CN109585335A - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

用于处理基板的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109585335A
CN109585335A CN201811138503.XA CN201811138503A CN109585335A CN 109585335 A CN109585335 A CN 109585335A CN 201811138503 A CN201811138503 A CN 201811138503A CN 109585335 A CN109585335 A CN 109585335A
Authority
CN
China
Prior art keywords
valve
liquid
pressure
diaphragm
shut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811138503.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109585335B (zh
Inventor
李柱东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN109585335A publication Critical patent/CN109585335A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109585335B publication Critical patent/CN109585335B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

提供了一种用于供应液体的装置和方法。一种用于处理基板的装置,其包括:基板支承单元,其用于支承基板;和液体供应单元,其用于供应液体到由基板支承单元支承的基板。液体供应单元包括:喷嘴,其用于排出液体;液体供应管线,其用于供应液体至喷嘴;安装在液体供应管线上的恒压阀;安装在液体供应管线上并介于恒压阀和喷嘴之间的截止阀,其用于供应液体或停止供应液体;以及控制器,其用于控制恒压阀和截止阀。

Description

用于处理基板的装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年9月29日提交韩国工业产权局、申请号为10-2017-0127508的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施例涉及一种用于供应液体的装置和方法。
背景技术
为了制造半导体设备,执行诸如光刻、刻蚀、灰化和清洗的各种工艺。这些工艺是将液体供应至基板,并根据工艺改变要供应的液体量。
通常,用于供应液体的装置以根据工艺或工艺步骤所设定的量供应液体。液体的量基于液体的供应压力来调节。通常,液体的供应压力通过恒压阀(constant pressurevalve)来调节。图1为示出了传统恒压阀的剖面图。参照图1,恒压阀包括主体,其具有液体流过的流体通道;以及流体通道中的移动性的隔膜(diaphragm)。该隔膜通过流体通道的压力而移动。
当供应液体时,流体通道的压力降低,隔膜移动使得流体通道打开。相反,当停止液体供应时,流体通道的压力增大,隔膜移动使得流体通道关闭。
然而,在停止液体供应的时间点上,主体和隔膜之间可能会发生碰撞。当处理多片基板时,重复执行数百次至数千次的液体排出和停止。因此,主体和隔膜之间重复碰撞,并且在碰撞期间产生大量颗粒。
这些颗粒与液体一起供应至基板从而污染基板并导致工艺失效。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种用于在调节恒压阀时防止颗粒产生的装置和方法。
根据一示例性实施例,提供了一种用于处理基板的装置和方法。
该用于处理基板的装置包括:基板支承单元(substrate support unit),其用于支承基板;以及液体供应单元(liquid supplying unit),其用于供应液体至由基板支承单元支承的基板。液体供应单元包括:喷嘴,其用于排出液体;液体供应管线(liquidsupplying line),其用于供应液体至喷嘴;安装在液体供应管线上的恒压阀;安装在恒压阀和喷嘴之间的液体供应管线上的截止阀(shut-off valve),其用于供应液体或停止液体供应;以及控制器,其用于控制恒压阀和截止阀。控制器执行控制操作,使得在停止喷嘴的液体排出后,关闭截止阀和关闭恒压阀。
恒压阀可包括:具有流体通道的主体,液体流过该流体通道;隔膜,其用于打开或关闭流体通道;以及流体供应构件,其用于提供流体压力或空气压力以移动隔膜。
可通过液体供应管线的压力移动隔膜的位置,并且控制器可控制流体供应构件,使得当截止阀关闭时隔膜与主体不接触。
