CN108803257A - 液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108803257A
CN108803257A CN201810383604.7A CN201810383604A CN108803257A CN 108803257 A CN108803257 A CN 108803257A CN 201810383604 A CN201810383604 A CN 201810383604A CN 108803257 A CN108803257 A CN 108803257A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
liquid
outlet
unit
slit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810383604.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108803257B (zh
Inventor
李承汉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN108803257A publication Critical patent/CN108803257A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108803257B publication Critical patent/CN108803257B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/005—Curtain coaters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

提供了用于对基板进行液体处理的装置和方法。该装置包括：基板支撑单元，其支撑并旋转基板；以及液体供应单元，其将液体供应到由基板支撑单元支撑的基板上。液体供应单元包括供应第一处理液和第二处理液的喷嘴单元，以及移动喷嘴单元的移动单元。喷嘴单元具有用于以液幕方式排出第一处理液的第一狭缝排出口，用于以液幕方式排出第二处理液的第二狭缝排出口，以及用于排出预润湿液的润湿液排出口。取决于在基板上形成的膜，选择性地供应处理液，从而容易处理具有各种类型的膜的基板。

Description

液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本文所述发明构思的实施方式涉及用于对基板进行液体处理的装置和方法。
背景技术
为了制造半导体器件和平板显示器面板，可以使用各种工艺，例如光刻、蚀刻、灰化、薄膜沉积和冲洗工艺。在其中的光刻工艺的情况下，依次进行涂布、曝光和显影步骤。涂布过程是用于涂布敏化溶液如抗蚀剂。曝光过程是用于将具有光致抗蚀剂膜的基板上的电路图案曝露于光。显影过程是用于选择性地显影经过曝光过程的基板区域。
通常，显影过程可以包括显影液供应步骤、冲洗液供应步骤和干燥步骤。其中，显影液供应步骤是向基板供应显影液的步骤，并且显影液被二次供应到基板以将显影液膜调节得更厚。显影液首先以流动方式供应，其次以液幕方式供应。
根据流动方式，显影液被供应到基板的中心上。根据液幕方式，显影液在显影液所排放到的区域移动的同时被供应。因此，在显影液供应步骤中，需要两个喷嘴来供应相同的显影液。为了另外进行冲洗液供应步骤和干燥步骤，至少需要两个或更多个喷嘴。
显影过程中使用的喷嘴可以包括显影液喷嘴、冲洗液喷嘴和干燥喷嘴。显影处理装置的内部空间变窄，并且喷嘴的数量不可增加。此外，当喷嘴过度增加时，装置可能会频繁损坏。
取决于基板上的膜，用于显影过程的显影液可以包括各种类型的显影液。显影液用于通过相同的过程对基板显影。因此，如果在一个显影处理装置中供应显影液，则可以对各种类型的膜显影。
然而，由于如上所述喷嘴的数量不可增加，所以必须根据显影液的类型对显影处理装置加以区分。
作为现有技术，公开了韩国未审专利公开No.2005-0100521。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了用于改善液体处理装置中具有喷嘴的空间的效率的装置和方法。
本发明构思的实施方式提供了通过使用有限数量的喷嘴单元来供应各种类型的液体的装置和方法。
根据本发明构思的实施方式，提供了用于对基板进行液体处理的装置和方法。该装置包括：基板支撑单元，其支撑并旋转基板；以及液体供应单元，其将液体供应到由基板支撑单元支撑的基板上。液体供应单元包括供应第一处理液和第二处理液的喷嘴单元，以及移动喷嘴单元的移动单元。喷嘴单元具有用于以液幕方式排出第一处理液的第一狭缝排出口，用于以液幕方式排出第二处理液的第二狭缝排出口，以及用于排出预润湿液的润湿液排出口。
第一狭缝排出口和第二狭缝排出口分别设置为具有平行于第一方向的长度方向。喷嘴单元包括主体，其具有润湿液排出口；第一本体，其连接到主体的一侧并具有第一狭缝排出口；以及第二本体，其连接到主体的另一侧并具有第二狭缝排出口。第一本体、主体和第二本体可以依次沿垂直于第一方向的第二方向布置。第一狭缝排出口和第二狭缝排出口可以设置为沿朝向主体的方向向下倾斜。第一狭缝排出口和第二狭缝排出口可以形成为关于穿过润湿液排出口同时沿第二方向延伸的线彼此偏移。
主体还可以具有用于以流动方式排出第一处理液的第一圆形排出口和用于以流动方式排出第二处理液的第二圆形排出口。第一圆形排出口、润湿液排出口和第二圆形排出口可以依次沿第一方向布置。第一狭缝排出口可以沿第二方向形成在朝向第一圆形排出口的位置处，第二狭缝排出口可以沿第二方向形成在朝向第二圆形排出口的位置处。
另外，第一狭缝排出口和第二狭缝排出口可以设置成沿朝向彼此的方向向下倾斜。
该装置还可以包括控制器，其控制液体供应单元，使得喷嘴单元沿第一方向移动。当俯视时，基于其中液体的排出区域与穿过基板中心同时沿第一方向延伸的线重叠的位置，控制器可以在基板的中心区域和基板的边缘区域之间移动喷嘴单元。当俯视时，第一处理液的排出方向和第二处理液的排出方向可以设置为朝向基板的旋转方向的下游侧。
当俯视时，控制器控制液体供应单元，使得穿过基板中心同时沿第二方向延伸的线位于第一处理液的第一排出区域和第二处理液的第二排出区域之间。
将液体供应到基板上的液体供应单元包括供应第一处理液和第二处理液的喷嘴单元，以及移动喷嘴单元的移动单元。喷嘴单元具有用于以液幕方式排出第一处理液的第一狭缝排出口，用于以液幕方式排出第二处理液的第二狭缝排出口，以及用于排出预润湿液的润湿液排出口。
喷嘴单元可以包括主体，其具有润湿液排出口；第一本体，其联接到主体并具有第一狭缝排出口；以及第二本体，其联接到主体并具有第二狭缝排出口。第一狭缝排出口和第二狭缝排出口可以设置为具有平行于第一方向的长度方向。第一狭缝排出口和第二狭缝排出口可以设置为朝向向下倾斜的方向，使得第一狭缝排出口和第二狭缝排出口的下部更靠近主体。
第一本体可以联接到主体的一侧，第二本体可以联接到主体的另一侧。主体的一侧和主体的另一侧可以设置为沿垂直于第一方向的第二方向的对置侧。第一狭缝排出口和第二狭缝排出口可以形成为关于穿过润湿液排出口同时沿第二方向延伸的线彼此偏移。
主体还可以具有用于以流动方式排出第一处理液的第一圆形排出口和用于以流动方式排出第二处理液的第二圆形排出口。第一圆形排出口、润湿液排出口和第二圆形排出口可以依次沿第一方向布置。第一狭缝排出口可以沿第二方向形成在朝向第一圆形排出口的位置处。第二狭缝排出口可以沿第二方向形成在朝向第二圆形排出口的位置处。
通过使用该装置对基板进行液体处理的方法包括：进行第一液体处理过程，其中将第一处理液供应到放置在基板支撑单元上的第一基板上；以及进行第二液体处理过程，其中将第二处理液供应到放置在基板支撑单元上的第二基板上。在第一液体处理过程中的第一狭缝排出口的移动方向与在第二液体处理过程中的第二狭缝排出口的移动方向相反。
第一液体处理过程可以包括将以流动方式排出的第一处理液供应到第一基板的中心的第一流动供应步骤和将以液幕方式排出的第一处理液供应到第一排出区域的第一液幕供应步骤。第二液体处理过程可以包括将以流动方式排出的第二处理液供应到第二基板的中心的第二流动供应步骤和将以液幕方式排出的第二处理液供应到第二排出区域的第二液幕供应步骤。第一排出区域和第二排出区域可以从相应基板的中心区域变为相应基板的边缘区域。
