JP2000100763A - 基板表面の処理装置 - Google Patents

基板表面の処理装置

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JP2000100763A
JP2000100763A JP10285901A JP28590198A JP2000100763A JP 2000100763 A JP2000100763 A JP 2000100763A JP 10285901 A JP10285901 A JP 10285901A JP 28590198 A JP28590198 A JP 28590198A JP 2000100763 A JP2000100763 A JP 2000100763A
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rotating
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JP10285901A
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Inventor
Kazufumi Hirano
一文 平野
Original Assignee
Pre-Tech Co Ltd
株式会社プレテック
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 使用済液滴が浮遊し基板表面に再付着するの
を防ぎ、また支持体との接触部における処理液の置換、
排出等を容易に行えるようにして、再汚染等がなく且つ
均一、良好な表面処理を行うことができる基板表面の処
理装置を提供する。 【解決手段】 少なくとも、基板を水平に保持する支持
体と、該基板を保持した支持体を回転させる回転体と、
該回転体を回転させる回転駆動機構と、処理液を基板表
面に噴射する噴射手段と、処理室内へのガス供給手段
と、及び排気手段とを有する基板表面の処理装置におい
て、前記支持体を筒状又は円錐台状の回転体の上端面に
設けたことを特徴とする基板表面の処理装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面の処理装
置に関する。特に本発明は、半導体基板、液晶ガラス基
板、磁気ディスク等の基板表面に対し、洗浄等の処理を
行う際に、使用済の処理液の液滴が基板表面に再付着す
るのを防ぐことができる基板表面の処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス、液晶ディスプレイ、磁
気ディスク等の製造においては、半導体基板、石英基板
等の精密基板が用いられている。そして、近年における
各デバイスの高集積化、高精度化等に伴い、これら基板
の表面状態に対する要求、例えばクリーン度等は一層重
要となっている。従って、これら精密基板の表面処理技
術(例えば洗浄技術等)を向上させることは、今後の先
端デバイスの製造において、品質及び歩留りの向上のた
めに不可欠で重要な要素である。
【0003】近年に於ける精密基板等の表面処理方法と
しては、基板の高品質化、大直径化、大面積化に伴い、
洗浄槽等を用いて複数枚を一度に処理するバッチ方式で
はなく、一枚ずつ処理する枚様式が採用されるようにな
ってきた。
【0004】例えば、精密基板を枚様式で表面処理する
ための処理装置としては図4に示すものが知られる。こ
の処理装置は、回転体1の上に支柱2をたて、支柱2の
上端に基板3を水平に支持する支持片4を取り付けた構
造を有する(図4a)。そして、基板3の表面処理は、
支持片4により基板3を水平に保持した後、回転駆動機
構5により回転体1を回転させることによって基板3を
水平に回転させながら、噴射手段6により処理液を基板
3の上面と下面に噴射供給して行なわれる(図4b)。
このような処理装置によれば、前記洗浄槽等に基板を浸
漬して処理する場合のように汚染された処理液をくり返
し使用せず常に新鮮な処理液を使用するので、より良好
な表面処理を行うことができる。
【0005】しかしながら、このような処理装置にて基
板表面を処理する場合、基板3に噴射した処理液が、基
