JP2001144168A - 静電チャック、それを有する荷電粒子線露光装置、ウエハ保持方法及びそれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents
静電チャック、それを有する荷電粒子線露光装置、ウエハ保持方法及びそれを用いたデバイス製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハを全面的に静電チャックに容易に吸着
することができる静電チャックを提供する。 【解決手段】本発明の静電チャックは、電極が、中央部
６０ａ及び一部の周辺部（特定周辺部６０ｂ）からなる
第一領域６０ｃと、特定周辺部６０ｂ以外の周辺部（一
般周辺部６０ｄ）からなる第二領域とに分割されてい
る。チャック開始時に、第一領域６０ｃの電極に電圧が
印加され、ウエハの被吸着面の特定周辺部がチャック面
に吸着される。これに伴い、静電チャックの特定周辺部
につながる中央部でのウエハと静電チャックの隙間が狭
くなるので、中央部でのチャック圧力Ｐが上がる。この
ため、ウエハの反りが矯正されながら、その中央部がチ
ャック面に吸着される。そして、ある遅れ時間の後に第
二領域６０ｄの電極に電圧が印加される。
することができる静電チャックを提供する。 【解決手段】本発明の静電チャックは、電極が、中央部
６０ａ及び一部の周辺部（特定周辺部６０ｂ）からなる
第一領域６０ｃと、特定周辺部６０ｂ以外の周辺部（一
般周辺部６０ｄ）からなる第二領域とに分割されてい
る。チャック開始時に、第一領域６０ｃの電極に電圧が
印加され、ウエハの被吸着面の特定周辺部がチャック面
に吸着される。これに伴い、静電チャックの特定周辺部
につながる中央部でのウエハと静電チャックの隙間が狭
くなるので、中央部でのチャック圧力Ｐが上がる。この
ため、ウエハの反りが矯正されながら、その中央部がチ
ャック面に吸着される。そして、ある遅れ時間の後に第
二領域６０ｄの電極に電圧が印加される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空下で半導体デ
バイスのパターンを形成する露光装置等に装備され、ウ
エハ等の基板を保持する静電チャック及びそれを有する
荷電粒子線露光装置に関する。特には、ウエハの全面を
確実に吸着することができる静電チャック及びそれを有
する荷電粒子線露光装置に関する。また、そのような静
電チャックを用いてウエハを保持する方法及びそのウエ
ハ保持工程を含むデバイス製造方法に関する。
バイスのパターンを形成する露光装置等に装備され、ウ
エハ等の基板を保持する静電チャック及びそれを有する
荷電粒子線露光装置に関する。特には、ウエハの全面を
確実に吸着することができる静電チャック及びそれを有
する荷電粒子線露光装置に関する。また、そのような静
電チャックを用いてウエハを保持する方法及びそのウエ
ハ保持工程を含むデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空中でウエハを加工する際、ウエハの
被吸着面を静電チャックの吸着面（チャック面）に吸着
してウエハを保持固定したのち、ウエハへのパターン形
成や露光等の加工処理を行う。
被吸着面を静電チャックの吸着面（チャック面）に吸着
してウエハを保持固定したのち、ウエハへのパターン形
成や露光等の加工処理を行う。
【０００３】この際、ウエハの中央部が下に反っている
場合には、ウエハの被吸着面は簡単に全面的にチャック
面に吸着される。しかしながら、ウエハの周辺部が下に
反っている場合には、まずウエハの周辺部がチャック面
に吸着され、２つの面間のすべりが起こらずウエハの被
吸着面の中央部はチャック面に吸着されない状態になる
場合が多い。
場合には、ウエハの被吸着面は簡単に全面的にチャック
面に吸着される。しかしながら、ウエハの周辺部が下に
反っている場合には、まずウエハの周辺部がチャック面
に吸着され、２つの面間のすべりが起こらずウエハの被
吸着面の中央部はチャック面に吸着されない状態になる
場合が多い。
【０００４】このような問題の解決を図る静電チャック
が特開昭６０−９５９３２号等に開示されている。この
従来の静電チャックでは、円盤状の絶縁基盤上面に設け
られた電極が絶縁層（表面がチャック面となる。）で覆
われており、該電極が基盤上面の中央部と周辺部に分割
されている。そして、まず、上記中央部の電極に電圧を
印加して、ウエハの被吸着面の中央部をチャック面に吸
着させる。さらに、所定時間経過後、上記周辺部の電極
に電圧を印加して、ウエハの被吸着面の周辺部をチャッ
ク面に吸着させる。
が特開昭６０−９５９３２号等に開示されている。この
従来の静電チャックでは、円盤状の絶縁基盤上面に設け
られた電極が絶縁層（表面がチャック面となる。）で覆
われており、該電極が基盤上面の中央部と周辺部に分割
されている。そして、まず、上記中央部の電極に電圧を
印加して、ウエハの被吸着面の中央部をチャック面に吸
着させる。さらに、所定時間経過後、上記周辺部の電極
に電圧を印加して、ウエハの被吸着面の周辺部をチャッ
ク面に吸着させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハの被
吸着面をチャック面に吸着させる単位面積当たりの吸着
力（チャック圧力）Ｐは次式で定義される。 ［数式１］ Ｐ＝ε0ε*2Ｖ2／[２（ｄ＋ε*ｘ）2] 上式において、各記号は、 ε0：真空中での誘電率、ε*：電極の絶縁層（誘電層）
の比誘電率 Ｖ：静電チャックの電極への印加電圧（チャック電圧） ｄ：静電チャックの誘電層の厚さ ｘ：ウエハの被吸着面とチャック面間の真空層の厚さ を表している。
吸着面をチャック面に吸着させる単位面積当たりの吸着
力（チャック圧力）Ｐは次式で定義される。 ［数式１］ Ｐ＝ε0ε*2Ｖ2／[２（ｄ＋ε*ｘ）2] 上式において、各記号は、 ε0：真空中での誘電率、ε*：電極の絶縁層（誘電層）
の比誘電率 Ｖ：静電チャックの電極への印加電圧（チャック電圧） ｄ：静電チャックの誘電層の厚さ ｘ：ウエハの被吸着面とチャック面間の真空層の厚さ を表している。
【０００６】上式から分かるように、真空層の厚さｘの
存在により、静電チャックの誘電層の厚さが、実際の厚
さｄよりε*ｘだけ見掛け上増し、その分吸着力Ｐが下
がることになる。したがって、強い吸着力を得るために
は、真空層の厚さｘ＝０であることが理想的である。
存在により、静電チャックの誘電層の厚さが、実際の厚
