CN106328490A - 用于处理基板的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

公开的是一种使用处理液处理基板的方法，其中，当所述处理液被供应到旋转的基板上的位置在从所述基板的中心区域朝所述基板的周边区域的向外方向上以及在从所述基板的周边区域朝所述基板的中心区域的向内方向上多次移动时，基板被处理，其中，多次移动中一些移动的移动距离彼此不同。

Description

用于处理基板的方法和装置
技术领域
本发明构思涉及一种使用液体处理基板的方法和装置。
背景技术
为了制造半导体器件或液晶显示器，在基板上执行诸如光刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洗的各种工艺。其中，清洗工艺是去除位于基板上的颗粒的工艺，其在各工艺之前和之后执行。
通常，在清洗基板的过程中，通过向基板上供应处理液来去除颗粒和外来物质。在清洗基板的过程中，旋转基板后，将处理液供应到该基板的中心区域。通过基板的离心力，处理液从基板的中心区域扩散到基板的周边区域，以清洗基板的整个区域。
然而，供应到基板中心区域的处理液的流速与供应到基板周边区域的处理液的流速不同。因此，基板的中心区域和基板的周边区域施加有不同的清洗力。为了解决该问题，如图1和图2所示，喷嘴2在从基板的中心区域到周边区域往复移动时提供处理液。但是，基板W的中心区域和周边区域的旋转速度不同。因此，在基板的中心区域与周边区域中处理液的每单位面积的处理量不同。
发明内容
本发明构思提供了一种向基板的各区域均匀提供清洗力的装置和方法。
本发明构思还提供了一种通过处理液均匀提供基板每单位面积处理量的装置和方法。
本发明构思的实施例提供了一种使用液体处理基板的方法和装置。在使用处理液处理基板的方法中，当所述处理液被供应到旋转的基板上的位置(以下为供应位置)多次在从所述基板的中心区域朝所述基板的周边区域的向外方向上、或者在从所述基板的周边区域朝所述基板的中心区域的向内方向上多次移动的过程，基板可被处理，其中，所述多次移动中一些移动的移动距离可彼此不同。
随着移动次数增加，所述移动距离变短。在移动中，所述供应位置的路径的一端可以是基板的周边区域。在移动中，所述供应位置的各路径的两端可以是相同的位置。
排出所述处理液的喷嘴与所述基板之间的间距可以根据所述供应位置变化。随着所述供应位置向外移动，所述间距可以变短。随着所述供应位置向内移动，所述间距可以变长。
所述处理液的排出量可以根据所述供应位置变化。随着所述供应位置向外移动，所述处理液的排出量可以增大。随着所述供应位置向内移动，所述处理液的排出量可以减小。
所述基板的旋转速度可以根据所述供应位置变化。随着所述供应位置向外移动，所述基板的旋转速度可以升高。随着所述供应位置向内移动，所述基板的旋转速度可以降低。
所述供应位置可以在向外方向和向内方向上交替地移动。
此外，在一种使用处理液处理基板的方法中，在所述处理液在从所述基板的中心区域朝所述基板的周边区域的向外方向上与在从所述基板的周边区域朝所述基板的中心区域的向内方向上交替移动的过程中，所述处理液可被供应到旋转的基板上，在供应处理液的过程中，处理基板的工艺条件可以变化，且根据所述处理液的供应位置所述工艺条件可包括供应处理液的喷嘴与所述基板之间的间距、所述处理液的排出量、所述基板的旋转速度和所述喷嘴的移动速度中的至少一个。
随着移动次数增加，所述供应位置向外移动的向外移动距离和所述供应位置向内移动的向内移动距离可逐渐变短。所述向外移动距离和所述向内移动距离可包括所述基板的周边区域。随着所述供应位置向外移动，所述喷嘴与所述基板之间的间距可变短。随着所述供应位置向内移动，所述喷嘴与所述基板之间的间距可变长。随着所述供应位置向外移动，所述处理液的排出量可增大。随着所述供应位置向内移动，所述处理液的排出量可减小。随着所述供应位置向外移动，所述基板的旋转速度可升高。随着所述供应位置向内移动，所述基板的旋转速度可降低。
一种处理基板的装置包括：支撑板，所述支撑板支撑所述基板；旋转驱动构件，所述旋转驱动构件旋转所述支撑板；液体供应单元，所述液体供应单元具有将处理液供应到由所述支撑板支撑的基板上的喷嘴和移动所述喷嘴的可移动构件；和控制器，所述控制器控制所述旋转驱动构件和所述可移动构件，所述控制器以这种方式控制所述可移动构件：所述处理液被供应到旋转的基板上的供应位置在从所述基板的中心区域朝所述基板的周边区域的向外方向上以及在从所述基板的周边区域朝所述基板的中心区域的向内方向上移动多次，且多次移动中一些移动具有不同的移动距离。
