の機構的
な基板である。吸着面４４１は、ウェハＷが接触する側
の基板４４２の面である。

【００３３】絶縁膜４４３は、吸着面４４１に設けられ
ている膜である。絶縁膜４４３は、絶縁体である。吸着
面４４１に吸着されるウェハＷは、絶縁膜４４３に接触
する。

【００３４】吸着回路４４４は、吸着面４４１に静電気
を発生する回路である。吸着面４４１に静電気が発生す
ると、吸着面４４１とウェハＷとの間には、引力が働
く。ウェハＷは、この引力によって、吸着面４４１に吸
着する。吸着回路４４４がウェハＷを吸着面４４１に吸
着する動作を、ウェハＷをチャッキングすると称す。

【００３５】吸着回路４４４が静電気の発生を中止する
と、この引力が消滅する。引力が消滅すると、ウェハＷ
は、吸着面４４１から取り外せる状態になる。吸着回路
４４４がウェハＷを吸着面４４１から取り外せる状態に
する動作を、ウェハＷのチャッキングを解除すると称
す。

【００３６】除電装置４４２a、４４２ｂ、４４２ｃ、
４４２ｄは、吸着面４４１に設けられる、装置である。
除電装置４４２a、４４２ｂ、４４２ｃ、４４２ｄは、
互いに同じ機能なので、除電装置４４２aを説明し、除
電装置４４２ｂ、４４２ｃ、４４２ｄの説明を省略す
る。

【００３７】除電装置４４２aは、吸着面４４１に吸着
するウェハＷとアースとを、ほぼ等電位にする装置であ
る。除電装置４４２にaは、除電針４４６とばね４４７
とが、設けられている。

【００３８】除電針４４６は、ウェハＷの裏面に接触す
る部材である。除電針４４６は、伝導体である。除電針
４４６は、アースに結線されている。

【００３９】ばね４４７は、吸着面４４１に対して垂直
でウェハＷに向かう方向に、除電針４４６を付勢する部
材である。ばね４４７は、除電針４４６の先端がウェハ
Ｗの裏面に当接する位置まで、除電針４４６を付勢す
る。

【００４０】従って、帯電しているウェハＷが吸着面４
４１に吸着すると、ウェハＷに帯電している電荷は、ウ
ェハＷの裏面から除電針４４６を通って、アースに流れ
てゆく。

【００４１】図２に戻って、ウェハステージＷＳの説明
を続ける。

【００４２】フィデューシャルマーク４５は、ウェハス
テージＷＳの位置の基準となる指標である。荷電粒子線
露光装置１は、フィデューシャルマーク４５を電子ビー
ムＥで走査して、フィデューシャルマーク４５の位置を
検出する。電子ビームＥがフィデューシャルマーク４５
を走査すると、フィデューシャルマーク４５から反射電
子Ｅｒが放射される。

【００４３】図１に戻って、荷電粒子線露光装置１の説
明を続ける。

【００４４】搬送室５は、ウェハＷ或いはカバー５１を
格納する装置である。カバー５１は、露光に使用されな
いウェハＷである。

【００４５】尚、カバー５１は、露光に使用されないウ
ェハＷに限らず、ウェハＷとほぼ同じ形状、ほぼ同じ重
量の部材で、その材質が導電性または半導電性であれ
ば、どのような部材であてもよい。

【００４６】図４を参照しながら、搬送室５を更に詳し
く説明する。図４は、搬送室５の機能を表す断面図であ
る。

【００４７】搬送室５には、搬送ゲート５２と予備室５
３とプリアライメント室５４とウェハカセット５５とカ
セットゲート５６と搬送ロボット５７とが、設けられて
いる。

【００４８】搬送ゲート５２は、搬送室５とステージ室
４とを隔離する、開閉可能な扉である。搬送ゲート５２
が開くと、搬送室５とステージ室４との間で、ウェハＷ
又はカバー５１が移動する通路が、確保される。搬送ゲ
ート５２が閉じると、搬送室５とステージ室４とは隔離
され、ステージ空間４０は密閉される。

【００４９】予備室５３は、カバー５１を保管する装置
である。予備室５３には、１つのカバー５１が、保管さ
れる。

【００５０】プリアライメント室５４は、ウェハＷとカ
バー５１とをプリアライメントする装置である。

【００５１】ウェハカセット５５は、複数枚のウェハＷ
を保管する装置である。ウェハＷは１枚づつ、ウェハカ
セット５５から搬出可能で、また、１枚づつウェハカセ
ット５５に搬入可能である。

