JPH05144793A - 固体表面の洗浄装置 - Google Patents
固体表面の洗浄装置Info
- Publication number
- JPH05144793A JPH05144793A JP5236891A JP5236891A JPH05144793A JP H05144793 A JPH05144793 A JP H05144793A JP 5236891 A JP5236891 A JP 5236891A JP 5236891 A JP5236891 A JP 5236891A JP H05144793 A JPH05144793 A JP H05144793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pure water
- nozzle
- cleaned
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、微細凍結粒子を噴射して、固体表
面を洗浄する装置で、微細凍結粒子の噴射で除去された
汚染物の再付着、および被洗浄物のダメージを防ぐこと
を目的とする。 【構成】洗浄すべき基板(5) をステージ(15)にセットし
て回転させながら純水リンスノズル(10)により基板表面
に水膜をつくる。ノズル(10)からスプレーされる純水は
温度調節され、基板(5) へノズル(8) で噴射される凍結
粒子(4) を一部溶解し、基板のダメージを防ぐ。
面を洗浄する装置で、微細凍結粒子の噴射で除去された
汚染物の再付着、および被洗浄物のダメージを防ぐこと
を目的とする。 【構成】洗浄すべき基板(5) をステージ(15)にセットし
て回転させながら純水リンスノズル(10)により基板表面
に水膜をつくる。ノズル(10)からスプレーされる純水は
温度調節され、基板(5) へノズル(8) で噴射される凍結
粒子(4) を一部溶解し、基板のダメージを防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体表面の洗浄装置
に関し、さらに詳しくは、超微細な氷粒子等の凍結粒子
を基板などの表面に噴射することにより表面洗浄を行う
ための固体表面の洗浄装置に関するものである。
に関し、さらに詳しくは、超微細な氷粒子等の凍結粒子
を基板などの表面に噴射することにより表面洗浄を行う
ための固体表面の洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】第３図は従来の固体表面の洗浄装置を示
し、図において、微細凍結粒子を生成するための製氷ホ
ッパ(1) 内に、液体Ｎ2 等の冷媒(2) および純水を微噴
霧するスプレーノズル(3) による噴霧が供給され、微細
凍結粒子(4) が生成され被洗浄体である半導体等の基板
(5) は洗浄チャンバ(6) 内に支持部材(7) により垂直に
支持され、噴射ノズル(8) により微細凍結粒子(4) が噴
射される。排気ブロワ(9) は洗浄チャンバ(6) 内を排気
する。リンスノズル(10)は基板(5) に向けて純水を噴射
する。
し、図において、微細凍結粒子を生成するための製氷ホ
ッパ(1) 内に、液体Ｎ2 等の冷媒(2) および純水を微噴
霧するスプレーノズル(3) による噴霧が供給され、微細
凍結粒子(4) が生成され被洗浄体である半導体等の基板
(5) は洗浄チャンバ(6) 内に支持部材(7) により垂直に
支持され、噴射ノズル(8) により微細凍結粒子(4) が噴
射される。排気ブロワ(9) は洗浄チャンバ(6) 内を排気
する。リンスノズル(10)は基板(5) に向けて純水を噴射
する。
【０００３】以上の構成により、製氷ポッパ(1) 内に液
体Ｎ2 等の冷媒体(2) を供給し、製氷ポッパ(1) 内を−
80〜−150℃ に冷却する。この状態でスプレーノズル
(3) から超純水等の被凍結液体を微噴霧し凍結させるこ
とにより、微細凍結粒子(4)を製造する。微細凍結粒子
(4) はエジェクター方式によって噴射ノズル(8) より基
板(5) 表面にキャリアガスと共に噴射される。基板(5)
表面上の汚染物は、噴射された微細凍結粒子(4) の衝突
エネルギーによって除去される。洗浄チャンバ(6) 内は
排気ブロワ(9) によって排気されているが、噴射ノズル
(8) より噴射されるキャリアガスによって洗浄チャンバ
(6) 内の気流が乱れることにより、汚染物の基板(5) へ
の再付着が生じる。この対策として、リンスノズル(10)
より純水を基板(5) の表面に吹きつけることにより、汚
染物の基板(5) への再付着を防止している。また、基板
(5) 表面に噴射される微細凍結粒子(4) の速達は、噴射
ノズル(8)の特性およびキャリアガスの圧力(1〜5Kg/c
m2) によって制御する。
体Ｎ2 等の冷媒体(2) を供給し、製氷ポッパ(1) 内を−
80〜−150℃ に冷却する。この状態でスプレーノズル
(3) から超純水等の被凍結液体を微噴霧し凍結させるこ