さｄよりε*ｘだけ見掛け上増し、その分吸着力Ｐが下
がることになる。したがって、強い吸着力を得るために
は、真空層の厚さｘ＝０であることが理想的である。
【０００７】従来の静電チャックでは、ウエハの周辺部
が下に反っている場合、ウエハの被吸着面の反り量が所
定量以下であるか、チャック電圧が大きい限り、最終的
にはウエハの被吸着面が全面的にチャック面に吸着され
る。しかしながら、ウエハの被吸着面の反り量が所定量
以上であると、ウエハの被吸着面の中央部とチャック面
間の真空層の厚さｘが厚くなる。その場合、被吸着面の
中央部でのチャック力が小さくなり、被吸着面の中央部
がチャック面に吸着されずに時間が経過し、少し遅れて
周辺部に電圧が印加されたとき、周辺部のウエハが静電
チャックに保持固定されてしまう。このような状態にな
ると、ウエハのパターン形成面（上記被吸着面の反対
面）中央部の露光時に、同部からチャックに熱が逃げに
くいため、温度上昇が生じてウエハが熱膨張してしま
い、露光や測定等の高精度な処理を行えないという問題
があった。
が下に反っている場合、ウエハの被吸着面の反り量が所
定量以下であるか、チャック電圧が大きい限り、最終的
にはウエハの被吸着面が全面的にチャック面に吸着され
る。しかしながら、ウエハの被吸着面の反り量が所定量
以上であると、ウエハの被吸着面の中央部とチャック面
間の真空層の厚さｘが厚くなる。その場合、被吸着面の
中央部でのチャック力が小さくなり、被吸着面の中央部
がチャック面に吸着されずに時間が経過し、少し遅れて
周辺部に電圧が印加されたとき、周辺部のウエハが静電
チャックに保持固定されてしまう。このような状態にな
ると、ウエハのパターン形成面（上記被吸着面の反対
面）中央部の露光時に、同部からチャックに熱が逃げに
くいため、温度上昇が生じてウエハが熱膨張してしま
い、露光や測定等の高精度な処理を行えないという問題
があった。
【０００８】本発明は、上記事情に鑑みて為されたもの
であり、ウエハの周辺部が下に反っている場合であって
も、比較的小さいチャック電圧でウエハの被吸着面を全
面的にチャック面に容易に吸着することができる静電チ
ャック及びそれを有する荷電粒子線露光装置を提供する
ことを目的とする。また、そのような静電チャックを用
いたウエハ保持方法及びそのウエハ保持工程を含むデバ
イス製造方法を提供することを目的とする。
であり、ウエハの周辺部が下に反っている場合であって
も、比較的小さいチャック電圧でウエハの被吸着面を全
面的にチャック面に容易に吸着することができる静電チ
ャック及びそれを有する荷電粒子線露光装置を提供する
ことを目的とする。また、そのような静電チャックを用
いたウエハ保持方法及びそのウエハ保持工程を含むデバ
イス製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の静電チャックは、基盤と、該基盤の上面に
配置された電極と、該電極上を覆うように形成された絶
縁層と、電極の制御回路と、を備える静電チャックであ
って； 上記電極が、上記基盤上面の中央部及び一部の
周辺部（特定周辺部）からなる第一領域と、該特定周辺
部以外の周辺部（一般周辺部）からなる第二領域とに分
割されており、 上記電源制御回路が、チャック開始時
に、まず上記第一領域の電極に電圧を印加し、次いであ
る遅れ時間の後に上記第二領域の電極に電圧を印加する
ことを特徴とする。
め、本発明の静電チャックは、基盤と、該基盤の上面に
配置された電極と、該電極上を覆うように形成された絶
縁層と、電極の制御回路と、を備える静電チャックであ
って； 上記電極が、上記基盤上面の中央部及び一部の
周辺部（特定周辺部）からなる第一領域と、該特定周辺
部以外の周辺部（一般周辺部）からなる第二領域とに分
割されており、 上記電源制御回路が、チャック開始時
に、まず上記第一領域の電極に電圧を印加し、次いであ
る遅れ時間の後に上記第二領域の電極に電圧を印加する
ことを特徴とする。
【００１０】ウエハ等の被吸着基板（以下、ウエハと称
する）の周辺部が下に反っている場合、該周辺部はチャ
ック面にほぼ接した状態にある。本発明では、最初に上
記第一領域の電極に電圧が印加され、ウエハの被吸着面
の特定周辺部がチャック面に吸着される。これに伴い、
静電チャックの特定周辺部につながる中央部でのウエハ
と静電チャックの隙間が狭くなるので、上記数式１から
結論されるように、中央部でのチャック圧力Ｐが上が
る。このため、ウエハの反りが矯正されながら、その中
央部がチャック面に吸着される。
する）の周辺部が下に反っている場合、該周辺部はチャ
ック面にほぼ接した状態にある。本発明では、最初に上
記第一領域の電極に電圧が印加され、ウエハの被吸着面
の特定周辺部がチャック面に吸着される。これに伴い、
静電チャックの特定周辺部につながる中央部でのウエハ
と静電チャックの隙間が狭くなるので、上記数式１から
結論されるように、中央部でのチャック圧力Ｐが上が
る。このため、ウエハの反りが矯正されながら、その中
央部がチャック面に吸着される。
【００１１】次に所定の遅れ時間後に、上記第二領域の
電極に電圧が印加されると、ウエハの被吸着面の一般周
辺部がチャック面に吸着されて、ウエハが全面的にチャ
ック面にピッタリと吸着されることとなる。したがっ
て、ウエハの各部がチャック面にきっちりと吸着される
ので、ウエハ各部から静電チャックへの熱伝導が高くな
る。したがって、ウエハ処理中でのウエハの熱膨張が抑
えられることとなり、露光や測定等の処理を高精度に行
うことができる。ここで、静電チャックの絶縁材料がＢ
ｅＯ添加のＳｉＣセラミックスであるとより効果的であ
る。
電極に電圧が印加されると、ウエハの被吸着面の一般周
辺部がチャック面に吸着されて、ウエハが全面的にチャ
ック面にピッタリと吸着されることとなる。したがっ
て、ウエハの各部がチャック面にきっちりと吸着される
ので、ウエハ各部から静電チャックへの熱伝導が高くな
る。したがって、ウエハ処理中でのウエハの熱膨張が抑
えられることとなり、露光や測定等の処理を高精度に行
うことができる。ここで、静電チャックの絶縁材料がＢ
ｅＯ添加のＳｉＣセラミックスであるとより効果的であ
る。
【００１２】なお、上記第一領域及び上記第二領域の各
電極を等面積の電極に分割し、各部分電極に互いに逆符
号の電圧を印加して、ウエハ等の被吸着基板を静電チャ
ックに吸着させる設定とすることにより、該被吸着基板
を接地しなくてもチャック動作を行うことができる。一