所述控制器可以以这种方式控制所述可移动构件：在移动中，所述供应位置的路径的一端包括基板的周边区域。所述控制器可以以这种方式控制所述可移动构件：在移动中，所述供应位置的各路径的两端是相同的；且随着移动次数增加，所述移动距离变短。所述控制器可以以这种方式控制所述可移动构件：随着所述供应位置向外移动，所述喷嘴与所述基板之间的间距变短。所述控制器可以以这种方式控制所述可移动构件：随着所述供应位置向内移动，所述喷嘴与所述基板之间的间距变长。所述控制器可以以这种方式控制所述旋转驱动构件：随着所述供应位置向外移动，所述基板的旋转速度升高。所述控制器可以以这种方式控制所述旋转驱动装置：随着所述供应位置向内移动，所述基板的旋转速度降低。
附图说明
通过以下参照下面的附图的描述，上述内容和其它的目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有规定，全部各附图中，相同的附图标记指代相同部件，其中
图1为示出通过喷嘴供应处理液的一般过程的平面图；
图2为描绘处理液被供应到图1基板上的供应位置与处理液被排出的出料高度的曲线图；
图3为示出根据本发明构思的第一实施例的基板处理系统的平面图；
图4为示出图3的基板处理装置的截面图；
图5为示出在图3的基板处理装置中处理基板的过程的平面图；
图6为描绘处理液被供应到图5基板上的供应位置与供应位置的移动距离的曲线图；
图7为描绘根据本发明构思的第二实施例的供应位置和出料高度的曲线图，处理液在供应位置处被供应到图5的基板上，且处理液在出料高度处被排出；
图8为描绘根据本发明构思的第三实施例的供应位置和排放量的曲线图，处理液在供应位置处被供应到图5的基板上；
图9为描绘根据本发明构思的第四实施例的供应位置和基板的旋转速度的曲线图，处理液在供应位置处被供应到图5的基板上；和
图10为描绘根据本发明构思的第五实施例的供应位置和喷嘴的移动速度的图，处理液在供应位置处被供应到图5的基板上。
具体实施方式
本发明构思的实施例可以以各种形式进行修改，且本发明构思的范围不应当被解释为由以下描述的发明构思的实施方案所限制。提供了本发明构思的实施例，以对于本领域技术人员而言更完整地描述本发明构思。因此，附图中部件的形状等被放大以着重更清晰的说明。
在本实施例中，清洗基板的工艺作为示例来描述。然而，本实施例不限于清洗工艺，而是可以广泛地应用于液体处理旋转基板的任何工艺，例如蚀刻工艺、灰化工艺和显影工艺。
在下文中，将参照图3-图10描述本发明构思的示例性实施例。
图3为示出根据本发明构思的第一实施例的基板处理系统的平面图。参照图3，基板处理系统1包括索引模块10和工艺处理模块20。索引模块10包括多个装载端口120和供给框架140。装载端口120、供给框架140和工艺处理模块20可以顺序排成一排。下文中，装载端口120、供给框架140和工艺处理模块20排布的方向将称为第一方向12，从顶部看时垂直于第一方向12的方向将称为第二方向14，且垂直于包含第一方向12和第二方向14的平面的方向将称为第三方向16。
在其内容纳基板W的载体18坐置于装载端口120上。提供有多个装载端口120，且该多个装载端口沿第二方向14排成一排。但是，装载端口120的数量可根据条件增加或减少，该条件例如为工艺处理模块20的工艺效率或占地(footprint)。当基板W设置为平行于地面时，载体18中形成有多个用于接收基板W的狭槽(未示出)。前端开启式晶圆传送盒(FOUP)可用作载体18。
工艺处理模块20包括缓冲单元220、供给室240和多个工艺室260。供给室240以其长度方向平行于第一方向12的方式设置。工艺室260设置在供给室240的相对两侧上。工艺室260关于供给室240彼此对称地设置在供给室240的相对两侧上。多个工艺室260设置在供给室240的一侧上。一些工艺室260沿供给室240的长度方向布置。此外，一些工艺室260彼此堆叠布置。也就是说，具有A乘B阵列的工艺室260可设置在供给室240的一侧上。此处，A是沿第一方向12成排设置的工艺室260的数量，B是沿第三方向16成排设置的工艺室260的数量。当供给室240的一侧上设置有四个或六个工艺室260时，工艺室260可以以2乘2或者3乘2的阵列排布。工艺室260的数量可增加或减少。与以上所述不同，工艺室260可以仅设置在供给室240的一侧上。此外，工艺室260可以设置在供给室240的一侧或相对两侧上，以形成单层。
缓冲单元220位于供给框架140和供给室240之间。缓冲单元220在供给室240和供给框架140之间提供了基板W在被传送之前所停留的空间。缓冲单元220的内部设置有多个放置基板W的狭槽(未示出)。多个狭槽(未示出)可设置为沿第三方向16彼此间隔开。缓冲单元220的面对供给框架140的面和缓冲单元220的面对供给室240的面是开放的。