流体通道可在垂直方向上延伸,并且可包括调节通道,隔膜插入该调节通道中。液体供应管线可包括:第一管线,当基于恒压阀定位时第一管线更远离截止阀定位,并与流体通道的下端部相连;以及第二管线,当基于恒压阀定位时第二管线更靠近截止阀定位,并与流体通道的上端部相连。当截止阀关闭时,控制器可以控制流体供应构件以防止隔膜通过第二管线的压力在关闭流体通道的方向上被提升。控制器可以控制流体供应构件,在喷嘴的液体排出时向隔膜施加第一压力,并在喷嘴的液体的排出停止时或之后向隔膜施加第二压力,且第二压力可高于第一压力。
隔膜可包括插入杆(insertion shaft),其包括定位为插入调节通道中的主体部和从主体部的下端延伸并且直径大于调节通道的直径的锁定部(locking part);顶板(topplate),其固定地耦合至插入杆的上端且直径大于调节通道的直径;加压杆(pressurizingshaft),其由顶板向上延伸;以及弹性构件,其用于支承加压杆以在垂直方向上施加弹力。第二压力可大于弹力和第二管线的压力的总和。
根据另一示例性实施例,一种用于对基板执行液体处理的方法可包括因喷嘴与具有沿液体供应方向依次安装在其上的恒压阀和截止阀的液体供应管线相连,通过喷嘴供应液体至基板;以及当因来自喷嘴的液体供应完成而截止阀关闭时,打开恒压阀。
恒压阀可具有主体,在该主体中形成有允许液体在其中流动的流体通道,并且恒压阀可移动隔膜以打开或关闭流体通道,且当截止阀打开或关闭时,隔膜可保持与主体不接触。可以施加第一压力以向隔膜提供驱动力,使得在截止阀打开的情况下隔膜打开流体通道,并且可以施加第二压力以向隔膜提供驱动力,使得在截止阀关闭的情况下隔膜打开流体通道。第二压力大于第一压力。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例,本发明构思的上述及其他目的和特征将变得显而易见。
图1为示出了传统恒压阀的剖面图;
图2为示出了根据本发明构思的一实施例的基板处理设备的平面图;
图3为示出了图2中的用于处理基板的装置的剖面图;
图4为示出了根据液体排出状态的图3的流体供应构件的剖面图;
图5为示出了根据液体排出状态的图4的恒压阀的剖面图;
图6为示出了根据液体的排出停止状态的图3的流体供应构件的剖面图;以及
图7为示出了根据液体的排出停止状态的图6的恒压阀的剖面图。
具体实施方式
本发明构思的实施例可修改为各种形式,且本发明构思的范围不应解释为受限于以下所描述的本发明构思的实施例。提供本发明构思的实施例是为了向本领域的技术人员更完整地描述本发明构思。因此,附图中的组件的形状等被放大以强调更为清楚的描述。
以下,将参照图2至图7描述本发明构思的实施例。
图2为示出了根据本发明构思的实施例的基板处理设备的平面图。
参照图2,基板处理设备1具有索引模块(index module)10和工艺处理模块(process treating module)200,且索引模块10包括装载端口(load port)120和供给框架(feeding frame)140。装载端口120、供给框架140和工艺处理模块20可依次排列成行。以下,装载端口120、供给框架140和工艺处理模块20的排列方向将被称为第一方向12;当从顶部观察时,垂直于第一方向12的方向将被称为第二方向14;并且垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向将被称为第三方向16。
其中容纳有基板W的载体18位于装载端口120上。设置有多个装载端口120,并且其在第二方向14上排列成排。图1示出了设置有四个装载端口120。但是,可根据条件,例如工艺处理模块20的工艺效率或占地面积(footprint),增加或减少装载端口120的数量。狭槽(未示出)形成于载体18中以支承基板的边缘。多个狭槽沿第三方向16设置,且基板位于载体18中,使得基板在第三方向上层叠并彼此间隔开。前开式晶圆盒(FOUP)可用作载体18。
工艺处理模块20包括缓冲单元220、供给腔室(feeding chamber)240和工艺腔室(process chamber)260。供给腔室240设置成使其纵向平行于第一方向12。工艺腔室260设置在供给腔室240的相对侧。工艺腔室260可设置为关于供给腔室240彼此对称。一些工艺腔室260设置在供给腔室240的纵向方向上。此外,其他工艺腔室260设置为彼此层叠。换言之,工艺腔室260可在供给腔室240的一侧处排列成A×B的矩阵的形式(A和B为自然数)。在这种情况下,A为在第一方向12上排列成排的工艺腔室260的数量,且B为在第三方向16上排列成排的工艺腔室260的数量。当在供给腔室240的一侧设置有四个或六个工艺腔室260时,第一工艺腔室260可排列为2×2或3×2。工艺腔室260的数量可增加或减少。
不同的是,工艺腔室260可设置在传送腔室(transfer chamber)240的任意一侧。此外,工艺腔室260可设置在供给腔室240的一侧和相对侧的单层中。此外,不同于以上描述,工艺腔室260可设置为各种排列。
缓冲单元220介于供给框架140和供给腔室240之间。缓冲单元220提供在供给腔室240和供给框架140之间运载(carry)基板之前基板停留的空间。缓冲单元220在其中设置有狭槽(slot,未示出),基板W放置在狭槽中,且多个狭槽(未示出)在第三方向16上彼此间隔开。缓冲单元在面向供给框架140和供给腔室240的表面中是敞开的。