方、上記第一領域及び上記第二領域の各電極を等面積の
部分電極に分割しない場合には、上記被吸着基板を接地
することにより、各電極用のリード線の本数を少なく抑
えることができる。
電極を等面積の電極に分割し、各部分電極に互いに逆符
号の電圧を印加して、ウエハ等の被吸着基板を静電チャ
ックに吸着させる設定とすることにより、該被吸着基板
を接地しなくてもチャック動作を行うことができる。一
方、上記第一領域及び上記第二領域の各電極を等面積の
部分電極に分割しない場合には、上記被吸着基板を接地
することにより、各電極用のリード線の本数を少なく抑
えることができる。
【００１３】また、上記課題を解決するため、本発明の
荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を感応基板上に結像
させる光学系と、感応基板を保持する静電チャックと、
を具備する荷電粒子線露光装置であって； 上記静電チ
ャックは、基盤と、該基盤の上面に配置された電極と、
該電極上を覆うように形成された絶縁層と、電極の制御
回路とを有しており、 上記電極が、上記基盤上面の中
央部及び一部の周辺部（特定周辺部）からなる第一領域
と、該特定周辺部以外の周辺部（一般周辺部）からなる
第二領域とに分割されており、 上記電源制御回路が、
チャック開始時に、まず上記第一領域の電極に電圧を印
加し、次いである遅れ時間の後に上記第二領域の電極に
電圧を印加することを特徴とする。
荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を感応基板上に結像
させる光学系と、感応基板を保持する静電チャックと、
を具備する荷電粒子線露光装置であって； 上記静電チ
ャックは、基盤と、該基盤の上面に配置された電極と、
該電極上を覆うように形成された絶縁層と、電極の制御
回路とを有しており、 上記電極が、上記基盤上面の中
央部及び一部の周辺部（特定周辺部）からなる第一領域
と、該特定周辺部以外の周辺部（一般周辺部）からなる
第二領域とに分割されており、 上記電源制御回路が、
チャック開始時に、まず上記第一領域の電極に電圧を印
加し、次いである遅れ時間の後に上記第二領域の電極に
電圧を印加することを特徴とする。
【００１４】さらに、上記課題を解決するため、本発明
のウエハ保持方法は、感応基板上にパターンを形成する
露光装置の静電チャック上に感応基板を保持する方法で
あって； 上記静電チャックは、基盤と、該基盤の上面
に配置された電極と、該電極上を覆うように形成された
絶縁層と、電極の制御回路とを有しており、 上記電極
が、上記基盤上面の中央部及び一部の周辺部（特定周辺
部）からなる第一領域と、該特定周辺部以外の周辺部
（一般周辺部）からなる第二領域とに分割されており、
上記電源制御回路が、チャック開始時に、まず上記第
一領域の電極に電圧を印加し、次いである遅れ時間の後
に上記第二領域の電極に電圧を印加して、静電チャック
上に感応基板を吸着保持することを特徴とする。
のウエハ保持方法は、感応基板上にパターンを形成する
露光装置の静電チャック上に感応基板を保持する方法で
あって； 上記静電チャックは、基盤と、該基盤の上面
に配置された電極と、該電極上を覆うように形成された
絶縁層と、電極の制御回路とを有しており、 上記電極
が、上記基盤上面の中央部及び一部の周辺部（特定周辺
部）からなる第一領域と、該特定周辺部以外の周辺部
（一般周辺部）からなる第二領域とに分割されており、
上記電源制御回路が、チャック開始時に、まず上記第
一領域の電極に電圧を印加し、次いである遅れ時間の後
に上記第二領域の電極に電圧を印加して、静電チャック
上に感応基板を吸着保持することを特徴とする。
【００１５】また、上記課題を解決するために、本発明
のデバイス製造方法は、上記ウエハ保持工程と、ウエハ
にパターン形成及びエッチング等の加工を施す工程とを
含むことを特徴とする。
のデバイス製造方法は、上記ウエハ保持工程と、ウエハ
にパターン形成及びエッチング等の加工を施す工程とを
含むことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。まず、本発明の１実施例に係る電子線露光装置の全
体構成を説明する。図４は、本発明の１実施例に係る分
割転写方式の電子線投影露光装置１１の概要を模式的に
示す図である。光学系の最上流に配置されている電子銃
２１は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃２１の
下方にはコンデンサレンズ系２２が備えられている。
る。まず、本発明の１実施例に係る電子線露光装置の全
体構成を説明する。図４は、本発明の１実施例に係る分
割転写方式の電子線投影露光装置１１の概要を模式的に
示す図である。光学系の最上流に配置されている電子銃
２１は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃２１の
下方にはコンデンサレンズ系２２が備えられている。
【００１７】コンデンサレンズ系２２の下には、照明ビ
ーム成形開口２３が備えられている。この成形開口２３
は、マスク（レチクル）２６の一つのサブフィールド
（単位露光パターン領域）を照明する照明ビームのみを
通過させる。この開口２３の像は、照明レンズ２５によ
ってマスク２６に結像される。
ーム成形開口２３が備えられている。この成形開口２３
は、マスク（レチクル）２６の一つのサブフィールド
（単位露光パターン領域）を照明する照明ビームのみを
通過させる。この開口２３の像は、照明レンズ２５によ
ってマスク２６に結像される。
【００１８】ビーム成形開口２３の下方には、ブランキ
ング偏向器やブランキング開口（共に図示せず）、照明
ビーム偏向器２４等が配置されている。ブランキング偏
向器は、照明ビームを偏向させてブランキング開口の非
開口部に当て、ビームがマスク２６に当たらないように
する。照明ビーム偏向器２４は、主に照明ビームを図４
のＸ方向に順次走査して、照明光学系の視野内にあるマ
スク２６の各サブフィールドの照明を行う。
ング偏向器やブランキング開口（共に図示せず）、照明
ビーム偏向器２４等が配置されている。ブランキング偏
向器は、照明ビームを偏向させてブランキング開口の非
開口部に当て、ビームがマスク２６に当たらないように
する。照明ビーム偏向器２４は、主に照明ビームを図４
のＸ方向に順次走査して、照明光学系の視野内にあるマ
スク２６の各サブフィールドの照明を行う。
