WO2018124211A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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cleaning
semiconductor wafer
cleaned
cleaning brush
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PCT/JP2017/047028
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崇広 濱田
林　航之介
裕次 長嶋
洋輝 神山
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芝浦メカトロニクス株式会社
中興化成工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for cleaning a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate using a cleaning brush.
  • a lithography process in which a circuit pattern is formed on a semiconductor wafer or glass substrate as a substrate.
  • a resist is applied to a semiconductor wafer, light is irradiated through a mask in which a circuit pattern is formed on the resist, and then a portion of the resist not irradiated with light (or a portion irradiated with light) is removed. Then, the circuit pattern is formed by repeating a series of steps of processing the removed portion several tens of times.
  • a batch type in which a plurality of semiconductor wafers are immersed in a cleaning tank in which a cleaning liquid is stored for cleaning, a single substrate is rotated, and the cleaning liquid is sprayed onto the substrate.
  • a single wafer type for cleaning and a single wafer type having a high cleaning effect tends to be used with an increase in the size of the substrate.
  • the single wafer type substrate processing apparatus includes a spin type substrate processing apparatus that rotates and cleans a semiconductor wafer.
  • this substrate processing apparatus in order to further improve the cleaning effect, the upper surface of the rotated semiconductor wafer is provided.
  • a cleaning brush that is driven to rotate is brought into contact, and a cleaning liquid (water, ultrapure water, or the like) is supplied to the contact portion to scrub the semiconductor wafer.
  • a cleaning brush a PVA brush, a bristle brush or the like is used as the cleaning brush.
  • the substrate processing apparatus described above has the following problems. That is, in recent years, with higher miniaturization of semiconductor devices, higher cleanliness has been demanded. In addition to contact cleaning, chemicals (ammonia, sulfuric acid, hydrogen peroxide, ozone water, ammonia and hydrogen peroxide water) are used as cleaning liquids. In combination with chemical chemical cleaning using a mixed liquid (APM), a mixed liquid of hydrochloric acid and hydrogen peroxide (SC-2), a surfactant, and the like). Furthermore, it is also practiced to heat the chemical solution / water / ultra pure water to increase the ability to remove particles. However, since the main component of the cleaning brush is inferior in heat resistance and chemical resistance, there is a problem that the type and temperature of the cleaning liquid are limited and the cleanliness cannot be increased.
  • the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention are configured as follows.
  • a holding unit capable of holding the substrate and a surface to be cleaned of the substrate held by the holding unit are arranged to face each other, and the porous fluororesin fibers are arranged as described above.
  • a cleaning brush formed in a direction perpendicular to the surface of the substrate; a drive source that rotates the normal direction of the surface to be cleaned of the substrate held by the holding unit as a substrate rotation axis; and And a supply unit that supplies a cleaning liquid to the surface to be cleaned of the substrate held by the holding unit.
  • a cleaning liquid is supplied to the surface to be cleaned of the substrate held by a holding unit, and is disposed opposite to the surface to be cleaned of the substrate held by the holding unit.
  • the fluororesin fiber is contacted with a cleaning brush formed in a direction perpendicular to the surface to be processed of the substrate, and the holding portion is set to the substrate rotation axis as the normal direction of the surface to be cleaned of the substrate. Rotating drive.
  • the present invention it is possible to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing cleaning with high cleanliness.
  • FIG. 1A is a longitudinal sectional view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a perspective view showing a main part of the substrate processing apparatus by cutting.
  • FIG. 2 is a plan view showing a cleaning unit incorporated in the substrate processing apparatus.
  • FIG. 3 is an explanatory view schematically showing a relationship between a cleaning brush provided in the cleaning section and a semiconductor wafer.
  • FIG. 4 is an enlarged side view showing a main part of the cleaning brush.
  • FIG. 5 is an explanatory view schematically showing the relationship between the cleaning brush unit of the comparative example and the semiconductor wafer when provided in the cleaning section.
  • FIG. 6 is an enlarged side view showing a main part of the cleaning brush of the comparative example.
  • FIG. 1A is a longitudinal sectional view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a perspective view showing a main part of the substrate processing apparatus by cutting.
  • FIG. 2 is
  • FIG. 7 is an explanatory diagram showing the removal rate for each particle size in the PTFE fiber direction of the cleaning brush and the cleaning brush of the comparative example.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a modified example of the cleaning brush unit.
  • FIG. 9 is a perspective view showing another modified example of the cleaning brush unit.
  • FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a cleaning brush incorporated in the substrate processing apparatus.
  • FIG. 1A is a longitudinal sectional view showing a substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a perspective view showing a main part of the substrate processing apparatus 10 by cutting
  • 2 is a plan view showing a cleaning unit incorporated in the substrate processing apparatus 10.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing the relationship between the cleaning brush unit 41 provided in the cleaning unit and the semiconductor wafer W.
  • FIG. 5 is an explanatory view schematically showing the relationship between the cleaning brush unit 41 of the comparative example provided in the cleaning part and the semiconductor wafer W
  • FIG. 6 is a comparison.
  • FIG. 7 is an explanatory view showing the removal rate for each particle size depending on the PTFE fiber direction of the cleaning brush 41a and the cleaning brush 41A of the comparative example.
  • Pa represents particles having a particle size (particle size) of 10 nm to less than 50 nm
  • Pb represents particles having a particle size of 50 nm to 80 nm.
  • the particles Pa and Pb are dust adhering to the semiconductor wafer W and include not only those that are simply placed on the surface of the semiconductor wafer W but also those that are caught on the semiconductor wafer W substrate. For this reason, it has the property that it cannot be removed only by the force of the momentum generated by flowing water over the semiconductor wafer W.
  • a substrate processing apparatus 10 includes a processing container 11.
  • the processing container 11 includes a bottomed cylindrical main body portion 11a having an open upper surface, and a conical cylindrical cover portion 11b that is slidable with respect to the main body portion 11a and has an inclined peripheral wall. Can be slid up and down by a driving mechanism (not shown).
  • one end of a plurality of discharge pipes 12 is connected to the periphery, and an insertion hole 14 surrounded by a flange 13 is formed at the center.
  • a support shaft 15 is inserted through the insertion hole 14. The upper part of the support shaft 15 protrudes into the processing container 11, and the lower end part is fixed to a base plate 16 disposed below the processing container 11.
  • the discharge pipe 12 communicates with a waste liquid tank (not shown).
  • a rotating chuck (holding portion) 21 is supported on the support shaft 15 so as to be rotatable about the normal direction of the semiconductor wafer W as a substrate rotation axis.
  • the rotary chuck 21 has a disk-shaped base 22 provided with a through hole 22a in the center.
  • a cylindrical support portion 23 is provided on the lower surface of the base 22, that is, at a position corresponding to the through hole 22 a with the central axis as the vertical direction.
  • the support portion 23 is fitted on the outer peripheral side of the support shaft 15, and the upper and lower portions of the support shaft 15 are rotatably supported by bearings 24.
  • a driven pulley 25 is provided on the outer peripheral surface of the lower end portion of the support portion 23.
  • a motor 26 is provided on the base plate 16, and a drive pulley 27 is fitted on a rotating shaft 26 a of the motor 26.
  • a belt 28 is stretched between the driving pulley 27 and the driven pulley 25. Therefore, when the motor 26 is operated, the support portion 23, that is, the rotary chuck 21 is rotationally driven.
  • struts 29 are provided on the upper surface of the base 22 of the rotary chuck 21 so as to face upward in the circumferential direction.
  • a support pin 31a and an engagement pin 31b that is outward from the support pin 31a and taller than the support pin 31a are provided at the upper end of each support column 29 so as to protrude.
  • a semiconductor wafer W as a substrate is supported so that the lower surface of the peripheral portion is supported by the support pins 31a and the outer peripheral surface is engaged with the engagement pins 31b so as to be detachable. Accordingly, the semiconductor wafer W is rotated integrally with the rotary chuck 21.
  • the support shaft 15 is provided with a conical head 40 having a diameter larger than that of the support shaft 15 at the upper end.
  • the support shaft 15 has a gas supply path 40 a for an inert gas such as nitrogen gas whose tip is opened on the upper surface of the head 40, and a cleaning liquid supply of the cleaning liquid L whose tip is also opened on the upper surface of the head 40.