とにより、微細凍結粒子(4)を製造する。微細凍結粒子
(4) はエジェクター方式によって噴射ノズル(8) より基
板(5) 表面にキャリアガスと共に噴射される。基板(5)
表面上の汚染物は、噴射された微細凍結粒子(4) の衝突
エネルギーによって除去される。洗浄チャンバ(6) 内は
排気ブロワ(9) によって排気されているが、噴射ノズル
(8) より噴射されるキャリアガスによって洗浄チャンバ
(6) 内の気流が乱れることにより、汚染物の基板(5) へ
の再付着が生じる。この対策として、リンスノズル(10)
より純水を基板(5) の表面に吹きつけることにより、汚
染物の基板(5) への再付着を防止している。また、基板
(5) 表面に噴射される微細凍結粒子(4) の速達は、噴射
ノズル(8)の特性およびキャリアガスの圧力(1〜5Kg/c
m2) によって制御する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の基板表面の洗浄
装置は以上のように構成されているので、洗浄時、汚染
物が基板表面へ再付着しないように基板表面への純水ス
プレーを行っているが、基板を垂直に配置しているため
基板表面を常に一定に濡らしておくことが困難であり、
十分に汚染物の再付着防止ができないという問題点があ
った。
装置は以上のように構成されているので、洗浄時、汚染
物が基板表面へ再付着しないように基板表面への純水ス
プレーを行っているが、基板を垂直に配置しているため
基板表面を常に一定に濡らしておくことが困難であり、
十分に汚染物の再付着防止ができないという問題点があ
った。
【０００５】また、基板へのダメージ制御の点で、氷粒
子の場合、硬度がモース硬度で３〜４であり、氷粒子よ
り低硬度な材料（例えばアルミニウム等）に対しては従
来の技術ではダメージが発生するという問題点がある。
子の場合、硬度がモース硬度で３〜４であり、氷粒子よ
り低硬度な材料（例えばアルミニウム等）に対しては従
来の技術ではダメージが発生するという問題点がある。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、微細凍結粒子の噴射によって除
去された汚染物が基板表面に再付着することがなく、ま
たアルミニウム等の軟らかい材料に対してのダメージを
制御できる基板表面の洗浄装置を得ることを目的とす
る。
ためになされたもので、微細凍結粒子の噴射によって除
去された汚染物が基板表面に再付着することがなく、ま
たアルミニウム等の軟らかい材料に対してのダメージを
制御できる基板表面の洗浄装置を得ることを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の第一の発明に
係る固体表面の洗浄装置は、基板表面を水平に配置し、
基板表面を回転させ、純水スプレーする。また、純水ス
プレーの純水の温度制御を行うものである。
係る固体表面の洗浄装置は、基板表面を水平に配置し、
基板表面を回転させ、純水スプレーする。また、純水ス
プレーの純水の温度制御を行うものである。
【０００８】第二の発明は第一の発明に加え、洗浄チャ
ンバ側壁外周に排気室を設け、洗浄チャンバ側壁には排
気室に通じる複数の開口部（排気口）があり、氷噴射ノ
ズルのスキャン方向に対応して洗浄チャンバを回動させ
るようにしたものである。
ンバ側壁外周に排気室を設け、洗浄チャンバ側壁には排
気室に通じる複数の開口部（排気口）があり、氷噴射ノ
ズルのスキャン方向に対応して洗浄チャンバを回動させ
るようにしたものである。
【０００９】
【作用】この発明の第一の発明においては、基板を水平
に配置し回転させながら、純水をスプレーすることによ
り、基板表面に一定の水膜が形成される。また、純水ス
プレーに用いる純水の温度を5 ℃〜90℃の範囲で制御す
ることにより、基板表面に衝突する氷粒子の一部溶解を
促進させる。
に配置し回転させながら、純水をスプレーすることによ
り、基板表面に一定の水膜が形成される。また、純水ス
プレーに用いる純水の温度を5 ℃〜90℃の範囲で制御す
ることにより、基板表面に衝突する氷粒子の一部溶解を
促進させる。
【００１０】また、第二の発明においては、基板を水平
に配置したことによる排気手段が、洗浄チャンバ側壁外
周に排気室を設け、洗浄チャンバ側壁に排気室に通じる
複数個の開口部（排気口）を形成し、さらに氷噴射ノズ
ルのスキャン方向に対応して洗浄チャンバのみを回動さ
せるものであるため、キャリアガスの流れが常に速やか
に排気される。
に配置したことによる排気手段が、洗浄チャンバ側壁外
周に排気室を設け、洗浄チャンバ側壁に排気室に通じる
複数個の開口部（排気口）を形成し、さらに氷噴射ノズ
ルのスキャン方向に対応して洗浄チャンバのみを回動さ
せるものであるため、キャリアガスの流れが常に速やか
に排気される。
【００１１】
【実施例】図１，図２はこの発明の一実施例を示し、可
回動の洗浄チャンバ(6) の側壁外周に排気室(11)が設け
られており、洗浄チャンバ(6) の側壁に排気室(11)に通