【００１９】成形開口２３の下方には、照明レンズ２５
が配置されている。照明レンズ２５は、電子線を平行ビ
ーム化してマスク２６に当て、マスク２６上にビーム成
形開口２３を結像させる。
が配置されている。照明レンズ２５は、電子線を平行ビ
ーム化してマスク２６に当て、マスク２６上にビーム成
形開口２３を結像させる。
【００２０】マスク２６は、光軸垂直面内（Ｘ−Ｙ面）
に広がっており多数のサブフィールド（図示せず）を有
する。マスク２６上には、全体として一個の半導体デバ
イスチップをなすパターン（チップパターン）が形成さ
れている。
に広がっており多数のサブフィールド（図示せず）を有
する。マスク２６上には、全体として一個の半導体デバ
イスチップをなすパターン（チップパターン）が形成さ
れている。
【００２１】マスク２６は、ＸＹ方向に移動可能なマス
クステージ２７上に載置されている。照明光学系の視野
を越えて各サブフィールドを照明するためには、マスク
２６を機械的に移動させる。なお、照明光学系の視野内
で各サブフィールドを照明するため、上述のように偏向
器２４で電子線を偏向することができる。
クステージ２７上に載置されている。照明光学系の視野
を越えて各サブフィールドを照明するためには、マスク
２６を機械的に移動させる。なお、照明光学系の視野内
で各サブフィールドを照明するため、上述のように偏向
器２４で電子線を偏向することができる。
【００２２】マスク２６の下方には投影レンズ２８及び
３３並びに偏向器２９等が設けられている。そして、マ
スク２６のあるサブフィールドに照明ビームが当てら
れ、マスク２６のパターン部を通過した電子線は、投影
レンズ２８、３３によって縮小されるとともに、各レン
ズ及び偏向器２９により偏向されてウエハ４５上の所定
の位置に結像される。ウエハ４５上には、適当なレジス
トが塗布されており、レジストに電子ビームのドーズが
与えられ、マスク２６上のパターンが縮小されてウエハ
４５上に転写される。
３３並びに偏向器２９等が設けられている。そして、マ
スク２６のあるサブフィールドに照明ビームが当てら
れ、マスク２６のパターン部を通過した電子線は、投影
レンズ２８、３３によって縮小されるとともに、各レン
ズ及び偏向器２９により偏向されてウエハ４５上の所定
の位置に結像される。ウエハ４５上には、適当なレジス
トが塗布されており、レジストに電子ビームのドーズが
与えられ、マスク２６上のパターンが縮小されてウエハ
４５上に転写される。
【００２３】ウエハ４５上の第２投影レンズ３３の側方
の位置には、Ｚセンサ（光軸方向位置検出器）３７、３
９が設けられている。このＺセンサ３７、３９は、いわ
ゆる斜入射式の光学位置検出器（特開昭５６−４２２０
５号、特開昭５８−１１３７０６号等参照）である。図
の左側のセンサ光源３７から斜め下側に放射された検出
光４１は、ウエハ４５の被露光面に当って斜め上方に反
射し、Ｚセンサ検出器３９に入射する。この検出器３９
に入射するウエハ被露光面からの反射光の特性によっ
て、ウエハ被露光面の高さを検出できる。
の位置には、Ｚセンサ（光軸方向位置検出器）３７、３
９が設けられている。このＺセンサ３７、３９は、いわ
ゆる斜入射式の光学位置検出器（特開昭５６−４２２０
５号、特開昭５８−１１３７０６号等参照）である。図
の左側のセンサ光源３７から斜め下側に放射された検出
光４１は、ウエハ４５の被露光面に当って斜め上方に反
射し、Ｚセンサ検出器３９に入射する。この検出器３９
に入射するウエハ被露光面からの反射光の特性によっ
て、ウエハ被露光面の高さを検出できる。
【００２４】ウエハ４５は、静電チャック１上に吸着固
定されている。静電チャック１は、ＸＹ方向に移動可能
なウエハステージ５３上に載置されている。上記マスク
ステージ２７とウエハステージ５３とを、互いに逆の方
向に同期走査することにより、チップパターン内で多数
配列されたサブフィールドを順次露光することができ
る。なお、両ステージ２７、５３には、レーザ干渉計を
用いた正確な位置測定システムが装備されており、ステ
ージ位置は正確にコントロールされる。正確なステージ
位置と光学系のコントロールにより、ウエハ４５上でマ
スク２６上のサブフィールドの縮小像が正確に繋ぎ合わ
され、マスク２６上のチップパターン全体がウエハ４５
上に転写される。
定されている。静電チャック１は、ＸＹ方向に移動可能
なウエハステージ５３上に載置されている。上記マスク
ステージ２７とウエハステージ５３とを、互いに逆の方
向に同期走査することにより、チップパターン内で多数
配列されたサブフィールドを順次露光することができ
る。なお、両ステージ２７、５３には、レーザ干渉計を
用いた正確な位置測定システムが装備されており、ステ
ージ位置は正確にコントロールされる。正確なステージ
位置と光学系のコントロールにより、ウエハ４５上でマ
スク２６上のサブフィールドの縮小像が正確に繋ぎ合わ
され、マスク２６上のチップパターン全体がウエハ４５
上に転写される。
【００２５】以上の光学系及びステージ等は、鏡筒１３
及びウエハチャンバー５１内に収められている。鏡筒１
３の上部には、ダクト１５を介して真空ポンプ１７が接
続されている。このポンプ１７を運転することにより、
鏡筒１３及びチャンバー５１内が真空雰囲気となる。
及びウエハチャンバー５１内に収められている。鏡筒１
３の上部には、ダクト１５を介して真空ポンプ１７が接
続されている。このポンプ１７を運転することにより、
鏡筒１３及びチャンバー５１内が真空雰囲気となる。
【００２６】次に、本実施例の静電チャック１について
図１〜図３に基づき説明する。図１は静電チャックの概
略構成を示す平面図である。図２は図１の静電チャック
の基盤上面を表す平面図である。図３は図１の静電チャ
ックのＡ−Ａ断面図である。なお、以下に用いられる諸
数値は一例であり、本発明の適用範囲内で変更可能であ
る。
図１〜図３に基づき説明する。図１は静電チャックの概
略構成を示す平面図である。図２は図１の静電チャック
の基盤上面を表す平面図である。図３は図１の静電チャ
ックのＡ−Ａ断面図である。なお、以下に用いられる諸
数値は一例であり、本発明の適用範囲内で変更可能であ
る。
【００２７】静電チャック１は、図３に示すように、絶
縁材料等から成る円盤状の基盤６０を中心に構成されて
いる。この基盤６０上面には、チャック制御電源６１
（図１参照）からチャック電圧を印加される第一電極６
２及び第二電極６３が設けられており、両電極６２、６
３を覆うように絶縁層６４が形成されている。絶縁層６
