CN110114857A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置(10)，其是对半导体晶圆(W)的被洗涤面(Wa)进行洗涤的基板处理装置(10)，其具备：能够保持半导体晶圆(W)的旋转夹头(21)、与保持于旋转夹头(21)上的半导体晶圆(W)的被洗涤面(Wa)相对配置且使多孔质的氟树脂的纤维相对于半导体晶圆(W)的表面朝向垂直方向形成的洗涤刷(41a)、使旋转夹头(21)以上述基板的被洗涤面(Wa)的法线方向作为基板旋转轴进行旋转驱动的旋转发动机(44)、和对保持于旋转夹头(21)上的半导体晶圆(W)的被洗涤面(Wa)供给洗涤液(L)的喷嘴管(45)，为了使颗粒除去力增加，可以使用试剂作为洗涤液、或者将洗涤液加热，同时进行广范围的颗粒除去。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及将半导体晶圆或液晶基板等基板使用洗涤刷进行洗涤的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中，有在作为基板的半导体晶圆或玻璃基板上形成电路图案的光刻工艺。光刻工艺通过将下述一连串的工序反复进行数十次而形成电路图案：在半导体晶圆上涂布抗蚀剂，对该抗蚀剂隔着形成有电路图案的掩模照射光，接着将抗蚀剂的没有照射到光的部分(或照射到光的部分)除去，并对除去的部分进行处理。
在各工序中，若半导体晶圆被污染则变得无法精密地形成电路图案，成为不良品的产生原因。因此，在各个工序中形成电路图案时，进行将上述半导体晶圆洗涤至不残留抗蚀剂或尘埃等颗粒(微粒)的洁净的状态这样的处理(例如日本专利公开公报特开平9-223682号)。
作为对半导体晶圆进行洗涤的装置，有将多片半导体晶圆浸泡到容纳有洗涤液的洗涤罐内进行洗涤的分批式、和使一块基板旋转并对该基板喷射洗涤液而进行洗涤的单片式，伴随着基板的大型化，存在使用洗涤效果高的单片式的倾向。
单片式的基板处理装置中有使半导体晶圆旋转而进行洗涤的旋转式的基板处理装置，就该基板处理装置而言，为了更进一步提高洗涤效果，使同样旋转驱动的洗涤刷与旋转的半导体晶圆的上表面接触、并对该接触部分供给洗涤液(水或超纯水等)而将上述半导体晶圆进行擦刷洗涤。需要说明的是，作为洗涤刷，使用PVA刷、毛刷等。
发明内容
发明所要解决的课题
在上述的基板处理装置中，存在下面的问题。即，近年来，伴随着半导体器件的高微细化而要求进一步高的洁净度，除了接触式洗涤以外，还进行与使用试剂(氨、硫酸、过氧化氢、臭氧水、氨与双氧水的混合液(APM)、盐酸与双氧水的混合液(SC-2)、表面活性剂等)作为洗涤液的试剂化学洗涤的并用。进而，还进行将试剂·水·超纯水加热来增加颗粒的除去力。然而，由于洗涤刷的主要成分的耐热、耐试剂性差，因此存在洗涤液的种类和温度受到限定、无法提高洁净度这样的问题。
为了解决上述课题并达成目的，本发明的基板处理装置及基板处理方法如下构成。
用于解决课题的手段
在对基板的被洗涤面进行洗涤的基板处理装置中，具备：能够保持上述基板的保持部；与保持于上述保持部中的上述基板的被洗涤面相对配置，使多孔质的氟树脂的纤维相对于上述基板的表面朝向垂直方向而形成的洗涤刷；以保持于上述保持部中的上述基板的上述被洗涤面的法线方向作为基板旋转轴而进行旋转驱动的驱动源；和对保持于上述保持部中的上述基板的被洗涤面供给洗涤液的供给部。
在对基板的被洗涤面进行洗涤的基板处理方法中，对保持于保持部中的上述基板的被洗涤面供给洗涤液，使洗涤刷接触，并使上述保持部以上述基板的上述被洗涤面的法线方向作为基板旋转轴而进行旋转驱动，所述洗涤刷与保持于保持部中的上述基板的被洗涤面相对配置，且使多孔质的氟树脂的纤维相对于上述基板的被处理面朝向垂直方向而形成。
发明效果
根据本发明，能够提供可进行洁净度高的洁净的基板处理装置及基板处理方法。