板3の回転により生じた遠心力により基板の外周方向に
流れ、基板外周端より処理室7の内壁へ飛散する。そし
て、内壁に衝突後、跳ね返って処理室7内を浮遊するこ
とがあった。その結果、この浮遊した液滴が再度基板表
面に付着し基板を再汚染し、表面処理が不均一となると
いうことがあった。
【0006】そこで従来これを防止するため、飛散した
処理液が処理室7の内壁に衝突しても跳ね返らないよ
う、例えば処理室内に傾斜板等を設ける等して、使用済
み処理液を円滑に排出する工夫が採られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな工夫は基板3の上面処理を行う場合は有効であって
も、基板3の下面も処理する場合はあまり効果的ではな
い。即ち、基板3を例えば両面同時処理する場合、基板
下面にも処理液を噴出させるが、この処理液が遠心力に
より下面外周端より処理室7内へ飛散する際、回転する
支柱2と衝突し処理室内に液滴となり散乱することは避
けられない。その結果、汚染源等となり得る浮遊液滴を
生じさせることとなる。
【0008】また、支柱2が回転することにより送風機
と同様の原理で外向きの気流が生じ、その結果使用済み
の液滴が処理室内で浮遊し易く、更に撹拌され基板上に
再付着しやすいという問題があった。
【0009】更に他の問題として、従来の処理装置の支
持片4は、図4a、図2aに示すように段付きの円柱状
又はL字状のものが用いられている。そのため、基板3
と接触した部分に処理液が溜まり易く、また新しい処理
液と置換しにくいものであった。また乾燥工程でこの接
触部分に処理液が残留し乾燥が十分に行われないという
問題もあった。これらは、基板表面を再汚染したり、不
均一な表面処理が行われる原因となる。
【0010】上記事情に鑑み本発明は、使用済液滴が浮
遊し基板表面に再付着するのを防ぎ、また支持体におけ
る処理液の置換、排出、乾燥等を容易に行えるようにし
て、再汚染等がなく且つ均一、良好な表面処理を行うこ
とができる基板表面の処理装置を提供することを目的と
する。
【0011】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の請求項1
に記載の発明は、少なくとも、基板を水平に保持する支
持体と、基板を保持した支持体を回転させる回転体と、
回転体を回転させる回転駆動機構と、処理液を基板表面
に噴射する噴射手段と、処理室内へのガス供給手段と、
及び排気手段とを有する基板表面の処理装置において、
支持体を筒状又は円錐台状の回転体の上端面に設けた基
板表面の処理装置である。
【0012】このように、処理装置が支持体を筒状又は
円錐台状の回転体の上端面に設けた構造とすることによ
り、支柱を設ける必要がない。その結果、基板下面に向
け噴出させた処理液が下面外周端より処理室内へ飛散す
る際、支柱に衝突して液滴になることがない。従って、
処理液が液滴になって浮遊するのを最小限に抑えること
ができる。また、支柱がないので送風機と同様な外向き
の気流を最小限に抑え、処理室内の気体に乱流が発生す
るのを最小限に抑えることができる。更に、支柱がない
ことにより基板と回転体との間隔を狭くすることがで
き、処理液の大半を回転体内面に沿って流下させること
ができる。その結果、基板から遠く離れた位置から処理
液を排出することができるので、基板が再汚染される可
能性を一層小さくすることができる。
【0013】従ってこのような構造を有する本発明の基
板表面の処理装置を使用すれば、使用済液滴が浮遊して
基板表面に再付着するのを防ぐことができ、再汚染等の
ない均一で、良好な表面処理を行うことができる。
【0014】また、請求項2に記載の発明は、支持体
が、基板の下面を支持する支持体と、基板の外周側面を
支持する支持体とから成る上記基板表面の処理装置であ
る。このように、支持体を下面を支持するものと、外周
側面を支持するものとから成るものとし、例えば基板の
下面を支持する支持体は基板の側方が解放されており、
また基板の外周側面を支持する支持体は基板の下方が解
放されているようにする。そのため、これらの支持体
は、処理体との接触部の処理液の置換、排出等を容易且
つ円滑に行うことができる。従って、これらの各支持体