第一排出区域可以包括基板的中心区域和基板的边缘区域之间的区域，并且第二排出区域可以包括关于基板的中心与第一排出区域相对的区域。
第一处理液和第二处理液可以包括相互不同类型的显影液。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施方式，本发明构思的上述和其它目的和特征将变得显而易见。
图1是根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的平面图；
图2是图1的设备沿图1的线A-A截取的截面图；
图3是图1的设备沿图1的线B-B截取的截面图；
图4是图1的设备沿图1的线C-C截取的截面图；
图5是示出图1中基板处理装置的平面图；
图6是示出图5中基板处理装置的截面图；
图7是示出图6的喷嘴单元的立体图；
图8是示出图7的喷嘴单元的侧视图；
图9是示出通过使用图5的装置对基板进行液体处理的过程的流程图；
图10至图12是示出通过使用图9的装置用第一处理液处理第一基板的过程的视图；
图13至图15是示出通过使用图9的装置将第二处理液供应到第二基板上的过程的视图；以及
图16是示出图7的喷嘴单元的另一个实施方式的立体图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的实施方式。本发明构思的实施方式可以以各种形式进行修改，并且本发明构思的范围不应被解释为限于以下实施方式。提供本发明构思的实施方式是为了对本领域技术人员更完全地说明本发明构思。因此，附图的部件的形状被夸大以强调其更清楚的说明。
本发明构思的本实施方式的设备可以用于在诸如半导体基板或平板显示器面板的基板上进行光刻工艺。特别地，本实施方式的设备可以连接到曝光装置以进行对基板的显影过程。然而，本实施方式不受限制，而是可以应用各种工艺，只要对基板进行液体处理即可。另外，根据本实施方式，作为示例，晶片用作基板。
在下文中，将参考图1至图16描述根据本发明构思的基板处理设备。
图1是根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的平面图，图2是图1的设备沿图1的线A-A截取的截面图；图3是图1的设备沿图1的线B-B截取的截面图；图4是图1的装置沿图1的线C-C截取的截面图。
参考图1至图4，基板处理设备1包括装载端口100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂布/显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700。装载端口100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂布/显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700沿一个方向依次布置成一行。
在下文中，布置装载端口100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂布/显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700的方向将被称为第一方向12，并且当俯视时垂直于第一方向12的方向将被称为第二方向14，并且与第一方向12和第二方向14垂直的方向将被称为第三方向16。
基板“W”在被容纳在盒20中的同时被移动。在这种情况下，盒20具有与外部隔绝的结构。例如，可以使用在前侧具有门的正面开口标准箱(FOUP)作为盒20。
在下文中，将详细描述装载端口100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂布/显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700。
装载端口100具有载体120，其上放置了其中容纳有基板“W”的盒20。设置有多个载体120，并沿着第二方向14布置成一行。在图2中，设置有四个载体120。
转位模块200在放置在装载端口100的载体120上的盒20与第一缓冲模块300之间传送基板“W”。转位模块200具有框架210、转位机械手220和导轨230。框架210为具有中空结构的大致长方体形状，并且介于装载端口100和第一缓冲模块300之间。转位模块200的框架210可以设置在比将在下面描述的第一缓冲模块300的框架310的高度更低的高度处。转位机械手220和导轨230布置在框架210中。转位机械手220具有四轴驱动结构，其允许其手状部221直接处理基板“W”以沿第一方向12、第二方向14和第三方向16可移动和可旋转。转位机械手220具有手状部221、臂状部222、支撑部223和支架224。手状部221固定地安装在臂状部222中。臂状部222具有可延伸和可旋转的结构。支撑部223的长度沿第三方向16延伸。臂状部222沿着支撑部223可移动地联接到支撑部223。支撑部223固定地联接到支架224。导轨230的长度沿第二方向14延伸。支架224联接至导轨230以沿着导轨230可线性移动。虽然未示出，但框架210还包括打开和关闭盒20的门的开门器。
第一缓冲模块300具有框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机械手360。框架310为具有中空结构的长方体形状，并且介于转位模块200与涂布/显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机械手360位于框架310内。冷却室350、第二缓冲器330和第一缓冲器320从底部依次沿第三方向16布置。第一缓冲器320位于与将在下面描述的涂布/显影模块400的涂布模块401相对应的高度处，并且第二缓冲器330和冷却室350位于与将在下面描述的涂布/显影模块400的显影模块402相对应的高度处。第一缓冲机械手360与第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器320沿第二方向14间隔开特定的距离。
第一缓冲器320和第二缓冲器330临时存储多个基板W。第二缓冲器330具有壳体331和多个支撑部332。支撑部332布置在壳体331内，并在沿第三方向16彼此间隔开。在每个支撑部332上放置一个基板“W”。壳体331沿设置转位机械手220、第一缓冲机械手360和待描述的显影模块402的显影机械手482的方向具有开口(未示出)，使得转位机械手220、第一缓冲机械手360和显影机械手482将基板“W”引入设置在壳体331内的支撑部332中或从其中撤出。第一缓冲器320的结构与第二缓冲器330的结构基本相似。同时，第一缓冲器320的壳体321沿设置第一缓冲机械手360的方向具有开口，并且涂布机械手432位于待描述的涂布模块401中。设置在第一缓冲器320中的支撑部322的数量可以与设置在第二缓冲器330中的支撑部332的数量相同或不同。根据一个实施方式，设置在第二缓冲器330中的支撑部332的数量可以比设置在第一缓冲器320中的支撑部332的数量更多。
第一缓冲机械手360在第一缓冲器320和第二缓冲器330之间传送基板“W”。第一缓冲机械手360具有手状部361、臂状部362和支撑部363。手状部361固定地安装在臂状部362中。手状部361具有可延伸的结构，使得手状部361可以沿第二方向14移动。臂状部362联接到支撑部363以可沿着支撑部363沿第三方向16线性移动。支撑部363具有从对应于第二缓冲器330的位置延伸到对应于第一缓冲器320的位置的长度。支撑部363可以设置为更长地向上或向下延伸。第一缓冲机械手360可以设置为使得手状部361简单地沿着第二方向14和第三方向16被双轴驱动。
冷却室350冷却基板“W”。冷却室350具有壳体351和冷却板352。冷却板352具有冷却单元353，该冷却单元353冷却其上放置有基板“W”的其上表面和基板W。可以使用诸如使用冷却水的冷却类型和使用热电元件的冷却类型的各种类型作为冷却单元353。也可以在冷却室350内设置升降销组件(未示出)以使基板“W”位于冷却板352上。壳体351沿设置转位机械手220和待描述的显影模块402中设置的显影机械手482的方向具有开口(未示出)，使得转位机械手220和显影机械手482将基板“W”引入冷却板352中或从其中撤出。可以在冷却室350中设置打开和关闭前述开口的门(未示出)。