じる複数個の排気口(12)が設けられている。(9) は排気
ブロワである。(13)は基板表面に形成された水膜であ
り、リンスノズル(10)は基板表面に向けて純水をスプレ
ーする。このスプレー純水は温度調節器(14)により温度
制御される。基板(5)はステージ(15)により水平に保持
・回転される。その他、図３におけると同一符号は同一
乃至相当部分である。
回動の洗浄チャンバ(6) の側壁外周に排気室(11)が設け
られており、洗浄チャンバ(6) の側壁に排気室(11)に通
じる複数個の排気口(12)が設けられている。(9) は排気
ブロワである。(13)は基板表面に形成された水膜であ
り、リンスノズル(10)は基板表面に向けて純水をスプレ
ーする。このスプレー純水は温度調節器(14)により温度
制御される。基板(5)はステージ(15)により水平に保持
・回転される。その他、図３におけると同一符号は同一
乃至相当部分である。
【００１２】次に動作について説明する。微細凍結粒子
(4) を生成し、噴射ノズル(8) から噴射するまでは従来
技術と同様である。まず、基板(5) をステージ(15)にセ
ットし、基板(5) を回転させる。これと同時に純水リン
スノズル(10)より純水を基板(5) 表面にスプレーし、基
板(5) 表面に水膜(13)を形成する。この際、水膜(13)の
厚さは、基板(5) を矢印Ｃ方向に回転させているステー
ジ(15)の回転数(100rpm〜5000rpmの範囲）を調整するこ
とにより制御する。さらに、純水リンスノズル(10)より
スプレーされる純水は、温度調節器(14)で5 ℃〜90℃の
範囲で可変である。これにより、微細凍結粒子を基板
(5) の表面で一部溶解させ、基板(5) のダメージを防
ぐ。この状態で噴射ノズル(8) から基板(5) 表面に向け
て微細凍結粒子(4) を噴きつけることによって基板(5)
表面の汚染物を除去する。微細凍結粒子(4) が基板(5)
表面全体に当たるように、噴射ノズル(8) は矢印Ａのよ
うにスキャンされる。
(4) を生成し、噴射ノズル(8) から噴射するまでは従来
技術と同様である。まず、基板(5) をステージ(15)にセ
ットし、基板(5) を回転させる。これと同時に純水リン
スノズル(10)より純水を基板(5) 表面にスプレーし、基
板(5) 表面に水膜(13)を形成する。この際、水膜(13)の
厚さは、基板(5) を矢印Ｃ方向に回転させているステー
ジ(15)の回転数(100rpm〜5000rpmの範囲）を調整するこ
とにより制御する。さらに、純水リンスノズル(10)より
スプレーされる純水は、温度調節器(14)で5 ℃〜90℃の
範囲で可変である。これにより、微細凍結粒子を基板
(5) の表面で一部溶解させ、基板(5) のダメージを防
ぐ。この状態で噴射ノズル(8) から基板(5) 表面に向け
て微細凍結粒子(4) を噴きつけることによって基板(5)
表面の汚染物を除去する。微細凍結粒子(4) が基板(5)
表面全体に当たるように、噴射ノズル(8) は矢印Ａのよ
うにスキャンされる。
【００１３】以上の動作に加え、噴射ノズル(8) より噴
射されるキャリアガス流を速やかに排気するために、噴
射ノズル(8) のスキヤン方向に対応して洗浄チャンバ
(6) を矢印Ｂのように回動させることによって排気口(1
2)を噴射ノズル(8) に対向させ、キャリアガス流を速や
かに排気し、洗浄チャンバ(6) 内のガス流の乱れを極力
抑制し、汚染物の再付着を防止する。なお、被洗浄物
は、基板に限らないことはいうまでもない。
射されるキャリアガス流を速やかに排気するために、噴
射ノズル(8) のスキヤン方向に対応して洗浄チャンバ
(6) を矢印Ｂのように回動させることによって排気口(1
2)を噴射ノズル(8) に対向させ、キャリアガス流を速や
かに排気し、洗浄チャンバ(6) 内のガス流の乱れを極力
抑制し、汚染物の再付着を防止する。なお、被洗浄物
は、基板に限らないことはいうまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明の第一の発明に
よれば、洗浄チャンバに関して、基板を水平に配置し、
回転させるとともに、温度制御を施した純水を基板表面
にスプレーすることにより、基板表面に任意の温度およ
び厚みを持つ水膜を形成するので、微細凍結粒子をキャ
リアガスと共に基板表面に噴射し洗浄する処理におい
て、汚染物の再付着が防止されるとともに、微細凍結粒
子より硬度の低い材料表面に対してのダメージを解消す
ることができる。
よれば、洗浄チャンバに関して、基板を水平に配置し、
回転させるとともに、温度制御を施した純水を基板表面
にスプレーすることにより、基板表面に任意の温度およ
び厚みを持つ水膜を形成するので、微細凍結粒子をキャ
リアガスと共に基板表面に噴射し洗浄する処理におい
て、汚染物の再付着が防止されるとともに、微細凍結粒
子より硬度の低い材料表面に対してのダメージを解消す
ることができる。