より構成される本発明の支持体を具備した処理装置を用
いれば、基板における支持体との接触部についても再汚
染されることなく均一、かつ良好に表面処理を行うこと
ができる。
【0015】また、請求項3に記載の発明は、基板の下
面を支持する支持体と、基板の外周側面を支持する支持
体とが分離独立している上記基板表面の処理装置であ
る。このように、基板の下面を支持する支持体と、基板
の外周側面を支持する支持体とが分離独立していること
により、これらを任意な個数で種々に組合せることがで
きる。従って、基板形状や処理目的等に応じ所望の形状
・大きさ・数の支持体を構成することができる。また、
噴射する処理液の流量等、処理条件に応じこれらの支持
体の使用個数等を適宜選択することも可能となる。
【0016】また、請求項4に記載の発明は、基板の上
面、下面の両面が処理されるようになっている上記基板
表面の処理装置である。本発明の処理装置においては、
基板の上面と下面の両面を同時処理するようにすれば処
理時間を短縮することができ、処理効率を向上させるこ
とができるとともに、再汚染等のない装置を構成するこ
とができる。
【0017】また、請求項5に記載の発明は、処理液が
洗浄液であって、処理が洗浄である上記基板表面の処理
装置である。前述のように本発明の処理装置により、再
汚染等のない均一、良好な基板の表面処理を行うことが
できる。従って、半導体基板、液晶ガラス基板、磁気デ
ィスク等の基板の精密且つ高度な洗浄に対して、本発明
の処理装置は特に好適である。
【0018】また、請求項6に記載の発明は、噴射手段
が、高周波または超音波を印加した処理液を噴射する上
記基板表面の処理装置である。このように、噴射手段が
高周波または超音波を印加した処理液を噴射できれば、
通常の処理液を噴射する場合に比べ処理装置の表面処理
能力を格段に向上させることができる。特に、基板を洗
浄する場合には、その効果が大きい。
【0019】更に、請求項7に記載の発明は、処理室が
密閉性を有する上記基板表面の処理装置である。このよ
うに、処理室が密閉性を有することにより、基板が外気
に曝されることなく、従って外気からの汚染等を防止す
ることができるし、再汚染され難いという本発明の装置
の有効性が一層発揮される。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について具体的に説明するが、本発明はこれら
に限定されるものではない。図1a及びbに示すよう
に、本発明の処理装置において支持体4は、基板3を水
平に保持するものである。これにより基板3を水平に保
持したまま回転させることができ、基板表面を均一に処
理することができる。
【0021】本発明においては、支持体4を回転体1の
上端面に設けた構造に特徴がある。そのため、従来の処
理装置におけるような支柱2を設ける必要がない。その
結果、処理液が下面外周端より飛散する際、支柱に衝突
することがないので、処理液が液滴になるのを抑えるこ
とができる。また、支柱がないので送風機と同様な外向
きの気流を生じることがなく、気流の撹乱を最小限に抑
え、液滴が浮遊し舞い上がるのを防ぐことができる。こ
れらのことから、液滴が基板3に再付着して、これを再
汚染するのを最小限に抑えることができる。
【0022】支持体4は、例えば回転体1の上端面と嵌
合させることにより固定されている。嵌合方式を採用す
ることにより、所望の形状・大きさの支持体4を回転体
1上に任意に設けることができる。
【0023】支持体4の構造としては、基板3の下面を
支持する支持体4aと、基板3の外周側面を支持する支
持体4bとから成るのが好ましい。図2b及びcに、基
板3の下面を支持する支持体4aと、基板3の外周側面
を支持する支持体4bの各構成例を示す。支持体4aの
上端面は基板の下面を支持すると共に基板の側方が解放
されており、また支持体4bの上端面は基板3の外周側
面を支持すると共に下方が解放されている。そのため、
これらの部分に処理液が溜まったりすることがなく、処
理液の置換、排出等を容易且つ円滑に行うことができ
る。また、これらの部分の乾燥も容易となる。
【0024】支持体4は、支持体4aと4bとが一体と
なったものとしてもよいが、それぞれ分離独立して構成
されるものが好ましい。支持体4aと4bとが分離独立
していることにより、これらを任意な使用個数で組合せ
ることができ、所望の形状・大きさの支持体4を構成す
ることができる。また、噴射する処理液の流量等、処理
条件に応じ支持体4a及び4bの使用個数等を最適に選
択することも可能となる。
【0025】支持体4を回転させる回転体1は、その下
面中央部に回転支持部材11が取り付けられており、回
転支持部材11は回転駆動機構であるモータ5に連結さ
れ、これにより回転体1が回転させられるようになって
いる。本発明の回転体1の形状は、筒状又は円錐台状で
ある。筒状としては、典型的には円筒状が挙げられる
が、基板3の形状に応じ適宜選択してよく、例えば方形
の筒状であってもよい。円錐台状としては、例えば下方
が広がった円錐台状が挙げられる。また、これらの形状
において、側面が湾曲したもの等であっても構わない。
【0026】このような筒状、円錐台状の回転体を用い
ることによって、処理液が下面外周端より飛散する際、
処理液が液滴になるのを抑えることができる。また、回
転体が回転している場合でも、気流の撹乱を最小限に抑
え、液滴が浮遊し舞い上がるのを防ぐことができる。こ
れらのことから、液滴が基板3に再付着して、これを再
汚染するのを最小限に抑えることができる。
【0027】回転体1の上端面は、回転体1と基板3と
の間隔8(図3a)を狭くする目的のために、支持体4
が回転体1に嵌め込まれる部分を凹状にしてよい(図3
b)し、逆に支持体4が設けられる部分以外を突出させ
るようにしてもよい。間隔8を狭くすることにより、処
理液の大半を回転体1の内面に沿って流下させることが
でき、基板3から遠く離れた位置で処理液を排出するこ
とができる。その目的のために、処理液を排出するため
の排出口12を回転体1の底部に設けてもよい。これに
より、基板表面が液滴により再汚染されるのを防ぐこと
ができる。回転体1と基板3との間隔8は、例えば約1
cm以下である。回転体1の下端面は、後述する下方の
噴射手段を設ける場合は、これを貫通させるための貫通
口が設けられる。
【0028】ところで基板表面の処理装置としては、基
板3の上面、下面の両面を同時に処理できる処理装置が
好ましい。このようにすることで、基板全体を一度に処
理することになるので処理時間を短縮することができ、
処理効率を向上させることができる。このため、基板3
の上面、下面の両面を同時処理する目的のため、処理液
を基板表面に噴射する噴射手段6は、基板3の上方及び
下方の両方に設置されているものが好ましい。ここで、
「基板表面」とは基板の外部露出面をいい、基板の上面
及び下面の両面、及び側面が含まれる。
【0029】このような基板表面の処理装置において、
上方の噴射手段6aは、例えば図1bに示すように構成
される。即ち、処理室7の底部から立設した支持棒9の
上端部に、基板中央部に向けてのびるアーム13が連結
されており、アーム先端部には上部ノズル14が取り付
けられている。このノズル14の側面には処理液供給管
15が設けられている(図3c)。この処理液供給管1
5は、液体供給ポンプ等に接続されており、所望圧の処
理液がノズル14に供給される。
【0030】支持棒9は、その垂直中心軸を回転できる
ようになっており、不図示のモータ等によって支持棒9
を回転往復動すれば、上部ノズル14を基板3の上面に
対して平行動できるようになっている。この場合、基板
3の上面全体に処理液を噴射できるように、上部ノズル
14を回転往復動させる範囲は、少なくとも基板3の中
心部から周辺部までの範囲とする必要がある。また、ア
ーム13の先端部は、ノズル14の向きを自在に変える
ことができるようになっている。
【0031】噴射手段6は、高周波または超音波を印加
した処理液を噴射することができる構造であることが望
ましい。処理液に高周波または超音波を印加することに
より、処理能力(洗浄力等)は大幅に向上する。従って
ノズル14としては、高周波発生器または超音波発振器
16等を装着したノズルが好ましい(図3c)。具体的
には、高周波または超音波発振面の形状がノズルの断面
形状と同じ振動子をノズル上端面に装着したノズルが挙
げられる。
【0032】一方、下方の噴射手段6bは、例えば図1