涂布/显影模块400在曝光过程之前进行在基板“W”上涂布光致抗蚀剂的过程，以及在曝光过程之后进行对基板“W”显影的过程。涂布/显影模块400具有大致长方体形状。涂布/显影模块400具有涂布模块401和显影模块402。涂布模块401和显影模块402可以布置为在不同的层中彼此分隔开。根据一个实例，涂布模块401位于显影模块402上。
涂布模块401进行在基板“W”上涂布诸如光致抗蚀剂的感光液体的过程，以及例如在抗蚀剂涂布过程之前和之后加热和冷却基板“W”的热处理过程。涂布模块401具有抗蚀剂涂布室410、烘焙室420和运送室430。抗蚀剂涂布室410、烘焙室420和运送室430依次沿第二方向14布置。因此，抗蚀剂涂布室410和烘焙室420沿第二方向14彼此间隔开，而运送室430介于它们之间。可以沿第一方向12和第三方向16中的每个设置多个抗蚀剂涂布室410。在附图中，作为示例，示出了六个抗蚀剂涂布室410。可以沿第一方向12和第三方向16中的每个设置多个烘焙室420。在附图中，作为示例，示出了六个烘焙室420。然而，不同于此，可以设置更多数量的烘焙室420。
运送室430沿第一方向12与第一缓冲模块300的第一缓冲器320平行地定位。涂布机械手432和导轨433可以位于运送室430中。运送室430具有大致矩形形状。涂布机械手432在烘焙室420、抗蚀剂涂布室410、第一缓冲模块300的第一缓冲器320以及第二缓冲模块500的第一冷却室520之间传送基板“W”。导轨433布置成使得其长度方向平行于第一方向12。导轨433引导涂布机械手432，使得涂布机械手432沿第一方向12线性移动。涂布机械手432具有手状部434、臂状部435、支撑部436和支架437。手状部434固定安装在臂状部435中。臂状部435具有可延伸的结构，使得手状部434可水平移动。支撑部436的长度沿第三方向16延伸。臂状部435联接到支撑部436以沿着支撑部436沿第三方向16可线性移动。支撑部436固定地联接到支架437，并且支架437联接到导轨433以沿着导轨433可移动。
抗蚀剂涂布室410具有相同的结构。然而，抗蚀剂涂布室410可以采用相互不同类型的光致抗蚀剂。例如，化学增幅抗蚀剂可以用作光致抗蚀剂。抗蚀剂涂布室410在基板W上涂布光致抗蚀剂。抗蚀剂涂布室410具有壳体411、支撑板412和喷嘴413。壳体411具有上部开口的杯状。支撑板412位于壳体411内并支撑基板W。支撑板412可旋转地设置。喷嘴413将光致抗蚀剂供应到放置在支撑板412上的基板“W”上。具有圆柱管状的喷嘴413将光致抗蚀剂供应到基板W的中心。可替选地，喷嘴413具有与基板“W”的直径相对应的长度，并且喷嘴413的排出口可以以狭缝的形式设置。另外，抗蚀剂涂布室410还可以包括喷嘴414，其供应清洁液例如去离子水以清洁基板W的表面。
烘焙室410将对基板W进行热处理。例如，烘焙室420通过在涂布光致抗蚀剂之前以预定温度加热基板“W”来进行从基板“W”的表面去除有机物质和水分的预烘焙过程，或在将光致抗蚀剂涂布到基板W之后进行的软烘焙过程，并且在加热过程之后进行冷却基板“W”的冷却过程。烘焙室420具有冷却板421和加热板422。冷却板421包括诸如冷却水或热电元件的冷却单元423。加热板422包括诸如加热丝或热电元件的加热单元424。冷却板421和加热板422可以设置在一个烘焙室420中。或者，一些烘焙室420可以仅包括冷却板421，并且一些烘焙室420可以仅包括加热板422。
显影模块402进行通过供应显影液去除一部分光致抗蚀剂而获得基板W上的图案的显影过程；以及在显影过程之前和之后对基板“W”进行的诸如加热和冷却的热处理过程。显影模块402具有显影室460、烘焙室470和运送室480。显影室460、烘焙室470和运送室480依次沿第二方向14布置。因此，显影室460和烘焙室470沿第二方向14彼此间隔开，而运送室480介于它们之间。可以沿第一方向12和第三方向16中的每个设置多个显影室460。在附图中，作为示例，示出了六个显影室460。可以沿第一方向12和第三方向16中的每个设置多个烘焙室470。在附图中，作为示例，示出了六个抗蚀剂烘焙室470。然而，不同于此，可以设置更多数量的烘焙室470。
运送室480沿第一方向12与第一缓冲模块300的第一缓冲器330平行地定位。显影机械手482和导轨483可定位在运送室480中。运送室480具有大致矩形形状。显影机械手482在烘焙室470、显影室460、第一缓冲模块300的第二缓冲器330和冷却室350、以及第二缓冲模块500的第二冷却室540之间传送基板“W”。导轨483布置成使得其长度方向平行于第一方向12。导轨483引导显影机械手482，使得显影机械手482可沿第一方向12线性移动。显影机械手482具有手状部484、臂状部485、支撑部486和支架487。手状部484固定地安装到臂状部485。臂状部485具有可延伸的结构，使得手状部484可水平移动。支撑部486的长度沿第三方向16延伸。臂状部485联接到支撑部486上以沿着支撑部486沿第三方向16可线性移动。支撑部486固定地联接到支架487。支架487联接到导轨483以沿着导轨483可线性移动。
显影室460具有相同的结构。然而，显影室460可以采用相互不同类型的显影液。显影室460用作对基板进行显影处理的装置。显影室460消除了涂布在基板W上的光致抗蚀剂的光照射区域。在这种情况下，保护膜的光照射区域一起被消除。可替选地，取决于光致抗蚀剂的类型，可以仅消除光致抗蚀剂和保护膜的光未照射区域。
根据本实施方式，显影室460可以用作用液体处理基板“W”的装置(在下文中，称为“基板处理装置”)460。图5是示出图1的基板处理装置的平面图，
图6是示出图5的基板处理装置的截面图。参考图5和图6，基板处理装置800对单个基板W进行显影过程。基板处理装置800可以包括基板支撑单元810、处理容器820、升降单元840、液体供应单元850和控制器890。
基板支撑单元810支撑并旋转基板W。基板支撑单元810包括支撑板812和旋转驱动构件814和815。支撑板812支撑基板W。支撑板812设置为具有圆形板状。支撑板812可以具有小于基板W的直径。在支撑板812的支撑表面中形成有真空孔816，并且真空被提供至真空孔816。基板“W”可以通过真空被吸附到支撑表面上。
旋转驱动构件814和815旋转支撑板812。旋转驱动构件814和815包括旋转轴814和驱动单元815。旋转轴814设置成具有长度沿竖直方向延伸的杆状。旋转轴814与支撑板812的底面接合。驱动单元815可以将旋转力传递到旋转轴814。旋转轴814可以通过从驱动单元815提供的旋转力而围绕中心轴线可旋转。支撑板812可与旋转轴814一起旋转。调节旋转轴814的每分钟转数(RPM)以调节基板W的RPM。例如，驱动单元815可以是电动机。
处理容器820提供进行显影过程的处理空间。处理容器820回收在显影过程中使用的液体。处理容器820设置成具有上部开口的杯状。处理容器820包括内部回收容器822和外部回收容器826。回收容器822和826回收在显影过程中使用的液体当中相互不同类型的液体。当在截面图中观察时，内部回收容器822设置成围绕基板支撑单元810的圆环形状，并且外部回收容器826设置成围绕内部回收容器822的圆环形状。内部回收容器822的内部空间822a和外部回收容器826与内部回收容器822之间的空间826a分别用作将液体引入内部回收容器822和外部回收容器826的入口。回收管线822b和826b与回收容器822和826连接以从回收容器822和826的底表面竖直向下延伸。回收管线822b和826b分别排出引入到回收容器822和826中的液体。排出的液体可以通过外部处理液回收系统(未示出)再循环。
升降单元840可以调节处理容器820和基板W之间的相对高度。升降单元840使处理容器820沿竖直方向移动。升降单元840包括托架842、移动轴844和驱动单元846。托架842将处理容器820连接到移动轴844。托架842固定地安装在处理容器820的竖直壁822上。移动轴844设置成具有沿竖直方向延伸的长度。移动轴844的上端固定地联接到托架842。移动轴844通过驱动单元846沿竖直方向移动，并且处理容器820与移动轴844一起升降。例如，驱动单元846可以是气缸或电动机。