  • a path 40b is formed along the axial direction.
  • the gas supply path 40a communicates with a gas supply source (not shown), and the cleaning liquid supply path 40b communicates with a supply source of the cleaning liquid L (not shown).
  • the inert gas supplied to the gas supply path 40a is ejected toward the semiconductor wafer W held by the support column 29, and the cleaning liquid L supplied to the cleaning liquid supply path 40b passes through the nozzle hole 40c at the front end of the semiconductor wafer W. Erupted toward.
  • a circular cleaning brush unit 41 for cleaning the upper surface of the semiconductor wafer W is disposed on the surface (upper surface) Wa side of the semiconductor wafer W held by the rotary chuck 21.
  • the cleaning brush unit 41 includes a cleaning brush 41a and a brush holder 41b.
  • the cleaning brush 41a is formed in a columnar shape, and its axial direction is perpendicular to the surface to be cleaned of the semiconductor wafer.
  • the brush holder 41b is fitted and provided.
  • the cleaning brush 41a is swung along the radial direction of the semiconductor wafer W by the swing mechanism 42 together with the brush holder 41b. That is, the swing mechanism 42 has a hollow cylindrical horizontal arm 43.
  • a rotary motor 44 as a drive source is built in the front end portion of the horizontal arm 43 with the rotary shaft 44a being vertical, and a brush holder 41b is attached to the rotary shaft 44a.
  • the cleaning brush 41a is formed of a porous PTFE material (polytetrafluoroethylene) fiber (hereinafter referred to as “PTFE fiber”), which is one of fluororesins.
  • PTFE fiber porous PTFE material (polytetrafluoroethylene) fiber
  • the cleaning brush 41a is formed so that the PTFE fiber direction is vertical. Specifically, as shown in FIG. 3, the direction in which the fibers of the cleaning brush 41 a extend is arranged perpendicular to the upper surface of the semiconductor wafer W as a whole. That is, the fibers (fibrils) are formed so as to extend in a direction perpendicular to the upper surface of the semiconductor wafer W as a whole.
  • the node (island-like thing) which connects a fiber is formed in parallel with respect to the upper surface of the semiconductor wafer W so that it may mention later.
  • the gaps between the fibers on the surface in contact with the upper surface of the semiconductor wafer W are not formed at regular intervals, but are formed at irregular intervals, for example, 10 nm to 500 nm. .
  • FIG. 4 shows an enlarged side view of the main part of the cleaning brush 41a, that is, the porous PTFE material 100.
  • the porous PTFE material 100 includes a plurality of nodes 101 distributed in an island shape, and a plurality of fibers 102 oriented from these nodes 101 in the extending direction (lateral).
  • a gap 103 exists between the fibers 102.
  • the gap 103 can be a continuous pore or an independent pore.
  • a cleaning brush 41A in which the fiber direction of the porous PTFE material 100 is formed horizontally will be described.
  • fibers are formed to extend in parallel to the upper surface of the semiconductor wafer W.
  • the node (island-like) connecting the fibers is formed in a direction perpendicular to the upper surface of the semiconductor wafer W.
  • the gaps between the nodes (the length of the fiber extending from each node) on the surface that contacts the upper surface of the semiconductor wafer W are not formed at regular intervals, but are formed at irregular intervals, for example, , 300 nm to 500 nm in size.
  • FIG. 6 is an enlarged side view showing the main part of the cleaning brush 41A, that is, the porous PTFE material 100.
  • the porous PTFE material 100 includes a plurality of nodes 101 distributed in an island shape, and a plurality of fibers 102 oriented from these nodes 101 in the extending direction (longitudinal).
  • a gap 103 exists between the fibers 102.
  • the gap 103 can be a continuous pore or an independent pore.
  • Fig. 7 shows the removal performance for each particle size according to the PTFE fiber direction. That is, when the PTFE fiber direction is vertical (cleaning brush 41a), the removal performance is higher than when the PTFE fiber direction is horizontal (cleaning brush 41A) over a particle size range of 10 to 80 nm. Therefore, in the present embodiment, the cleaning brush 41a in which the fiber direction of the porous PTFE material 100 is vertical is used.
  • Particles present on the upper surface of the semiconductor wafer W enter the cleaning brush 41a.
  • the entering particles are caught between the fibers on the bottom surface (contact surface with the semiconductor wafer W) of the cleaning brush 41a.
  • the caught particles are pulled by the cleaning brush 41a that moves relative to the semiconductor wafer W and peeled off from the upper surface of the semiconductor wafer W.
  • particles having a size that does not enter between the bottom surface of the cleaning brush 41a and the surface of the semiconductor wafer W hit the end surface of the cleaning brush 41a.
  • the hit particles are moved to the end of the semiconductor wafer W so as to be swept with a broom by the swing of the cleaning brush 41a.
  • the reason why the removal performance is higher than that in the case where the PTFE fiber direction is vertical compared to the case where the PTFE fiber direction is horizontal will be considered. That is, when the fiber direction of the porous PTFE material 100 is set to be vertical, the spacing between the fibers of the cleaning brush 41a is irregularly formed. It is formed in various sizes (10 nm to 500 nm). In a portion where the distance between the fibers is narrow (less than 50 nm), small-sized particles Pa that fit the size of the distance between the fibers can enter. Therefore, it is considered that the removal rate for removing small particles Pa is high. Where the distance between the fibers is slightly wide (50 nm or more), large-sized particles Pb that fit the distance between the fibers can enter. Therefore, it is considered that the removal rate for removing both small particles Pa and relatively large particles Pb is high.
  • the distance between the nodes on the surface in contact with the upper surface of the semiconductor wafer W is 300 to 500 nm. Since the particle Pa and the particle Pb are small relative to the size of the gap between the brush nodes, even if the particle Pa enters the gap between the nodes, there is a difference between the gap and the particle size, so the particles Pa and Pb are The particles Pa and Pb remain on the upper surface of the semiconductor wafer W without being held in the gap between the nodes and being caught by the cleaning brush 41A. That is, since the particles Pa and Pb cannot enter, it is considered that the particle removal performance is low.
  • the nozzle pipe (supply part) 45 connected to the supply source of the cleaning liquid L (not shown) is inserted into the horizontal arm 43.
  • the tip of the nozzle tube 45 is led downward from the tip of the horizontal arm 43, and the opening of the tip is directed to the outer peripheral surface of the cleaning brush 41a. Accordingly, the cleaning liquid L is supplied from the radially outer side of the cleaning brush 41a by the nozzle tube 45.
  • the cleaning liquid L is, for example, ammonia, sulfuric acid, hydrogen peroxide solution, ozone water, a mixed solution (APM) of ammonia and hydrogen peroxide solution, a chemical solution containing any of surfactants, or water / ultra pure water. .
  • the cleaning liquid L may be heated.
  • APM mixed solution
  • the porous PTFE material which is the main component of the cleaning brush 41a described above, is excellent in heat resistance and chemical resistance, and is hardly deteriorated by the cleaning liquid L. For this reason, various chemical
  • the supply direction A of the cleaning liquid L supplied from the nozzle tube 45 toward the cleaning brush unit 41 is substantially tangential to the cleaning brush unit 41 as shown in FIG.
  • the direction is set along the rotation direction B of the unit 41.
  • the rotation direction of the cleaning brush unit 41 may be either the same direction as the rotation direction of the semiconductor wafer W or the opposite direction.
  • the upper end of the swing shaft 46 whose axis is perpendicular to the end of the horizontal arm 43 is connected.
  • the lower end portion of the swing shaft 46 protrudes below the base plate 16 and is supported by the support body 47 so as to be swingable.
  • a pair of guides 48 are provided on one side surface of the support 47 along the vertical direction, and the guides 48 are rails provided on one side surface of the mounting plate 49 provided on the lower surface of the base plate 16 along the vertical direction. 50 is slidably engaged.
  • a vertical drive motor 51 is provided at a portion below the support 47 of the mounting plate 49.
  • the vertical drive motor 51 has a drive shaft 52 such as a screw shaft, for example, and the drive shaft 52 is fitted to the support 47.
  • the support body 47 is vertically driven along the rail 50. That is, the cleaning brush unit 41 is driven up and down via the support 47, the swing shaft 46 and the horizontal arm 43.