bに示すように配置される。即ち、回転支持部材11を
中空円筒とし、この中に下方の噴射手段6b、即ちアー
ム13、ノズル14、処理液供給管等が下から挿入され
ている。そして、ノズル14が回転体1の底面の貫通口
を通過して、基板3の直下に配置される。
【0033】処理室7内へのガス供給手段17は、基本
的にはガス供給口18とそれに接続したガスパイプライ
ン19とからなる。このガス供給手段17は、処理室内
に所望のガス流を形成させ、それにより浮遊液滴等を基
板3に付着させることなく円滑に処理室外へ排出できる
ようにするものである。また、ガスを処理室内に供給し
処理室内の気圧を外気圧より僅かに高めることにより、
外気が処理室内に侵入するのを防ぐ効果もある。従っ
て、処理室内において下向きのガス流が形成されるよう
にガス供給口18は処理室7の天井部に設けるのが好ま
しい。尚、ガスパイプライン19には、通常バルブ2
0、流量計21等が付設される。
【0034】排気手段22は、排気口23とそれに接続
する排気管24とから基本的には構成される。前述のよ
うに、下向きのガス流が形成するように排気口23は、
処理室7の底部に設けるのが好ましい。尚、排気管24
には、通常マスフローコントローラ等の排気流量調整装
置等が付設される。
【0035】排気手段22は気体を排出するものである
が、処理液等の液体も同時に排出できる構造としてよ
い。具体的には、排気管24の途中に上方に延びる分岐
管25を設け、これにより液体と気体とを分離してそれ
ぞれ排出するようにしてよい。
【0036】尚、処理室7は、密閉性を有するのが好ま
しい。処理室7が密閉性を有することにより、基板3が
外気に曝されることなく、従って外気からの汚染等を防
止することができる。また、処理室内の気流を安定させ
ることもできる。処理室7に密閉性を持たせるため、例
えば処理室7を密閉容器で構成し、密閉容器と各部材と
の接合等はシール性を有する構造とすればよい。
【0037】以下、基板の両面を同時に処理でき且つ超
音波を印加した処理液を噴射できる処理装置を用いて、
基板表面を処理する方法について簡単に説明する。処理
対象となる基板3としては、例えば半導体基板、石英基
板、液晶ガラス基板、磁気ディスク等の精密基板が挙げ
られる。
【0038】このような基板3を、ハンドリング装置等
で支持体4上に載置する。そして、ガス供給口18から
アルゴンあるいは窒素等の不活性ガスを導入しこれをガ
ス排気口23から排気し、処理室内に一定のガス流を形
成させる。次いで、基板表面の処理を始める。即ち、回
転駆動機構5の駆動モータを駆動させ、基板3を所望速
度で回転させる。その後、上方及び下方の噴射手段6の
ノズル14から処理液を噴射する。その際、ノズル14
に取り付けた超音波発振器16を作動させ処理液に超音
波を印加する。超音波としては、例えば0.02〜30
MHz程度である。上方の噴射手段6aについては、ノ
ズル14が基板中央から端部まで移動するようにアーム
13を回動させる。
【0039】噴射手段6により噴射される処理液として
は、処理の種類に応じ適宜選択してよく、特に限定され
るものではない。しかし本発明は、再汚染等のない均
一、良好な基板の表面処理を行うことができる利点を有
する。従って、半導体基板、液晶ガラス基板、磁気ディ
スク等の基板の精密且つ高度な洗浄処理等に、本発明の
処理装置は特に好適である。従って処理液としては、典
型的には洗浄液等が挙げられる。そのような洗浄液とし
ては、例えば酸、アルカリ、有機溶剤、純水、及びこれ
らの混合液等いずれをも用いることができる。
【0040】基板表面の処理が終了したならば、ノズル
14への処理液の供給を停止する。そして回転駆動機構
5の駆動モータにより基板3を高速回転させ、基板表面
上の処理液を飛散させて乾燥すればよい。このような本
発明の基板表面の処理装置を用いることにより、汚染等
のない且つ均一、良好な基板表面の処理を行うことがで
きる。
【0041】
【実施例】(実施例)図1bに示す本発明の処理装置を
用い、半導体基板3の洗浄処理を行った。尚、ガス供給
手段17により、窒素ガスを処理室内に供給した。洗浄
液として、希フッ酸を使用した。また、洗浄液には1.
