JP6048043B2 - 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム - Google Patents
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Description
また特許文献2には、ウエハに向かってドライアイスの粒子を吹き付けることによりフォトレジスト膜を除去する技術が記載されている。しかしながらウエハWに付着したポリマーを除去するためにドライアイスの粒子をウエハに吹き付けた場合には、ウエハ自体が破損する場合や、ドライアイスによる二次汚染が生じる懸念がある。
基板を保持部に保持する工程と、
前記基板の置かれる処理雰囲気の圧力よりもその内部の圧力が高いノズル部から処理雰囲気に二酸化炭素ガスを含む洗浄用ガスを吐出し、断熱膨張により二酸化炭素ガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成する工程と、
前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射して付着物を除去する工程と、を含み、
前記ノズル部の内部の圧力は、当該内部のガス温度における二酸化炭素の沸騰線に相当する圧力よりも少し低い圧力であって、強固な二酸化炭素のガスクラスターが得られる圧力であることを特徴とする。
前記保持部に保持された基板の裏面または周縁部に付着している付着物を除去するために当該基板の裏面または周縁部にガスクラスターを照射するためのノズル部と、
前記ノズル部に二酸化炭素ガスを含む洗浄用ガスを供給するためのガス供給部
と、
前記ノズル部の内部の圧力を調整するための圧力調整部と、
前記ノズル部と基板保持部とを相対的に移動させるための移動機構と、を備え、
前記ノズル部の内部の圧力は、前記ノズル部の内部の圧力は、当該内部のガス温度における二酸化炭素の沸騰線に相当する圧力よりも少し低い圧力であって、強固な二酸化炭素のガスクラスターが得られる圧力に設定されていることを特徴とする。
この真空搬送室に仕切りバルブを介して接続され、基板に対して真空処理を行う真空処理モジュールと、
前記真空搬送室に仕切りバルブを介して接続され、前記真空処理モジュールにて真空処理された基板の裏面及び周縁部の少なくとも一方を洗浄するための上述の基板洗浄装置と、を備える。
はじめにガスクラスターの生成プロセスを説明すると、まずCO2ガスを数MPa、例えば5MPaの圧力で圧縮し、その高圧状態のガスを、例えばオリフィスを介して真空雰囲気内に放出する。放出されたCO2ガスは、一挙に膨張するため断熱膨張により温度が凝縮温度以下になる。凝縮した分子は、ファンデルワールス力により結合するため、CO2分子の集合体であるガスクラスターが生成される。ここでCO2ガスを選定した理由は以下のとおりである。CO2ガスは、比熱比γが1.29であり、例えばArガスの比熱比γが1.67である。ガスクラスターの一分子あたりの運動エネルギーKは、K=γ/(γ−1)×KB×T0の式で示される。なおKBは、ボルツマン定数であり、T0はガス温度を示す。上述の式よりガス温度が27℃の時、CO2の一分子あたりの運動エネルギーは、115meVとなり、Arの一分子あたりの運動エネルギーは、64.6meVとなる。このためCO2ガスの一分子あたりのエネルギーが大きく、物理的なエネルギーの大きいガスクラスターを生成する事が可能になる。
ガスクラスターを得るためのノズル部6の内部(ノズル部6の吐出口であるオリフィスの一次側)の圧力、即ちCO2ガスが断熱膨張をする前の圧力は、当該CO2ガスの温度における沸騰線(気液境界線)上の圧力よりも少し低い圧力であって、強固なガスクラスターが得られる圧力である。この圧力の定義については後述する。
CO2のガスクラスターが強固である場合には、例えばベアシリコンウエハの表面に形成されたポリシリコンからなるパターン、例えば高さ100nm、幅45nm、長さ600nmの大きさの矩形のポリシリコンのパターンを倒壊させることができる。これに対して前記沸騰線に相当する圧力よりもかなり低い圧力例えば25%よりも低い圧力にて形成したCO2のガスクラスターは、前記パターンを倒壊させることができない。
前記沸騰線に相当する圧力よりも少し低い圧力の具体的な値としては、沸騰線に相当する圧力の少なくとも75%以上の大きさであり、その圧力範囲において、強固なガスクラスターが得られる圧力値である。図2には、前記「少し低い圧力」の範囲をイメージとして捉えるために斜線領域として示してある。
続いて上述の基板洗浄方法を実施するための具体的な装置の例について説明する。図6は、本発明の実施の形態である基板洗浄装置4を有する真空処理システムを示す図である。この真空処理システムは、平面形状が長方形である大気搬送室1を備えている。大気搬送室1における一方の長辺側には、半導体ウエハWを搬入出するための搬入出ポートが設けられている。搬入出ポートは、複数のウエハWを収納した、搬送容器であるFOUPが載置される複数の搬入出ステージ13と、各搬入出ステージに設けられたドア14と、を備えている。
エッチング装置としては、容量結合型プラズマ方式や誘電コイルプラズマ方式などの周知の装置を用いることができる。容量結合型プラズマ方式の場合、真空室31内に上部電極、下部電極を対向させ、両電極間に高周波を印加して処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマ中のイオンを、下部電極に印加したバイアスにより下部電極上のウエハWに引き込んでウエハWの表面をエッチングするように構成される。
第2の真空室41の底部の排気ポート45には、排気管49が接続され、この排気管49には圧力調整部46を介して真空ポンプ47が設けられ、第2の真空室41内の圧力調整が可能となっている。
また図10、図11に示すようにウエハWの表面側に遮蔽部材となる遮蔽板89を設けて、破壊した付着物がウエハWの表面側に再付着を防止するようにしても良い。遮蔽板89は板状態を縦置きにした構造であって、平面形状がウエハWの周縁部に沿って湾曲された円弧状をなしている。遮蔽板89は回転ステージ42に載置したウエハWの外縁(周縁部の最も外側のライン)より、中心寄りの位置にウエハWの周縁部に沿うように配置され、ガスクラスターによる洗浄時には、ウエハWとは、隙間を開けた高さ位置(処理位置)に設けられる。遮蔽板89は、支持腕96を介して、第2の真空室41内に設置された昇降機構97により前記処理位置と、ウエハWの移載時に第2の処理室41内の搬送機構に対して、干渉しない退避位置との間で昇降自在に構成されている。
ベアシリコンウエハの表面に高さh=100nm、幅d=45nm、長さL=600nmの大きさの矩形のポリシリコンのパターンを図13に示すように幅方向に500nmの離間寸法aに設定して千鳥状に配置したパターン群を形成した。そしてこのパターン群の真上から、ウエハの表面とその軸線とが直交するようにノズル部6を配置し、当該ノズル部6からCO2により形成されるガスクラスターをパターン群に照射した。なお、ノズル部6のオリフィスとパターン群(ウエハの表面)との距離は1cmである。ノズル部6の内部の温度は20℃に設定し、圧力は3MPa、4MPa及び5MPaの3通りに設定した。
各圧力におけるガスクラスター照射後のパターン群の状態をSEM写真である図14、図15及び図16に夫々示す。ノズル部6の内部の圧力(オリフィスの一次側の圧力)が3MPaの場合にはパターンは傾倒することはなかった。前記圧力が4MPaの場合にはパターンの傾倒率は5%程度であり、ほとんど倒れないことがわかる。前記圧力が5MPaの場合には、パターンの傾倒率は100%となっていた。
図17は、ノズル部6の内部の圧力とパターンの傾倒率との関係を示す。この結果からCO2の圧力を気液境界線の示す圧力に近づけることによりパターンの傾倒率が急激に上昇している。従って既述のように本発明のCO2ガスの温度における沸騰洗浄の圧力よりも少し低い圧力であって、強固なガスクラスターが得られる圧力とは、ガスクラスターを例えば上記のパターンに照射したときに、当該パターンの状態を観察することにより特定される。
本発明を評価するために実施の形態の基板洗浄方法を用いて、次のような評価試験を行った。まずウエハWに有機膜によりレジスト膜を形成した後、プラズマによるエッチング処理を行った。その後当該ウエハW(直径30cm)の裏面周縁部に、CO2のガスクラスターの照射を行った場合(実施例)と、ガスクラスターの照射を行わない場合(比較例)とで、ウエハW周縁部の状態を比較した。ノズル部6内に供給するCO2は、20℃の雰囲気温度下で、5MPaの圧力に設定し、第2の真空室41内の圧力は30Paに設定した。ウエハWに対するガスクラスターの照射角度は90°に設定した。図18はその結果を示し、実施例と比較例の夫々における、ウエハWの周縁部の各部位P1〜P6のSEM写真による観察結果である。P1、P2はウエハWの裏面部、P3、P4はベベル部、P5、P6は側面部に設定した。
4 基板洗浄装置
6、90 ノズル部
10 付着物
41 第2の真空室
42 回転ステージ
62 移動体
80 パージガスノズル
89 遮蔽板
W 半導体ウエハ
Claims (17)
- 基板の裏面または周縁部に付着している付着物を除去する基板洗浄方法において、
基板を保持部に保持する工程と、
前記基板の置かれる処理雰囲気の圧力よりもその内部の圧力が高いノズル部から処理雰囲気に二酸化炭素ガスを含む洗浄用ガスを吐出し、断熱膨張により二酸化炭素ガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成する工程と、
前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射して付着物を除去する工程と、を含み、
前記ノズル部の内部の圧力は、当該内部のガス温度における二酸化炭素の沸騰線に相当する圧力よりも少し低い圧力であって、強固な二酸化炭素のガスクラスターが得られる圧力であることを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記二酸化炭素の沸騰線に相当する圧力よりも少し低い圧力は、二酸化炭素の沸騰線に相当する圧力の75%以上100%未満の圧力であることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄方法。
- 洗浄用ガスは、二酸化炭素ガス及びヘリウムガスを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の基板洗浄方法。
- 前記洗浄用ガスは、ヘリウムガスの流量が二酸化炭素ガスの流量よりも大きいことを特徴とする請求項3記載の基板洗浄方法。
- 前記洗浄用ガスを構成する二酸化炭素ガスと、ヘリウムガスと、の混合比は1:9であることを特徴とする請求項4記載の基板洗浄方法。
- 前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射しているときに、当該基板の表面側からパージガスを当該表面側に供給する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
- 前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射して付着物を除去する工程は、基板から剥がれた付着物が基板の表面側に再付着することを抑えるために、基板の表面側における外縁よりも基板の中央寄りに、基板とは隙間を開けて遮蔽部材を位置させた状態で、行われることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
- 基板は円形であり、前記保持部を回転させながら、前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射することを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
- 排気口を有する処理室内に設けられ、基板を保持するための保持部と、
前記保持部に保持された基板の裏面または周縁部に付着している付着物を除去するために当該基板の裏面または周縁部にガスクラスターを照射するためのノズル部と、
前記ノズル部に二酸化炭素ガスを含む洗浄用ガスを供給するためのガス供給部
と、
前記ノズル部の内部の圧力を調整するための圧力調整部と、
前記ノズル部と基板保持部とを相対的に移動させるための移動機構と、を備え、
前記ノズル部の内部の圧力は、前記ノズル部の内部の圧力は、当該内部のガス温度における二酸化炭素の沸騰線に相当する圧力よりも少し低い圧力であって、強固な二酸化炭素のガスクラスターが得られる圧力に設定されていることを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記二酸化炭素の沸騰線に相当する圧力よりも少し低い圧力は、二酸化炭素の沸騰線に相当する圧力の75%以上100%未満の圧力であることを特徴とする請求項9に記載の基板洗浄装置。
- 洗浄用ガスは、二酸化炭素ガス及びヘリウムガスを含むことを特徴とする請求項9または10に記載の基板洗浄装置。
- 前記洗浄用ガスは、ヘリウムガスの流量が二酸化炭素ガスの流量よりも大きいことを特徴とする請求項11記載の基板洗浄装置。
- 前記洗浄用ガスを構成する二酸化炭素ガスと、ヘリウムガスと、の混合比は1:9であることを特徴とする請求項12記載の基板洗浄装置。
- 前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射しているときに、当該基板の表面側からパージガスを当該表面側に供給するためのパージガス供給部を含むことを特徴とする請求項9ないし13のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射することにより基板から剥がれた付着物が基板の表面側に再付着することを抑えるために、基板の表面側における外縁よりも中央寄りに、基板とは隙間を開けて遮蔽部材を設けたことを特徴とする請求項9ないし14のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 基板は円形であり、前記保持部を基板の中心部を軸として回転させるための回転機構を備えたことを特徴とする請求項9ないし15のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 真空雰囲気下で基板を搬送する真空搬送室と、
この真空搬送室に仕切りバルブを介して接続され、基板に対して真空処理を行う真空処理モジュールと、
前記真空搬送室に仕切りバルブを介して接続され、前記真空処理モジュールにて真空処理された基板の裏面及び周縁部の少なくとも一方を洗浄するための請求項9ないし16のいずれか一項に記載された基板洗浄装置と、を備えた真空処理システム。
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