供给框架140将基板W在坐置于装载端口120上的载体18与缓冲单元220之间进行传送。供给框架140中设置有索引轨道142和索引机械手144。索引轨道142以其长度方向平行于第二方向14的方式设置。索引机械手144安装在索引轨道142上，且在第二方向14上沿索引轨道142线性移动。索引机械手144具有基部144a、主体144b和多个索引臂144c。基部144a安装为沿索引轨道142移动。主体144b耦合到基部144a。主体144b设置为在基部144a上沿第三方向16移动。主体144b设置为在基部144a上旋转。索引臂144c耦合到主体144b，并设置为关于主体144b向前和向后移动。多个索引臂部144c设置为被分别驱动。索引臂144c堆叠布置，以便沿第三方向16彼此间隔开。当基板W被在工艺处理模块20中传送到载体18时使用一些索引臂144a，当基板被从载体18传送到工艺处理模块20时可使用另一些索引臂144c。这种结构可以防止在索引机械手144将基板W运进或运出的过程中，基板W在工艺处理之前所产生的颗粒附着到工艺处理之后的基板W上。
供给室240将基板W在缓冲单元220与工艺室260之间、各工艺室260之间进行传送。供给室240中设置有导轨242和主机械手244。导轨242以其长度方向平行于第一方向12的方式设置。主机械手244安装在导轨242上，并在导轨242上沿第一方向12线性移动。主机械手244具有基部244a、主体244b和多个主臂244c。基部244a安装为沿导轨242移动。主体244b耦合到基部244a。主体244b设置为在基部244a上沿第三方向16移动。主体244b设置为在基部244a上旋转。主臂244c耦合到主体244b，并设置为关于主体244b向前和向后移动。多个主臂244c设置为被分别驱动。主臂244c堆叠布置，以便沿第三方向16彼此间隔开。
工艺室260中设置有在基板W上执行清洗工艺的基板处理装置300。根据清洗工艺的类型，基板处理装置300可具有不同的结构。可替代地，工艺室260中的基板处理装置300可具有相同的结构。可选地，工艺室260可以以这种方式分为多组：属于相同组的工艺室260中基板处理装置300的结构是相同的，且属于不同组的工艺室260中基板处理装置300的结构是不同的。
图4是示出图3的基板处理装置的截面图。参照图4，基板处理装置300包括容器320、基板支撑单元340、升降单元360、液体供应单元370和控制器400。
容器320在其内部具有处理空间，并具有顶端开放的桶状形状。容器320具有内回收罐322、中间回收罐324和外回收罐326。回收罐322、324和326回收工艺中用到的不同处理液。内回收罐322具有围绕基板支撑单元340的环形形状，中间回收罐324具有围绕内回收罐322的环形形状，且外回收罐326具有围绕中间回收罐324的环形形状。内回收罐322的内部空间322a用作第一入口322a，通过该第一入口引入处理液。中间回收罐324和内回收罐322之间的空间324a用作第二入口324a，通过该第二入口将处理液引入到中间回收罐324中。中间回收罐324和外回收罐326之间的空间326a用作第三入口326a，通过该第三入口将处理液引入到外回收罐326中。根据一个实施例，入口322a、324a和326a可位于不同高度。回收管线322b、324b和326b连接到回收罐322、324和326下方的底表面。回收管线322b、324b和326b将引入到回收罐322、324和326的液体进行分离及回收。
基板支撑单元340支撑基板W。基板支撑单元340在工艺期间旋转基板W。基板支撑单元340具有主体342、多个支撑销344、多个卡盘销346和旋转驱动构件348和349。主体342具有均是圆柱形的上表面和下表面。主体342的下表面的直径小于主体342上表面的直径。主体342上表面的中心轴与下表面的中心轴彼此一致。
提供有多个支撑销344。该多个支撑销344可布置为在主体342的上表面的周边彼此间隔开，并从主体342向上突出。该多个支撑销344布置为通过其组合具有一般环形形状。支撑销344以这样的方式支撑基板W的背面的周边：基板W与主体342的上表面间隔开预设距离。
提供有多个卡盘销346。卡盘销346布置为与主体342中心的距离比与支撑销344的距离远。卡盘销346设置为从主体342向上突出。卡盘销346以这样的方式支撑基板W一侧：当基板W旋转时，基板W未横向离开合适的位置。卡盘销346设置为在待机位置和支撑位置之间沿主体342的径向线性移动。待机位置距主体342中心的距离比距支撑位置的距离远。当将基板W装载到基板支撑单元340上或从基板支撑单元340卸载时，卡盘销346位于待机位置；当在基板W上执行工艺时，卡盘销346位于支撑位置。卡盘销346在支撑位置处与基板W的侧面接触。
旋转驱动构件348和349旋转主体342。旋转驱动构件348和349包括支撑轴348和驱动器349。支撑轴348具有朝向第三方向16的杆状形状。支撑轴348固定地耦合到主体342的下表面。驱动器349旋转支撑轴348。当支撑轴348由驱动器349旋转时，主体342与支撑轴348一起旋转。
