JP5490563B2 - 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 - Google Patents
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Description
請求項20記載の基板洗浄方法は、請求項2記載の基板洗浄方法において、前記冷却部を洗浄するクリーニングノズルを配置することを特徴とする。
10 基板洗浄装置
12 載置台
13 ガス噴霧ノズル
14 ヒータノズル
19 パーティクル回収部
20 ガス分子
21 クラスター
22 異物
23 反応物
Claims (20)
- 異物が付着し且つ低圧の雰囲気中に配される基板に向けて前記低圧の雰囲気より高圧のガスを噴霧して複数のガス分子からなるクラスターを形成し、
該クラスターをイオン化することなく前記基板へ衝突させ、
前記ガスが前記異物との化学反応を併用して前記異物を除去することを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記クラスターが到達した前記基板から除去された前記異物を前記基板とは別の場所に配された冷却部に捕捉させることを特徴とする請求項1記載の基板洗浄方法。
- 前記高圧のガスを前記基板に対して斜めに噴霧することを特徴とする請求項1又は2記載の基板洗浄方法。
- 前記異物は自然酸化膜であり、前記ガスは三弗化塩素ガスであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板洗浄方法。
- 前記異物は有機物であり、前記ガスは二酸化炭素ガスであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板洗浄方法。
- 前記異物は金属であり、前記ガスはハロゲン化水素ガスであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板洗浄方法。
- 前記クラスターが前記基板へ衝突する際、前記基板を加熱することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板洗浄方法。
- 前記ガスの噴霧時の圧力は0.3MPa〜2.0MPaのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板洗浄方法。
- 異物が付着した基板を収容する内部が低圧の雰囲気である処理室と、
前記基板に向けて前記低圧の雰囲気より高圧のガスを噴霧して複数のガス分子からなるクラスターを形成し、該クラスターをイオン化することなく前記基板へ衝突させるガス噴霧部とを備え、
前記ガスが前記異物との化学反応を併用して前記異物を除去することを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記基板よりも低温であって、前記クラスターが到達した前記基板から除去された前記異物を捕捉する冷却部をさらに備え、前記冷却部は前記基板とは別の場所に配されることを特徴とする請求項9記載の基板洗浄装置。
- 前記ガス噴霧部が前記高圧のガスを噴霧しつつ前記基板の表面に沿って移動することを特徴とする請求項9又は10記載の基板洗浄装置。
- 前記ガス噴霧部は前記高圧のガスを前記基板に対して斜めに噴霧することを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の基板洗浄装置。
- 前記基板を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の基板洗浄装置。
- 前記冷却部に向けてCO2ブラストまたは複数のガス分子からなる他のクラスターを噴出する噴出部をさらに備えることを特徴とする請求項10記載の基板洗浄装置。
- 前記ガス噴霧部は直径が0.02mm〜1.0mmの穴から前記高圧のガスを噴霧する
ことを特徴とする請求項9乃至14のいずれか1項に記載の基板洗浄装置。 - 前記高圧のガスを前記基板に対して複数の方向から噴霧することを特徴とする請求項1又は2記載の基板洗浄方法。
- 前記複数の方向から噴霧される前記各高圧のガスの圧力を互いに異なるように設定し、及び/又は前記各高圧のガスの噴霧タイミングを互いにずらすことを特徴とする請求項16記載の基板洗浄方法。
- 前記ガス噴霧部を複数備え、前記各ガス噴霧部は前記高圧のガスを前記基板に対して複数の方向から噴霧することを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の基板洗浄装置。
- 前記各ガス噴霧部が前記複数の方向から噴霧する前記各高圧のガスの圧力は互いに異なり、及び/又は前記各ガス噴霧部が前記各高圧のガスの噴霧タイミングを互いにずらすことを特徴とする請求項18記載の基板洗浄装置。
- 前記冷却部を洗浄するクリーニングノズルを配置することを特徴とする請求項2記載の基板洗浄方法。
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