液体供应单元850向由基板支撑单元810支撑的基板“W”供应液体。液体供应单元850包括处理液供应构件870和冲洗液供应构件880。处理液供应构件870供应预润湿液、第一处理液和第二处理液。冲洗液供应构件880供给冲洗液和干燥气体。
处理液供应构件870包括喷嘴单元1300和第一移动单元1100。第一移动单元1100使喷嘴单元1300沿第一方向12移动。第一移动单元1100将喷嘴单元1300移动到处理位置或备用位置。在这种情况下，处理位置是喷嘴单元1300朝向基板“W”的位置，备用位置是喷嘴单元1300在处理位置之外的位置。第一移动单元1100包括第一导轨1120和第一臂状部1140。第一导轨1120位于处理容器820的一侧。第一导轨1120设置为具有平行于喷嘴单元1300的移动方向的长度方向。例如，第一导轨1120可以设置成具有沿第一方向12延伸的长度。第一臂状部1140设置成具有杆状。当俯视时，第一臂状部1140设置为具有垂直于第一导轨1120的长度方向。第一臂状部1140可以设置为具有沿垂直于第一方向12的第二方向14延伸的长度。第一臂状部1140的一端联接到喷嘴单元1300并且相反端联接到第一导轨1120。因此，第一臂状部1140和喷嘴单元1300沿导轨1120的长度方向一起移动。
喷嘴单元1300以流动方式排出预润湿液，并且以流动方式和液幕方式供应第一处理液和第二处理液。例如，可以在供应处理液之前将用于润湿基板“W”表面的预润湿液供应到基板“W”上。
图7是示出图6的喷嘴单元的立体图。图8是示出图7的喷嘴单元的侧视图。参考图7和图8，喷嘴单元1300包括主体1400、第一本体1500和第二本体1600。主体1400在其底表面形成有第一圆形排出口1450、润湿液排出口1420和第二圆形排出口1460。第一圆形排出口1450、润湿液排出口1420和第二圆形排出口1460依次沿第一方向12布置。第一处理液通过第一圆形排出口1450以流动方式排出。预润湿液通过润湿液排出口1420以流动方式排出。第二处理液通过第二圆形排出口1460以流动方式排出。当俯视时，喷嘴单元1300的移动路径可以包括使润湿液排出口1420、第一圆形排出口1450和第二圆形排出口1460与基板W的中心匹配的位置。
第一本体1500联接到主体1400的一侧。第一本体1500具有形成在其中的第一狭缝排出口1520。第一狭缝排出口1520具有平行于第一方向12的长度方向。第一狭缝排出口1520沿朝向主体1400的方向向下倾斜。当俯视时，第一狭缝排出口1520和第一圆形排出口1450可以定位成沿垂直于第一方向12的第二方向14朝向彼此。例如，第一处理液可以是显影液。
第二本体1600联接到主体1400的另一侧。在这种情况下，主体1400的另一侧作为与主体1400的一侧相反的一侧。主体1400的一侧和另一侧沿第二方向作为对置侧。第二本体1600具有形成在其中的第二狭缝排出口1620。第二狭缝排出口1620具有平行于第一方向12的长度方向。第二狭缝排出口1620沿朝向主体1400的方向向下倾斜。当沿第一方向12观察喷嘴单元1300时，第一狭缝排出口1520和第二狭缝排出口1620在彼此靠近的同时向下倾斜。当俯视时，第二狭缝排出口1620和第二圆形排出口1460可以定位成沿第二方向朝向彼此。例如，第二处理液可以与第一处理液不同。第一处理液和第二处理液中的一个可以被选择性地供应到单个基板W。第一处理液可以被供应到第一基板W1并且第二处理液可以被供应到第二基板W2。
根据一个实施方式，第一狭缝排出口1520和第二狭缝排出口1620可以形成为关于穿过润湿液排出口1420的线彼此偏移，同时沿第二方向延伸。采用流动方式并形成在主体1400中的排出口1420、1450和1460具有高于第一狭缝排出口1520和第二狭缝排出口1620的下端。因此，可以最小化以液幕方式排出的处理液从基板“W”分散并粘到采用流动方式的排出口1420、1450和1460。
冲洗液供应构件880以流动方式供应冲洗液。冲洗液供应构件880包括冲洗液喷嘴886、气体喷嘴888和第二移动单元881。第二移动单元881使冲洗液喷嘴886和气体喷嘴888线性移动。第二移动单元881同时将冲洗液喷嘴886和气体喷嘴888移动到处理位置或备用位置。第二移动单元881包括第二导轨882和第二臂状部884。第二导轨882位于处理容器820的一侧。第二导轨882设置为具有平行于冲洗液喷嘴886和气体喷嘴888的移动方向的长度方向。第二导轨882可以设置成具有沿第一方向12延伸的长度。第二臂状部884设置为具有杆状。当俯视时，第二臂状部884设置为具有垂直于第二导轨882的长度方向。例如，第二臂状部884可以设置为具有沿垂直于第一方向12的第二方向14延伸的长度。第二臂状部884具有与冲洗液喷嘴886和气体喷嘴888联接的一端以及与第二导轨882联接的相反端。因此，第二臂状部884、冲洗液喷嘴886和气体喷嘴888一起沿第二导轨882的长度方向移动。
冲洗液喷嘴886和气体喷嘴888的处理位置包括朝向基板W的中心和基板W的端部之间的区域的位置。相比之下，喷嘴单元的处理位置1300具有朝向基板W的相反端部之间的区域的位置。因此，喷嘴单元1300的移动路径设置为比冲洗液喷嘴886和气体喷嘴888的移动路径长，并且第一导轨1120设置成比第二导轨882长。
控制器890控制液体供应单元850，使得喷嘴单元1300沿第一方向12移动。当俯视时，控制器890在基板“W”的中心区域和边缘区域之间移动喷嘴单元1300，使得液体的排出区域与穿过基板“W”中心同时沿第一方向12延伸的线重叠。控制器890移动喷嘴单元1300，使得液体的排出区域从基板W的中心区域向基板W的边缘区域移动。根据一个实施方式，当俯视时，穿过基板“W”中心的同时沿第二方向14延伸的线可以位于第一处理液的第一排出区域和第二处理液的第二排出区域之间。换句话说，第一处理液可以关于穿过基板“W”中心同时沿第二方向14延伸的线被供应到基板“W”的一侧。第二处理液可以关于穿过基板“W”中心同时沿第二方向14延伸的线被供应到基板“W”的相反侧。喷嘴单元1300可以移动，使得第一处理液的排出方向和第二处理液的排出方向朝向基板W的旋转方向的下游侧。
在下文中，将描述通过使用上述基板处理装置处理基板“W”的过程。图9是示出通过使用图5的基板处理装置对第一基板进行液体处理的过程的流程图。图10至图12是示出通过使用图5的基板处理装置用第一处理液处理第一基板的过程的视图。参考图9至图12，处理第一基板W1的方法包括第一液体处理步骤S10、冲洗步骤S20和干燥步骤S30。依次进行第一液体处理步骤S10、冲洗步骤S20和干燥步骤S30。
第一液体处理过程S10用于将第一处理液供应到第一基板W1。第一液体处理过程S10包括润湿液供应步骤S110、第一流动供应步骤S120和第一液幕供应步骤S130。
润湿液供应步骤S110用于向第一基板W1供应预润湿液。在润湿液供应步骤S110中，润湿液排出口1420定位成朝向第一基板W1的中心。预润湿液被供应到第一基板W1的中心，并通过第一基板W1的旋转而扩散到第一基板W1的整个区域。第一基板W1的表面被预润湿液润湿。
在第一流动供应步骤S120中，将第一处理液以流动方式供应到第一基板W1上。在第一流动供应步骤S120中，第一流动排出口定位成朝向第一基板W1的中心。第一处理液被供应到第一基板W1的中心，并通过第一基板W1的旋转而扩散到第一基板W1的整个区域。
在第一液幕供应步骤S130中，将第一处理液以液幕方式供应至第一基板W1。在第一液幕供应步骤S130中，将第一处理液供应到第一排出区域。喷嘴单元1300设置在其中第一处理液朝向第一基板W1的旋转方向的下游侧的位置。因此，随着第一处理液沿向下倾斜的方向排出并且基板旋转，第一处理液的分散可以被最小化。第一排出区域包括第一基板W1的中心和边缘区域之间的区域。第一排出区域沿第一方向12从第一基板W1的中心区域变为第一基板W1的边缘区域。
当第一液体处理过程S10完成时，喷嘴单元130移动到备用位置并进行冲洗步骤S20。在冲洗步骤S20中，冲洗液喷嘴886移动到处理位置。冲洗液喷嘴886向第一基板W1的中心供应冲洗液。冲洗液用于冲洗剩余在第一基板W1上的第一处理液。