  • a swing drive source 53 is attached to the other side of the support 47.
  • the swing drive source 53 includes a storage box 54 and a motor 55 provided on the lower surface of the storage box 54.
  • a drive gear (not shown) that is rotationally driven by a motor 55 is accommodated in the storage box 54.
  • a driven gear (not shown) is provided at the lower end portion supported by the support 47 of the swing shaft 46, and a belt is stretched between the driven gear and the drive gear. Therefore, the swing shaft 46 swings within a predetermined angle range when the motor 55 of the swing drive source 53 operates.
  • the cleaning brush unit 41 provided at the distal end of the horizontal arm 43 has a solid line and a broken line in FIG.
  • the semiconductor wafer W held on the rotary chuck 21 is swung between the central portion and the peripheral portion in the radial direction.
  • This swing range is indicated by an arrow D in FIG.
  • the rotary motor 44 that rotationally drives the cleaning brush unit 41 is connected to the control device 90.
  • the control device 90 supplies power to the rotary motor 44 and drives the cleaning brush unit 41 up and down by the up and down drive motor 51.
  • the control device 90 appropriately controls parameters of each mechanism, for example, the pressing amount, the rotation speed, the swing speed, and the discharge amount of the cleaning liquid L.
  • the semiconductor wafer W subjected to the CMP process is cleaned by the substrate processing apparatus 10 configured as described above. Due to the CMP process, residues such as slurry containing organic matter and shavings of the semiconductor wafer W remain on the upper surface of the semiconductor wafer W and adhere to the upper surface of the semiconductor wafer W.
  • the semiconductor wafer W is held on the rotary chuck 21 with the cleaning brush unit 41 retracted to the outside of the processing container 11, and the motor 26 is operated to rotate the semiconductor wafer W together with the rotary chuck 21.
  • the cleaning brush unit 41 is moved from the retracted position to above the semiconductor wafer W. While rotating the cleaning brush unit 41 by operating the rotation motor 44, the cleaning liquid L such as pure water is supplied to the lower surface and the upper surface of the semiconductor wafer W from the cleaning liquid supply path 40b of the support shaft 15 and the nozzle tube 45 while moving up and down.
  • the driving motor 51 is operated to lower the cleaning brush unit 41.
  • the swing drive source 53 is operated to swing the horizontal arm 43, that is, the cleaning brush unit 41 on the upper surface of the semiconductor wafer W as shown by an arrow D in FIG.
  • the swing speed can be appropriately adjusted according to the viscosity of the residue remaining on the upper surface of the semiconductor wafer W. For example, when the adhesion force of the slurry containing the organic substance is strong, control such as slowing the swing speed or the rotation speed of the semiconductor wafer W is performed.
  • the cleaning brush unit 41 is lowered by the vertical drive motor 51, and the cleaning brush 41a contacts the surface to be cleaned of the semiconductor wafer W. Particles adhering to the upper surface of the semiconductor wafer W are removed by the cleaning brush 41a.
  • the cleaning brush 41a Since the main component of the cleaning brush 41a is a porous PTFE material, the cleaning brush 41a is excellent in heat resistance and chemical resistance against the chemical liquid and the heated cleaning liquid L.
  • the cleaning brush 41a is brought into contact with the surface to be cleaned of the semiconductor wafer W in the vertical (vertical direction) and the cleaning brush 41a is contacted along the radial direction of the semiconductor wafer W.
  • the cleaning brush 41a By swinging, small particles Pa to relatively large particles Pb can be removed. Therefore, it is possible to have high cleanliness on the surface to be cleaned of the semiconductor wafer W.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a cleaning brush unit 60 according to a modification of the cleaning brush unit 41 described above.
  • the cleaning brush unit 60 includes a disk-shaped bracket (brush holder) 61 disposed opposite to the surface to be cleaned of the semiconductor wafer W, and seven cleaning brushes 62 provided on the surface of the bracket 61 with a predetermined gap. Yes.
  • the cleaning brush 62 is formed with a smaller diameter than the above-described cleaning brush 41a. Further, like the cleaning brush 41a, it is formed in a columnar shape, and is provided on the bracket 61 so that its axial direction is perpendicular to the surface to be cleaned of the semiconductor wafer.
  • the outer diameter of the bracket 61 is substantially the same as the outer diameter of the brush holder 41b.
  • the number of cleaning brushes 62 provided on the bracket 61 is not limited to seven as long as the surface to be cleaned of the semiconductor wafer W can be sufficiently cleaned.
  • the cleaning brush unit 60 is provided with a gap between the cleaning brushes 62, the cleaning liquid L passes through the gap and moves backward in the swinging direction of the cleaning brush 62 together with the particles swept out by the cleaning brush 62.
  • FIG. 9 is a perspective view showing a cleaning brush unit 60A according to another modification of the cleaning brush unit 41.
  • the cleaning brush unit 60 ⁇ / b> A is provided with a nozzle hole 63 connected to the cleaning liquid supply path 45 ⁇ / b> A in the center of the bracket 61.
  • the nozzle tube 45 in FIG. 1A may be omitted.
  • FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a substrate processing apparatus 200 according to a second embodiment of the present invention
  • FIG. 11 is a transverse sectional view showing the substrate processing apparatus 200
  • FIG. 12 is a roll incorporated in the substrate processing apparatus 200.
  • 3 is a perspective view showing a brush 221.
  • the substrate processing apparatus 200 includes a cleaning tank 201. As shown in FIG. 11, an introduction port 203 is formed on one side wall of the cleaning tank 201. The semiconductor wafer W is introduced from the outside into the inside through the introduction port 203. On the side wall adjacent to one side wall of the cleaning bath 201, a lead-out port 204 for carrying out the cleaned semiconductor wafer W is formed.
  • the driving roller 206 and the regulating roller 207 are arranged so as to be rotatable with their axis lines vertical, and are arranged at predetermined intervals along the circumferential direction of the semiconductor wafer W.
  • the driving roller 206 is arranged on the right side in FIG. 11, and the regulating roller 207 is arranged on the left side in FIG.
  • a lower end portion of the driving roller 206 is rotatably supported by the first bearing body 211.
  • the first bearing body 211 is fixed to the support plate 209.
  • the lower end portion of the regulating roller 207 is rotatably supported by the second bearing body 212.
  • the second bearing body 212 is slidably provided on the support plate 209 and is driven by the drive cylinder 213 in the direction of contact with and away from the drive roller 206 as indicated by an arrow in FIG.
  • the driving roller 206 is engaged with the peripheral portion of the semiconductor wafer W.
  • the regulating roller 207 regulates the movement of the semiconductor wafer W engaged and held in contact with the peripheral portion of the semiconductor wafer W in the radial direction.
  • the driving roller 206 is rotationally driven by the first driving mechanism 217.
  • the first drive mechanism 217 includes a motor 218 disposed below the support plate 209 as shown in FIG.
  • a driving pulley 219a is provided on the rotating shaft 218a of the motor 218.
  • a belt 220 is stretched between the driving pulley 219a and the three driven pulleys 219b provided at the lower ends of the driving rollers 206, respectively. Therefore, when the motor 218 is operated, each drive roller 206 can be rotationally driven via the belt 220.
  • a pair of upper and lower roll brushes 221 are arranged supported by a pair of holding portions 222 having a horizontal rotation axis. These roll brushes 221 are respectively driven to rotate by the second drive mechanism 220A shown in FIG. 11 and also driven in the vertical direction by the vertical drive mechanism 220B via the holding portion 222.
  • a pair of pipe-like lower nozzle 241 and upper nozzle 242 are arranged with the semiconductor wafer W interposed therebetween.
  • a cleaning liquid L is supplied from the nozzles 241 and 242 when the upper and lower surfaces (surfaces to be cleaned) of the semiconductor wafer W are cleaned by the pair of roll brushes 221.
  • the holding part 222 is rotatably supported with respect to the bearing body 223 configured to be movable along the vertical direction.
  • a rotation shaft of a motor 224 is connected to the inside of the bearing body 223, and the rotation of the motor 224 is transmitted to the holding unit 222 via the bearing body 223 so that the roll brush 221 can be rotated.
  • the bearing body 223 is supported by the arm 226 and is supported by the vertical drive mechanism 220B.