5MHzの超音波を印加した。洗浄後の半導体基板を検
査したところ、その表面に洗浄ムラや再汚染等は全く観
察されなかった。従って、洗浄処理中に液滴はあまり浮
遊しなかったことが判る。また、支持体4と基板3との
接触部付近の洗浄液の置換も円滑に行われており、この
部分にステイン等は全く見受けられなかった。
【0042】(比較例)図4bに示す従来の処理装置を
用い、実施例1と同様にして半導体基板3の表面洗浄を
行った。その結果、洗浄処理中に多くの液滴が浮遊した
ためか、基板3の処理表面も不均一で、浮遊液体の再付
着による再汚染部が存在しており、良好ではなかった。
また、支持体4と基板3との接触部付近の処理液の置換
は困難であり、この部分にステインが観察されるものが
あった。
【0043】以上、本発明を説明してきたが、本発明は
上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態
は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された
技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効
果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技
術的範囲に包含される。例えば、上記では基板の処理を
洗浄で処理する場合を例示したが、エッチングやコーテ
ィング等であってもよい。
【0044】また、上記では本発明の装置の処理室を密
閉性のものとし、不活性ガスを供給するような場合を中
心に説明したが、本発明は必ずしもこのようなものに限
定されるものではなく、例えば処理室の上方にフィルタ
を設け、ファンを用いてエアーを送り込むような簡易な
構成であってもよい。
【0045】
【発明の効果】本発明に従って支持体を回転体の上端面
に設けることにより、支柱が不要となる。その結果、処
理液が支柱に衝突して液滴になるのを防ぐことができ
る。また、支柱の回転により生ずる気体の乱流を防ぐこ
とができ、液滴が浮遊するのを抑えることができる。そ
のため、液滴が基板表面に再付着するのを抑え、基板表
面の再汚染等を防止することができ、均一で、良好な表
面処理を行うことができる。
【0046】更に、本発明の支持体を使用することによ
り、支持体上部における処理液の置換、排出等を円滑に
行なえる。その結果、基板の支持体との接触部分におい
ても、再汚染等がなく、均一で、良好に表面処理するこ
とができる。又、本発明の回転体を使用することによ
り、処理液が液滴になったり、気体の乱流を抑えるのみ
ならず、処理液の大半を回転体の内面に沿って流下させ
ることができ、基板から遠く離れた位置で処理液を排出
することができる。そのため、、基板表面が液滴により
再汚染されるのを一層防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基板表面の処理装置の概略図である。
(a)は、処理装置における各主要部間の配置を示す斜
視図である。(b)は、処理装置の断面構造図である。
【図2】支持片及び支持体の断面構造例図である。
(a)は、従来の支持片である。(b)は、本発明の基
板の下面を支持する支持体である。(c)は、本発明の
基板の外周側面を支持する支持体である。
【図3】(a)は、図3aで示した基板と回転体が接触
しない部分Aの拡大図である。(b)は、支持体が嵌め
込まれる回転体上端面の凹部の拡大図である。(c)
は、ノズルの構成を示す。
【図4】従来の基板表面の処理装置の概略図である。
(a)は、処理装置における基板保持部を示す斜視図で
ある。(b)は、処理装置の断面概略構造図である。
【符号の説明】
1…回転体、 2…支柱、 3…基板、 4…支持片
(支持体)、4a…基板の下面を支持する支持体、4b
…基板の外周側面を支持する支持体、 5…回転駆動機
構、6…噴射手段、 6a…上部噴射手段、6b…下部
噴射手段、7…処理室、 8…間隔、 9…支持棒、
11…回転支持部材、12…排出口、 13…アーム、
14…ノズル、 15…処理液供給管、16…高周波
発生器または超音波発振器、17…ガス供給手段、18
…ガス供給口、 19…ガスパイプライン、20…バル
ブ、21…流量計、 22…排気手段、 23…排気
口、 24…排気管、25…分岐管。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも、基板を水平に保持する支持
    体と、該基板を保持した支持体を回転させる回転体と、
    該回転体を回転させる回転駆動機構と、処理液を基板表
    面に噴射する噴射手段と、処理室内へのガス供給手段
    と、及び排気手段とを有する基板表面の処理装置におい
    て、前記支持体を筒状又は円錐台状の回転体の上端面に
    設けたことを特徴とする基板表面の処理装置。
  2. 【請求項2】 前記支持体が、基板の下面を支持する支
    持体と、基板の外周側面を支持する支持体とから成るこ
    とを特徴とする請求項1に記載の基板表面の処理装置。
  3. 【請求項3】 基板の下面を支持する支持体と、基板の
    外周側面を支持する支持体とが分離独立していることを
    特徴とする請求項2に記載の基板表面の処理装置。
  4. 【請求項4】 基板の上面、下面の両面が処理されるよ
    うになっていることを特徴とする請求項1乃至請求項3
    のいずれか1項に記載の基板表面の処理装置。
  5. 【請求項5】 処理液が洗浄液であって、処理が洗浄で
    あることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか
    1項に記載の基板表面の処理装置。
  6. 【請求項6】 噴射手段が、高周波または超音波を印加
    した処理液を噴射するものであることを特徴とする請求
    項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の基板表面の処
    理装置。
  7. 【請求項7】 処理室が密閉性を有することを特徴とす
    る請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の基板表
    面の処理装置。
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