JP5623104B2 - 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 - Google Patents
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Description
第1の課題:超音波、2流体スプレー等の物理的補助手段を利用した場合、微細化されたデバイス構造が物理的に損傷することがある。
第2の課題:微細化されたデバイス構造が水の表面張力によって崩壊することがある。
第3の課題:ウェット洗浄後に基板を乾燥させた場合、基板表面にウォーターマークが発生し、デバイス性能の劣化及び不良を招く。
第4の課題:基板に形成された水溶性材料、例えばLaが洗浄工程で損傷することがある。
第5の課題:基板に形成された被洗浄物以外の基板材料が洗浄によって損失することがある。
第6の課題:洗浄工程において帯電した水と、基板との間で発生した放電によって、デバイス構造が破壊されることがある。
更に、水を用いた洗浄では無いため、マイクロラフネス、ウォーターマーク、基板材料損失、デバイス構造の破壊といったウェット洗浄が有していた技術的課題を回避することが可能である。
更にまた、イオンビームを照射した場合、イオン及び電子によって基板が損傷する虞があるが、洗浄剤のクラスターを基板に噴射した場合、有機溶剤分子は基板表面に沿って広がるのみであり、基板が損傷することは無い。
図1は、本発明の実施の形態に係る基板洗浄装置の一構成例を模式的に示した側断面図、図2は、図1のII−II線断面図、図3は、クラスター噴射ヘッド3の一構成例を模式的に示した側断面図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置は、ウェハWを収容する中空略直方体の処理室(収容体)1を備える。処理室1には、図2に示すように、処理室1内の処理空間にウェハWを搬入及び搬出させるための搬入出口11が設けられている。この搬入出口11を扉体12で閉じることにより、処理空間を密閉状態にすることができる。
次に、ウェハWから、上述の基板洗浄装置を用いて被洗浄物を除去する方法を説明する。
図6乃至図9は、本発明の実施の形態に係る基板洗浄方法の一例を概念的に示した説明図である。図6に示すように、ウェハWには、第1乃至第3洗浄剤によってそれぞれ洗浄が可能な3種類の被洗浄物が付着している場合を説明する。まず、制御部7は、真空ポンプ6を駆動させて、処理室1の内部を約10Paに減圧させ、駆動機構43の動作を制御することによって、クラスター噴射ヘッド3をウェハWの一端側(例えば、図1中左端側)へ移送する。そして、制御部7は、第1乃至第3開閉弁31b、32b、33bを開状態にさせることによって、第1乃至第3洗浄剤を第1乃至第3ノズル31c,32c,33cへ供給させる。次いで、制御部7は、吸引ポンプ35を駆動させることによって、第1乃至第3洗浄剤のクラスター噴射によって除去された被洗浄物の吸引を開始する。また、制御部7は、駆動機構43の動作を制御することによって、クラスター噴射ヘッド3をウェハWの一端から他端側(例えば、図1中右端側)へ所定速度で移送させる。第1乃至第3ノズル31c,32c,33cへ供給された第1乃至第3洗浄剤は、処理室1内のウェハWに向けて噴射されるが、処理室1の内部が真空ポンプ6によって減圧されているため、噴射された第1乃至第3洗浄剤は、断熱膨張し、第1乃至第3洗浄剤分子が集合してなるクラスターが各別に生成される。生成された第1乃至第3洗浄剤のクラスターは、ウェハW表面に衝突する。
特に多層構造のエッチング後には、多様な洗浄対象物がウェハWに付着しているため、本実施の形態に係る基板洗浄装置及び基板洗浄方法は有用である。
また、有機ELのような多層デバイス製造装置のマスク洗浄にも適用することができる。有機ELの有機蒸着方法の一つに、リニアソース方式がある。この蒸着方法は、ガラス基板にマスクを設置し、複数の有機材料を連続的に蒸着させる。マスクは繰り返し使用するため、マスク表面には複数の有機材料が堆積する。この堆積物が成膜時に剥離し、基板を汚染する事を防ぐためには、定期的なマスク洗浄もしくは交換が必要である。そこで、本実施の形態に係る基板洗浄装置を前記多層デバイス製造装置に設け、複数の有機材料の除去に対応する洗浄剤のクラスターを連続的に噴射するように構成することによって、マスク洗浄が可能となり、効率的に有機ELデバイスを製造することが可能になる。
変形例1に係る基板洗浄装置は、洗浄剤のクラスター噴射によって分解した被洗浄物を搬送する搬送ガスによって第1乃至第3吸引部へ搬送するように構成されている。変形例1に係る基板洗浄装置は、第1乃至第3ノズル及び搬送ガスに係る構成のみが上述の実施の形態と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。
つまり、図3に示す実施形態では、ウェハWの非法線方向に噴射するように第1乃至第3ノズル31c,32c,33cが配置されているが、ウェハW上に形成されたパターンなどによって、局所的に洗浄剤が遮られてクラスターが衝突しない箇所が発生する虞がある。そこで、図12に示すように、噴射方向がウェハWの法線方向になるように第1乃至第3ノズル231c,232c,233cを配置することによって、局所的に洗浄ガスが遮られるのを防止して、クラスターが衝突しない箇所が発生するのを防止することができる。
変形例2に係る基板洗浄装置は、クラスター噴射ヘッドを処理室に固定し、ウェハ側を移送させるように構成されている。変形例2に係る基板洗浄装置は、斯かる構成のみが上述の実施の形態と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。
2 ウェハ支持台
3 クラスター噴射ヘッド
6 真空ポンプ
7 制御部
83 搬送ガス供給部
13 搬送ガス送出口
31a 第1洗浄剤供給管
32a 第2洗浄剤供給管
33a 第3洗浄剤供給管
31b 第1開閉弁
32b 第2開閉弁
33b 第3開閉弁
31c 第1ノズル(クラスター噴射手段)
32c 第2ノズル(クラスター噴射手段)
33c 第3ノズル(クラスター噴射手段)
31d 第1吸引部(吸引手段)
32d 第2吸引部(吸引手段)
33d 第3吸引部(吸引手段)
34 吸引管
35 吸引ポンプ
41 ガイドレール
42 ノズルアーム(支持部材)
43 駆動機構
51 第1洗浄剤供給部(洗浄剤収容部)
52 第2洗浄剤供給部(洗浄剤収容部)
53 第3洗浄剤供給部(洗浄剤収容部)
81 搬送ガス供給管
82 開閉弁
W ウェハ
Claims (7)
- 被洗浄物が付着した基板を洗浄する基板洗浄装置において、
前記基板を収容する収容体と、
該収容体の内部を減圧する真空ポンプと、
洗浄剤を収容する複数の洗浄剤収容部と、
前記洗浄剤収容部から前記収容体へ前記洗浄剤を供給する複数の供給路と、
前記供給路を通じて供給された洗浄剤の洗浄剤分子が複数集合してなるクラスターを前記基板に対して各別に噴射する複数の並設されたノズルと、
前記ノズルに並設されており、前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を吸引する複数の吸引部と、
前記基板、前記複数のノズル及び前記複数の吸引部を、被洗浄物が付着した基板の面に沿って相対移動させる手段と
を備えることを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を外部へ搬送する搬送ガスを基板に送出する手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。
- 前記ノズルの噴射口断面は線状であることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板洗浄装置。
- 前記洗浄剤の噴射方向が前記基板の非法線方向になるように複数の前記ノズルを支持する支持部材を備える
ことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記洗浄剤分子は、
有機溶媒、フッ化水素、塩酸、オゾン、アンモニア過酸化水素、水、イソプロピルアルコール、窒素及びアルゴンからなる群より選択される物質の分子である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 被洗浄物が付着した基板を洗浄する基板洗浄方法において、
前記基板を収容した収容体の内部を減圧させる工程と、
洗浄剤分子が複数集合してなるクラスターを複数の並設されたノズルから前記基板に噴射する工程と、
前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を、前記ノズルに並設された複数の吸引部によって吸引する工程と、
クラスターの噴射箇所を変更する工程と
を有し、
前記複数のノズルに供給される洗浄剤はそれぞれ異なる
ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を外部へ搬送する搬送ガスを基板に送出する工程を有することを特徴とする請求項6に記載の基板洗浄方法。
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