当冲洗步骤S20完成时，进行干燥步骤S30。在干燥步骤S30中，气体喷嘴888将干燥气体供应到第一基板W1上。在干燥步骤S30中，干燥气体从第一基板W1的中心向第一基板W1的边缘区域供应。因此，剩余的冲洗液被从第一基板W1中推出。
在下文中，将描述对不同于第一基板W1的第二基板W2进行处理的过程。用于对第二基板W2进行液体处理的方法包括依次进行的第二液体处理过程、冲洗步骤和干燥步骤。由于第二基板W2的冲洗步骤和干燥步骤与第一基板W1的冲洗步骤S20和干燥步骤S30相同，因此在下面的描述中将省略其细节。图13至图15是示出通过使用图5的基板处理装置将第二处理液供应到第二基板上的过程的视图。参考图13至图15，第二液体处理过程是将第二处理液供应到第二基板W2上。第二液体处理过程包括润湿液供应步骤、第二流动供应步骤和第二液幕供应步骤。
润湿液供应步骤是用于将预润湿液供应到第二基板W2。预润湿液润湿第二基板W2的表面。
在第二流动供应步骤中，将第二处理液以流动方式供应到第二基板W2。在第二流动供应步骤中，第二流动排出口定位成朝向第二基板W2的中心。第二处理液被供应至第二基板W2的中心，并通过第二基板W2的旋转而扩散至第二基板W2的整个区域。
在第二液幕供应步骤中，将第二处理液以液幕方式供应到第二基板W2。在第二液幕供应步骤中，将第二处理液供应到第二排出区域。喷嘴单元1300设置在第二处理液朝向第二基板W2的旋转方向的下游侧的位置。因此，第一液体处理过程S10中的第一狭缝排出口1520的移动方向与第二液体处理过程中的第二狭缝排出口1620的移动方向相反。换句话说，第一排出区域关于穿过基板中心同时沿第二方向14延伸的线与第二排出区域对称。第二排出区域包括第二基板W2的中心和边缘区域之间的区域。第二排出区域沿与第一方向12相反的方向从第二基板W2的中心区域变为第二基板W2的边缘区域。
如上所述，根据该实施方式，基板处理装置可以通过使用单个喷嘴单元1300来供应多种处理液。因此，可以对其中必须被提供以彼此不同的各处理液的第一基板W1和第二基板W2进行液体处理。
另外，上述实施方式已经描述了关于第一本体1500联接到主体1400的一侧并且第二本体1600联接到主体1400的相反侧的情况。然而，如图16所示，第一本体1500和第二本体1600可以联接到主体1400的一侧。当俯视时，第一狭缝排出口1520和第一圆形排出口1450可以定位成沿第二方向14朝向彼此，并且第二狭缝排出口1620和第二圆形排出口1460可以定位成沿第二方向朝向彼此。第一狭缝排出口1520和第二狭缝排出口1620可以形成为关于穿过润湿液排出口1420同时沿第二方向14延伸的线彼此偏移。第一狭缝排出口1520和第二狭缝排出口1620可以设置成沿接近主体1400的方向向下倾斜。在这种情况下，由于以液幕方式排出的第一处理液和第二处理液必须沿朝向基板W的旋转方向的下游侧的方向供应，所以第一排出区域可以与第二排出区域重叠。
返回参考图1至图4，显影模块402的烘焙室420对基板W进行热处理。烘焙室470可以进行：在显影过程之前加热基板“W”的后烘焙过程、在显影过程之后加热基板“W”的硬烘焙过程、以及在烘焙处理之后对经加热的基板进行冷却的冷却过程。烘焙室470具有冷却板471和加热板472。冷却板471包括诸如冷却水或热电元件的冷却单元473。加热板472包括诸如加热丝或热电元件的加热单元474。冷却板471和加热板472可以设置在一个烘焙室470中。可替选地，一些烘焙室470可以仅包括冷却板471，并且一些烘焙室420可以仅包括加热板472。
如上所述，设置涂布/显影模块400使得涂布模块401和显影模块402彼此分离。当俯视时，涂布模块401和显影模块402可以具有相同的腔室布置。
第二缓冲模块500设置为在涂布/显影模块400和曝光前/曝光后模块600之间传送基板“W”的通道。另外，第二缓冲模块500对基板W进行诸如冷却过程或边缘曝光过程的特定过程。第二缓冲模块500具有框架510、缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲机械手560。框架510具有长方体形状。缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲机械手560位于框架510中。缓冲器520、第一冷却室530和边缘曝光室550设置在与涂布模块401相对应的高度处。第二冷却室540设置在与显影模块402相对应的高度处。缓冲器520、第一冷却室530和第二冷却室540沿第三方向16布置成一行。当俯视时，缓冲器520沿第一方向12沿着涂布模块401的运送室430布置。边缘曝光室550沿第二方向14与缓冲器520或第一冷却室530间隔开特定距离。
第二缓冲机械手560在缓冲器520、第一冷却室530和边缘曝光室550之间传送基板“W”。第二缓冲机械手560位于边缘曝光室550和缓冲器520之间。第二缓冲机械手560可以具有与第一缓冲机械手360类似的结构。第一冷却室530和边缘曝光室550对已经在涂布模块401中进行了处理的基板“W”进行后续过程。第一冷却室530对在涂布模块401中进行了处理的基板“W”进行冷却。第一冷却室530具有与第一缓冲模块300的冷却室350类似的结构。边缘曝光室550对在第一冷却室530中进行了冷却处理的基板“W”的边缘区域进行曝光。在边缘曝光室550中进行了曝光处理的基板“W”在被传送到将在下面描述的预处理模块601之前，缓冲器520暂时存储基板“W”。在将在下面描述的后处理模块602中进行了处理的基板“W”在被传送到显影模块402之前，第二冷却室540冷却基板“W”。第二缓冲模块500在与显影模块402相对应的高度处还可以具有缓冲器。在这种情况下，在后处理模块602中进行了处理的基板“W”可以在临时存储在添加的缓冲器中之后被传送到显影模块402。
当曝光装置1000进行浸入/曝光过程时，曝光前/曝光后模块600可以在浸入/曝光过程期间进行涂布保护涂布到基板“W”的光致抗蚀剂膜的保护膜的过程。曝光前/曝光后模块600可以在曝光过程之后进行清洁基板“W”的过程。此外，当通过使用化学增幅抗蚀剂进行涂布过程时，曝光前/曝光后模块600可以在曝光过程之后进行烘焙过程。
曝光前/曝光后模块600具有预处理模块601和后处理模块602。预处理模块601在曝光过程之前进行处理基板“W”的过程，并且后处理模块602在曝光过程之后进行处理基板“W”的过程。预处理模块601和后处理模块602可以布置成在不同层中彼此分隔开。根据一个示例，预处理模块601位于后处理模块602上。预处理模块601具有与涂布模块401相同的高度。后处理模块602具有与显影模块402相同的高度。预处理模块601具有保护膜涂布室610、烘焙室620和运送室630。保护膜涂布室610、运送室630和烘焙室620依次沿第二方向14布置。因此，保护膜涂布室610和烘焙室620沿第二方向14彼此间隔开，而运送室630介于它们之间。设置有多个保护膜涂布室610，并且多个保护膜涂布室610沿第三方向16布置以形成不同的层。可替选地，可以沿第一方向12和第三方向16中的每个设置多个保护膜涂布室610。设置有多个烘焙室620，并且多个烘焙室61沿第三方向16布置以形成不同的层。可替选地，可以沿第一方向12和第三方向16中的每个设置多个烘焙室620。
运送室630定位成沿第二方向12平行于第二缓冲模块500的第一缓冲器530。预处理机械手632位于运送室630中。运送室630具有基本上矩形形状。预处理机械手632在保护膜涂布室610、烘焙室620、第二缓冲模块500的缓冲器520和将在下面描述的接口模块700的第一缓冲器720之间供应基板“W”。预处理机械手632具有手状部633、臂状部634和支撑部635。手状部633固定地安装在臂状部634中。臂状部634具有可延伸和可旋转的结构。臂状部634联接到支撑部635以沿着支撑部635沿第三方向16可线性移动。
保护膜涂布室610在浸入/曝光过程期间将保护抗蚀剂膜的保护膜涂布到基板W上。抗蚀剂涂布室610具有壳体611、支撑板613和喷嘴613。壳体611具有上部开口的杯状。支撑板612位于壳体611内并支撑基板W。支撑板612可旋转地设置。喷嘴613将用于形成保护膜的保护液供应到位于支撑板612上的基板“W”上。具有圆柱管状的喷嘴613将光致抗蚀剂供应到基板W的中心。可替选地，喷嘴613具有与基板“W”的直径相对应的长度，并且喷嘴613的排出口可以以狭缝的形式设置。在这种情况下，支撑板612可以设置成固定状态。保护液包含可发泡材料。保护液可以是对光致抗蚀剂和水具有低亲和性的材料。例如，保护液可以包括氟基溶剂。保护膜涂布室610在旋转位于支撑板612上的基板“W”的同时将保护液供应到基板“W”的中心区域。