附图说明
图1A是表示本发明的第1实施方式所涉及的基板处理装置的纵向截面图。
图1B是将该基板处理装置的主要部分切断而表示的立体图。
图2是表示组入该基板处理装置中的洗涤部的平面图。
图3是示意性表示设置于该洗涤部中的洗涤刷与半导体晶圆的关系的说明图。
图4是将该洗涤刷的主要部分放大而表示的侧面图。
图5是示意性表示设置于该洗涤部中的情况的比较例的洗涤刷单元与半导体晶圆的关系的说明图。
图6是将比较例的洗涤刷的主要部分放大而表示的侧面图。
图7是表示洗涤刷及比较例的洗涤刷的基于PTFE纤维方向的每种颗粒尺寸的除去率的说明图。
图8是表示洗涤刷单元的变形例的立体图。
图9是表示洗涤刷单元的其它变形例的立体图。
图10是表示本发明的第2实施方式所涉及的基板处理装置的纵向截面图。
图11是表示该基板处理装置的横向截面图。
图12是表示组入该基板处理装置中的洗涤刷的横向截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对该发明的实施方式进行说明。图1A是表示本发明的第1实施方式所涉及的基板处理装置10的纵向截面图，图1B是将基板处理装置10的主要部分切断而表示的立体图。图2是表示组入基板处理装置10中的洗涤部的平面图，图3是示意性表示设置于洗涤部中的洗涤刷单元41与半导体晶圆W的关系的说明图，图4是将洗涤刷41a的主要部分放大而表示的侧面图，图5是示意性表示设置于洗涤部中的比较例的洗涤刷单元41与半导体晶圆W的关系的说明图，图6是将比较例的洗涤刷41A的主要部分放大而表示的侧面图，图7是表示洗涤刷41a及比较例的洗涤刷41A的基于PTFE纤维方向的每种颗粒尺寸的除去率的说明图。
需要说明的是，这些图中Pa表示颗粒尺寸(粒径)为10nm～低于50nm的颗粒，Pb表示颗粒尺寸为50nm～80nm的颗粒。颗粒Pa、Pb为附着于半导体晶圆W上的垃圾，除了包含只是单纯地存在于半导体晶圆W表面的颗粒以外，还包含以卡在半导体晶圆W基板上的状态存在的颗粒。因此，具有仅通过由在半导体晶圆W上流过水引起的水的流动所产生的力量的力而无法除去的性质。
图1A中所示的本发明的一实施方式的基板处理装置10具备处理容器11。该处理容器11具备上表面开放的有底筒状的本体部11a、和相对于该本体部11a滑动自如地设置且周壁倾斜的圆锥筒状的覆盖部11b，该覆盖部11b通过未图示的驱动机构而能够沿上下方向滑动。
在处理容器11的本体部11a底部，在周边部连接有多个排出管12的一端，在中心部形成有周围被凸缘13所围成的插通孔14。在该插通孔14中插通有支撑轴15。支撑轴15的上部突出到处理容器11的内部，下端部被固定于配置在处理容器11的下方的基底板16上。排出管12与未图示的废液罐连通。
在支撑轴15上以半导体晶圆W的法线方向作为基板旋转轴而旋转自如地支撑有旋转夹头(保持部)21。旋转夹头21具有在中心部设置有通孔22a的圆盘状的基座22。在该基座22的下表面即与通孔22a对应的位置处筒状的支撑部23以中心轴成为铅直方向的方式被设置。该支撑部23嵌入支撑轴15的外周侧，支撑轴15的上部和下部分别通过轴承24而旋转自如地被支撑。
在支撑部23的下端部的外周面设置有从动滑轮25。在基底板16上设置有发动机26，在该发动机26的旋转轴26a中嵌入有驱动滑轮27。在该驱动滑轮27和从动滑轮25上架设有皮带28。因此，若发动机26工作，则支撑部23即旋转夹头21被旋转驱动。
在旋转夹头21的基座22的上表面在圆周方向上朝向上方设置有4根支柱29。在各支柱29的上端部突出地设置有支撑销31a、和与该支撑销31a相比在外侧并且高度比支撑销31a高的卡合销31b。
在支柱29的上端，作为基板的半导体晶圆W按照使周边部的下表面被支撑销31a支撑、且使外周面与卡合销31b卡合的方式可装卸地被保持。因此，半导体晶圆W与旋转夹头21一体地旋转。