【００５２】カセットゲート５６は、ウェハカセット５
５を隔離する、開閉可能な扉である。カセットゲート５
６が閉じると、ウェハカセット５５は密閉される。カセ
ットゲート５６が開くと、ウェハＷがウェハカセット５
５から搬出される通路、或いはウェハカセット５５に搬
入される通路が、確保される。

【００５３】搬送ロボット５７は、ウェハＷとカバー５
１とを搬送する装置である。搬送ロボット５７は、搬送
ゲート５２が開いている場合に、以下の動作が可能であ
る。

【００５４】プリアライメント室５４にあるウェハＷ
を、ウェハステージＷＳに搬入する。予備室５３に保管
されているカバー５１を、ウェハステージＷＳに搬入す
る。ウェハステージＷＳにあるカバー５１を、予備室５
３に搬出する。

【００５５】搬送ロボット５７は、カセットゲート５６
が開いている場合に、以下の動作が可能である。

【００５６】ウェハカセット５５に保管されているウェ
ハＷを、プリアライメント室５４に搬出する。

【００５７】搬送ロボット５７は、搬送ゲート５２とカ
セットゲート５６とが開いている場合に、以下の動作が
可能である。

【００５８】ウェハステージＷＳにあるウェハＷを、ウ
ェハカセット５５に搬出する。

【００５９】図１に戻って、荷電粒子線露光装置１の説
明を続ける。

【００６０】制御装置６は、プログラムによって、本体
２を制御する装置である。制御装置６は、鏡筒部３の動
作を制御する。制御装置６は、反射電子センサー３３の
出力に基づいて、フィデューシャルマーク４５の位置を
求める。制御装置６は、吸着回路４４４を制御して、ウ
ェハＷのチャッキングとその解除とを行う。制御装置６
は、ウェハステージＷＳの移動を制御する。制御装置６
は、真空ポンプ４１がステージ空間４０を真空にする動
作を、制御する。制御装置６は、ゲートバルブ４２の開
閉動作と開放バルブ４３の開閉動作と搬送ゲート５２の
開閉動作とを制御する。制御装置６は、搬送ロボット５
７の動作を制御する。次に、図５〜図８を参照しなが
ら、荷電粒子線露光装置１の動作を説明する。

【００６１】荷電粒子線露光装置１の動作には、帯電防
止動作と解除動作とがある。これらの動作は、荷電粒子
線露光装置１がウェハＷを露光していない非露光時に、
実行される。

【００６２】帯電防止動作は、吸着面４４１にカバー５
１を乗せる動作である。図５を参照しながら、帯電防止
動作を説明する。図５は、制御回路６が実行する帯電防
止動作のフローチャートである。

【００６３】step１０において、制御装置６は、搬送ゲ
ート５２を開ける。

【００６４】制御装置６は、step１０に続いて、step１
１を実行する。

【００６５】step１１において、制御装置６は、搬送ロ
ボット５７を制御して、予備室５３に保管されているカ
バー５１を、取り出す。制御装置６は、取り出したカバ
ー５１を、搬送ゲート５２を通して、静電チャック４４
まで搬送し、そして吸着面４４１にカバー５１を乗せ
る。

【００６６】制御装置６は、step１１に続いて、step１
２を実行する。

【００６７】step１２において、制御装置６は、搬送ゲ
ート５２を閉じる。

【００６８】制御装置６は、step１２に続いて、step１
３を実行する。

【００６９】step１３において、制御装置６は、吸着回
路４４４を制御して、カバー５１をチャッキングする。

【００７０】尚、制御装置６は、step１２とstep１３と
を同時に実行してもよい。

【００７１】制御装置６は、step１３の実行を終了する
と、帯電防止動作を終了する。

【００７２】解除動作は、吸着面４４１からカバー５１
を外す動作である。図６を参照しながら、解除動作を説
明する。図６は、制御回路６が実行する解除動作のフロ
ーチャートである。

【００７３】step２０において、制御装置６は、搬送ゲ
ート５２を開ける。

【００７４】制御装置６は、step２０に続いて、step２
１を実行する。

【００７５】step２１において、制御装置６は、吸着回
路４４４を制御して、カバー５１のチャッキングを解除
する。

【００７６】尚、制御装置６は、step２０とstep２１と
を同時に実行してもよい。

【００７７】制御装置６は、step２１に続いて、step２
２を実行する。

【００７８】step２２において、制御装置６は、搬送ロ
ボット５７を制御して、カバー５１を静電チャック４４
から取り外し、そして、取り外したカバー５１を、搬送
ゲート５２を通して、予備室５３まで搬送する。