烘焙室620对其上涂布有保护膜的基板W进行热处理。烘焙室620具有冷却板621和加热板622。冷却板621包括诸如冷却水或热电元件的冷却单元623。加热板622包括诸如加热丝或热电元件的加热单元624。冷却板622和加热板621可以设置在一个烘焙室620中。或者，一些烘焙室620可以仅包括冷却板622，并且一些烘焙室620可以仅包括加热板621。
后处理模块602具有清洁室660、曝光后烘焙室670和运送室680。清洁室660、运送室680和曝光后室670依次沿第二方向14布置。因此，清洁室660和曝光后烘焙室670沿第二方向14彼此间隔开，而运送室680介于它们之间。设置有多个清洁室660，并且多个的清洁室610沿第三方向16布置以形成不同的层。可替选地，可以沿第一方向12和第三方向16中的每个设置多个清洁室660。设置有多个曝光后烘焙室670，并且多个曝光后烘焙室610沿第三方向16布置以形成不同的层。可替选地，可以沿第一方向12和第三方向16中的每个设置多个曝光后烘焙室670。
当俯视时，运送室680定位成沿第一方向12平行于第二缓冲模块500的第二冷却室540。运送室680具有基本矩形形状。后处理机械手682位于运送室680中。后处理机械手682在清洁室660、曝光后烘焙室670、第二缓冲模块500的第二冷却室540和将在下面描述的接口模块700的第二缓冲器730之间运送基板“W”。设置在后处理模块602中的后处理机械手682可以具有与设置在预处理模块601中的预处理机械手632相同的结构。
在曝光过程之后，清洁室660清洁基板“W”。清洁室660具有壳体661、支撑板662和喷嘴663。壳体661具有顶部开口的杯状。支撑板662位于壳体661内并支撑基板W。支撑板662可旋转地设置。喷嘴663将清洁液供应到位于支撑板662上的基板“W”上。清洁液可以是水，诸如去离子水。清洁室660在旋转位于支撑板662上的基板“W”的同时向基板“W”的中心区域供应清洁液。可替选地，当基板“W”旋转时，喷嘴663可以从基板“W”的中心区域线性移动或旋转到边缘区域。
在曝光过程之后，烘焙室670通过使用远红外线加热其上已进行了曝光过程的基板W。在曝光过程之后，在烘焙过程中，加热基板“W”以通过增强通过曝光过程在光致抗蚀剂中产生的酸来完成光致抗蚀剂的性质变化。在曝光过程之后，烘焙室670具有加热板672。加热板672包括诸如加热丝或热电元件的加热单元674。在曝光过程之后，烘焙室670还可以在其内部设置有冷却板671。冷却板671设置有诸如冷却水或热电元件的冷却单元673。选择性地，还可以设置仅具有冷却板671的烘焙室。
如上所述，设置曝光前/曝光后模块600使得预处理模块601和后处理模块602彼此完全分离。预处理模块601的运送室630和后处理模块602的运送室680可以具有相同的尺寸，并且当俯视时可以彼此完全重叠。保护膜涂布室610和清洁室660可以具有相同的尺寸，并且当俯视时可以彼此完全重叠。烘焙室620和曝光后室670可以具有相同的尺寸，并且当俯视时可以彼此完全重叠。
接口模块700在曝光前/曝光后模块600和曝光装置1000之间供应基板“W”。接口模块700具有框架710、第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740。第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740位于框架710内。第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此间隔开预定距离，并且可以堆叠。第一缓冲器720设置在比第二缓冲器730更高的位置处。第一缓冲器720放置在与预处理模块601相对应的高度处，并且第二缓冲器730放置在与后处理模块602相对应的高度处。当俯视时，第一缓冲器720沿第一方向12布置，同时与预处理模块601的运送室630形成一行，并且第二缓冲器730沿第一方向12设置以与后处理模块602的运送室680形成一行。
接口机械手740定位成沿第二方向14与第一缓冲器720和第二缓冲器730间隔开。接口机械手740在第一缓冲器720、第二缓冲器730和曝光装置1000之间传送基板“W”。接口机械手740具有与第二缓冲机械手560大致相同的结构。
在将基板“W”移动到曝光装置1000之前，第一缓冲器720临时存储在预处理模块601中进行了处理的基板“W”。在将基板“W”移动到后处理模块602之前，第二缓冲器730临时存储在曝光设备1000中进行了处理的基板“W”。第一缓冲器720具有壳体721和多个支撑部722。支撑部722布置在壳体721内，并且沿第三方向16彼此间隔开。在每个支撑部722上放置一个基板“W”。壳体721在其上设置有接口机械手740的一侧和其上设置有预处理机械手721的一侧上具有开口(未示出)，使得接口机械手740和预处理机械手632将基板“W”引入冷却板722中或从其中撤出。第二缓冲器730具有与第一缓冲器720大致相似的结构。同时，第二缓冲器730的壳体731沿设置有接口机械手740的方向和设置有后处理机械手682的方向具有开口。接口模块可以仅包括如上所述的缓冲器和机械手，而不具有对基板进行特定处理的腔室。
如上所述，根据本发明构思的实施方式，可以在一个装置中供应相互不同的处理液。因此，取决于在基板上形成的膜，选择性地供应处理液，从而容易处理具有各种类型的膜的基板。
根据本发明构思的实施方式，可以以流动方式和液幕方式从一个喷嘴单元排出相互不同的两种或更多种处理液。因此，可以提高具有喷嘴单元的空间的效率。
根据本发明构思的实施方式，用于流动方式的排出口形成在主体中，并且用于液幕方式的排出口设置在主体的两侧，同时沿朝向主体的方向倾斜。因此，可以将多种液体排出到同一点。
另外，根据本发明构思的实施方式，处理液沿朝向基板的旋转方向的下游侧的倾斜方向排出。因此，可以在排出的处理液和旋转基板之间将处理液的分散最小化。
虽然已经参考本发明的示例性实施方式描述了本发明构思，但是对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，可以对其做出各种改变和修改而不脱离如在所附权利要求中阐述的本发明构思的精神和范围。

Claims (19)

1.一种用于对基板进行液体处理的装置，所述装置包括：
基板支撑单元，所述基板支撑单元支撑并旋转所述基板；以及
液体供应单元，所述液体供应单元将液体供应到由所述基板支撑单元支撑的所述基板上，
其中，所述液体供应单元包括：
喷嘴单元，所述喷嘴单元供应第一处理液和第二处理液；以及
移动单元，所述移动单元移动所述喷嘴单元，并且
其中，所述喷嘴单元具有用于以液幕方式排出所述第一处理液的第一狭缝排出口，用于以液幕方式排出所述第二处理液的第二狭缝排出口，以及用于排出预润湿液的润湿液排出口。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一狭缝排出口和所述第二狭缝排出口中的每一个设置为具有平行于第一方向的长度方向。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一狭缝排出口和所述第二狭缝排出口设置为沿朝向彼此的方向向下倾斜。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述喷嘴单元包括：
主体，所述主体具有所述润湿液排出口；
第一本体，所述第一本体连接到所述主体的一侧并具有所述第一狭缝排出口；以及
第二本体，所述第二本体连接到所述主体的另一侧并具有所述第二狭缝排出口，并且