在支撑轴15上，在上端设置有直径比支撑轴15大、且呈圆锥状的头部40。在该支撑轴15上，沿着轴向而形成有使前端开口于头部40的上表面的氮气等不活泼气体的气体供给路40a、和使前端同样地开口于头部40的上表面的洗涤液L的洗涤液供给路40b。气体供给路40a与未图示的气体供给源连通，洗涤液供给路40b与同样未图示的洗涤液L的供给源连通。
供给至气体供给路40a的不活泼气体朝向保持于支柱29上的半导体晶圆W被喷出，供给至洗涤液供给路40b的洗涤液L从其前端的喷嘴孔40c朝向半导体晶圆W的下表面被喷出。
在保持于旋转夹头21上的半导体晶圆W的被洗涤面(上表面)Wa侧，为了将该半导体晶圆W的上表面进行洗涤而配置有圆形状的洗涤刷单元41。洗涤刷单元41由洗涤刷41a和刷保持架41b构成，洗涤刷41a形成为圆柱状，按照其轴心方向相对于半导体晶圆的被洗涤面成为垂直的方式，嵌入并设置于刷保持架41b中。该洗涤刷41a与刷保持架41b一起通过摇动机构42沿着半导体晶圆W的径向被摇动。即，摇动机构42具有中空筒状的水平臂43。作为驱动源的旋转发动机44以使旋转轴44a垂直的方式被内置在该水平臂43的前端部内，在该旋转轴44a上安装有刷保持架41b。
洗涤刷41a由作为氟树脂之一的多孔质PTFE材(聚四氟乙烯)的纤维(以下，称为“PTFE纤维”)形成。洗涤刷41a中，PTFE纤维方向纵向地形成。具体而言，如图3中所示的那样，洗涤刷41a的纤维延伸的方向相对于半导体晶圆W的上表面整体地看垂直地配置。即，相对于半导体晶圆W的上表面整体地看，纤维(原纤维)在垂直方向上延伸而形成。需要说明的是，可以换而言之为如后述那样将纤维连结的结点(岛状的点)相对于半导体晶圆W的上表面平行地形成。这种情况下，与半导体晶圆W上表面接触的面中的各纤维间的间隙不是以一定的间隔形成，而是以不规则的间隔形成，例如以10nm～500nm这样各种间隔形成。
图4示出将洗涤刷41a的主要部分即多孔质PTFE材100放大而表示的侧面图。多孔质PTFE材100包含以岛状分布的多个结点101、和从这些结点101沿其延伸方向(横向)取向的多个纤维102。在各纤维102间，存在间隙103。间隙103可成为连续气孔或独立气孔。
另一方面，作为比较例，对多孔质PTFE材100的纤维方向横向地形成的洗涤刷41A进行说明。具体而言，如图5中所示的那样，纤维(原纤维)相对于半导体晶圆W的上表面平行地延伸而形成。需要说明的是，可以换而言之为将纤维连结的结点(岛状的点)相对于半导体晶圆W的上表面沿垂直方向形成。这种情况下，与半导体晶圆W上表面接触的面中的各结点间的间隙(从各结点延伸的纤维的长度)不是以一定的间隔形成，而是以不规则的间隔形成，例如以300nm～500nm的大小形成。
图6示出将洗涤刷41A的主要部分即多孔质PTFE材100放大而表示的侧面图。多孔质PTFE材100包含以岛状分布的多个结点101、和从这些结点101沿其延伸方向(纵向)取向的多个纤维102。在各纤维102间，存在间隙103。间隙103可成为连续气孔或独立气孔。
将基于PTFE纤维方向的每种颗粒尺寸的除去性能示于图7中。即，在将PTFE纤维方向设定为纵向的情况下(洗涤刷41a)，在颗粒尺寸为10nm～80nm的整个范围内，与将PTFE纤维方向设定为横向的情况(洗涤刷41A)相比除去性能高。因此，在本实施方式中，使用将多孔质PTFE材100的纤维方向设定为纵向的洗涤刷41a。
首先，在通过洗涤刷41a来除去半导体晶圆W上表面的颗粒的情况下，关于除去性能的差异，考虑下面的情况。
存在于半导体晶圆W上表面的颗粒进入洗涤刷41a中。进入的颗粒卡在洗涤刷41a的底面(与半导体晶圆W的接触面)的纤维与纤维之间。该卡住的颗粒通过与半导体晶圆W相对移动的洗涤刷41a被拉开而从半导体晶圆W上表面被剥去。需要说明的是，无法进入洗涤刷41a的底面与半导体晶圆W表面之间的尺寸的颗粒与洗涤刷41a的端面接触。该接触的颗粒通过洗涤刷41a的摇动按照被扫帚打扫的方式移动至半导体晶圆W的端部。