【００７９】制御装置６は、step２２に続いて、step２
３を実行する。

【００８０】step２３において、制御装置６は、搬送ゲ
ート５２を閉じる。

【００８１】制御装置６は、step２３の実行を終了する
と、解除動作を終了する。次に、図７を参照しながら、
キャリブレーション時における帯電防止動作と解除動作
とを、説明する。図７は、制御装置６が実行するキャリ
ブレーションのフローチャートである。

【００８２】step３０において、制御装置６は、前述の
帯電防止動作を実行する。

【００８３】制御装置６は、step３０に続いて、step３
１を実行する。

【００８４】step３１において、制御装置６は、キャリ
ブレーションを実行する。キャリブレーションにおい
て、制御装置６は、鏡筒部３を制御して、電子ビームＥ
でウェハステージＷＳのフィデューシャルマーク４５
を、走査する。フィデューシャルマーク４５が走査され
ると、フィデューシャルマーク４５から反射電子Ｅｒが
放射される。

【００８５】この反射電子Ｅｒの一部は、反射電子セン
サー３３に到達する。制御装置６は、反射電子センサー
３３の出力に基づいて、フィデューシャルマーク４５の
位置を求める。

【００８６】反射電子Ｅｒの他の一部は、鏡筒部３の底
面３１で反射して、静電チャック４４に向かい、そし
て、吸着面４４１に吸着しているカバー５１に、入射す
る。カバー５１に入射した反射電子Ｅｒは、カバー５１
の裏面から除電針４４６を通って、アースに流れる。カ
バー５１に入射した反射電子Ｅｒは、アースに流れるの
で、吸着面４４１は帯電しない。従って、吸着面４４１
では、フィデューシャルマーク４５を走査する電子ビー
ムＥの進行方向を変更する不要な電界が、発生しない。

【００８７】このように、荷電粒子線露光装置１には、
キャリブレーション時において、吸着面４４１にカバー
５１を吸着しているので、フィデューシャルマーク４５
の位置を正確に求められる利点がある。

【００８８】制御装置６は、step３１に続いて、step３
２を実行する。

【００８９】step３２において、制御装置６は、前述の
解除動作を実行する。

【００９０】制御装置６がstep３２の実行を終了する
と、キャリブレーション時における帯電防止動作と解除
動作とが、終了する。次に、図８を参照しながら、メン
テナンス時における真空解除と帯電防止動作と解除動作
とを、説明する。図８は、制御装置６が実行する真空解
除のフローチャートである。

【００９１】step４０において、制御装置６は、前述の
帯電防止動作を実行する。

【００９２】制御装置６は、step４０に続いて、step４
１を実行する。４０の真空を破る。真空が破られると、
開放バルブ４３を通って、塵と共に外気がステージ空間
４０に、入る。この真空解除の状態で、ウェハステージ
ＷＳは、塵が存在する雰囲気に曝されながら、メンテナ
ンスされる。

【００９３】この塵の一部は、吸着面４４１に近づく。
しかし、吸着面４４１にはカバー５１が吸着されている
ので、吸着面４４１に近づく塵は、カバー５１に付着す
るか、或いは、カバー５１から遠ざかる。従って、塵は
吸着面４４１には、付着しない。

【００９４】一般に、塵は帯電しやすいので、電子ビー
ムＥによって帯電する場合がある。帯電している塵が吸
着面４４１に付着すると、塵の電荷による不要な電界
が、電子ビームＥの進行方向を変更してしまう。また、
塵が吸着面４４１とウェハＷとの間に存在すると、その
塵の近傍のウェハＷが局部的に変形する。

【００９５】従って、吸着面４４１に付着する塵は、電
子ビームＥによってウェハＷに投影されるパターンの形
状を歪ませたり、或いは、そのパターンを誤った位置に
投影する原因となる。

【００９６】しかし、塵はカバー５１によって吸着面４
４１には付着しないので、荷電粒子線露光装置１には、
正確な形状と位置のパターンが露光できる利点がある。

【００９７】制御装置６は、step４１に続いて、step４
２を実行する。

【００９８】step４２において、制御装置６は、開放バ
ルブ４３を閉じ、ゲートバルブ４２を開き、そして、真
空ポンプ４１を制御して、ステージ空間４０を真空にす
る。