  • the roll brush 221 can be brought into contact with the lower surface and the upper surface of the semiconductor wafer W with a predetermined contact force by driving the arm 226 up and down by the vertical drive mechanism 220B.
  • Each roll brush 221 includes a cleaning brush 221b attached to the surface of the cylindrical portion 221a at a predetermined interval as shown in FIG.
  • the axial direction of the cylindrical portion 221a is formed parallel to the surface to be cleaned of the semiconductor wafer W. That is, each roll brush 221 is provided in parallel to the processing surface of the semiconductor wafer W.
  • the cleaning brush 221b is formed in the same manner as the above-described cleaning brush 41a. That is, the cylindrical portion 221a is formed in a columnar shape so that the axial center direction of the cleaning brush 221b is perpendicular to the surface to be processed of the semiconductor wafer when it is disposed opposite to the surface to be cleaned of the semiconductor wafer W. Is provided on the surface. In addition, about the dimension, it forms in the small diameter rather than the washing
  • the roll brush 221 is rotationally driven in a direction in which the semiconductor wafer W supplied between the pair of roll brushes 221 by the motor 224 is pressed against the outer peripheral surface of the drive roller 206 by its rotational force.
  • the pair of roll brushes 221 are positioned at a predetermined height, and the drive cylinder 213 is operated so that the pair of regulating rollers 207 are located on the opposite side of the semiconductor wafer W in the radial direction.
  • the drive roller 206 is driven in the forward direction until it comes into contact with the outer peripheral surface of the drive roller 206 or comes close to the drive roller 206 through a slight interval. In this way, the semiconductor wafer W is held, and the roll brush 221 and the three drive rollers 206 are rotationally driven. Further, the cleaning liquid L is sprayed from the nozzles 241 and 242 toward the upper and lower surfaces of the semiconductor wafer W.
  • the cleaning brushes 221b of the respective roll brushes 221 can be pressed against the upper and lower surfaces of the semiconductor wafer W. Cleaning can be performed almost uniformly over the entire length in the direction.
  • the roll brush 221 according to the present embodiment can remove particles Pa and Pb in a wide range of sizes and can be scrubbed simultaneously with the supply of the cleaning liquid L by being used in the same manner as the cleaning brush 41a described above. It is.
  • the semiconductor wafer W is exemplified as a substrate to be processed by the substrate processing apparatus.
  • the present invention is not limited to this, and can be applied to a liquid crystal substrate, a glass substrate such as a photomask.
  • the cleaning brush unit 41 is rotated during the cleaning process, it does not have to be rotated.
  • the shape of the cleaning brush 41a is not limited to a cylindrical shape.
  • the porous PTFE material was mentioned as a fluororesin, if it has the same structure which can take in a small particle as mentioned above, other fluororesins (for example, PVDF and TFE) will be used. Also good.
  • this invention is not limited to the said embodiment, In the implementation stage, it can change variously in the range which does not deviate from the summary. Further, the embodiments may be implemented in combination as appropriate, and in that case, the combined effect can be obtained. Furthermore, the present invention includes various inventions, and various inventions can be extracted by combinations selected from a plurality of disclosed constituent elements. For example, even if several constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, if the problem can be solved and an effect can be obtained, the configuration from which the constituent requirements are deleted can be extracted as an invention.
  • a chemical solution can be used as the cleaning solution, or the cleaning solution can be heated and a wide range of particle removal can be performed.

Abstract