升降单元360调整容器320与基板支撑单元340之间的相对高度。升降单元360向上和向下线性移动容器320。当向上和向下移动容器320时，容器320与基板支撑单元340之间的相对高度改变。升降单元360具有支架362、可移动轴364和驱动器366。支架362固定地安装在容器320的外壁上，且由驱动器366驱动向上和向下移动的可移动轴364固定地耦合到支架362。容器320以这种方式被降低：当基板W被装载到基板支撑单元340上或者从基板支撑单元340上卸载时，基板支撑单元340突出到容器320的上方。当执行工艺时，容器320的高度以这种方式调节：根据供应到基板W的处理液的种类，处理液被引入到预设回收罐内。选择性地，容器320的高度可以是固定的，且基板支撑单元340的主体342可以向上和向下移动。
液体供应单元370将处理液供应到基板W上。液体供应单元370包括可移动构件375、高度调整构件379和喷嘴374。可移动构件375使喷嘴374在工艺位置和待机位置之间进行移动。这里，工艺位置定义为喷嘴374朝向由基板支撑单元340所支撑的基板W的位置，而待机位置374定义为喷嘴374偏离工艺位置的位置。此外，可移动构件375以这种方式移动工艺位置处的喷嘴374：处理液在不同的供应位置处被供应。根据一个实施例，可移动构件375可以以这种方式移动喷嘴374：处理液的供应位置可从基板W的中心区域以朝向基板W周边区域的向外方向移动。此外，可移动构件375可以以这种方式移动喷嘴374：处理液的供应位置可从基板W的周边区域以朝向基板W中心区域的向内方向移动。
可移动构件375包括旋转轴376、支撑臂372和驱动器378。旋转轴376位于容器320的一侧上。旋转轴376具有杆状形状，其长度朝向第三方向16。旋转轴376可以由驱动器378驱动旋转。旋转轴376可通过驱动器378提供的驱动力关于该旋转轴的中心轴线旋转。支撑臂372连接喷嘴374和旋转轴376。随旋转轴376旋转，支撑臂372和喷嘴374可关于转轴376的中心轴线旋转和摇摆。
支撑臂372具有杆状形状，其长度方向朝向垂直于第三方向16的水平方向。支撑臂372的一端固定地耦合到旋转轴376的上端。支撑臂372的对端可关于支撑臂372的耦合到旋转轴376的那端旋转。根据一个实施例，当从顶部看时，支撑臂372的对端的移动路径可经过基板W的中心区域。喷嘴374耦合到支撑臂372的该对端。因此，随旋转轴376和支撑臂372旋转，喷嘴374可从工艺位置移动到待机位置。选择性地，可移动构件375还可包括在第一方向12或第二方向14上线性移动支撑臂372的导轨。
高度调整构件379各种地调整喷嘴374的高度。高度调整构件379通过向上和向下移动旋转轴376来调整喷嘴374的高度。高度调整构件379在包围旋转轴376的同时支撑旋转轴376的下端。举例来说，高度调整构件379可以是电动机。
喷嘴374排出处理液。喷嘴374的下端形成有排出孔，且该排出孔朝向下侧。举例来说，排出孔可以在平行于第三方向16的方向上延伸。
举例来说，处理液可包括各种类型的液体。处理液可以是化学制品和冲洗液。化学制品可以是包括硫酸(H2SO4)、磷酸(P2O5)、氢氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)的液体。冲洗液可以是纯水。多个液体供应单元370可设置为分别对应于供应到基板W上的液体的类型。选择性地，单个液体供应单元370可供应各种类型的液体。
控制器400控制液体供应单元370和基板支撑单元。控制器400以这种方式控制旋转驱动构件348和349：当液体处理基板W时，可旋转该基板W。此外，控制器400以这种方式控制可移动构件375：处理液被供应到基板W上的供应位置可在从基板W的中心区域朝向基板W的周边区域的向外方向上、并在从基板W的周边区域朝向基板W的中心区域的向内方向上，多次移动。控制器400以这种方式控制可移动构件375：多次的向内移动和向外移动中的一些是不同的。根据一个实施例，控制器400可以以这种方式控制可移动构件375：供应位置的向内移动(其中处理液的供应位置向内移动)和供应位置的向外移动(其中处理液的供应位置向外移动)可交替进行。控制器400可以以这种方式控制可移动构件375：随着向内移动的次数和向外移动的次数的增加，向外移动的距离和向内移动的距离逐渐变短。
接着，对使用前述基板处理装置处理基板的方法进行说明。图5是示出在图3的基板处理装置中处理基板的工艺的平面图。图6是描述处理液被供应到图5基板上的供应位置与供应位置的移动距离的曲线图。参照图5和图6，基板W被装载到基板支撑单元340上，并随支撑轴348旋转以预定速度旋转。喷嘴374以处理液的供应位置与基板W的中心区域一致的方式移动。喷嘴374排出处理液，并向外移动。如果处理液的供应位置到达基板W的周边区域，则它以与向外方向相反的向内方向移动。以这种方式，交替进行多次向外移动和向内移动。随着移动的次数增加，以使移动距离逐渐变短的方式移动喷嘴374。喷嘴374以这种方式被移动：在移动中，供应位置的路径的一端是基板的周边区域，供应位置的各路径的两端是相同的位置。因此，随着移动次数增加，处理液的供应位置变得距离基板W的中心区域更远。也就是说，因为基板W周边区域的面积大于中心区域的面积，因此，与基板W的中心区域相比，大量处理液可被供应到周边区域，以根据各区域均匀提供每单位面积处理量。