供给框架140在位于装载端口120中的载体18和缓冲单元220之间运载基板“W”。索引轨道(index rail)142和索引机械手(index robot)144设置在供给框架140中。索引轨道142设置为其纵向平行于第二方向14。索引机械手144安装在索引轨道142上以沿索引轨道142在第二方向14上线性移动。索引机械手144可包括基部114a、主体114b和索引臂(indexarm)114c。基部114a可沿索引轨道142安装成移动性的。主体114b可连接至基部114a。主体114b设置成在第三方向上在基部114a上为移动性的。此外,主体114b可在基部114a上设置成旋转性的。索引臂114c可连接至主体114b,使得其相对于主体114b向前和向后为移动性的。索引臂114c可设置为多个,且多个索引臂114c可彼此独立地驱动。在索引臂114c沿第三方向16彼此间隔开的状态下,索引臂114c可排列为彼此层叠。当将基板“W”从工艺处理模块20运载至载体18时,使用一些索引臂114c,并且当将基板“W”从载体18运载至工艺处理模块20时,可使用一些索引臂114c。在索引机械手144引入和取出基板“W”的过程中,该结构可以防止在工艺处理前由基板“W”产生的颗粒在工艺处理之后粘附到基板“W”。
供给腔室240在缓冲单元220和工艺腔室260之间传送基板W。导轨242和主机械手244设置在供给腔室240中。导轨242设置成使其纵向平行于第一方向12。主机械手244安装在导轨242上以在导轨242上沿第一方向12线性移动。
工艺腔室260可在一个基板W上依次执行工艺。例如,基板W可在工艺腔室260中经历化学工艺、清洗工艺和干燥工艺。
以下,将对设置在工艺腔室260中的用于处理基板的装置300进行描述。图3为示出了图2的基板处理设备的剖面图。参照图3,用于处理基板的装置可包括处理容器(treatment container)320、旋转头(spin head)340、提升单元(elevation unit)360以及液体供应单元380。
处理容器320提供用于执行处理基板W的工艺的处理空间。处理容器320设置为具有敞开上部的杯子的形状。处理容器320包括内回收器皿(recovery vessel)322和外回收器皿326。回收器皿322和326收集工艺中使用的处理液中的互不相同的处理液。内回收器皿322设置为具有环绕旋转头340的环形形状,并且外回收器皿326设置为具有环绕内回收器皿322的环形形状。内回收器皿322的内空间322a以及外回收器皿326和内回收器皿322之间的空间326a分别用作用于将处理液引入到内回收器皿322和外回收器皿326中的进口。回收管线(recovery line)322b和326b连接至回收器皿322和326,并从回收器皿322和326的底表面向下垂直延伸。回收管线322b和326b分别排出引入到回收器皿322和326中的处理液。排出的处理液可通过外部的处理液循环系统(未示出)进行循环。
旋转头340用作基板支承单元340以支承并旋转基板W。旋转头340设置在处理容器320的处理空间内。在工艺期间,旋转头340在支承基板“W”的情况下,旋转基板“W”。旋转头340具有主体342、支承销(support pin)344、卡盘销(chuck pin)346以及支承杆(supportshaft)348。当从顶部观察时,主体342具有设置成大致圆形形状的顶表面。支承杆348固定地耦合至主体342的底表面以通过电机349而为旋转性的。可设置多个支承销344。支承销344可设置成以预定间隙与主体342的顶表面的边缘间隔开,并且可由主体342向上突出。支承销344设置为通过其结合大致上具有环形形状。支承销344支承基板“W”的底表面的边缘,使得基板“W”通过特定距离与主体342的顶表面间隔开。设置有多个卡盘销346。卡盘销346可设置为比支承销344更远离主体342的中心。卡盘销346设置成由主体342向上突出。卡盘销346支承基板“W”的侧部,从而当旋转头340旋转时,基板“W”不会横向偏离其正确位置。卡盘销346设置成在主体342的径向上在待机位置和支承位置之间直线移动。待机位置比支承位置更远离主体342的中心。当基板W装载至旋转头340上或者从旋转头340上卸载时,卡盘销346位于待机位置。当对基板W执行工艺时,卡盘销346位于支承位置。卡盘销346在支承位置处与基板“W”的侧部接触。
提升单元360可调节处理容器320和基板W之间的相对高度。提升单元360向上及向下笔直地移动处理容器320。当处理容器320向上和向下移动时,处理容器320相对于旋转头340的相对高度发生改变。提升单元360具有支架(bracket)362、移动杆(moving shaft)364和驱动器366。支架362固定安装在处理容器320的外壁上,且移动杆364固定耦合至支架362以通过驱动器366而向上和向下移动。当基板“W”放置在旋转头340上或从旋转头340上被提起,处理容器320向下移动,使得旋转头340从处理容器320向上突出。当执行工艺时,根据供应至基板“W”的处理液的类型,调节处理容器320的高度,使得处理液引入到预设的回收器皿中。
不同于上述描述,提升单元360可向上和向下移动旋转头340,而不是处理容器320。