半導体ウェーハＷの被洗浄面Ｗａを洗浄する基板処理装置１０において、半導体ウェーハＷを保持可能な回転チャック２１と、回転チャック２１に保持される半導体ウェーハＷの被洗浄面Ｗａに対向配置され、多孔質のフッ素樹脂の繊維を半導体ウェーハＷの面に対し、垂直方向に向けて形成された洗浄ブラシ４１ａと、回転チャック２１を上記基板の被洗浄面Ｗａの法線方向を基板回転軸にして回転駆動する回転モータ４４と、回転チャック２１に保持される半導体ウェーハＷの被洗浄面Ｗａに洗浄液Ｌを供給するノズル管４５を備えることで、パーティクル除去力を増加させるため、洗浄液として薬液を用いたり、洗浄液を加熱したりすることができると共に広範囲のパーティクル除去を行うことが可能である。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本発明は、半導体ウェーハや液晶基板等の基板を洗浄ブラシを用いて洗浄する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　半導体装置や液晶表示装置等の製造工程においては、基板としての半導体ウェーハやガラス基板に回路パターンを形成するリソグラフィプロセスがある。リソグラフィプロセスは、半導体ウェーハにレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射し、ついでレジストの光が照射されない部分（あるいは光が照射された部分）を除去し、除去された部分を処理するという一連の工程を数十回繰り返すことで回路パターンが形成される。
　各工程において、半導体ウェーハが汚染されていると回路パターンを精密に形成することができなくなり、不良品の発生原因となる。したがって、それぞれの工程で回路パターンを形成する際には、レジストや塵埃等のパーティクル（微粒子）が残留しない清浄な状態に上記半導体ウェーハを洗浄するということが行われている（例えば、日本国特許公開公報　特開平９－２２３６８２号）。
　半導体ウェーハを洗浄する装置としては、複数枚の半導体ウェーハを洗浄液が収容された洗浄タンク内に漬けて洗浄するバッチ式と、１枚の基板を回転させ、その基板に対して洗浄液を噴射させて洗浄する枚葉式とがあり、基板の大型化に伴って洗浄効果の高い枚葉式が用いられる傾向にある。
　枚葉式の基板処理装置には半導体ウェーハを回転させて洗浄するスピン式の基板処理装置があり、この基板処理装置において、洗浄効果をより一層高めるためには、回転される半導体ウェーハの上面に、同じく回転駆動される洗浄ブラシを接触させ、その接触部分に洗浄液（水や超純水等）を供給して上記半導体ウェーハをスクラブ洗浄することが行われている。なお、洗浄ブラシとしては、ＰＶＡブラシ、毛ブラシ等が用いられている。
　上述した基板処理装置においては、次のような問題があった。すなわち、近年、半導体デバイスの高微細化に伴ってさらなる高い清浄度が求められており、接触式洗浄に加え、洗浄液として薬液（アンモニア、硫酸、過酸化水素、オゾン水、アンモニアと過酸化水素水の混合液（ＡＰＭ）、塩酸と過酸化水素水の混合液（ＳＣ－２）、界面活性剤等）を用いる薬液化学洗浄との併用が行われている。さらに、薬液・水・超純水を加熱し、パーティクルの除去力を増加させることも行われている。しかしながら、洗浄ブラシの主成分が、耐熱、耐薬液性に劣るため、洗浄液の種類や温度が限定され、清浄度を高めることができないといった問題がある。
　前記課題を解決し目的を達成するために、本発明の基板処理装置及び基板処理方法は次のように構成されている。
　基板の被洗浄面を洗浄する基板処理装置において、上記基板を保持可能な保持部と、上記保持部に保持される上記基板の被洗浄面に対向配置され、多孔質のフッ素樹脂の繊維を上記基板の面に対し、垂直方向に向けて形成された洗浄ブラシと、上記保持部に保持された上記基板の上記被洗浄面の法線方向を基板回転軸にして回転駆動する駆動源と、上記保持部に保持される上記基板の被洗浄面に洗浄液を供給する供給部と、を備えている。
　基板の被洗浄面を洗浄する基板処理方法において、保持部に保持される上記基板の被洗浄面に洗浄液を供給し、保持部に保持される上記基板の被洗浄面に対向配置され、多孔質のフッ素樹脂の繊維を上記基板の被処理面に対して垂直方向に向けて形成された洗浄ブラシを接触させ、上記保持部を上記基板の上記被洗浄面の法線方向を基板回転軸にして回転駆動する。
　本発明によれば、清浄度が高い清浄を行うことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
図１Ａは、本発明の第１実施の形態に係る基板処理装置を示す縦断面図である。 図１Ｂは、同基板処理装置の要部を切断して示す斜視図である。 図２は、同基板処理装置に組み込まれた洗浄部を示す平面図である。 図３は、同洗浄部に設けられた洗浄ブラシと半導体ウェーハとの関係を模式的に示す説明図である。 図４は、同洗浄ブラシの要部を拡大して示す側面図である。 図５は、同洗浄部に設けられた場合の比較例の洗浄ブラシユニットと半導体ウェーハとの関係を模式的に示す説明図である。 図６は、比較例の洗浄ブラシの要部を拡大して示す側面図である。 図７は、洗浄ブラシ及び比較例の洗浄ブラシのＰＴＦＥ繊維方向によるパーティクルサイズ毎の除去率を示す説明図である。 図８は、洗浄ブラシユニットの変形例を示す斜視図である。 図９は、洗浄ブラシユニットの別の変形例を示す斜視図である。 図１０は、本発明の第２実施の形態に係る基板処理装置を示す縦断面図である。 図１１は、同基板処理装置を示す横断面図である。 図１２は、同基板処理装置に組み込まれた洗浄ブラシを示す横断面図である。
　以下、この発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１Ａは、本発明の第１実施の形態に係る基板処理装置１０を示す縦断面図、図１Ｂは基板処理装置１０の要部を切断して示す斜視図である。図２は、基板処理装置１０に組み込まれた洗浄部を示す平面図、図３は洗浄部に設けられた洗浄ブラシユニット４１と半導体ウェーハＷとの関係を模式的に示す説明図、図４は洗浄ブラシ４１ａの要部を拡大して示す側面図、図５は、洗浄部に設けられた比較例の洗浄ブラシユニット４１と半導体ウェーハＷとの関係を模式的に示す説明図、図６は比較例の洗浄ブラシ４１Ａの要部を拡大して示す側面図、図７は洗浄ブラシ４１ａ及び比較例の洗浄ブラシ４１ＡのＰＴＦＥ繊維方向によるパーティクルサイズ毎の除去率を示す説明図である。
　なお、これらの図中Ｐａはパーティクルサイズ（粒径）１０ｎｍ～５０ｎｍ未満のパーティクル、Ｐｂはパーティクルサイズ５０ｎｍ～８０ｎｍのパーティクルを示している。パーティクルＰａ，Ｐｂは、半導体ウェーハＷに付着するゴミであり、ただ単純に半導体ウェーハＷ表面に載っているものの他、半導体ウェーハＷ基板にひっかかる状態で存在しているものも含まれている。このため、半導体ウェーハＷ上に水を流すことによる、水の流れによる勢いの力だけでは、除去出来ない性質を有している。
　図１Ａに示す本発明の一実施形態の基板処理装置１０は処理容器１１を備えている。この処理容器１１は上面が開放した有底筒状の本体部１１ａと、この本体部１１ａに対してスライド自在に設けられ周壁が傾斜した円錐筒状の覆い部１１ｂとを備え、この覆い部１１ｂは図示しない駆動機構によって上下方向にスライドさせることができる。
　処理容器１１の本体部１１ａ底部には、周辺部に複数の排出管１２の一端が接続され、中心部には周囲がフランジ１３によって囲まれた挿通孔１４が形成されている。この挿通孔１４には支持軸１５が挿通されている。支持軸１５の上部は処理容器１１の内部に突出し、下端部は処理容器１１の下方に配置されたベース板１６に固定されている。排出管１２は図示しない廃液タンクに連通している。
　支持軸１５には回転チャック（保持部）２１が半導体ウェーハＷの法線方向を基板回転軸として回転自在に支持されている。回転チャック２１は中心部に通孔２２ａが設けられた円盤状のベース２２を有する。このベース２２の下面、つまり通孔２２ａと対応する位置には筒状の支持部２３が中心軸を鉛直方向にして設けられている。この支持部２３は支持軸１５の外周側に嵌め込まれていて、支持軸１５の上部と下部とはそれぞれ軸受２４によって回転自在に支持されている。
　支持部２３の下端部の外周面には従動プーリ２５が設けられている。ベース板１６にはモータ２６が設けられ、このモータ２６の回転軸２６ａには駆動プーリ２７が嵌め込まれている。この駆動プーリ２７と従動プーリ２５とにはベルト２８が張り渡されている。したがって、モータ２６が作動すれば、支持部２３、つまり回転チャック２１が回転駆動される。
　回転チャック２１のベース２２の上面には周方向に４本の支柱２９が上方に向けて設けられている。各支柱２９の上端部には支持ピン３１ａと、この支持ピン３１ａよりも外方で、しかも支持ピン３１ａよりも背の高い係合ピン３１ｂとが突き出て設けられている。
　支柱２９の上端には、基板としての半導体ウェーハＷが周辺部の下面を支持ピン３１ａに支持され、外周面を係合ピン３１ｂに係合させて着脱可能に保持される。したがって、半導体ウェーハＷは回転チャック２１と一体的に回転される。
　支持軸１５には、上端に支持軸１５よりも大径で、円錐状をなした頭部４０が設けられている。この支持軸１５には、先端を頭部４０の上面に開口させた窒素ガス等の不活性ガスのガス供給路４０ａと、先端を同じく頭部４０の上面に開口させた、洗浄液Ｌの洗浄液供給路４０ｂとが軸方向に沿って形成されている。ガス供給路４０ａは図示しないガス供給源に連通し、洗浄液供給路４０ｂは同じく図示しない洗浄液Ｌの供給源に連通している。
　ガス供給路４０ａに供給された不活性ガスは支柱２９に保持された半導体ウェーハＷに向かって噴出され、洗浄液供給路４０ｂに供給された洗浄液Ｌはその先端のノズル孔４０ｃから半導体ウェーハＷの下面に向かって噴出される。
　回転チャック２１に保持される半導体ウェーハＷの被洗浄面（上面）Ｗａ側には、この半導体ウェーハＷの上面を洗浄するため円形状の洗浄ブラシユニット４１が配置されている。洗浄ブラシユニット４１は、洗浄ブラシ４１ａとブラシホルダ４１ｂにより構成され、洗浄ブラシ４１ａは、円柱状に形成されており、その軸心方向は半導体ウェーハの被洗浄面に対して垂直になるように、ブラシホルダ４１ｂに嵌め込んで設けられている。この洗浄ブラシ４１ａは、ブラシホルダ４１ｂと共に揺動機構４２によって半導体ウェーハＷの径方向に沿って揺動される。つまり、揺動機構４２は中空筒状の水平アーム４３を有する。この水平アーム４３の先端部内には駆動源としての回転モータ４４が回転軸４４ａを垂直にして内蔵されていて、その回転軸４４ａにブラシホルダ４１ｂが取り付けられている。
　洗浄ブラシ４１ａは、フッ素樹脂の１つである多孔質ＰＴＦＥ材（ポリテトラフルオロエチレン）の繊維（以下、「ＰＴＦＥ繊維」と称する）により形成されている。洗浄ブラシ４１ａは、ＰＴＦＥ繊維方向が縦に形成されている。具体的には、図３に示すように、洗浄ブラシ４１ａの繊維が伸びる方向は、半導体ウェーハＷの上面に対して全体的に見て垂直に配置されている。すなわち、半導体ウェーハＷの上面に対して、全体的に見て垂直方向に繊維（フィブリル）が伸びて形成されている。なお、後述するように繊維を繋ぐノード（島状のもの）が半導体ウェーハＷの上面に対して平行に形成されていると言い換えることができる。この場合、半導体ウェーハＷ上面と触れる面における各繊維間の隙間は一定の間隔に形成されているのではなく、不規則の間隔で形成されており、例えば、１０ｎｍ～５００ｎｍと様々に形成される。
　図４は洗浄ブラシ４１ａの要部、すなわち、多孔質ＰＴＦＥ材１００を拡大して示す側面図を示している。多孔質ＰＴＦＥ材１００は、島状に分布した複数のノード１０１と、これらノード１０１から、その延伸方向（横）に配向された複数の繊維１０２とを含んでいる。各繊維１０２間には、隙間１０３が存在する。隙間１０３は、連続気孔あるいは独立気孔になり得る。
　一方、比較例として、多孔質ＰＴＦＥ材１００の繊維方向が横に形成されている洗浄ブラシ４１Ａについて説明する。具体的には、図５に示すように、半導体ウェーハＷの上面に対して、平行に繊維（フィブリル）が伸びて形成されている。なお、繊維を繋ぐノード（島状のもの）が半導体ウェーハＷの上面に対して垂直方向に形成されていると言い換えることができる。この場合、半導体ウェーハＷ上面と触れる面における各ノード間の隙間（各ノードから伸びる繊維の長さ）は一定の間隔に形成されているのではなく、不規則の間隔で形成されており、例えば、３００ｎｍ～５００ｎｍの大きさで形成される。
　図６は洗浄ブラシ４１Ａの要部、すなわち多孔質ＰＴＦＥ材１００を拡大して示す側面図を示している。多孔質ＰＴＦＥ材１００は、島状に分布した複数のノード１０１と、これらノード１０１から、その延伸方向（縦）に配向された複数の繊維１０２とを含んでいる。各繊維１０２間には、隙間１０３が存在する。隙間１０３は、連続気孔あるいは独立気孔になり得る。
　ＰＴＦＥ繊維方向によるパーティクルサイズ別の除去性能を図７に示した。すなわち、ＰＴＦＥ繊維方向を縦にした場合（洗浄ブラシ４１ａ）は、パーティクルサイズ１０ｎｍ～８０ｎｍの範囲にわたって、ＰＴＦＥ繊維方向を横にした場合（洗浄ブラシ４１Ａ）に比べて除去性能が高い。したがって、本実施形態においては、多孔質ＰＴＦＥ材１００の繊維方向を縦にした洗浄ブラシ４１ａを用いる。
　まず、洗浄ブラシ４１ａによって、半導体ウェーハＷ上面のパーティクルが除去される場合、除去性能の差については、次の場合が考えられる。
　半導体ウェーハＷ上面に存在するパーティクルが洗浄ブラシ４１ａに入り込む。入り込んだパーティクルが、洗浄ブラシ４１ａの底面（半導体ウェーハＷとの接触面）の繊維と繊維の間に引っかかる。この引っかかったパーティクルは、半導体ウェーハＷと相対移動する洗浄ブラシ４１ａによって引っ張られて半導体ウェーハＷ上面から剥ぎ取られる。なお、洗浄ブラシ４１ａの底面と半導体ウェーハＷ表面との間に入り込まないサイズのパーティクルは、洗浄ブラシ４１ａの端面に当たる。この当たったパーティクルは、洗浄ブラシ４１ａの揺動により、ほうきで掃かれるように半導体ウェーハＷの端に移動させられる。
　次に、ＰＴＦＥ繊維方向を横にした場合に比べ、ＰＴＦＥ繊維方向を縦にした場合に比べて除去性能が高い理由について考察する。すなわち、多孔質ＰＴＦＥ材１００の繊維方向を縦にした場合は、洗浄ブラシ４１ａの繊維同士の間隔が不規則に形成されているため、半導体ウェーハＷ上面と触れる面における繊維同士の隙間の大きさも様々な大きさ（１０ｎｍ～５００ｎｍ）に形成されている。繊維と繊維の間隔が狭い（５０ｎｍ未満）箇所は、繊維同士の間隔の大きさに合う、小さいサイズのパーティクルＰａが入り込むことができる。したがって、小さなパーティクルＰａを除去する除去率が高いと考えられる。繊維と繊維の間隔がやや広い（５０ｎｍ以上）箇所は、繊維同士の間隔の大きさに合う、大きいサイズのパーティクルＰｂが入り込むことができる。したがって、小さなパーティクルＰａも比較的大きいパーティクルＰｂも除去する除去率が高いと考えられる。
　これに対し、ＰＴＦＥ繊維方向を横にした場合は、半導体ウェーハＷ上面と触れる面における各ノードの間隔が３００～５００ｎｍとなる。パーティクルＰａもパーティクルＰｂは、ブラシのノード同士の隙間の大きさに対して小さいため、ノード同士の隙間に入り込んだとしても、隙間とパーティクルサイズとの間に差があるため、パーティクルＰａ，Ｐｂは、ノード同士の隙間に保持されずに、洗浄ブラシ４１Ａに引っかからず、半導体ウェーハＷ上面にパーティクルＰａ，Ｐｂが残ったままになる。すなわち、パーティクルＰａ，Ｐｂが入り込むことができないため、パーティクルの除去性能が低いと考えられる。
　水平アーム４３には図示しない洗浄液Ｌの供給源に接続されたノズル管（供給部）４５が挿通されている。このノズル管４５の先端部は水平アーム４３の先端部から下方に向かって導出され、その先端開口は洗浄ブラシ４１ａの外周面に向けられている。したがって、ノズル管４５により洗浄液Ｌが洗浄ブラシ４１ａの径方向外方から供給されるようになっている。
　洗浄液Ｌは、例えば、アンモニア、硫酸、過酸化水素水、オゾン水、アンモニアと過酸化水素水の混合液（ＡＰＭ）、界面活性剤のいずれかを含む薬液、若しくは、水・超純水である。洗浄液Ｌは加熱されている場合がある。このように洗浄液Ｌとして薬液を用いたり、加熱したりすることで、パーティクルの除去力を増加させることができる。なお、上述した洗浄ブラシ４１ａの主成分である多孔質ＰＴＦＥ材は、耐熱、耐薬液性に優れており、洗浄液Ｌによって劣化することが少ない。このため、各種の薬液及び温度の洗浄液Ｌを用いることができる。
　なお、この実施形態においては、図２に示すようにノズル管４５から洗浄ブラシユニット４１に向かって供給される洗浄液Ｌの供給方向Ａは、洗浄ブラシユニット４１のほぼ接線方向で、しかも、洗浄ブラシユニット４１の回転方向Ｂに沿う方向に設定されている。また、洗浄ブラシユニット４１の回転方向は、半導体ウェーハＷの回転方向と同方向または逆方向のいずれであってもよい。
　水平アーム４３の端部には軸線を垂直にした揺動軸４６の上端が連結されている。この揺動軸４６の下端部はベース板１６の下方に突出され、支持体４７に揺動自在に支持されている。
　支持体４７の一側面には一対のガイド４８が上下方向に沿って設けられ、このガイド４８はベース板１６の下面に設けられた取付板４９の一側面に上下方向に沿って設けられたレール５０にスライド自在に係合している。
　取付板４９の支持体４７の下方の部分には上下駆動モータ５１が設けられている。この上下駆動モータ５１は、例えば、ねじ軸等の駆動軸５２を有し、この駆動軸５２は支持体４７に嵌め合されている。
　したがって、この駆動軸５２が上下駆動モータ５１によって回転駆動されると、支持体４７がレール５０に沿って上下駆動されるようになっている。つまり、洗浄ブラシユニット４１が支持体４７、揺動軸４６及び水平アーム４３を介して上下駆動される。
　支持体４７の他側には揺動駆動源５３が取り付けられている。この揺動駆動源５３は収納ボックス５４及びこの収納ボックス５４の下面に設けられたモータ５５を有する。収納ボックス５４内にはモータ５５によって回転駆動される図示しない駆動歯車が収容されている。
　揺動軸４６の支持体４７によって支持された下端部には図示しない従動歯車が設けられ、この従動歯車と駆動歯車との間にはベルトが張り渡されている。したがって、揺動軸４６は、揺動駆動源５３のモータ５５が作動することで所定の角度範囲内で揺動する。
　揺動軸４６が所定の角度範囲内で揺動され、その揺動によって水平アーム４３が揺動すると、この水平アーム４３の先端部に設けられた洗浄ブラシユニット４１は、図２に実線と破線で示すように回転チャック２１に保持された半導体ウェーハＷの径方向中心部と周辺部との間で揺動されるようになっている。この揺動範囲を図２に矢印Ｄで示す。
　洗浄ブラシユニット４１を回転駆動する回転モータ４４は制御装置９０に接続されている。この制御装置９０は回転モータ４４に給電すると共に、洗浄ブラシユニット４１を上下駆動モータ５１によって上下駆動させる。制御装置９０は、各機構のパラメータ、例えば、押し付け量、回転数、揺動速度、洗浄液Ｌの吐出量を適宜制御する。
　このように構成された基板処理装置１０によって、例えばＣＭＰ処理が行われた半導体ウェーハＷを洗浄処理する場合について説明する。ＣＭＰ処理によって半導体ウェーハＷ上面には有機物を含むスラリーや半導体ウェーハＷの削りくず等の残留物が残留しており、半導体ウェーハＷ上面に付着する。まず、洗浄ブラシユニット４１を処理容器１１の外方に退避させた状態で回転チャック２１に半導体ウェーハＷを保持し、モータ２６を作動させて回転チャック２１とともに半導体ウェーハＷを回転させる。