接着，对用于处理基板的方法的第二实施例进行说明。根据第二实施例，喷嘴374的高度h根据处理液的供应位置可以是不同的。也就是说，喷嘴374和基板W之间的间距根据处理液的供应位置可以是不同的。控制器400可以以喷嘴374的高度h可被调节的方式控制高度调整构件379。参照图7，基板W可以被装载到基板支撑单元340上，并且可以随支撑轴348旋转以预定速度旋转。可以以处理液体的供应位置与基板W的中心区域一致的方式移动喷嘴374。喷嘴374排出处理液，并可交替地向内和向外移动。随着处理液的供应位置变得更靠近基板W的周边区域，喷嘴374的高度可被降低。也就是说，喷嘴374与基板W之间的间距可向内变大和向外变小。因此，与基板W的中心区域相比，强大的处理力被提供到基板W的周边区域，以根据各区域均匀提供每单位面积处理量。
接着，对用于处理基板的方法的第三实施例进行说明。根据第三实施例，处理液的排出量f根据供应位置可以是不同的。控制器400可通过控制安装在液体供应管线(未示出)中的阀门(未示出)控制处理液的排出量，该液体供应管线连接到喷嘴374。参照图8，基板W可被装载到基板支撑单元340上，并且可以随支撑轴348旋转以预定速度旋转。可以以处理液的供应位置与基板W的中心区域一致的方式移动喷嘴374。喷嘴374排出处理液，并可交替地向内和向外移动。随着处理液的供应位置变得更靠近基板W的周边区域，处理液的排出量f增大。相反地，随着处理液的供应位置变得更靠近基板W的中心区域，处理液的排出量f减小。因此，与基板W的中心区域相比，大量的处理液和强大的处理力被提供到基板W的周边区域，以根据各区域均匀提供每单位面积处理量。
接着，对用于处理基板的方法的第四实施例进行说明。根据第四实施例，基板W的旋转速度Va根据处理液的供应位置可以是不同的。控制器400可以以基板W的旋转速度Va可被调整的方式控制旋转驱动构件348和349。参照图9，基板W可被装载到基板支撑单元340上，并可以随支撑轴348旋转以预定速度旋转。可以以处理液的供应位置与基板W的中心区域一致的方式移动喷嘴374。喷嘴374排出处理液，并可交替地向内和向外移动。随着处理液的供应位置变得更靠近基板W的周边区域，基板W的旋转速度Va可升高。随着处理液的供应位置变得更靠近基板W的中心区域，基板W的旋转速度Va可降低。因此，与基板W的中心区域相比，可提供处理液的接触面积到基板W的周边区域，以根据各区域均匀提供每单位面积处理量。
接着，对用于处理基板的方法的第五实施例进行说明。根据第五实施例，喷嘴374的移动速度Vb根据处理液的供应位置可以是不同的。控制器400可以以喷嘴374的移动速度Vb可被调整的方式控制可移动构件375。参照图10，基板W可被装载到基板支撑单元340上，并可以随支撑轴348旋转以预定速度旋转。可以以处理液的供应位置与基板W的中心区域一致的方式移动喷嘴374。喷嘴374排出处理液，并可交替地向内和向外移动。随着处理液的供应位置变得更靠近基板W的周边区域，喷嘴374的移动速度Vb可降低。随着处理液的供应位置变得更靠近基板W的中心区域，喷嘴374的移动速度Va可升高。因此，与基板W的中心区域相比，大量的处理液被供应到基板W的周边区域，以根据各区域均匀提供每单位面积处理量。
本发明构思的实施例不限于以上所述实施例，这些实施例可以彼此耦合被复合地执行。例如，随着喷嘴374的移动次数增加，随着向外移动距离和向内移动距离逐渐变短，喷嘴374的高度h、处理液的排出量f、基板W的旋转速度Va和喷嘴的移动速度Vb中的一些可改变。
此外，喷嘴374的移动距离、喷嘴374的高度h、处理液的排出量f，基板W的旋转速度Va和喷嘴374的移动速度Vb中的两个或多个可根据处理液的供应位置同时变化。
根据本发明构思的一个实施例，更大量的处理液被供应到基板的周边区域，而不是基板的中央区域。因此，可以均匀地清洗基板的各区域。
此外，根据本发明构思的一个实施例，喷嘴的出料高度对于基板的各区域可以是不同的。因此，可以均匀地提供基板的每单位面积的处理量。
此外，根据本发明构思的一个实施例，处理液的排出量对于基板的各区域可以是不同的。因此，可以均匀地提供基板的每单位面积的处理量。
此外，根据本发明构思的一个实施例，基板的旋转速度根据处理液的供应位置可以是不同的。因此，可以均匀地提供基板的每单位面积的处理量。
此外，根据本发明构思的一个实施例，喷嘴的移动速度根据处理液的供应位置可以是不同的。因此，可以均匀地提供基板的每单位面积的处理量。

Claims (30)

1.一种使用处理液处理基板的方法，其特征在于，所述处理液被供应到旋转的基板上的一位置上，该位置称为供应位置，在所述供应位置在从所述基板的中心区域朝所述基板的周边区域的向外方向上、或者在从所述基板的周边区域朝所述基板的中心区域的向内方向上多次移动的过程中，基板被处理，其中，所述多次移动中一些移动的移动距离彼此不同。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，随着移动次数增加，所述移动距离变短。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在移动中，所述供应位置的路径的一端是所述基板的周边区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在移动中，所述供应位置的各路径的两端是相同的位置。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，排出所述处理液的喷嘴与所述基板之间的间距根据所述供应位置变化。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向外移动，所述间距变短。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向内移动，所述间距变长。
8.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述处理液的排出量根据所述供应位置变化。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向外移动，所述处理液的排出量增大。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向内移动，所述处理液的排出量减小。
11.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述基板的旋转速度根据所述供应位置变化。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向外移动，所述基板的旋转速度升高。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向内移动，所述基板的旋转速度降低。
14.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述供应位置在向外方向和向内方向上交替地移动。
15.一种使用处理液处理基板的方法，其特征在于，在从所述基板的中心区域朝所述基板的周边区域的向外方向上与在从所述基板的周边区域朝所述基板的中心区域的向内方向上交替移动过程中，所述处理液被供应到旋转的基板上；
其中，在所述处理液被供应的过程中，处理基板的工艺条件变化，且根据所述处理液的供应位置所述工艺条件包括供应处理液的喷嘴与所述基板之间的间距、所述处理液的排出量、所述基板的旋转速度和所述喷嘴的移动速度中的至少一个。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，随着移动次数增加，所述供应位置向外移动的向外移动距离和所述供应位置向内移动的向内移动距离逐渐变短。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述向外移动距离和所述向内移动距离包括所述基板的周边区域。
18.根据权利要求15-17任一项所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向外移动，所述喷嘴与所述基板之间的间距变短。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向内移动，所述喷嘴与所述基板之间的间距变长。
20.根据权利要求15-17任一项所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向外移动，所述处理液的排出量增大。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向内移动，所述处理液的排出量减小。
22.根据权利要求15-17任一项所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向外移动，所述基板的旋转速度升高。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，随着所述供应位置向内移动，所述基板的旋转速度降低。
24.一种用于处理基板的装置，其特征在于，所述装置包括：
支撑板，所述支撑板支撑所述基板；
旋转驱动构件，所述旋转驱动构件旋转所述支撑板；
液体供应单元，所述液体供应单元具有将处理液供应到由所述支撑板支撑的基板上的喷嘴和移动所述喷嘴的可移动构件；和
控制器，所述控制器控制所述旋转驱动构件和所述可移动构件，
其中，所述控制器以这种方式控制所述可移动构件：所述处理液被供应到旋转的基板上的供应位置在从所述基板的中心区域朝所述基板的周边区域的向外方向上以及在从所述基板的周边区域朝所述基板的中心区域的向内方向上多次移动，且所述多次移动中的一些移动具有不同的移动距离。
25.根据权利要求24所述的装置，其特征在于，所述控制器以这种方式控制所述可移动构件：在移动中，所述供应位置的路径的一端包括基板的周边区域。
26.根据权利要求25所述的装置，其特征在于，所述控制器以这种方式控制所述可移动构件：在移动中，所述供应位置的各路径的两端是相同的；且随着移动次数增加，所述移动距离变短。
27.根据权利要求24-26所述的装置，其特征在于，所述控制器以这种方式控制所述可移动构件：随着所述供应位置向外移动，所述喷嘴与所述基板之间的间距变短。
28.根据权利要求27所述的装置，其特征在于，所述控制器以这种方式控制所述可移动构件：随着所述供应位置向内移动，所述喷嘴与所述基板之间的间距变长。
29.根据权利要求24-26任一项所述的装置，其特征在于，所述控制器以这种方式控制所述旋转驱动构件：随着所述供应位置向外移动，所述基板的旋转速度升高。
30.根据权利要求29所述的装置，其特征在于，所述控制器以这种方式控制所述旋转驱动装置：随着所述供应位置向内移动，所述基板的旋转速度降低。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108803257A (zh) * 2017-04-28 2018-11-13 细美事有限公司 液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法
CN111146074A (zh) * 2018-11-06 2020-05-12 细美事有限公司 基板处理方法及基板处理装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101885107B1 (ko) * 2015-06-30 2018-08-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
KR102042789B1 (ko) * 2017-11-30 2019-11-08 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US20190164787A1 (en) 2017-11-30 2019-05-30 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for processing substrate
KR102276005B1 (ko) * 2018-08-29 2021-07-14 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102331260B1 (ko) * 2019-12-27 2021-11-26 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7505439B2 (ja) 2021-04-12 2024-06-25 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121420A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法及びその装置
TW454229B (en) * 1999-04-08 2001-09-11 Tokyo Electron Ltd Film forming method and film forming apparatus
JP2004087800A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd 成膜装置および成膜装置の供給ノズル吐出制御方法
CN103531503A (zh) * 2012-06-29 2014-01-22 细美事有限公司 用于处理基板的方法和装置
CN103706499A (zh) * 2012-10-02 2014-04-09 株式会社荏原制作所 基板清洗装置及研磨装置
CN103824757A (zh) * 2007-05-23 2014-05-28 细美事有限公司 基板干燥的装置与方法
CN104637784A (zh) * 2013-11-13 2015-05-20 东京毅力科创株式会社 基板清洗方法、基板清洗系统

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3734878B2 (ja) * 1996-04-25 2006-01-11 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置
US7077916B2 (en) * 2002-03-11 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrate cleaning method and cleaning apparatus
KR100645217B1 (ko) * 2003-11-05 2006-11-10 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 세정장치 및 세정 방법
JP2006222284A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Corp パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP4607755B2 (ja) * 2005-12-19 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR100757882B1 (ko) 2006-01-13 2007-09-11 세메스 주식회사 기판의 감광막 제거 방법
KR100873937B1 (ko) * 2007-09-19 2008-12-15 세메스 주식회사 웨이퍼 세정 장치 및 웨이퍼 세정 방법
KR20100052828A (ko) 2008-11-11 2010-05-20 세메스 주식회사 기판처리장치 및 그 방법
JP4700117B2 (ja) * 2009-02-25 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法
KR101993730B1 (ko) 2012-07-31 2019-07-01 세메스 주식회사 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR101579509B1 (ko) * 2013-06-28 2015-12-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5995881B2 (ja) * 2014-01-09 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US9733568B2 (en) * 2014-02-25 2017-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tool and method of developing
KR101885107B1 (ko) * 2015-06-30 2018-08-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121420A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法及びその装置
TW454229B (en) * 1999-04-08 2001-09-11 Tokyo Electron Ltd Film forming method and film forming apparatus
JP2004087800A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd 成膜装置および成膜装置の供給ノズル吐出制御方法
CN103824757A (zh) * 2007-05-23 2014-05-28 细美事有限公司 基板干燥的装置与方法
CN103531503A (zh) * 2012-06-29 2014-01-22 细美事有限公司 用于处理基板的方法和装置
CN103706499A (zh) * 2012-10-02 2014-04-09 株式会社荏原制作所 基板清洗装置及研磨装置
CN104637784A (zh) * 2013-11-13 2015-05-20 东京毅力科创株式会社 基板清洗方法、基板清洗系统

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108803257A (zh) * 2017-04-28 2018-11-13 细美事有限公司 液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法
CN108803257B (zh) * 2017-04-28 2021-08-17 细美事有限公司 液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法
CN111146074A (zh) * 2018-11-06 2020-05-12 细美事有限公司 基板处理方法及基板处理装置
CN111146074B (zh) * 2018-11-06 2023-08-04 细美事有限公司 基板处理方法及基板处理装置

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