液体供应单元380可将处理液供应到基板W。可以设置多个液体供应单元380以供应类型各不相同的液体。液体供应单元380包括驱动构件381和流体供应构件400。
驱动构件381在工艺位置和待机位置之间移动流体供应构件400的喷嘴420。工艺位置是喷嘴420沿垂直方向设置在处理容器320的垂直上部的位置,待机位置是喷嘴420在处理容器320的垂直上部之外的位置。根据一实施例,工艺位置可以是喷嘴420供应处理液至基板W中心的位置。驱动构件381具有臂382、支承杆386和驱动器388。支承杆386可设置在处理容器320的一侧。支承杆386具有作为第三方向16的纵向,并且驱动器388耦合至支承杆386的下端。驱动器388旋转并升降支承杆386。臂382固定地耦合至支承杆386的上端。臂382具有垂直于支承杆386的纵向方向。
流体供应构件400包括喷嘴420、液体供应管线440、截止阀460、流量控制阀(flowcontrol valve)500和控制器480。
喷嘴420排出处理液。喷嘴420安装在臂382的端部的底表面上。当支承杆386旋转时,喷嘴420与臂382一起移动。例如,处理液可包括化学制品、清洗液和干燥流体。化学制品可以是具有强酸性或强碱性的液体。清洗液可以是纯水。干燥流体可以是异丙醇(IPA)。
图4为根据液体排出状态的图3的流体供应构件的剖面图,且图5为根据液体排出状态的图4的恒压阀的剖面图。图6为根据液体排出的停止状态的图3的流体供应构件的剖面图,且图7为根据液体排出的停止状态的图6的恒压阀的剖面图。参照图4至图7,液体供应管线440将处理液供应至喷嘴420。截止阀460和流量控制阀500安装在液体供应管线440上。流量控制阀500和截止阀460依序定位在供应处理液的方向上。换言之,截止阀460定位成更接近喷嘴420而不是流量控制阀500。液体供应管线440包括第一管线442和第二管线444。当基于流量控制阀500定位时,第一管线442远离截止阀460,并且当基于流量控制阀500定位时,第二管线444更靠近截止阀460。因此,通过截止阀460和流量控制阀500,第一管线442和第二管线444可具有互不相同的压力大小。
截止阀460打开液体供应管线440。截止阀460供应液体或者停止液体供应。流量控制阀500调节供应至液体供应管线440的处理液的量。流量控制阀500可通过调节处理液的供应压力来调节处理液的量。流量控制阀500设置成恒压阀500的形式。
恒压阀500包括主体510、流体供应构件550和隔膜600。主体510具有液体在其中流动的流体通道522。主体510包括下壳体520和上壳体530。流体通道522设置在下壳体520内。流体通道522设置成面向垂直方向。流体通道522包括第一通道522a、控制通道522b和第二通道522c。第一通道522a、控制通道522b和第二通道522c是依次向上定位的。第一通道522a设置成从第一管线442连通至控制通道522b的底部,并且第二通道522c设置为从控制通道522b的顶部到第二管线444。换言之,处理液可通过依次经过第一管线442、第一通道522a、控制通道522b、第二通道522c和第二管线444供应至喷嘴420。控制通道522b的宽度窄于第一通道522a和第二通道522c的宽度。控制通道522b用作用于调节处理液供应压力的通道。
上壳体530定位成叠放在下壳体520上。上壳体530位于下壳体520上。加压空间(pressurized space)532形成于上壳体530内部。加压空间532设置成在其中调节位于主体510内的隔膜600的空间。贯穿孔(through hole)形成于允许上壳体530面向下壳体520的一个表面中。第二通道522c和加压空间532可通过贯穿孔彼此连通。
流体供应构件550使加压空间532加压。流体供应构件550包括流体供应管线和流体阀。液体供应管线与加压空间532连接。流体供应管线将流体供应至加压空间532。流体阀控制供应至流体供应管线的流体的量。例如,流体阀可以根据喷嘴420的液体排出状态不同地控制流体的量。流体供应构件550可通过施加流体压力或空气压力至加压空间532来移动隔膜600。
隔膜600关闭流体通道522。例如,隔膜600通过打开或关闭控制通道522b来控制处理液的供应压力。隔膜600包括插入杆610、顶板620、加压杆630以及弹性构件650。插入杆610定位成使得插入杆610插入到控制通道522b中。插入杆610具有在垂直方向上延伸的纵向方向。插入杆610具有主体部612和锁定部614。主体部612定位成使得主体部612插入到控制通道522b中,并且具有在垂直方向上延伸的棒的形状。主体部612设置成具有窄于控制通道522b宽度的宽度。锁定部614位于第一通道522a中。锁定部614设置成从主体部612的下端延伸。锁定部614设置成具有宽于控制通道522b宽度的宽度。因此,锁定部614可以防止主体部612被提升到超过预定高度。
顶板620固定地耦合至支承杆610的上端。顶板620位于第二通道522c中。上端设置成具有足以分隔第二通道522c的面积。因此,处理液流过的流体通道522设置在顶板620下方,并且处理液不设置在顶板620的上方。