【００１５】また、第二の発明によれば、洗浄チャンバ
側壁外周に排気室を設け、洗浄チャンバ側壁に複数個の
排気室に通じる排気口を設置し、微細凍結粒子噴射ノズ
ルのスキヤン方向に対応させ洗浄チャンバのみを回動さ
せるようにしたので、噴射ノズルから噴き出されるガス
流を速やかに排気することができ、汚染物の再付着が防
止される。
側壁外周に排気室を設け、洗浄チャンバ側壁に複数個の
排気室に通じる排気口を設置し、微細凍結粒子噴射ノズ
ルのスキヤン方向に対応させ洗浄チャンバのみを回動さ
せるようにしたので、噴射ノズルから噴き出されるガス
流を速やかに排気することができ、汚染物の再付着が防
止される。
【図１】この発明の一実施例の正断面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う平面による断面図であ
る。
る。
【図３】従来の固体表面の洗浄装置の正断面図である。
４ 微細凍結粒子 ５ 基板（被洗浄物） ６ 洗浄チャンバ ８ 噴射ノズル 10 リンスノズル 11 排気室 12 排気口 13 水膜 14 温度調節器
Claims (2)
- 【請求項１】 微細凍結粒子を被洗浄物の表面に向けて
噴射する噴射ノズルと、温度調節された純水を前記被洗
浄物の表面に向けて噴射するリンスノズルと、前記被洗
浄物を水平に保持し、かつ、回転を与えるステージとか
らなり、前記リンスノズルから噴射される純水により前
記被洗浄物の表面に、回転数に応じた厚さの水膜を形成
する固体表面の洗浄装置。 - 【請求項２】 噴射ノズル，リンスノズルおよびステー
ジが収納され可回動の洗浄チャンバと、この洗浄チャン
バの側壁外周に形成され前記洗浄チャンバの側壁に設け
られた複数個の排気口により前記洗浄チャンバと連通し
ている排気室とを備えてなる請求項(1) 記載の固体表面
の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236891A JPH05144793A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 固体表面の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236891A JPH05144793A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 固体表面の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144793A true JPH05144793A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=12912871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5236891A Pending JPH05144793A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 固体表面の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144793A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558110A (en) * | 1993-07-23 | 1996-09-24 | Williford, Jr.; John F. | Apparatus for removing particulate matter |
| US5857474A (en) * | 1995-12-28 | 1999-01-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for washing a substrate |
| US6220935B1 (en) | 1997-08-11 | 2001-04-24 | Sprout Co., Ltd. | Apparatus and method for cleaning substrate |
| US7364626B2 (en) | 2001-11-01 | 2008-04-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN105590882A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-05-18 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和方法 |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP5236891A patent/JPH05144793A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558110A (en) * | 1993-07-23 | 1996-09-24 | Williford, Jr.; John F. | Apparatus for removing particulate matter |
| US5857474A (en) * | 1995-12-28 | 1999-01-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for washing a substrate |
| US6220935B1 (en) | 1997-08-11 | 2001-04-24 | Sprout Co., Ltd. | Apparatus and method for cleaning substrate |
| US7364626B2 (en) | 2001-11-01 | 2008-04-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN105590882A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-05-18 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和方法 |
| US10186419B2 (en) | 2014-11-07 | 2019-01-22 | Semes Co., Ltd. | Method for treating a substrate with a shock wave |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3504023B2 (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
| US5372652A (en) | Aerosol cleaning method | |
| US5931721A (en) | Aerosol surface processing | |
| US5873380A (en) | Wafer cleaning apparatus | |
| US6488779B1 (en) | Method and apparatus for cleaning substrates | |
| JP2825301B2 (ja) | 微細凍結粒子による洗浄装置 | |
| JP2002158202A (ja) | ウエハ洗浄装置 | |
| KR20010014577A (ko) | 클린싱 및 스크레이핑 방법과 그 장치 그리고 클린싱 및스크레이핑 매질유체 형성방법과 그 장치 | |
| JP2005353739A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JPH05144793A (ja) | 固体表面の洗浄装置 | |
| JP2002011419A (ja) | 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置 | |
| JP3425895B2 (ja) | 回転式基板乾燥装置および乾燥方法 | |
| JP4502854B2 (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
| JPH0479326A (ja) | 基板表面の洗浄装置 | |
| JP2006229057A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2004152849A (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
| JP2004207407A (ja) | スピン洗浄装置 | |
| JP2002270564A (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
| JP2000100763A (ja) | 基板表面の処理装置 | |
| JP4279008B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2010067640A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| US20040238008A1 (en) | Systems and methods for cleaning semiconductor substrates using a reduced volume of liquid | |
| JP2664298B2 (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
| JP2658653B2 (ja) | 洗浄装置および洗浄装置における排気の制御方法 | |
| JP2003007668A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 |