４表面がウエハ４５の被吸着面を吸着するチャック面と
なる。
縁材料等から成る円盤状の基盤６０を中心に構成されて
いる。この基盤６０上面には、チャック制御電源６１
（図１参照）からチャック電圧を印加される第一電極６
２及び第二電極６３が設けられており、両電極６２、６
３を覆うように絶縁層６４が形成されている。絶縁層６
４表面がウエハ４５の被吸着面を吸着するチャック面と
なる。
【００２８】図２に示すように、静電チャック１の基盤
６０上面を円形状中央部６０ａ及び同中央部と繋がった
一部の周辺部（特定周辺部６０ｂ）から成る第一領域６
０ｃと、上記特定周辺部６０ｂ以外の周辺部（一般周辺
部６０ｄ）から成る第二領域に区分する。このとき図１
及び図２を照らし合わせると、第一電極６２は上記第一
領域６０ｃを覆って配置されている一方、第二電極６３
は第二領域６０ｄを覆って配置されている。なお、本実
施例では第一領域６０ｃは中央部と特定周辺部が連続し
て構成されることとしたが、中央部と特定周辺部が必ず
しも連続している必要はない。また、図１に最も分かり
易く示すように、両電極６２、６３は紙面左右に対称な
等面積の部分電極６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６３ｂに分
割されている。
６０上面を円形状中央部６０ａ及び同中央部と繋がった
一部の周辺部（特定周辺部６０ｂ）から成る第一領域６
０ｃと、上記特定周辺部６０ｂ以外の周辺部（一般周辺
部６０ｄ）から成る第二領域に区分する。このとき図１
及び図２を照らし合わせると、第一電極６２は上記第一
領域６０ｃを覆って配置されている一方、第二電極６３
は第二領域６０ｄを覆って配置されている。なお、本実
施例では第一領域６０ｃは中央部と特定周辺部が連続し
て構成されることとしたが、中央部と特定周辺部が必ず
しも連続している必要はない。また、図１に最も分かり
易く示すように、両電極６２、６３は紙面左右に対称な
等面積の部分電極６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６３ｂに分
割されている。
【００２９】図１に示すように、第一電極６２の部分電
極６２ａはチャック制御電源６１のプラス電源６１ａに
接続されており、一方、第一電極６２の部分電極６２ｂ
は同制御電源６１のマイナス電源６１ｂに接続されてい
る。第二電極６３の部分電極６３ａは遅延回路６５を介
して上記プラス電源６１ａに接続されており、一方、第
二電極６３の部分電極６３ｂは遅延回路６６を介して上
記マイナス電源６１ｂに接続されている。
極６２ａはチャック制御電源６１のプラス電源６１ａに
接続されており、一方、第一電極６２の部分電極６２ｂ
は同制御電源６１のマイナス電源６１ｂに接続されてい
る。第二電極６３の部分電極６３ａは遅延回路６５を介
して上記プラス電源６１ａに接続されており、一方、第
二電極６３の部分電極６３ｂは遅延回路６６を介して上
記マイナス電源６１ｂに接続されている。
【００３０】チャック制御電源６１のプラス電源６１ａ
の電圧値＝＋５００Ｖ、及び、同制御電源６１のマイナ
ス電源６１ｂの電圧値＝−５００Ｖであり、同制御電源
６１にはアース６１ｃも設けられている。両遅延回路６
５、６６は、部分電極６２ａ、６２ｂへの電圧印加実行
から所定の遅れ時間、例えば５００ｍｓ遅れて部分電極
６３ａ、６３ｂへの電圧印加を実行する。すなわち、部
分電極６２ａに＋５００Ｖの電圧が印加されてから５０
０ｍｓ後に部分電極６３ａに＋５００Ｖの電圧が印加さ
れ、部分電極６２ｂに−５００Ｖの電圧が印加されてか
ら５００ｍｓ後に部分電極６３ｂに−５００Ｖの電圧が
印加される。
の電圧値＝＋５００Ｖ、及び、同制御電源６１のマイナ
ス電源６１ｂの電圧値＝−５００Ｖであり、同制御電源
６１にはアース６１ｃも設けられている。両遅延回路６
５、６６は、部分電極６２ａ、６２ｂへの電圧印加実行
から所定の遅れ時間、例えば５００ｍｓ遅れて部分電極
６３ａ、６３ｂへの電圧印加を実行する。すなわち、部
分電極６２ａに＋５００Ｖの電圧が印加されてから５０
０ｍｓ後に部分電極６３ａに＋５００Ｖの電圧が印加さ
れ、部分電極６２ｂに−５００Ｖの電圧が印加されてか
ら５００ｍｓ後に部分電極６３ｂに−５００Ｖの電圧が
印加される。
【００３１】なお、図１では第一電極６２及び第二電極
６３を等面積の部分電極６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６３
ｂに分割して、各部分電極６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６
３ｂに互いに逆符号の電圧を印加している。これによ
り、本実施例では、ウエハ４５を接地しなくともチャッ
ク動作を行うことができるようになっている。なお、電
子線露光装置などのようにウエハを接地する必要がある
場合には、第一電極及び第二電極を等面積の部分電極に
分割しなくても、第一電極及び第二電極に正または負の
一方の電圧を印加すればチャック動作を行うことができ
るので、チャック電圧印加用のリード線の本数を２本に
抑えることができる。
６３を等面積の部分電極６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６３
ｂに分割して、各部分電極６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６
３ｂに互いに逆符号の電圧を印加している。これによ
り、本実施例では、ウエハ４５を接地しなくともチャッ
ク動作を行うことができるようになっている。なお、電
子線露光装置などのようにウエハを接地する必要がある
場合には、第一電極及び第二電極を等面積の部分電極に
分割しなくても、第一電極及び第二電極に正または負の
一方の電圧を印加すればチャック動作を行うことができ
るので、チャック電圧印加用のリード線の本数を２本に
抑えることができる。
【００３２】次に、本実施例の静電チャック１を用いた
ウエハ４５の保持工程について説明する。ウエハ４５の
周辺部が下に反っている場合、該周辺部はウエハ４５の
中央部に比べて上記チャック面に近接している。そこ
で、まず第一電極６２の部分電極６２ａに＋５００Ｖの
電圧が印加され、同第一電極６２の部分電極６２ｂに−
５００Ｖの電圧が印加される。このため、ウエハ４５の
被吸着面の特定周辺部がチャック面に吸着される。これ
に伴い、静電チャック１の特定周辺部６０ｂにつながる
中央部でのウエハ４５と静電チャック１の隙間が狭くな
るので、上記数式１から結論されるように、中央部での
チャック圧力Ｐが上がる。このため、ウエハ４５の反り
が矯正されながら、その中央部がチャック面に吸着され
る。
ウエハ４５の保持工程について説明する。ウエハ４５の
周辺部が下に反っている場合、該周辺部はウエハ４５の
中央部に比べて上記チャック面に近接している。そこ
で、まず第一電極６２の部分電極６２ａに＋５００Ｖの
電圧が印加され、同第一電極６２の部分電極６２ｂに−
５００Ｖの電圧が印加される。このため、ウエハ４５の
被吸着面の特定周辺部がチャック面に吸着される。これ
に伴い、静電チャック１の特定周辺部６０ｂにつながる
中央部でのウエハ４５と静電チャック１の隙間が狭くな
るので、上記数式１から結論されるように、中央部での
チャック圧力Ｐが上がる。このため、ウエハ４５の反り
が矯正されながら、その中央部がチャック面に吸着され
る。
【００３３】次に５００ｍｓ遅れて、第二電極６３の部
分電極６３ａに＋５００Ｖの電圧が印加され、同第二電
極６３の部分電極６３ｂに−５００Ｖの電圧が印加され
る。これにより、ウエハ４５の被吸着面の一般周辺部が
上記チャック面に吸着されて、ウエハ４５が全面的に静
電チャック１６に吸着固定される。このため、ウエハ４
５各部の静電チャック１への熱伝導が高くなる。したが
って、ウエハ４５へのパターン形成やエッチング等の加
工処理中に亘ってウエハ４５の熱膨張を抑えることがで
き、露光や測定等の高精度な処理が実現される。基板及
び絶縁層を、酸化ベリリウムＢｅＯを添加したシリコン
カーバイド（ＳｉＣ）セラミックスで形成すると、これ
らの材料がＣｕより大きい熱発散率をもっているので、
ウエハの温度上昇をより小さく抑えることができる。
分電極６３ａに＋５００Ｖの電圧が印加され、同第二電
極６３の部分電極６３ｂに−５００Ｖの電圧が印加され
る。これにより、ウエハ４５の被吸着面の一般周辺部が
上記チャック面に吸着されて、ウエハ４５が全面的に静
電チャック１６に吸着固定される。このため、ウエハ４
５各部の静電チャック１への熱伝導が高くなる。したが
って、ウエハ４５へのパターン形成やエッチング等の加
工処理中に亘ってウエハ４５の熱膨張を抑えることがで
き、露光や測定等の高精度な処理が実現される。基板及
び絶縁層を、酸化ベリリウムＢｅＯを添加したシリコン
カーバイド（ＳｉＣ）セラミックスで形成すると、これ
らの材料がＣｕより大きい熱発散率をもっているので、
ウエハの温度上昇をより小さく抑えることができる。
【００３４】次に上記説明した電子線転写露光装置を利
用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図５は、
微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
製造のフローを示す。
用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図５は、
微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
製造のフローを示す。
【００３５】ステップ１（回路設計）では、半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）で
は、設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。この時、パターンについて局所的にリサイズを施す
ことにより近接作用や空間電荷効果によるビームボケの
補正を行ってもよい。一方、ステップ３（ウエハ製造）
では、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）で
は、設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。この時、パターンについて局所的にリサイズを施す
ことにより近接作用や空間電荷効果によるビームボケの
補正を行ってもよい。一方、ステップ３（ウエハ製造）
では、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【００３６】ステップ４（酸化）では、ウエハの表面を
酸化させる。ステップ５（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ６（電極形成）では、ウエ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ７（イオ
ン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステッ
プ８（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布す
る。この処理後、上述の方法によってウエハの吸着面を
静電チャックのチャック面に吸着させて、ウエハを保持
固定する。ステップ９（電子ビーム露光）では、ステッ
プ２で作ったマスクを用いて電子ビーム転写装置によっ
て、マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ス
テップ１０（光露光）では、同じくステップ２で作った
光露光用マスクを用いて、光ステッパーによってマスク
の回路パターンをウエハに焼付露光する。この前又は後
に、電子ビームの後方散乱電子を均一化する近接効果補
正露光を行ってもよい。
酸化させる。ステップ５（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ６（電極形成）では、ウエ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ７（イオ
ン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステッ
プ８（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布す
る。この処理後、上述の方法によってウエハの吸着面を
静電チャックのチャック面に吸着させて、ウエハを保持
固定する。ステップ９（電子ビーム露光）では、ステッ
プ２で作ったマスクを用いて電子ビーム転写装置によっ
て、マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ス
テップ１０（光露光）では、同じくステップ２で作った
光露光用マスクを用いて、光ステッパーによってマスク
の回路パターンをウエハに焼付露光する。この前又は後
に、電子ビームの後方散乱電子を均一化する近接効果補
正露光を行ってもよい。
【００３７】ステップ１１（現像）では、露光したウエ
ハを現像する。ステップ１２（エッチング）では、レジ
スト像以外の部分を選択的に削り取る。ステップ１３
（レジスト剥離）では、エッチングがすんで不要となっ
たレジストを取り除く。ステップ４からステップ１３を
繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。
ハを現像する。ステップ１２（エッチング）では、レジ
スト像以外の部分を選択的に削り取る。ステップ１３
（レジスト剥離）では、エッチングがすんで不要となっ
たレジストを取り除く。ステップ４からステップ１３を
繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。
【００３８】ステップ１４（組立）は、後工程と呼ば
れ、上の工程によって作製されたウエハを用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ１５（検査）では、ステ
ップ１４で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成しこれが出荷（ステップ１６）さ
れる。
れ、上の工程によって作製されたウエハを用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ１５（検査）では、ステ
ップ１４で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成しこれが出荷（ステップ１６）さ
れる。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ウエハの周辺部が下に反っている場合であっ
ても、ウエハの全面を確実に吸着することができる。こ
のため、ウエハのパターン形成面中央部の加工処理時に
該中央部等が温度上昇せず、ウエハの熱膨張を抑え、露
光や測定等の高精度な処理を実現することができる。
によれば、ウエハの周辺部が下に反っている場合であっ
ても、ウエハの全面を確実に吸着することができる。こ
のため、ウエハのパターン形成面中央部の加工処理時に
該中央部等が温度上昇せず、ウエハの熱膨張を抑え、露
光や測定等の高精度な処理を実現することができる。
【図１】本発明の静電チャックの概略構成を示す平面図
である。
である。
【図２】図１の静電チャックの基盤上面を表す平面図で
ある。
ある。
【図３】図１の静電チャックのＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１の静電チャックを備える分割転写方式の電
子線投影露光装置の概要を模式的に示す図である。
子線投影露光装置の概要を模式的に示す図である。
【図５】微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す。
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す。
１ 静電チャック １１ 電子線投影
露光装置 ２１ 電子銃 ２２ コンデン
サレンズ系 ２３ 照明ビーム成形開口 ２４ 照明ビー
ム偏向器 ２５ 照明レンズ ２８、３３ 投
影レンズ ２９ 偏向器 ４５ ウエハ ５３ ウエハステージ ６０ 基盤 ６１ チャック制御電源 ６２ 第一電極 ６３ 第二電極 ６４ 絶縁層 ６５、６６ 遅延回路 ６０ａ 中央部 ６０ｂ 特定周辺部 ６０ｃ 第一領
域 ６０ｄ 第二領域（一般周辺部） ６１ａ プラス
電源 ６１ｂ マイナス電源 ６１ｃ アース ６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６３ｂ 部分電極
露光装置 ２１ 電子銃 ２２ コンデン
サレンズ系 ２３ 照明ビーム成形開口 ２４ 照明ビー
ム偏向器 ２５ 照明レンズ ２８、３３ 投
影レンズ ２９ 偏向器 ４５ ウエハ ５３ ウエハステージ ６０ 基盤 ６１ チャック制御電源 ６２ 第一電極 ６３ 第二電極 ６４ 絶縁層 ６５、６６ 遅延回路 ６０ａ 中央部 ６０ｂ 特定周辺部 ６０ｃ 第一領
域 ６０ｄ 第二領域（一般周辺部） ６１ａ プラス
電源 ６１ｂ マイナス電源 ６１ｃ アース ６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６３ｂ 部分電極
Claims (6)
- 【請求項１】 基盤と、該基盤の上面に配置された電極
と、該電極上を覆うように形成された絶縁層と、電極の
制御回路と、を備える静電チャックであって；上記電極
が、上記基盤上面の中央部及び一部の周辺部（特定周辺
部）からなる第一領域と、該特定周辺部以外の周辺部
（一般周辺部）からなる第二領域とに分割されており、 上記電源制御回路が、チャック開始時に、まず上記第一
領域の電極に電圧を印加し、次いである遅れ時間の後に
上記第二領域の電極に電圧を印加することを特徴とする
静電チャック。 - 【請求項２】 上記第一領域の電極及び上記第二領域の
電極が、それぞれ面積の等しい２つの部分電極に分割さ
れており、各部分電極に互いに逆符号の電圧が印加され
ることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。 - 【請求項３】 荷電粒子線を感応基板上に結像させる光
学系と、感応基板を保持する静電チャックと、を具備す
る荷電粒子線露光装置であって；上記静電チャックは、
基盤と、該基盤の上面に配置された電極と、該電極上を
覆うように形成された絶縁層と、電極の制御回路とを有
しており、 上記電極が、上記基盤上面の中央部及び一部の周辺部
（特定周辺部）からなる第一領域と、該特定周辺部以外
の周辺部（一般周辺部）からなる第二領域とに分割され
ており、 上記電源制御回路が、チャック開始時に、まず上記第一
領域の電極に電圧を印加し、次いである遅れ時間の後に
上記第二領域の電極に電圧を印加することを特徴とする
荷電粒子線露光装置。 - 【請求項４】 感応基板上にパターンを形成する露光装
置の静電チャック上に感応基板を保持する方法であっ
て；上記静電チャックは、基盤と、該基盤の上面に配置
された電極と、該電極上を覆うように形成された絶縁層
と、電極の制御回路とを有しており、 上記電極を、上記基盤上面の中央部及び一部の周辺部
（特定周辺部）からなる第一領域と、該特定周辺部以外
の周辺部（一般周辺部）からなる第二領域とに分割し、 チャック開始時に、まず上記第一領域の電極に電圧を印
加し、次いである遅れ時間の後に上記第二領域の電極に
電圧を印加して、静電チャック上に感応基板を吸着保持
することを特徴とするウエハ保持方法。 - 【請求項５】 請求項１〜２記載の静電チャックにおい
て、上記基板あるいは上記絶縁層がＢｅＯを添加したシ
リコンカーバイド（ＳｉＣ）セラミックスであることを
特徴とする静電チャック。 - 【請求項６】 請求項４記載のウエハ保持工程と、ウエ
ハにパターン形成及びエッチング等の加工を施す工程と
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32546399A JP2001144168A (ja) | 1999-11-16 | 1999-11-16 | 静電チャック、それを有する荷電粒子線露光装置、ウエハ保持方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| US09/715,445 US6487063B1 (en) | 1999-11-16 | 2000-11-16 | Electrostatic wafer chuck, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32546399A JP2001144168A (ja) | 1999-11-16 | 1999-11-16 | 静電チャック、それを有する荷電粒子線露光装置、ウエハ保持方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144168A true JP2001144168A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18177163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32546399A Pending JP2001144168A (ja) | 1999-11-16 | 1999-11-16 | 静電チャック、それを有する荷電粒子線露光装置、ウエハ保持方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6487063B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001144168A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US7205540B2 (en) | 2001-09-06 | 2007-04-17 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and device manufacturing method using same |
| JP2015500561A (ja) * | 2011-11-18 | 2015-01-05 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | マイクロデバイス転写ヘッドのヒータアセンブリ及びマイクロデバイスを転写する方法 |
| JP2015507839A (ja) * | 2011-11-18 | 2015-03-12 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | マイクロデバイス転写ヘッド |
| US9831383B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-11-28 | Apple Inc. | LED array |
| US10297712B2 (en) | 2011-11-18 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Micro LED display |
| CN113574652A (zh) * | 2019-03-18 | 2021-10-29 | 日本碍子株式会社 | 静电卡盘 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2003115442A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置におけるレチクル又はウエハの静電チャック方法 |
| WO2004093159A2 (en) * | 2003-04-09 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Immersion lithography fluid control system |
| JP2005285825A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Advantest Corp | 静電チャック及び静電チャックによる基板固定方法 |
| CN102044466B (zh) * | 2009-10-12 | 2013-03-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种静电卡盘及其残余电荷的消除方法 |
| US8581217B2 (en) | 2010-10-08 | 2013-11-12 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Method for monitoring ion implantation |
| US9460950B2 (en) * | 2013-12-06 | 2016-10-04 | Applied Materials, Inc. | Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces |
| US11830754B2 (en) * | 2021-03-26 | 2023-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing method and apparatus |
Family Cites Families (12)
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