接着，对与将PTFE纤维方向设定为横向的情况相比将PTFE纤维方向设定为纵向的情况下除去性能较高的理由进行考察。即，在将多孔质PTFE材100的纤维方向设定为纵向的情况下，由于洗涤刷41a的纤维彼此的间隔不规则地形成，因此与半导体晶圆W上表面接触的面中的纤维彼此的间隙的大小也以各种大小(10nm～500nm)形成。在纤维与纤维的间隔窄(低于50nm)的部位中，与纤维彼此的间隔的大小相符的小尺寸的颗粒Pa能够进入。因此，认为除去小的颗粒Pa的除去率高。在纤维与纤维的间隔稍宽(50nm以上)的部位中，与纤维彼此的间隔的大小相符的大尺寸的颗粒Pb能够进入。因此，认为小的颗粒Pa和比较大的颗粒Pb被除去的除去率均高。
与此相对，在将PTFE纤维方向设定为横向的情况下，与半导体晶圆W上表面接触的面中的各结点的间隔成为300～500nm。颗粒Pa和颗粒Pb均由于相对于刷的结点彼此的间隙的大小较小，因此即使进入结点彼此的间隙中，间隙与颗粒尺寸之间也存在差异，因此，颗粒Pa、Pb没有被保持于结点彼此的间隙中，没有被洗涤刷41A卡住，成为颗粒Pa、Pb残留在半导体晶圆W上表面的状态。即，认为由于颗粒Pa、Pb无法进入，因此颗粒的除去性能低。
在水平臂43中插通有与未图示的洗涤液L的供给源连接的喷嘴管(供给部)45。该喷嘴管45的前端部从水平臂43的前端部朝向下方被导出，其前端开口朝向洗涤刷41a的外周面。因此，使得洗涤液L通过喷嘴管45从洗涤刷41a的径向外侧被供给。
洗涤液L例如为包含氨、硫酸、双氧水、臭氧水、氨与双氧水的混合液(APM)、表面活性剂中的任一者的试剂、或水/超纯水。洗涤液L有时被加热。通过像这样使用试剂作为洗涤液L、或者进行加热，能够增加颗粒的除去力。需要说明的是，上述的洗涤刷41a的主要成分即多孔质PTFE材的耐热、耐试剂性优异，很少会因洗涤液L而劣化。因此，可以使用各种试剂及温度的洗涤液L。
需要说明的是，在该实施方式中，如图2中所示的那样从喷嘴管45朝向洗涤刷单元41供给的洗涤液L的供给方向A为洗涤刷单元41的大致切线方向，并且被设定为沿着洗涤刷单元41的旋转方向B的方向。另外，洗涤刷单元41的旋转方向可以是与半导体晶圆W的旋转方向相同方向或相反方向中的任一者。
在水平臂43的端部处连结有轴线垂直的摇动轴46的上端。该摇动轴46的下端部突出至基底板16的下方，被支撑体47摇动自如地支撑。
在支撑体47的一侧面沿着上下方向设置有一对导轨48，该导轨48在轨道50上滑动自如地卡合，所述轨道50在基底板16的下表面所设置的安装板49的一侧面上沿着上下方向设置。
在安装板49的支撑体47的下方的部分处设置有上下驱动发动机51。该上下驱动发动机51例如具有螺旋轴等驱动轴52，该驱动轴52与支撑体47嵌合。
因此，若该驱动轴52通过上下驱动发动机51而旋转驱动，则支撑体47沿着轨道50被上下驱动。即，洗涤刷单元41介由支撑体47、摇动轴46及水平臂43而被上下驱动。
在支撑体47的另一侧安装有摇动驱动源53。该摇动驱动源53具有收纳箱54及设置于该收纳箱54的下表面的发动机55。在收纳箱54内容纳有通过发动机55而旋转驱动的未图示的驱动齿轮。
在摇动轴46的被支撑体47支撑的下端部设置有未图示的从动齿轮，在该从动齿轮与驱动齿轮之间架设有皮带。因此，摇动轴46通过摇动驱动源53的发动机55工作而在规定的角度范围内摇动。
摇动轴46在规定的角度范围内被摇动，若水平臂43通过该摇动而摇动，则使得设置于该水平臂43的前端部的洗涤刷单元41如图2中实线和虚线所示的那样在保持于旋转夹头21上的半导体晶圆W的径向中心部与周边部之间被摇动。将其摇动范围在图2中以箭头D表示。
对洗涤刷单元41进行旋转驱动的旋转发动机44与控制装置90连接。该控制装置90对旋转发动机44进行供电，同时使洗涤刷单元41通过上下驱动发动机51而上下驱动。控制装置90适当控制各机构的参数、例如按压量、转速、摇动速度、洗涤液L的喷出量。
对通过像这样构成的基板处理装置10来对例如进行CMP处理后的半导体晶圆W进行洗涤处理的情况进行说明。通过CMP处理而在半导体晶圆W上表面残留了含有有机物的浆料或半导体晶圆W的切屑等残留物，附着在半导体晶圆W上表面。首先，在使洗涤刷单元41退避至处理容器11的外侧的状态下将半导体晶圆W保持在旋转夹头21上，使发动机26工作而使半导体晶圆W与旋转夹头21一起旋转。
接着，使洗涤刷单元41从退避位置移动至半导体晶圆W的上方。使旋转发动机44工作而使洗涤刷单元41旋转，同时一边从支撑轴15的洗涤液供给路40b和喷嘴管45对半导体晶圆W的下表面和上表面供给纯水等洗涤液L一边使上下驱动发动机51工作而使洗涤刷单元41下降。另外，使摇动驱动源53工作而使水平臂43即洗涤刷单元41在半导体晶圆W的上表面如图2中以箭头D所示的那样摇动。需要说明的是，摇动速度可以根据残留在半导体晶圆W上表面的残留物的粘度而适当调整。例如在含有有机物的浆料的附着力强的情况下，进行减慢摇动速度或半导体晶圆W的旋转速度等的控制。
洗涤刷单元41通过上下驱动发动机51而下降，洗涤刷41a与半导体晶圆W的被洗涤面接触。半导体晶圆W的上表面通过洗涤刷41a将附着在其上表面的颗粒除去。
由于洗涤刷41a的主要成分为多孔质PTFE材，因此相对于试剂或加热后的洗涤液L，耐热性、耐试剂性优异。
因此，对于半导体晶圆W，在CMP处理后，可以一边进行将半导体晶圆W上表面的有机物利用试剂而化学分解的处理一边进行擦刷洗涤。由此，不仅能够将存在于半导体晶圆W上表面的切屑等残留物除去，而且也能够将处于半导体晶圆W上表面的有机物同时除去，能够提高晶圆W上表面的洗涤效率。另外，变得能够将利用试剂而化学分解的有机物通过洗涤刷41扫出去，能够提高晶圆W上表面的洗涤能力。
如以上说明的那样，根据上述的实施方式，通过相对于半导体晶圆W的被洗涤面将PTFE纤维方向设定为纵向(垂直方向)而使洗涤刷41a接触并沿着半导体晶圆W的径向进行摇动，从小的颗粒Pa到比较大的颗粒Pb均能够除去。因此，能够具有半导体晶圆W的被洗涤面的高的洁净度。
图8是表示上述的洗涤刷单元41的变形例所涉及的洗涤刷单元60的立体图。洗涤刷单元60具有在半导体晶圆W的被洗涤面处相对配置的圆盘状的托架(刷保持架)61，在该托架61的表面空开规定的间隙而设置有7个洗涤刷62。该洗涤刷62以比上述的洗涤刷41a小的直径形成。另外，与洗涤刷41a同样地形成为圆柱状，按照其轴心方向相对于半导体晶圆的被洗涤面变得垂直的方式设置于托架61上。托架61的外径与上述刷保持架41b的外径大致相同。设置于托架61上的洗涤刷62的个数不限于7个，只要是能够将半导体晶圆W的被洗涤面充分进行洗涤处理的个数即可。
需要说明的是，洗涤刷单元60由于在洗涤刷62彼此间设置有间隙，因此洗涤液L通过间隙与被洗涤刷62扫出的颗粒一起漏到洗涤刷62的摇动方向的后方。
图9是表示洗涤刷单元41的其它变形例所涉及的洗涤刷单元60A的立体图。在图9中，对与图8同一功能部分标注同一符号，省略详细的说明。洗涤刷单元60A在托架61的中央设置有与洗涤液供给路45A连接的喷嘴孔63。通过从该喷嘴孔63供给洗涤液L，能够将颗粒Pa、Pb或被洗涤刷62扫出的颗粒从中央朝向外侧冲走。需要说明的是，在该情况下，图1A中的喷嘴管45也可以没有。
图10是表示本发明的第2实施方式所涉及的基板处理装置200的纵向截面图，图11是表示基板处理装置200的横向截面图，图12是表示组入基板处理装置200中的辊刷221的立体图。
如图10及图11中所示的那样，基板处理装置200具备洗涤槽201。如图11中所示的那样在洗涤槽201的一侧壁上形成有导入口203。从该导入口203，半导体晶圆W从外部被导入内部。在与洗涤槽201的一侧壁邻接的侧壁上形成有用于将洗涤后的半导体晶圆W搬出的导出口204。
如图10及图11中所示的那样，在洗涤槽201内，配置有3根驱动辊206及2根约束辊207。驱动辊206及约束辊207分别使轴线铅直地旋转自如地、并且沿着半导体晶圆W的周向以规定的间隔配设。驱动辊206配置在图11中右侧，约束辊207配置在图11中左侧。驱动辊206的下端部通过第1轴承体211被旋转自如地支撑。第1轴承体211被固定地设置于支撑板209上。
约束辊207的下端部通过第2轴承体212被旋转自如地支撑。第2轴承体212滑动自如地设置于支撑板209上，如图10中以箭头所示的那样通过驱动汽缸213在相对于驱动辊206接近或分离的方向上被驱动。
驱动辊206卡合半导体晶圆W的周边部。约束辊207与半导体晶圆W的周边部接触，对被卡合保持的半导体晶圆W在径向上偏离运动的情况进行约束。
驱动辊206通过第1驱动机构217而被旋转驱动。该第1驱动机构217如图10中所示的那样具有配置在支撑板209的下方的发动机218。在该发动机218的旋转轴218a上设置有驱动滑轮219a。在该驱动滑轮219a与分别设置于各驱动辊206的下端部的3个从动滑轮219b之间架设有皮带220。因此，若发动机218工作，则能够介由皮带220使各驱动辊206进行旋转驱动。
在洗涤槽201内，上下一对辊刷221被具有水平方向的旋转轴的一对保持部222支撑地配置。这些辊刷221通过图11中所示的第2驱动机构220A分别被旋转驱动，同时介由保持部222通过上下驱动机构220B在上下方向上被驱动。
如图10中所示的那样，在辊刷221的附近，一对管状的下部的喷嘴241和上部的喷嘴242夹持半导体晶圆W而配置。在对半导体晶圆W的上下表面(被洗涤面)利用一对辊刷221进行洗涤时从各喷嘴241、242供给洗涤液L。
保持部222相对于能够沿着上下方向移动地构成的轴承体223旋转自如地被支撑。在该轴承体223的内部，连结有发动机224的旋转轴，该发动机224的旋转介由轴承体223被传递至保持部222，能够将辊刷221旋转。轴承体223通过臂226被支撑，被上下驱动机构220B支撑。通过利用这样的上下驱动机构220B将臂226上下驱动，能够使各辊刷221与半导体晶圆W的下表面和上表面以规定的接触力接触。
各辊刷221如图12中所示的那样具备以规定的间隔安装于圆筒部221a的表面的洗涤刷221b。圆筒部221a的轴心方向相对于半导体晶圆W的被洗涤面平行地形成。即，各辊刷221相对于半导体晶圆W的被处理面平行地设置。另外，洗涤刷221b与上述的洗涤刷41a同样地形成。即，形成为圆柱状，在与半导体晶圆W的被洗涤面相对配置时，按照洗涤刷221b的轴心方向相对于半导体晶圆的被处理面变得垂直的方式设置于圆筒部221a的表面。需要说明的是，关于尺寸，以比上述的洗涤刷62小的直径形成。进而，各辊刷221的长度以覆盖半导体晶圆W的直径那样的长度形成。
辊刷221分别通过发动机224沿着将供给至一对辊刷221间的半导体晶圆W通过其旋转力按压于驱动辊206的外周面的方向被旋转驱动。
在像这样构成的基板处理装置200中，将一对辊刷221定位于规定的高度，使驱动汽缸213工作而使一对约束辊207向前进方向驱动直至半导体晶圆W的径向的相反侧的部分与驱动辊206的外周面抵接或隔着微小的间隔靠近。像这样保持半导体晶圆W，将辊刷221及3根驱动辊206旋转驱动。另外，从各喷嘴241、242朝向半导体晶圆W的上下表面喷射洗涤液L。
通过一对辊刷221被旋转驱动，能够使各辊刷221的洗涤刷221b相对于半导体晶圆W的上下表面压入，因此能够将半导体晶圆W的上下表面在辊刷221的轴向全长上没有不均地大致均匀地进行洗涤。
在本实施方式所涉及的辊刷221中，通过与上述的洗涤刷41a同样地使用，也能够将广范围的大小的颗粒Pa、Pb除去，并且能够在供给洗涤液L的同时进行擦刷洗涤。
需要说明的是，在上述的实施方式中，作为通过基板处理装置进行处理的基板例示出了半导体晶圆W，但并不限于此，也可以应用于液晶基板或光掩模等玻璃基板。另外，在洗涤处理时使洗涤刷单元41旋转，但也可以不旋转。进而，洗涤刷41a的形状并不限于圆柱状。另外，作为氟树脂列举出了多孔质PTFE材，但只要是具有如上述那样能够摄入小颗粒的同样的构成，则也可以使用其他的氟系树脂(例如PVDF或TFE)。
需要说明的是，本发明并不限定于上述实施方式，在实施阶段在不脱离其主旨的范围内可以进行各种变形。另外，各实施方式可以适当组合而实施，该情况下可得到组合的效果。进而，在上述实施方式中包含各种发明，通过从公开的多个构成要件中选择的组合可抽出各种发明。例如，在即使从实施方式中所示的全部构成要件中删除几个构成要件也能够解决课题、得到效果的情况下，可抽出该构成要件被删除的构成作为发明。
产业上的可利用性
根据本发明，为了使颗粒除去力增加，可以使用试剂作为洗涤液、或者将洗涤液加热，同时能够进行广范围的颗粒除去。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其是对基板的被洗涤面进行洗涤的基板处理装置，其具备：
能够保持所述基板的保持部；
洗涤刷，其与保持于所述保持部中的所述基板的被洗涤面相对配置，使多孔质的氟树脂的纤维相对于所述基板的表面朝向垂直方向而形成；
驱动源，其以保持于所述保持部中的所述基板的所述被洗涤面的法线方向作为基板旋转轴而进行旋转驱动；和
供给部，其对保持于所述保持部中的所述基板的被洗涤面供给洗涤液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述氟树脂为聚四氟乙烯。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述洗涤刷形成为圆柱状，其轴心方向相对于所述基板的被洗涤面垂直地设置。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述洗涤刷中，将所述纤维连结的结点相对于所述基板的上表面平行地配置。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述洗涤刷在相对于所述基板的被洗涤面相对配置的刷保持架上设置有多个。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述洗涤刷在具有相对于所述基板的被洗涤面平行的旋转轴的圆筒体的表面设置有多个。
7.一种基板处理方法，其是对基板的被洗涤面进行洗涤的基板处理方法，其中，
对保持于保持部中的所述基板的被洗涤面供给洗涤液；
使洗涤刷接触所述基板的被洗涤面，所述洗涤刷与保持于保持部中的所述基板的被洗涤面相对配置，且使多孔质的氟树脂的纤维相对于所述基板的被处理面朝向垂直方向形成；
使所述保持部以所述基板的所述被洗涤面的法线方向作为基板旋转轴进行旋转驱动。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述氟树脂为聚四氟乙烯。
9.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述洗涤刷形成为圆柱状，其轴心方向相对于所述基板的被洗涤面垂直地设置。
10.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述洗涤刷中，将所述纤维连结的结点相对于所述基板的上表面平行地配置。
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