其中，所述第一本体、所述主体和所述第二本体依次沿垂直于所述第一方向的第二方向布置。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一狭缝排出口和所述第二狭缝排出口设置为沿朝向所述主体的方向向下倾斜。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一狭缝排出口和所述第二狭缝排出口形成为关于穿过所述润湿液排出口同时沿所述第二方向延伸的线彼此偏移。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述主体还具有用于以流动方式排出所述第一处理液的第一圆形排出口和用于以流动方式排出所述第二处理液的第二圆形排出口，
其中，所述第一圆形排出口、所述润湿液排出口和所述第二圆形排出口依次沿所述第一方向布置，
其中，所述第一狭缝排出口沿所述第二方向形成在朝向所述第一圆形排出口的位置处，并且
其中，所述第二狭缝排出口沿所述第二方向形成在朝向所述第二圆形排出口的位置处。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的装置，其中，所述装置还包括：
控制器，所述控制器控制所述液体供应单元，使得所述喷嘴单元沿所述第一方向移动，并且
其中，当俯视时，基于其中液体的排出区域与穿过所述基板中心同时沿所述第一方向延伸的线重叠的位置，所述控制器在所述基板的中心区域和所述基板的边缘区域之间移动所述喷嘴单元。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，当俯视时，所述第一处理液的排出方向和所述第二处理液的排出方向设置为朝向所述基板的旋转方向的下游侧。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，当俯视时，所述控制器控制所述液体供应单元，使得穿过所述基板中心同时沿所述第二方向延伸的线位于所述第一处理液的第一排出区域和所述第二处理液的第二排出区域之间。
11.一种用于将液体供应到基板上的单元，所述单元包括：
喷嘴单元，所述喷嘴单元供应第一处理液和第二处理液；以及
移动单元，所述移动单元移动所述喷嘴单元，
其中，所述喷嘴单元具有用于以液幕方式排出所述第一处理液的第一狭缝排出口，用于以液幕方式排出所述第二处理液的第二狭缝排出口，以及用于排出预润湿液的润湿液排出口。
12.根据权利要求11所述的单元，其中，所述喷嘴单元包括：
主体，所述主体具有所述润湿液排出口；
第一本体，所述第一本体联接到所述主体并具有所述第一狭缝排出口；以及
第二本体，所述第二本体联接到所述主体并具有所述第二狭缝排出口，
其中，所述第一狭缝排出口和所述第二狭缝排出口中的每一个设置为具有平行于第一方向的长度方向。
13.根据权利要求12所述的单元，其中，所述第一狭缝排出口和所述第二狭缝排出口设置为朝向向下倾斜的方向，使得所述第一狭缝排出口和所述第二狭缝排出口的下部更靠近所述主体。
14.根据权利要求13所述的单元，其中，所述第一本体联接到所述主体的一侧，
其中，所述第二本体联接到所述主体的另一侧，
其中，所述主体的一侧和所述主体的另一侧设置为沿垂直于所述第一方向的第二方向的对置侧，并且
其中，所述第一狭缝排出口和所述第二狭缝排出口形成为关于穿过所述润湿液排出口同时沿所述第二方向延伸的线彼此偏移。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的单元，其中，所述主体还具有用于以流动方式排出所述第一处理液的第一圆形排出口和用于以流动方式排出所述第二处理液的第二圆形排出口，
其中，所述第一圆形排出口、所述润湿液排出口和所述第二圆形排出口依次沿所述第一方向布置，并且
其中，所述第一狭缝排出口沿所述第二方向形成在朝向所述第一圆形排出口的位置处，并且
其中，所述第二狭缝排出口沿所述第二方向形成在朝向所述第二圆形排出口的位置处。
16.一种通过使用权利要求7的装置对基板进行液体处理的方法，所述方法包括：
进行第一液体处理过程，其中将所述第一处理液供应到放置在所述基板支撑单元上的第一基板上；以及
进行第二液体处理过程，其中将所述第二处理液供应到放置在所述基板支撑单元上的第二基板上，
其中，在所述第一液体处理过程中的所述第一狭缝排出口的移动方向与在所述第二液体处理过程中的所述第二狭缝排出口的移动方向相反。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一液体处理过程包括：
第一流动供应步骤，其中将以流动方式排出的所述第一处理液供应到所述第一基板的中心；以及
第一液幕供应步骤，其中将以液幕方式排出的所述第一处理液供应到第一排出区域，
其中，所述第二液体处理过程包括：
第二流动供应步骤，其中将以流动方式排出的所述第二处理液供应到所述第二基板的中心；以及
第二液幕供应步骤，其中将以液幕方式排出的所述第二处理液供应到第二排出区域，
其中，将所述第一排出区域从相应的所述第一基板的中心区域移动到所述第一基板的边缘区域，
其中，将所述第二排出区域从所述第二基板的中心区域移动到所述第二基板的边缘区域。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一排出区域包括在所述基板的中心区域和所述基板的边缘区域之间的区域，并且
其中，所述第二排出区域包括关于所述基板的中心与所述第一排出区域相对的区域。
19.根据权利要求16至18中任一项所述的方法，其中，所述第一处理液和所述第二处理液包括相互不同类型的显影液。
CN201810383604.7A 2017-04-28 2018-04-26 液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法 Active CN108803257B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0055400 2017-04-28
KR1020170055400A KR102000019B1 (ko) 2017-04-28 2017-04-28 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108803257A true CN108803257A (zh) 2018-11-13
CN108803257B CN108803257B (zh) 2021-08-17

Family

ID=63917262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810383604.7A Active CN108803257B (zh) 2017-04-28 2018-04-26 液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10289005B2 (zh)
KR (1) KR102000019B1 (zh)
CN (1) CN108803257B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112440562A (zh) * 2019-08-29 2021-03-05 精工爱普生株式会社 液体喷出装置
CN113495431A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 细美事有限公司 喷嘴装置及基板处理装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113560059A (zh) * 2020-04-28 2021-10-29 东京毅力科创株式会社 喷嘴单元、液处理装置以及液处理方法
KR102553224B1 (ko) * 2020-07-20 2023-07-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
KR102615758B1 (ko) * 2021-05-10 2023-12-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20230102300A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07135137A (ja) * 1993-06-24 1995-05-23 Hitachi Ltd 現像処理方法および装置
JP2001044115A (ja) * 1999-08-04 2001-02-16 Nec Corp 半導体の製造装置とその製造方法
CN101017332A (zh) * 2006-02-07 2007-08-15 大日本网目版制造株式会社 显影装置以及显影方法
US20130194557A1 (en) * 2009-02-25 2013-08-01 Tokyo Electron Limited Developing method
CN106328490A (zh) * 2015-06-30 2017-01-11 细美事有限公司 用于处理基板的方法和装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0164007B1 (ko) * 1994-04-06 1999-02-01 이시다 아키라 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치
KR20030059046A (ko) 2003-06-14 2003-07-07 김민우 자동차 타이어 안전용 원격 감지 장치
JP4369325B2 (ja) * 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
KR100629918B1 (ko) 2004-04-14 2006-09-28 세메스 주식회사 노즐 세정 장치 및 이를 사용하는 현상 설비
JP4900116B2 (ja) * 2007-07-30 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5449662B2 (ja) * 2007-10-18 2014-03-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 現像装置
US20090214985A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Tokyo Electron Limited Method for reducing surface defects on patterned resist features
JP5305331B2 (ja) * 2008-06-17 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP5284294B2 (ja) 2010-01-25 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理システム
JP6447354B2 (ja) * 2014-07-23 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 現像装置
JP6314779B2 (ja) * 2014-10-01 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置
KR101769440B1 (ko) * 2015-02-27 2017-08-21 세메스 주식회사 기판 처리 방법
KR20160108653A (ko) 2015-03-04 2016-09-20 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
KR200480107Y1 (ko) * 2015-03-06 2016-04-15 남지영 슬러리 배출용 슬릿 노즐을 갖는 화학 기계적 연마 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07135137A (ja) * 1993-06-24 1995-05-23 Hitachi Ltd 現像処理方法および装置
JP2001044115A (ja) * 1999-08-04 2001-02-16 Nec Corp 半導体の製造装置とその製造方法
CN101017332A (zh) * 2006-02-07 2007-08-15 大日本网目版制造株式会社 显影装置以及显影方法
US20130194557A1 (en) * 2009-02-25 2013-08-01 Tokyo Electron Limited Developing method
CN106328490A (zh) * 2015-06-30 2017-01-11 细美事有限公司 用于处理基板的方法和装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112440562A (zh) * 2019-08-29 2021-03-05 精工爱普生株式会社 液体喷出装置
CN112440562B (zh) * 2019-08-29 2023-04-28 精工爱普生株式会社 液体喷出装置
CN113495431A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 细美事有限公司 喷嘴装置及基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180121731A (ko) 2018-11-08
CN108803257B (zh) 2021-08-17
US20180314158A1 (en) 2018-11-01
US10289005B2 (en) 2019-05-14
KR102000019B1 (ko) 2019-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108803257A (zh) 液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法
JP5136103B2 (ja) 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
JP5305331B2 (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
US20090070946A1 (en) Apparatus for and method of processing substrate
KR101970844B1 (ko) 액 처리 장치
KR100497299B1 (ko) 기판처리장치
KR100556012B1 (ko) 현상처리방법 및 현상처리장치
KR101166109B1 (ko) 기판 처리 설비
JP2010177673A (ja) 基板処理設備及び基板処理方法
KR101977752B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN107546153A (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR101884854B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2007019340A (ja) 基板処理装置
KR20200017027A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP5285514B2 (ja) テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR100330720B1 (ko) 기판처리장치
JP2000068244A (ja) 洗浄装置
KR20130025133A (ko) 기판처리장치
KR102037921B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102010261B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20150139777A (ko) 기판 처리 방법
JP6123880B2 (ja) 液処理装置
CN209766371U (zh) 基板清洗装置
KR102299889B1 (ko) 공조 덕트 및 이를 갖는 기판 처리 장치
JP3813777B2 (ja) 液処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant