CN105590882A - 基板处理装置和方法 - Google Patents

基板处理装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105590882A
CN105590882A CN201510750418.9A CN201510750418A CN105590882A CN 105590882 A CN105590882 A CN 105590882A CN 201510750418 A CN201510750418 A CN 201510750418A CN 105590882 A CN105590882 A CN 105590882A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
solid particle
processing method
nozzle
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510750418.9A
Other languages
English (en)
Inventor
崔基勋
郑仁一
金性洙
朱润钟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN105590882A publication Critical patent/CN105590882A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/003—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods using material which dissolves or changes phase after the treatment, e.g. ice, CO2
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C11/00—Selection of abrasive materials or additives for abrasive blasts
    • B24C11/005—Selection of abrasive materials or additives for abrasive blasts of additives, e.g. anti-corrosive or disinfecting agents in solid, liquid or gaseous form
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基板处理装置和方法。所述方法包括：将清洁颗粒供给到基板以清洁基板。所述清洁颗粒是固体颗粒。所述固体颗粒对基板提供了一冲击波。

Description

基板处理装置和方法
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方式涉及一种基板处理方法，更具体地，涉及一种用于清洁基板的基板处理装置和方法。
背景技术
在基板上执行各种工序如光刻，蚀刻，灰化，离子注入，和薄膜沉积以便制造半导体器件或液晶显示器。用于除去附着在基板表面的各种污染物质和颗粒的基板清洁工艺可在用于制造半导体器件的每个单元工序之前和之后进行。
例如喷射化学品，包含气体处理溶液，或伴有振动的处理溶液等各种方法可以被用作除去残留在基板表面上的各种污染物质和颗粒的清洁工艺。
通过使用在不损坏基板的范围内的小尺寸液体来对基板提供一冲击波，可以除去残留在基板表面上的污染物质和颗粒。然而，可能产生最大尺寸为几十μm的液体。
发明内容
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置和方法，能够提高基板清洁效率。
本发明构思的实施方式提供一种基板处理方法。
一方面，本发明构思的实施方式旨在提供一种基板处理方法，所述方法包括：将清洁颗粒供给到基板以清洁基板。所述清洁颗粒可为固体颗粒。所述固体颗粒可对基板提供一冲击波。
每个固体颗粒的尺寸可为几微米。
每个固体颗粒的尺寸可为几十或几百纳米。
所述基板处理方法可进一步包括：在将所述固体颗粒供给基板的同时将一处理溶液供给基板。
所述基板处理方法可进一步包括：在将所述固体颗粒供给基板之前将一处理溶液供给基板。
可将所述固体颗粒供给至所述处理溶液上以对基板提供冲击波。
所述固体颗粒可由可溶解在所述处理溶液中的物质构成。
所述固体颗粒可由重力等于或小于1的物质构成。
所述固体颗粒可由塑料粉末构成。
所述固体颗粒可由载气被供给到所述基板。
所述载气可为氦气。
所述固体颗粒可由对基板提供冲击波的材料构成，且在室温下其状态变成液态或气态。
所述固体颗粒可由干冰构成。
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置。
另一方面，本发明构思的实施方式旨在提供一种基板处理装置，包括：一容器，具有内部处理空间；一支撑单元，放置于所述处理空间内并支撑所述基板；和一供给单元，在所述处理空间内供给清洁颗粒。所述供给单元包括一固体喷嘴，用于供给包含固体颗粒的清洁颗粒。
每个固体颗粒的尺寸可为几微米。
每个固体颗粒的尺寸可为几十或几百纳米。
所述供给单元可包括一处理溶液供给喷嘴，用以供给一处理溶液。
所述固体喷嘴可包括：一喷嘴单元，包括一上本体和一连接到所述上本体的下本体，所述下本体在其内包括一流道；和一清洁颗粒供给单元，与所述喷嘴单元连接并供给一气体，所述气体变成固体颗粒穿过连接所述上本体和所述下本体的一排放孔并与所述基板碰撞。所述流道可包括：一上流道，沿所述喷嘴单元的一长度方向形成，使得其直径沿所述长度方向逐渐减小；一下流道，沿所述喷嘴单元的一第二长度方向形成，使得其直径沿所述长度方向逐渐增加。
所述固体颗粒可由在与所述基板碰撞后升华的物质构成。
所述固体颗粒可由干冰构成。
所述固体喷嘴可包括：一喷嘴单元，具有一内部流道；一清洁颗粒供给单元，与所述喷嘴单元连接并供给所述清洁颗粒；和一载气供给单元，与所述喷嘴单元连接并向所述喷嘴单元供给高压载气。所述喷嘴单元包括：一上本体，沿其长度方向形成，使得其直径沿所述长度方向逐渐减小；和一下本体，与所述上本体连接并沿其长度方向形成，使得其直径沿所述长度方向逐渐增加。
所述固体颗粒可由重力等于或小于1的物质构成。
所述固体颗粒可由塑料粉末构成。
所述载气可为氦气。
附图说明
通过下面参考以下附图的描述，上述其它目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有指定，在全部各图中同样的参考标号指代同样的部分，并且其中：
图1图示出了一基板处理装置的俯视平面图；
图2示出了图1的基板处理装置的剖视图；
图3图示出了图2的一固体喷嘴的图；
图4示出了图2的固体喷嘴的其它实施方式的图；
图5至10依次示出了用固体颗粒在一基板上产生冲击波的过程的图。
具体实施方式
下面，将参照附图对实施方式进行详细描述。然而，本发明的概念也可以实施为各种不同的形式，并且不应当被解释为仅限于所示实施方式。对本领域技术人员来说，可提供本发明的概念的多个实施方式来更全面地说明本发明的概念的范围。因此，附图中的部件的形状可以被扩大，以强调一个更清楚的描述。
图1图示出了根据本发明一实施例的一基板处理装置的俯视平面图。
参考图1，一基板处理装置可具有一转位模块10和一工序处理模块20，所述转位模块10可包含一装载端口120和一传送框架140。所述装载端口120，传送框架140和工序处理模块20可设置在一条直线上。下面，所述装载端口120，传送框架140和工序处理模块20的设置方向可被称为“第一方向”12。当俯视时，垂直于第一方向12的一方向可被称为“第二方向”14，且垂直于由第一方向12和第二方向14所限定的平面的一方向可被称为“第三方向”16。
在其接收基板W的一载体130可被安全地置于装载端口120。所述装载端口120可以是多个，且所述多个装载端口120可沿第二方向14设置在一条直线上。所述装载端口120的数量可根据在工序处理模块20中的情况的例如处理效率，占用空间等增加或减少。多个插槽(未示出)可形成在载体130中，以接收在地面水平位置放置状态的基板W。一正面开口标准箱(FOUP)可用作载体130。
工序处理模块20可包含一缓冲单元220，一传送室240，和多个处理室260。所述传送室240可以其长度方向平行于所述第一方向12被设置。所述处理室260可沿第二方向14在传送室240两对侧被设置。所述处理室260可被设置在传送室240一侧和另一侧以关于所述传送室240被对称设置。所述多个处理室260可被提供在传送室240的一侧。所述处理室260的一部分可沿传送室240的长度方向被设置。而且，所述处理室260的一部分可被堆叠设置。即，所述处理室260可在传送室240的一侧被设置成A-乘-B矩阵。在这种情况下，“A”可表示沿第一方向12被设置在一条直线上的处理室260的数量，以及“B”可表示沿第三方向16被设置在一条直线上的处理室260的数量。当四个或六个处理室260被设置在传送室240的一侧时，所述处理室260可被设置成2-乘-2矩阵或3-乘-2矩阵。处理室260的数量可增加或减少。不太可能的是，处理室260被提供在传送室240的任意一侧。此外，处理室260可被设置在传送室240的一侧和相反侧以形成单层。
缓冲单元220可被设置在传送框架140和传送室240之间。所述缓冲单元220可提供一空间，所述基板W在传送室240和传送框架140之间转移之前停留在此空间。放置基板W的一个或多个插槽(未示出)可被提供在缓冲单元220中。所述多个插槽可被沿第三方向16彼此间隔设置。缓冲单元220可具有一面对传送框架140的开放表面和一面对传送室240的开放表面。
传送框架140可在缓冲单元220和安全地置于装载端口120的载体130之间传送晶片W。一转位轨道142和一转位机械手144可被提供于传送框架140。转位轨道142可被提供以使得其长度方向平行于第二方向14。转位机械手144可被安装在转位轨道142上并且可沿所述转位轨道142朝向第二方向14在一条直线上移动。所述转位机械手144可包含一基座144a，一本体144b和一转位臂144c。所述基座144a可被安装成可沿转位轨道142移动。所述本体144b可被连接于基座144a。所述本体144b可被提供为沿第三方向16在基座144a上可移动。而且，所述本体144b可被提供为在基座144a上可旋转。所述转位臂144c可被连接到本体144b以使得其关于本体144b向前以及向后可移动。所述转位臂144c可以是多个，并且所述多个转位臂144c可被彼此独立地驱动。所述转位臂144c可在被沿第三方向16彼此间隔开的情况下被彼此堆叠设置。一部分转位臂144c可被用于从工序处理模块20至载体130传递基板W，并且剩余的一部分转位臂144c可被用于从工序处理模块20至载体130传递基板W，从而当基板W被由转位机械手144载入或取出时，防止产生于一未经过工序处理的基板W的颗粒附着于所述基板W上。
传送室240可在缓冲单元220和处理室260之间以及在多个处理室260之间传送基板W。一导轨242和一主机械手244可提供于传送室240处。所述导轨242可被设置以使得其长度方向平行于第一方向12。所述主机械手244可被安装在导轨242上并且可在导轨242上沿第一方向12在一条直线上移动。所述主机械手244可包含一基座244a，一本体244b，和一主臂244c。所述基座244a可被安装为可沿导轨242移动。所述本体244b可连接于基座244a。所述本体244b可被提供为可在基座244a上沿第三方向16移动。而且，本体244b可被提供为可在基座244a上旋转。所述主臂244c可被连接于本体244b以使得其可相对于本体244b向前和向后移动。所述主臂244c可以是多个，并且所述多个主臂244c可被彼此独立地驱动。所述多个主臂244c可被设置为以所述主臂被沿第三方向16彼此间隔开的状态彼此堆叠设置。
用于执行清洁基板W的清洁工序的基板处理装置300可被提供在处理室260中。根据清洁工序的类型，基板处理装置300可具有不同的结构。相反，处理室260的基板处理装置300可具有相同的结构。选择性地，处理室260可被分成多个组。在相同的组的基板处理装置300可具有相同的结构，并且在不同的组的基板处理装置300可具有不同的结构。
图2示出了图1的基板处理装置的剖视图。参考图2，基板处理装置300可包括一容器320，一支撑单元340，一仰角单元360，和一供给单元380。所述容器320可容纳一空间，在所述空间执行基板处理工序，并且所述容器320的上部可被打开。所述容器320可容纳一内收集桶322，一中间收集桶324和一外收集桶326。所述内收集桶322，中间收集桶324和外收集桶326可不同于彼此地收集在工序中使用的处理溶液。
所述内收集桶322可被提供为以环形形式环绕支撑单元340。所述中间收集桶324可被提供为以环形形式环绕内收集桶322，并且所述外收集桶326可被提供为以环形形式环绕中间收集桶324。所述内收集桶322的内部空间322a，在内收集桶322和中间收集桶324之间的空间324a以及在中间收集桶324和外收集桶326之间的空间326a可作为分别使得处理溶液流入所述内收集桶322，中间收集桶324和外收集桶326的入口。朝向底部竖直且向下延伸的收集管线322b，324b和326b可连接到各自的收集桶322，324和326。收集管线322b，324b和326b可排放由收集桶322，324和326收集的处理溶液。所排放的处理溶液可通过一外部处理溶液回收系统(未示出)被回收。
支撑单元340可在处理过程中支撑和旋转基板W。所述支撑单元340可包括一本体342，一支撑销344，一卡盘销346，和一支撑轴348。所述本体342可具有一上表面，所述上表面被提供为俯视时为圆圈的形式。由一电机349驱动旋转的所述支撑轴348可被固定连接在本体342的下表面上。
支撑销344可被提供为多个。所述支撑销344可被设置为与本体342的上表面边缘间隔预定间隙并且可向上突出于本体342。所述支撑销344可通过将其组合被设置为具有总体上为环形物的形式。所述支撑销344可支撑基板W的后表面边缘以使得所述基板W与本体342的上表面以预定距离间隔开。
卡盘销346可被提供为多个。所述卡盘销346被设置以使得其比支撑销344更加远离本体342的中心。所述卡盘销346可被提供为从本体342向上突出。所述卡盘销346可支撑基板W的侧部以防止当支撑单元340旋转时所述基板W从一给定位置横向偏离。所述卡盘销346可被提供为在一待料位置和一支撑位置之间沿本体342的半径方向在一条直线上移动。所述待料位置可以是比支撑位置更远离本体342的中心的一位置。当基板W被装载于本体342上或从本体342卸载时，卡盘销346可被置于所述待料位置；当执行基板处理工序时，卡盘销346可被置于所述支撑位置。在所述支撑位置，卡盘销346可与基板W的侧部接触。
仰角单元360可在一直线上向上或向下移动容器320。所述容器320相对于支撑单元340的高度可随容器320向上或向下移动而被改变。所述仰角单元360可包括一支架362，一移动轴364，和一驱动器366。所述支架362可固定安装于容器320的一外壁，并且由驱动器366驱动而向上或向下移动的所述移动轴364可与支架362固定连接。当基板W被装载于支撑单元340上或被从支撑单元340提升时，容器320可下降以使得支撑单元340从容器320的上部向上突出。而且，当执行该工序时，可根据供给于基板W的处理溶液的类型调整容器320的高度以使得处理溶液流入预定收集桶360。可选择地，仰角单元360可将支撑单元340向上或向下移动。
供给单元380可将处理溶液和清洁颗粒供给到基板W上。
所述供给单元380可包括一固体供给单元380a和一处理溶液供给单元380b。所述固体供给单元380a可将清洁颗粒供给在基板W的顶表面上。所述固体供给单元380a可包括一支撑轴384，一喷嘴臂383，一驱动构件381，和一固体喷嘴385。
所述支撑轴384可设置在容器320的一侧。所述支撑轴384可沿其长度方向即竖直方向被提供为杆的形式。所述支撑轴384可以被一驱动构件381驱动以旋转，上升或下降。相反，所述支撑轴384可被所述驱动构件381驱动以沿水平方向在一条直线上移动，上升和下降。所述喷嘴臂383可被固定地连接在支撑轴384的顶端。所述喷嘴臂383可支撑一固体喷嘴385。所述固体喷嘴385可被置于喷嘴臂383的末端。
所述固体喷嘴385可将来自外部的清洁颗粒供给基板W。清洁颗粒可包含固体颗粒。每个固体颗粒的尺寸可为几微米，或几十或几百纳米。
图3图示出了图2的一固体喷嘴的图。参考图3，固体喷嘴385可向处理溶液上供给所述固体颗粒，并可以对基板W提供一冲击波。所述固体喷嘴385可包括一喷嘴单元385a和一个清洁颗粒供给单元385b。所述喷嘴单元385a可包括一上本体385c和一下本体385h。所述上本体385c可以被提供为圆筒的形式。在所述上本体385c可以限定一空间。所述上本体385c可由能够承受高压清洁颗粒的材料形成。所述上本体385c可以与清洁颗粒供给单元385b连接。可通过清洁颗粒供给单元385b将清洁颗粒提供到上本体385c的空间内。
一排放孔385d可形成于上本体385c。所述排放孔385d可与下本体385h连接。例如，通过排放孔385d时，以高压气相供给的清洁颗粒的相可以被改变并可以被改变为微细固体颗粒。例如，供给排放孔385d的气体可以是二氧化碳气体并且固体颗粒可以由干冰形成。
下本体385h可与上本体385c连接。可以在下本体385h内形成一流道385e。所述流道385e可包括一上流道385f和一下流道385g。所述上流道385f可形成为沿喷嘴单元385a的纵向延伸。所述上流道385f可以被提供为使得其直径沿所述纵向逐渐减小。所述下流道385g可与上流道385f连接。所述下流道385g可形成为沿所述喷嘴单元385a的所述纵向延伸。所述下流道385g可以被提供为使得其直径沿所述纵向逐渐增大。
清洁颗粒供给单元385b可以与一个喷嘴单元385a连接，并且可以供给清洁颗粒。例如，所述清洁颗粒可以以气态被供给喷嘴单元385a。所供给的清洁颗粒可以在高压状态下被供给喷嘴单元385a。当通过排放孔385d时，供给喷嘴单元385a的清洁颗粒可以从气相变为固相。即，清洁颗粒可变成固体颗粒。例如，所供给的清洁颗粒可以是二氧化碳气体。二氧化碳气体通过排放孔385d后，然后变成干冰相，所变成的固体二氧化碳可与基板W碰撞。与此相反，所供给的清洁颗粒可以是氩气。
所述处理溶液供给单元380可包括一支撑轴386，一喷嘴臂382，和一处理溶液喷嘴400。所述支撑轴386可被设置在容器320的一侧。所述支撑轴386可具有杆的形式，其中其长度方向为上-下方向。所述支撑轴386可被一驱动构件388驱动以旋转，上升和下降。相反，所述支撑轴386可被所述驱动构件388驱动以沿水平方向在一条直线上移动，上升和下降。所述喷嘴臂382可被固定地连接在支撑轴386的顶端。所述喷嘴臂382可支撑处理溶液喷嘴400。所述处理溶液喷嘴400可被设置在喷嘴臂382的一端部。所述处理溶液喷嘴400可将处理溶液供给在基板W的上表面。例如，所供给的处理溶液可包括，但不限于，有机溶剂，化学溶液，漂洗溶液等。
如上所述，本发明构思的一实施方式被示例为固体供给单元380a和处理溶液供给单元380b中的每一个独立地包括一支撑轴和一喷嘴臂。与此相反，一固体喷嘴和一处理溶液喷嘴可以被包括在一个喷嘴臂内。
图4图示出了根据本发明另一示例性实施方式的固体喷嘴。参考图4，一固体喷嘴585可以向处理溶液上供给固体颗粒，并可以对基板W提供一冲击波。所述固体喷嘴585可包括一喷嘴单元585a，一清洁颗粒供给单元585b，和一载气供给单元585d。所述喷嘴单元585a可包括一上本体585e和一下本体585f。所述上本体585e可以与所述清洁颗粒供给单元585b和所述载气供给单元585d连接。所述上本体585e可以形成为在其长度方向上延伸。所述上本体585e可以形成为使得其直径沿其长度方向逐渐减小。所述下本体585f可以与上本体585e连接。所述下本体585f也可以形成为在其长度方向上延伸。所述下本体585f可以形成为使得其直径沿长度方向逐渐增加。
所述清洁颗粒供给单元585b可以将清洁颗粒供给喷嘴单元。例如，所供给的清洁颗粒可以以固体颗粒状态被供给。所述固体颗粒的尺寸可以是几微米，或几或几百纳米。所述固体颗粒可以由可溶于处理溶液的物质构成。所述固体颗粒可由重力等于或小于1的物质构成。例如，所述固体颗粒可由塑料粉末构成。
所述载气供给单元585d可将载气供给喷嘴单元585a。载气可以以高压状态供给。高压载气可以与固体颗粒在喷嘴单元585a处混合。此外，所述固体颗粒可与载气一起通过所述下本体585f，并可被向处理溶液上供给。例如，所供给的载气可以是氦气。
图5至10依次示出了用固体颗粒在一基板上产生冲击波的过程的图。参考图5至10，将描述在基板W上产生冲击波的过程。
所述基板处理装置300可在当向基板W供给固体颗粒S的同时向基板W供给一处理溶液F。与此相反，所述基板处理装置300可在当向基板W供给固体颗粒S之前向基板W供给所述处理溶液F。当供给处理溶液F时，一处理溶液层F可以在基板W上形成。可以迅速地将固体颗粒S供给基板W。固体颗粒S可与基板W上的处理溶液层F碰撞，并且可以在处理溶液F处产生冲击波。冲击波可以被传递到所述基板W。如图7所示，由于所产生的冲击波，基板W上的污染物和颗粒可以很容易地被除去。如图8所示，当固体颗粒S与处理溶液F碰撞后，固体颗粒S可以被气化或液化。例如，固体颗粒可以由干冰构成。此外，如图9所示，在所述固体颗粒由可溶于处理溶液的物质构成的情况下，固体颗粒S可以融化在处理溶液中。可选择地，如图10所示，在所述固体颗粒S是重力等于或小于1的物质的情况下，所述固体颗粒S可在处理溶液层F上保持浮动状态。例如，所述固体颗粒可为塑料粉末。在接下来的清洁工序中，剩余的固体颗粒S可以与污染物一同被除去。
根据本发明构思的实施方式，可以使用固体颗粒进行一基板清洁工序，其中所述固体颗粒的尺寸是几微米，几十或几百纳米，从而提高了基板清洁工序的效率。
此外，根据本发明构思的实施方式，可通过使用固体颗粒在基板上产生冲击波来进行一基板清洁工序，从而改善了基板清洁工序的效率。
虽然对本发明的构思参照示例实施例进行了说明，但对本领域技术人员来说，不脱离本发明构思的精神和范围进行的各种变化和修改将是显而易见的。因此，应当理解，上述实施例不是限制性的，而是说明性的。因此，本发明的概念的范围是由权利要求书及其等同物的最宽泛的可允许的解释来确定，并且不应限于前面的描述。

Claims (24)

1.一种基板处理方法，所述方法包括：
将清洁颗粒供给到基板以清洁基板，其中
所述清洁颗粒是固体颗粒，以及
所述固体颗粒为基板提供了一冲击波。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，每个固体颗粒的尺寸为几微米。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，每个固体颗粒的尺寸为几十或几百纳米。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，进一步包括：
在将所述固体颗粒供给基板的同时将一处理溶液供给基板。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，进一步包括：
在将所述固体颗粒供给基板之前将一处理溶液供给基板。
6.根据权利要求4和5其中之一所述的基板处理方法，其中将所述固体颗粒供给至所述处理溶液上以对基板提供冲击波。
7.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述固体颗粒由可溶解在所述处理溶液中的物质构成。
8.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述固体颗粒由重力等于或小于1的物质构成。
9.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述固体颗粒由塑料粉末构成。
10.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述固体颗粒由载气被供给到所述基板。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，所述载气为氦气。
12.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述固体颗粒由对基板提供冲击波的材料构成，且在室温下其状态变成液态或气态。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，所述固体颗粒由干冰构成。
14.一种基板处理装置，包括：
一容器，具有内部处理空间；
一支撑单元，放置于所述处理空间内并支撑所述基板；和
一供给单元，在所述处理空间内供给清洁颗粒，其中，
所述供给单元包括一固体喷嘴，用于供给包含固体颗粒的清洁颗粒。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，每个固体颗粒的尺寸为几微米。
16.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，每个固体颗粒的尺寸为几十或几百纳米。
17.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述供给单元包括一处理溶液供给喷嘴，用以供给一处理溶液。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，所述固体喷嘴包括：
一喷嘴单元，包括一上本体和一连接到所述上本体的下本体，所述下本体在其内包括一流道；和
一清洁颗粒供给单元，与所述喷嘴单元连接并供给一气体，所述气体变成固体颗粒穿过连接所述上本体和所述下本体的一排放孔并与所述基板碰撞，其中
所述流道包括：
一上流道，沿所述喷嘴单元的一长度方向形成，使得其直径沿所述长度方向逐渐减小，
一下流道，沿所述喷嘴单元的所述长度方向形成，使得其直径沿所述长度方向逐渐增加。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，所述固体颗粒由与所述基板碰撞后升华的物质构成。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，所述固体颗粒由干冰构成。
21.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，所述固体喷嘴包括：
一喷嘴单元，具有一内部流道；
一清洁颗粒供给单元，与所述喷嘴单元连接并供给所述清洁颗粒；和
一载气供给单元，与所述喷嘴单元连接并向所述喷嘴单元供给高压载气，并且其中
所述喷嘴单元包括：
一上本体，沿其一第一长度方向形成，使得其直径沿所述第一长度方向逐渐减小，
一下本体，与所述上本体连接并沿其一第二长度方向形成，使得其直径沿所述第二长度方向逐渐增加。
22.根据权利要求21所述的基板处理装置，其中，所述固体颗粒由重力等于或小于1的物质构成。
23.根据权利要求22所述的基板处理装置，其中，所述固体颗粒由塑料粉末构成。
24.根据权利要求21所述的基板处理装置，其中，所述载气是氦气。
CN201510750418.9A 2014-11-07 2015-11-06 基板处理装置和方法 Pending CN105590882A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140154705A KR20160065226A (ko) 2014-11-07 2014-11-07 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR10-2014-0154705 2014-11-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105590882A true CN105590882A (zh) 2016-05-18

Family

ID=55912795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510750418.9A Pending CN105590882A (zh) 2014-11-07 2015-11-06 基板处理装置和方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10186419B2 (zh)
KR (1) KR20160065226A (zh)
CN (1) CN105590882A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI832028B (zh) 2019-12-31 2024-02-11 美商冷卻噴射公司 粒子噴射系統及從一噴射噴嘴排出一挾帶粒子流之方法
JP7446181B2 (ja) 2020-08-20 2024-03-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05144793A (ja) * 1991-03-18 1993-06-11 Taiyo Sanso Co Ltd 固体表面の洗浄装置
CN1481580A (zh) * 2000-12-15 2004-03-10 K��C���Ƽ���ʽ���� 清洗晶片边缘的装置
US20060102207A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, susbtrate processing system, substrate cleaning program and storage medium
CN101124065A (zh) * 2005-02-05 2008-02-13 凯罗斯诺合资公司 借助于干冰霜射束清洁、致动或预处理工件的装置和方法
CN101254502A (zh) * 2006-09-06 2008-09-03 株式会社理光 干式清洁设备和干式清洁方法
CN101318187A (zh) * 2008-07-16 2008-12-10 高树森 水管清洗装置以及方法
JP2012018962A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
CN102482841A (zh) * 2009-05-08 2012-05-30 克塞罗斯有限公司 不用有机溶剂而清洁润湿受污基材的方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384989A (en) * 1993-04-12 1995-01-31 Shibano; Yoshihide Method of ultrasonically grinding workpiece
US5849091A (en) * 1997-06-02 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Megasonic cleaning methods and apparatus
JP4754196B2 (ja) * 2003-08-25 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置
JP4610308B2 (ja) 2004-11-16 2011-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、基板処理システム、基板洗浄プログラム及び記憶媒体
JP2007261251A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Ricoh Co Ltd 液滴吐出ヘッド、画像形成装置、液滴吐出記録装置の製造方法、液滴吐出ヘッドの洗浄方法
JP5010875B2 (ja) 2006-08-28 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
US20080161840A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Vascure Ltd. Atherectomy methods and apparatus
KR100893503B1 (ko) 2007-09-19 2009-04-16 주식회사 케이씨텍 건식 세정장치
JP5295829B2 (ja) 2009-03-12 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法
JP2011171691A (ja) 2010-01-21 2011-09-01 Tohoku Univ マイクロ・ナノソリッド利用型半導体洗浄システム
JP5623104B2 (ja) * 2010-03-18 2014-11-12 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
IT1399945B1 (it) * 2010-04-29 2013-05-09 Turbocoating S P A Metodo e apparato per rimuovere ricoprimenti ceramici, con sabbiatura di anidride carbonica allo stato solido.
US20120247504A1 (en) * 2010-10-01 2012-10-04 Waleed Nasr System and Method for Sub-micron Level Cleaning of Surfaces
US8770926B2 (en) * 2010-10-25 2014-07-08 United Technologies Corporation Rough dense ceramic sealing surface in turbomachines
JP2013089797A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Ebara Corp 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP6093569B2 (ja) * 2012-12-28 2017-03-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
KR102285832B1 (ko) * 2014-07-25 2021-08-05 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10304705B2 (en) * 2015-12-10 2019-05-28 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Cleaning device for atomizing and spraying liquid in two-phase flow

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05144793A (ja) * 1991-03-18 1993-06-11 Taiyo Sanso Co Ltd 固体表面の洗浄装置
CN1481580A (zh) * 2000-12-15 2004-03-10 K��C���Ƽ���ʽ���� 清洗晶片边缘的装置
US20060102207A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, susbtrate processing system, substrate cleaning program and storage medium
CN101124065A (zh) * 2005-02-05 2008-02-13 凯罗斯诺合资公司 借助于干冰霜射束清洁、致动或预处理工件的装置和方法
CN101254502A (zh) * 2006-09-06 2008-09-03 株式会社理光 干式清洁设备和干式清洁方法
CN101318187A (zh) * 2008-07-16 2008-12-10 高树森 水管清洗装置以及方法
CN102482841A (zh) * 2009-05-08 2012-05-30 克塞罗斯有限公司 不用有机溶剂而清洁润湿受污基材的方法
JP2012018962A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160065226A (ko) 2016-06-09
US20160133456A1 (en) 2016-05-12
US10186419B2 (en) 2019-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5455987B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN106328489A (zh) 基板处理方法及设备
CN103357607A (zh) 处理基板的设备和方法
CN106409657A (zh) 喷嘴和包括该喷嘴的基板处理设备
KR20160033358A (ko) 기판 처리 장치
CN106328490A (zh) 用于处理基板的方法和装置
CN105590882A (zh) 基板处理装置和方法
CN109585335A (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR20120016954A (ko) 기판 처리 장치
CN107579018A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR20160147163A (ko) 기판 처리 장치 및 세정 방법
KR20180002101A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102096945B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
CN107591315A (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR101591960B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102072998B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102121239B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
JP6025759B2 (ja) 剥離システム
KR102347973B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101817217B1 (ko) 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치
CN107564837A (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR101909480B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102250359B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102152909B1 (ko) 기판처리방법
KR102180009B1 (ko) 기판처리장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160518

RJ01 Rejection of invention patent application after publication