　ついで、洗浄ブラシユニット４１を退避位置から半導体ウェーハＷの上方に移動させる。回転モータ４４を作動させて洗浄ブラシユニット４１を回転させるとともに、支持軸１５の洗浄液供給路４０ｂとノズル管４５とから半導体ウェーハＷの下面と上面とに純水等の洗浄液Ｌを供給しながら上下駆動モータ５１を作動させて洗浄ブラシユニット４１を下降させる。また、揺動駆動源５３を作動させて水平アーム４３、つまり洗浄ブラシユニット４１を半導体ウェーハＷの上面で図２に矢印Ｄで示すように揺動させる。なお、揺動速度は、半導体ウェーハＷ上面に残留する残留物の粘度に応じて適宜調整することができる。例えば、有機物を含むスラリーの付着力が強い場合は、揺動速度や半導体ウェーハＷの回転速度を遅くする等の制御を行う。
　洗浄ブラシユニット４１が上下駆動モータ５１によって下降して、半導体ウェーハＷの被洗浄面に洗浄ブラシ４１ａが接触する。半導体ウェーハＷの上面は洗浄ブラシ４１ａによって、その上面に付着したパーティクルが除去される。
　洗浄ブラシ４１ａの主成分は、多孔質ＰＴＦＥ材であるため、薬液や加熱された洗浄液Ｌに対して、耐熱性・耐薬液性に優れている。
　そのため、半導体ウェーハＷにＣＭＰ処理後、半導体ウェーハＷ上面の有機物を薬液によって化学的に分解する処理を行いながらスクラブ洗浄することができる。これにより、半導体ウェーハＷ上面に存在する削りくず等の残留物を除去するだけでなく、半導体ウェーハＷ上面にある有機物も同時に除去することが可能となり、ウェーハＷ上面における洗浄効率を向上させることができる。また、薬液によって化学的に分解された有機物を、洗浄ブラシ４１のより掃き出すことが可能となり、ウェーハＷ上面における洗浄能力を向上させることができる。
　以上説明したように、上記の実施形態によれば、半導体ウェーハＷの被洗浄面に対してＰＴＦＥ繊維方向を縦（垂直方向）にして洗浄ブラシ４１ａを接触させて半導体ウェーハＷの径方向に沿って揺動することで、小さなパーティクルＰａから比較的大きなパーティクルＰｂまで除去することができる。したがって、半導体ウェーハＷの被洗浄面における高い清浄度を有することができる。
　図８は、上述した洗浄ブラシユニット４１の変形例に係る洗浄ブラシユニット６０を示す斜視図である。洗浄ブラシユニット６０は、半導体ウェーハＷの被洗浄面において対向配置される円盤状のブラケット（ブラシホルダ）６１と、このブラケット６１の表面に７つの洗浄ブラシ６２が所定の隙間を空けて設けられている。この洗浄ブラシ６２は、上述した洗浄ブラシ４１ａより小径で形成されている。また、洗浄ブラシ４１ａと同様に円柱状に形成されており、その軸心方向は半導体ウェーハの被洗浄面に対して垂直になるように、ブラケット６１に設けられている。ブラケット６１の外径は、上記ブラシホルダ４１ｂの外径とほぼ同じである。ブラケット６１に設けられる洗浄ブラシ６２の個数は、７つに限らず、半導体ウェーハＷの被洗浄面を十分に洗浄処理できる個数であればよい。
　なお、洗浄ブラシユニット６０は、洗浄ブラシ６２同士に隙間が設けられているため、洗浄液Ｌが隙間を通って、洗浄ブラシ６２により掃き出されたパーティクルとともに洗浄ブラシ６２の搖動方向の後方に抜ける。
　図９は、洗浄ブラシユニット４１の別の変形例に係る洗浄ブラシユニット６０Ａを示す斜視図である。図９において、図８と同一機能部分には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。洗浄ブラシユニット６０Ａは、ブラケット６１の中央に洗浄液供給路４５Ａに接続されたノズル孔６３が設けられている。このノズル孔６３から洗浄液Ｌを供給することで、パーティクルＰａ，Ｐｂや洗浄ブラシ６２よって掃き出されたパーティクルを中央から外側に向けて押し流すことができる。なお、この場合、図１Ａにおけるノズル管４５は無くても良い。
　図１０は、本発明の第２実施の形態に係る基板処理装置２００を示す縦断面図、図１１は基板処理装置２００を示す横断面図、図１２は、基板処理装置２００に組み込まれたロールブラシ２２１を示す斜視図である。
　図１０及び図１１に示すように、基板処理装置２００は、洗浄槽２０１を備えている。図１１に示すように洗浄槽２０１の一側壁には導入口２０３が形成されている。この導入口２０３からは、半導体ウェーハＷが外部から内部に導入される。洗浄槽２０１の一側壁に隣接する側壁には洗浄された半導体ウェーハＷを搬出するための導出口２０４が形成されている。
　図１０及び図１１に示すように、洗浄槽２０１内には、３本の駆動ローラ２０６及び２本の規制ローラ２０７が配置されている。駆動ローラ２０６及び規制ローラ２０７は、それぞれ軸線を鉛直にして回転自在に、しかも、半導体ウェーハＷの周方向に沿って所定の間隔で配設されている。駆動ローラ２０６は図１１中右側、規制ローラ２０７は図１１中左側に配置されている。駆動ローラ２０６の下端部は、第１の軸受体２１１によって回転自在に支持されている。第１の軸受体２１１は、支持板２０９に固定されて設けられている。
　規制ローラ２０７の下端部は第２の軸受体２１２によって回転自在に支持されている。第２の軸受体２１２は支持板２０９にスライド自在に設けられ、図１０に矢印で示すように駆動シリンダ２１３により駆動ローラ２０６に対して接離する方向に駆動されるようになっている。
　駆動ローラ２０６は、半導体ウェーハＷの周辺部が係合する。規制ローラ２０７は、半導体ウェーハＷの周辺部に接触して係合保持された半導体ウェーハＷが径方向にずれ動くのを規制するようになっている。
　駆動ローラ２０６は第１の駆動機構２１７によって回転駆動されるようになっている。この第１の駆動機構２１７は図１０に示すように支持板２０９の下方に配置されたモータ２１８を有する。このモータ２１８の回転軸２１８ａには駆動プーリ２１９ａが設けられている。この駆動プーリ２１９ａと各駆動ローラ２０６の下端部にそれぞれ設けられた３つの従動プーリ２１９ｂとの間にはベルト２２０が張り渡されている。したがって、モータ２１８が作動すれば、ベルト２２０を介して各駆動ローラ２０６を回転駆動することができる。
　洗浄槽２０１内には、上下一対のロールブラシ２２１が水平方向の回転軸を有する一対の保持部２２２に支持されて配置されている。これらロールブラシ２２１は、図１１に示す第２の駆動機構２２０Ａによってそれぞれ回転駆動されるとともに、保持部２２２を介して上下駆動機構２２０Ｂによって上下方向に駆動される。
　図１０に示すように、ロールブラシ２２１の近傍には、一対のパイプ状の下部のノズル２４１と上部のノズル２４２とが半導体ウェーハＷを挟んで配置されている。各ノズル２４１、２４２からは半導体ウェーハＷの上下面（被洗浄面）を一対のロールブラシ２２１によって洗浄するときに洗浄液Ｌが供給される。
　保持部２２２は、上下方向に沿って移動可能に構成された軸受体２２３に対し回転自在に支持されている。この軸受体２２３の内部には、モータ２２４の回転軸が連結されており、このモータ２２４の回転が軸受体２２３を介して保持部２２２に伝達され、ロールブラシ２２１を回転することができる。軸受体２２３は、アーム２２６によって支持され、上下駆動機構２２０Ｂに支持されている。このような上下駆動機構２２０Ｂによって、アーム２２６を上下に駆動することで、各ロールブラシ２２１を半導体ウェーハＷの下面と上面とに所定の接触力で接触させることができる。
　各ロールブラシ２２１は、図１２に示すように円筒部２２１ａの表面に所定の間隔で取付けられた洗浄ブラシ２２１ｂを備えている。円筒部２２１ａの軸心方向は、半導体ウェーハＷの被洗浄面に対して平行に形成されている。つまり、各ロールブラシ２２１は、半導体ウェーハＷの被処理面に対して平行に設けられている。また、洗浄ブラシ２２１ｂは上述した洗浄ブラシ４１ａと同様に、形成されている。すなわち、円柱状に形成されており、半導体ウェーハＷの被洗浄面と対向配置されたとき、洗浄ブラシ２２１ｂの軸心方向は半導体ウェーハの被処理面に対して垂直になるように、円筒部２２１ａの表面に設けられている。なお、寸法については、上述した洗浄ブラシ６２よりも小径に形成されている。さらに、各ロールブラシ２２１の長さは、半導体ウェーハＷの直径をカバーするような長さで形成されている。
　ロールブラシ２２１は、それぞれモータ２２４によって一対のロールブラシ２２１間に供給された半導体ウェーハＷをその回転力で駆動ローラ２０６の外周面に押し付ける方向に回転駆動される。
　このように構成された基板処理装置２００では、一対のロールブラシ２２１を所定の高さに位置決めし、駆動シリンダ２１３を作動させて一対の規制ローラ２０７を半導体ウェーハＷの径方向の反対側の部分の駆動ローラ２０６の外周面に当接するまであるいはわずかな間隔を介して近接するまで前進方向へ駆動する。このようにして半導体ウェーハＷを保持し、ロールブラシ２２１及び３本の駆動ローラ２０６を回転駆動する。また、各ノズル２４１、２４２から半導体ウェーハＷの上下面に向けて洗浄液Ｌを噴射する。
　一対のロールブラシ２２１が回転駆動されることで、半導体ウェーハＷの上下面に対して各ロールブラシ２２１の洗浄ブラシ２２１ｂを押し当てることができるから、半導体ウェーハＷの上下面をロールブラシ２２１の軸方向全長にわたってむらなくほぼ均一に洗浄することができる。
　本実施形態に係るロールブラシ２２１においても、上述した洗浄ブラシ４１ａと同様に用いることで、広範囲の大きさのパーティクルＰａ，Ｐｂを除去することができると共に、洗浄液Ｌの供給と同時にスクラブ洗浄が可能である。
　なお、上記の実施形態では、基板処理装置で処理を行う基板として半導体ウェーハＷを例示したが、これに限られるものではなく、液晶基板や、フォトマスク等のガラス基板に適用することもできる。また、洗浄処理時に洗浄ブラシユニット４１を回転させているが、回転させなくても良い。さらに、洗浄ブラシ４１ａの形状は、円柱状に限るものではない。また、フッ素樹脂として多孔質ＰＴＦＥ材を挙げたが、上述したように小さなパーティクルを取り込むことができる同様な構成を有するものであれば、他のフッ素系樹脂（例えば、ＰＶＤＦやＴＦＥ）を用いてもよい。
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件から選択された組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、課題が解決でき、効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
　本発明によれば、パーティクル除去力を増加させるため、洗浄液として薬液を用いたり、洗浄液を加熱したりすることができると共に広範囲のパーティクル除去を行うことが可能となる。

Claims (10)

  1. 　基板の被洗浄面を洗浄する基板処理装置において、
    　上記基板を保持可能な保持部と、
    　上記保持部に保持される上記基板の被洗浄面に対向配置され、多孔質のフッ素樹脂の繊維を上記基板の面に対し垂直方向に向けて形成された洗浄ブラシと、
    　上記保持部に保持された上記基板の上記被洗浄面の法線方向を基板回転軸にして回転駆動する駆動源と、
    　上記保持部に保持される上記基板の被洗浄面に洗浄液を供給する供給部と、を備えている基板処理装置。
  2. 　前記フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンである請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　上記洗浄ブラシは、円柱状に形成されており、その軸心方向は上記基板の被洗浄面に対して垂直に設けられている請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 　上記洗浄ブラシは、上記繊維を繋ぐノードが上記基板の上面に対して平行に配置されている請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 　上記洗浄ブラシは、上記基板の被洗浄面に対して対向配置されるブラシホルダに複数設けられている請求項３に記載の基板処理装置。
  6. 　上記洗浄ブラシは、上記基板の被洗浄面に対して平行の回転軸を有する円筒体の表面に複数設けられている請求項３に記載の基板処理装置。
  7. 　基板の被洗浄面を洗浄する基板処理方法において、
    　保持部に保持される上記基板の被洗浄面に洗浄液を供給し、
    　保持部に保持される上記基板の被洗浄面に対向配置され、多孔質のフッ素樹脂の繊維を上記基板の被処理面に対して垂直方向に向けて形成された洗浄ブラシを接触させ、
    　上記保持部を上記基板の上記被洗浄面の法線方向を基板回転軸にして回転駆動する基板処理方法。
  8. 　前記フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンである請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 　上記洗浄ブラシは、円柱状に形成されており、その軸心方向は上記基板の被洗浄面に対して垂直に設けられている請求項７に記載の基板処理方法。
  10. 　上記洗浄ブラシは、上記繊維を繋ぐノードが上記基板の上面に対して平行に配置されている請求項７に記載の基板処理方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021117485A1 (ja) * 2019-12-11 2021-06-17 株式会社荏原製作所 基板洗浄システムおよび基板洗浄方法
WO2022224583A1 (ja) * 2021-04-21 2022-10-27 信越半導体株式会社 ウェーハの洗浄方法及び洗浄処理装置
JP7439788B2 (ja) 2021-04-21 2024-02-28 信越半導体株式会社 ウェーハの洗浄方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020155721A (ja) * 2019-03-22 2020-09-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
CN211957594U (zh) * 2020-05-29 2020-11-17 北京鲁汶半导体科技有限公司 一种离子束刻蚀旋转平台
KR102567863B1 (ko) * 2021-01-14 2023-08-18 (주)인터체크 스크러버를 이용한 레티클 세정장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002066467A (ja) * 2000-08-29 2002-03-05 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2002124504A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2002313767A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Ebara Corp 基板処理装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3118142B2 (ja) * 1994-06-03 2000-12-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JPH10294261A (ja) * 1997-04-18 1998-11-04 Sony Corp レジスト塗布装置
JP2000288490A (ja) * 1999-04-01 2000-10-17 Furontekku:Kk ウェット処理装置
JP4111299B2 (ja) * 1999-07-26 2008-07-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄具，基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2001121096A (ja) * 1999-10-28 2001-05-08 Tokyo Electron Ltd ロールブラシ洗浄装置
JP2006278392A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP4983565B2 (ja) * 2006-12-20 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
JP5136103B2 (ja) * 2008-02-12 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
JP5050945B2 (ja) * 2008-03-13 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP5223886B2 (ja) * 2010-06-18 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2012170872A (ja) * 2011-02-21 2012-09-10 Shibaura Mechatronics Corp 基板洗浄装置、基板洗浄方法、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法
TWD161994S (zh) * 2011-06-08 2014-08-01 伊利諾工具工程公司 海綿刷的刷心之部分（一）
JP6298588B2 (ja) * 2011-06-22 2018-03-20 日立化成株式会社 洗浄液及び基板の研磨方法
US9202723B2 (en) * 2011-11-29 2015-12-01 Illinois Tool Works, Inc. Brush with cantilevered nodules
US8778087B2 (en) * 2012-04-03 2014-07-15 Illinois Tool Works Inc. Conical sponge brush for cleaning semiconductor wafers
KR20150046148A (ko) * 2012-09-27 2015-04-29 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 처리액 공급 방법, 기판 처리 방법, 처리액 처리 장치 및 처리액 처리 방법
JP5917610B2 (ja) * 2013-11-28 2016-05-18 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002066467A (ja) * 2000-08-29 2002-03-05 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2002124504A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2002313767A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Ebara Corp 基板処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021117485A1 (ja) * 2019-12-11 2021-06-17 株式会社荏原製作所 基板洗浄システムおよび基板洗浄方法
WO2022224583A1 (ja) * 2021-04-21 2022-10-27 信越半導体株式会社 ウェーハの洗浄方法及び洗浄処理装置
JP7439788B2 (ja) 2021-04-21 2024-02-28 信越半導体株式会社 ウェーハの洗浄方法

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