加压杆630通过施加至加压空间532的空气压力或流体压力而沿垂直方向移动。顶板620和插入杆610与加压杆630一起移动。加压杆630具有贯穿部632和加压部634。贯穿部632具有沿垂直方向延伸的长度方向。贯穿部632具有棒的形状。贯穿部632设置成由顶板620向上延伸。贯穿部632定位成插入贯穿孔中。换言之,贯穿部632的下端位于第二通道522c中,且贯穿部632的上端位于加压空间532中。加压部634具有从贯穿部632的上端延伸的板的形状。加压部634位于加压空间532中。
弹性构件650在加压空间532中支承加压杆630。弹性构件650沿垂直方向向加压杆630施加弹力。弹性构件650固定地耦合至加压部634的底表面和上壳体530的基底(floor)。因此,弹性构件650可以防止加压杆630通过施加到加压空间532的压力而下降到特定高度或更低。例如,弹性构件650可包括弹簧650。
控制器480控制流量控制阀500和截止阀460。当处理液从喷嘴420排出时,控制器480打开截止阀460和流量控制阀500。当停止从喷嘴420排出处理液时,控制器480关闭截止阀460并打开流量控制阀500。控制器480控制流体供应构件550,从而当停止排出处理液时,锁定部614与主体510不接触。
当截止阀460关闭时,第二管线444的压力被放大为大于第一管线442的压力。在这种情况下,由于第一管线442和第二管线444之间的压力差异,插入杆610被抬升,并且锁定部614可能与限定控制通道522b的主体510碰撞。在这种情况下,控制器480可以控制流体供应构件550,从而将流体供应至加压空间532。因此,可以防止锁定部614与主体510碰撞。
具体地,当截止阀460打开时,可施加具有第一压力的流体到加压空间532。当截止阀460关闭时,可施加具有第二压力的流体。第二压力设置成高于第一压力。第二压力可大于弹性构件650的弹力和第二管线444的压力的总和。因此,当插入杆610被提升时,防止锁定部614与主体510碰撞。
在上述实施例中,已经描述了当对基板W执行工艺处理时,在排出处理液的状态下施加具有第一压力的流体,以及在停止排出处理液的状态下施加具有第二压力的流体。但是,由于即使在对基板W的工艺处于空转状态的状态下也停止了喷嘴420的排出,因此可以关闭截止阀460并且可以将具有第二压力的流体施加到加压空间532。
根据本发明构思的一实施例,向隔膜施加大于流体通道压力的压力。因此,可以防止主体与隔膜之间的碰撞。
此外,根据本发明构思的一实施例,由于防止了主体与隔膜之间的碰撞,因此可以防止由于碰撞而产生颗粒。
虽然已经参照本发明的示例性实施例描述了本发明构思,但是对于本领域普通技术人员来说显而易见的是,在不脱离如以下权利要求所述的本发明构思的精神和范围的情况下,可以对其进行各种改变和修改。

Claims (9)

1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
基板支承单元,所述基板支承单元用于支承基板;和
液体供应单元,所述液体供应单元用于将液体供应至由所述基板支承单元支承的所述基板,
其中,所述液体供应单元包括:
喷嘴,所述喷嘴用于排出所述液体;
液体供应管线,所述液体供应管线用于供应所述液体至所述喷嘴;
安装在所述液体供应管线上的恒压阀;
安装在所述液体供应管线上的截止阀,所述截止阀介于所述恒压阀和所述喷嘴之间,所述截止阀用于供应所述液体或停止供应所述液体;和
控制器,所述控制器用于控制所述恒压阀和所述截止阀,和
其中,所述控制器执行控制操作,使得当停止所述喷嘴排出所述液体时,关闭所述截止阀和关闭所述恒压阀。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述恒压阀包括:
主体,所述主体具有所述流体流过的流体通道;
隔膜,所述隔膜用于打开或关闭所述流体通道;以及
流体供应构件,所述流体供应构件用于施加流体压力或空气压力以移动所述隔膜。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,通过所述液体供应管线的压力,移动所述隔膜的位置,和
其中,所述控制器控制所述流体供应构件,使得当所述截止阀关闭时,所述隔膜与所述主体不接触。
4.根据权利要求2或3所述的装置,其中,所述流体通道沿垂直方向延伸,并且包括所述隔膜插入其中的调节通道,和
其中,所述液体供应管线包括:
第一管线,当基于所述恒压阀定位时,所述第一管线定位成更远离所述截止阀,并且所述第一管线与所述流体通道的下端部相连;和
第二管线,当基于所述恒压阀定位时,所述第二管线定位成更靠近所述截止阀,并且所述第二管线与所述流体通道的上端部相连,和
其中,当所述截止阀关闭时,所述控制器控制所述流体供应构件,以防止所述隔膜通过所述第二管线的压力沿关闭所述流体通道的方向上升或下降。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述控制器控制所述流体供应构件,以在所述喷嘴排出所述液体时向所述隔膜施加第一压力,并在停止所述喷嘴排出所述液体时或之后向所述隔膜施加第二压力,和
其中,所述第二压力大于所述第一压力。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述隔膜包括:
插入杆,所述插入杆包括定位成插入所述调节通道中的主体部,和从所述主体部的下端延伸并且其直径大于所述调节通道直径的锁定部;
顶板,所述顶板固定地耦合至所述插入杆的上端,且所述顶板的直径大于所述调节通道的直径;
加压杆,所述加压杆从所述顶板向上延伸;和
弹性构件,所述弹性构件用于支承所述加压杆,以在垂直方向上施加弹力,和
其中,所述第二压力大于所述弹力和所述第二管线的压力的总和。
7.一种对基板执行液体处理的方法,所述方法包括:
因所述喷嘴与液体供应管线连接,通过所述喷嘴向所述基板供应所述液体,所述液体供应管线具有沿供应液体的方向依序安装在其上的恒压阀和截止阀;和
在因所述液体从所述喷嘴的供应完成而所述截止阀关闭时,打开所述恒压阀。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述恒压阀具有在其中形成有流体通道的主体,所述流体通道允许液体在其中流动,并且所述恒压阀移动隔膜以打开或关闭所述流体通道,和
其中,当所述截止阀打开或关闭时,所述隔膜保持与所述主体不接触。
9.根据权利要求8所述的方法,其还包括:
当所述截止阀打开时,向所述隔膜施加第一压力以提供驱动力,使得所述隔膜打开所述流体通道,和
当所述截止阀关闭时,向所述隔膜施加第二压力以提供驱动力,使得所述隔膜打开所述流体通道,
其中,所述第二压力大于所述第一压力。
CN201811138503.XA 2017-09-29 2018-09-28 用于处理基板的装置和方法 Active CN109585335B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170127508A KR101994425B1 (ko) 2017-09-29 2017-09-29 기판 처리 장치 및 방법
KR10-2017-0127508 2017-09-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109585335A true CN109585335A (zh) 2019-04-05
CN109585335B CN109585335B (zh) 2023-03-28

Family

ID=65896233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811138503.XA Active CN109585335B (zh) 2017-09-29 2018-09-28 用于处理基板的装置和方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10651059B2 (zh)
KR (1) KR101994425B1 (zh)
CN (1) CN109585335B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112071774A (zh) * 2019-06-11 2020-12-11 细美事有限公司 用于处理基板的装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10725484B2 (en) 2018-09-07 2020-07-28 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for pulse gas delivery using an external pressure trigger
US11573583B2 (en) 2020-11-06 2023-02-07 Mks Instruments, Inc. Pressure control using an external trigger

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012026476A (ja) * 2010-07-20 2012-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ダイヤフラムバルブおよびこれを備えた基板処理装置
JP2015177090A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置
CN105023863A (zh) * 2014-04-30 2015-11-04 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置和基板液处理方法
KR20160133807A (ko) * 2015-05-13 2016-11-23 세메스 주식회사 액 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4330505B2 (ja) 2004-08-26 2009-09-16 サーパス工業株式会社 液体用レギュレータ
WO2006025550A1 (ja) 2004-08-31 2006-03-09 Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. 流体制御装置