【００９９】制御装置６は、step４２に続いて、step４
３を実行する。

【０１００】step４３において、制御装置６は、前述の
解除動作を実行する。

【０１０１】制御装置６がstep４３の実行を終了する
と、メンテナンス時における真空解除と帯電防止動作と
解除動作とが、終了する。＜デバイス製造方法＞次に、上述の荷電粒子線露光装置
１を用いて、半導体素子等のデバイスを作成する動作の
一例を、図９を参照しながら、説明する。図９は、デバ
イスの製造方法を表すフローチャートである。

【０１０２】Step１０１において、１ロットのウエハＷ
上に金属膜が蒸着される。

【０１０３】Step１０２において、ウエハＷ上に蒸着さ
れた金属膜上に、フォトレジストが塗布される。

【０１０４】Step１０３において、上述の荷電粒子線露
光装置１を用いて、レチクルＲのパターンが、その１ロ
ットのウエハＷ上に順次、露光される。

【０１０５】Step１０４において、パターンの露光され
たフォトレジストが、現像される。

【０１０６】Step１０５において、現像されたフォトレ
ジストのパターンをマスクとして、その１ロットのウエ
ハＷがエッチングされる。エッチングが行われると、レ
チクルＲのパターンに対応する回路が、各ウエハＷ上に
形成される。

【０１０７】Step１０５の終了後、ウェハＷ上に形成さ
れた回路の上に、更に回路を形成することによって、極
めて微細な回路を有するデバイスが製造される。

【０１０８】

【発明の効果】請求項１の静電チャック保護方法は、静
電チャックの吸着面が、帯電することを防止する静電チ
ャック保護方法であって、非露光時に、前記静電チャッ
クが、前記試料とほぼ同じ形状のカバー部材を前記吸着
面に保持することを特徴とする。

【０１０９】従って、正確な位置にパターンを露光でき
る。

【０１１０】請求項２の静電チャック保護方法は、前記
非露光時には、キャリブレーション時と真空解除時とが
含まれることを特徴とする。

【０１１１】従って、スループットが高い。

【０１１２】請求項３の静電チャック保護方法は、前記
カバー部材は、露光に使用されない前記試料であること
を特徴とする。

【０１１３】従って、低価格である。

【０１１４】請求項４の静電チャック保護方法は、前記
カバー部材は、導電性材料又は半導電性材料であること
を特徴とする。

【０１１５】従って、低価格である。

【０１１６】請求項５のデバイス製造方法は、請求項１
乃至請求項4の何れかに記載の静電チャック保護方法を
用いて、基板に設けられるパターンを、前記試料上に投
影する投影工程を含むことを特徴とする。

【０１１７】従って、集積度の高いデバイスを製造でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】荷電粒子線露光装置１を表すブロック図

【図２】ウェハステージＷＳの上面図

【図３】静電チャック４４の断面図

【図４】搬送室５の機能を表す断面図

【図５】帯電防止動作のフローチャート

【図６】解除動作のフローチャート

【図７】キャリブレーションのフローチャート

【図８】真空解除のフローチャート

【図９】デバイスの製造方法を表すフローチャート

【符号の説明】

１荷電粒子線露光装置２本体３鏡筒部４ステージ室５搬送室６制御装置４４静電チャック４５フィデューシャルマーク５１カバー５３搬送室５７搬送ロボット４４１吸着面４４５除電装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】静電チャックの吸着面を保護する静電チャ
ック保護方法であって、非露光時に、前記静電チャック
が、前記試料とほぼ同じ形状のカバー部材を前記吸着面
に保持することを特徴とする静電チャック保護方法。
【請求項２】前記非露光時には、キャリブレーション時
と真空解除時とが含まれることを特徴とする請求項１の
静電チャック保護方法。
【請求項３】前記カバー部材は、露光に使用されない前
記試料であることを特徴とする請求項１の静電チャック
保護方法。
【請求項４】前記カバー部材は、導電性材料又は半導電
性材料であることを特徴とする請求項１の静電チャック
保護方法。
【請求項５】請求項１乃至請求項4の何れかに記載の静
電チャック保護方法を用いて、基板に設けられるパター
ンを、前記試料上に投影する投影工程を含むことを特徴
とするデバイス製造方法。