KR102149485B1 (ko) * 2013-01-04 2020-08-31 세메스 주식회사 약액공급유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
JP2015114966A (ja) 2013-12-13 2015-06-22 アドバンス電気工業株式会社 流量制御弁及びこれを用いた流量制御装置
JP6420604B2 (ja) 2014-09-22 2018-11-07 株式会社Screenホールディングス 塗布装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012026476A (ja) * 2010-07-20 2012-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ダイヤフラムバルブおよびこれを備えた基板処理装置
JP2015177090A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置
CN105023863A (zh) * 2014-04-30 2015-11-04 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置和基板液处理方法
KR20160133807A (ko) * 2015-05-13 2016-11-23 세메스 주식회사 액 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112071774A (zh) * 2019-06-11 2020-12-11 细美事有限公司 用于处理基板的装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101994425B1 (ko) 2019-07-01
US10651059B2 (en) 2020-05-12
KR20190037805A (ko) 2019-04-08
US20190103292A1 (en) 2019-04-04
CN109585335B (zh) 2023-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109585335A (zh) 用于处理基板的装置和方法
US10211075B2 (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR101536722B1 (ko) 기판처리방법
KR101607521B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN103357607A (zh) 处理基板的设备和方法
CN109560022A (zh) 用于处理基板的装置和方法
CN107785290B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN108269752B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN106816399B (zh) 基板处理装置及方法
CN108269749A (zh) 液体供应单元、基板处理装置及去除气泡的方法
KR20160147163A (ko) 기판 처리 장치 및 세정 방법
KR102620706B1 (ko) 처리액을 공급 및 회수하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10942446B2 (en) Mask cleaning apparatus and method for cleaning mask
KR20140144799A (ko) 기판처리장치
CN105590882A (zh) 基板处理装置和方法
KR102422256B1 (ko) 검사 유닛 및 검사 방법, 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102250359B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101993732B1 (ko) 기판 처리 장치 및 노즐 위치 세팅 방법
KR102250358B1 (ko) 분사 유닛 및 기판 처리 장치
KR20180079018A (ko) 기판 처리 장치
KR101955592B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102267173B1 (ko) 배기 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR20150136218A (ko) 기판처리장치 및 방법
CN117637521A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及基板处理设备
KR20130015640A (ko) 기판처리장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant