JP6998664B2 - ガスクラスター処理装置およびガスクラスター処理方法 - Google Patents
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Description
まず、第1の実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るガスクラスター処理装置を示す断面図である。
ゲートバルブ9を開けて搬入出口8を介して真空搬送室から基板Sを真空ポンプ6により常時排気された処理容器1内に搬入し、基板載置台2上に載置する。ゲートバルブ9を閉じた後、圧力制御バルブ7により処理容器1内の圧力を所定の圧力に制御する。
最初に、設定されたガス供給圧力に対応する到達必要流量を超える流量でクラスター生成ガスが供給されるように、マスフローコントローラ14により流量を第1の流量に制御しつつクラスター生成ガスを供給する(ステップ1)。
次に、第2の実施形態について説明する。
図6は、本発明の第2の実施形態に係るガスクラスター処理装置を示す断面図である。
本実施形態のガスクラスター処理装置101の基本構成は第1の実施形態の図1と同様であるが、ガスクラスターを生成するためのガスとして少なくとも2種類のガスを供給する点が図1とは異なっている。
第1の実施形態と同様、ゲートバルブ9を開けて搬入出口8を介して真空搬送室から基板Sを真空ポンプ6により常時排気された処理容器1内に搬入し、基板載置台2上に載置する。ゲートバルブ9を閉じた後、圧力制御バルブ7により処理容器1内の圧力を所定の圧力に制御する。
次に、第3の実施形態について説明する。
図7は、本発明の第3の実施形態に係るガスクラスター処理装置を示す断面図である。
本実施形態のガスクラスター処理装置102の基本構成は第2の実施形態の図6と同様であるが、圧力制御部が直列に配置された2つの背圧制御器を有している点が図6とは異なっている。
次に、第4の実施形態について説明する。
図8は、本発明の第4の実施形態に係るガスクラスター処理装置を示す断面図である。
本実施形態のガスクラスター処理装置103の基本構成は第3の実施形態の図7と同様であるが、圧力制御部が、背圧制御器をバイパスするバイパス配管とバイパス配管を開閉する開閉バルブをさらに有している点が図7とは異なっている。
次に、第5の実施形態について説明する。
図9は、本発明の第5の実施形態に係るガスクラスター処理装置を示す断面図である。
本実施形態のガスクラスター処理装置104の基本構成は第3の実施形態の図7と同様であるが、排気配管の圧力制御部の接続位置よりも上流側に昇圧器が設けられている点が図7とは異なっている。
次に、第6の実施形態について説明する。
図10は、本発明の第6の実施形態に係るガスクラスター処理装置を示す断面図である。
本実施形態のガスクラスター処理装置105の基本構成は第3の実施形態の図7と同様であるが、クラスターノズルを温調する温調機構を有する点が図7とは異なっている。
次に、本発明の実験例について説明する。
ここでは、クラスター生成ガスとしてCO2ガス、加速用ガスとしてH2ガスまたはHeガスを用い、図6のガスクラスター処理装置101によりガスクラスターによる基板処理を行った。
以上、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されることなく、本発明の思想の範囲内において種々変形可能である。
2;基板載置台
3;駆動部
10;排気機構
11;クラスターノズル
12;ガス供給配管
13,13a,13b;ガス供給源
14,14a,14b;マスフローコントローラ
15,15′,15″;圧力制御部
16;分岐配管
17,17a,17b;背圧制御器
18;流量計
19,19a,19b;圧力計
21,22,23,23a,23b,42;開閉バルブ
30;制御部
41;バイパス配管
45;昇圧器
50;温調機構
100,101,102,103,104,105;ガスクラスター処理装置
S;基板(被処理体)
Claims (12)
- 被処理体にガスクラスターを照射して被処理体に所定の処理を行うガスクラスター処理装置であって、
被処理体が配置される処理容器と、
ガスクラスターを生成するためのガスを供給するガス供給部と、
前記ガス供給部から供給されるガスの流量を制御する流量制御器と、
前記ガスクラスターを生成するためのガスが所定の供給圧力で供給され、前記ガスを真空保持された処理容器内に噴出して前記ガスを断熱膨張によりクラスター化させるクラスターノズルと、
前記流量制御器と前記クラスターノズルの間の配管に設けられ、前記ガスクラスターを生成するためのガスの供給圧力を制御する、背圧制御器を有する圧力制御部と、
前記流量制御器の設定流量を制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記ガス供給部から供給される前記ガスの供給圧力が前記所定の供給圧力に達するまで、前記流量制御器の設定流量を、前記所定の供給圧力に到達するのに必要な流量を超える第1の流量に制御し、前記圧力制御部は、前記背圧制御器に流れるガスの流量を計測する流量計測器を有し、前記制御手段は、該流量計測器の計測値に基づいて、前記流量制御器の設定値を、前記所定の供給圧力を維持可能な流量より大きく、かつ、前記第1の流量より小さい第2の流量に制御することを特徴とするガスクラスター処理装置。 - 前記背圧制御器は、前記配管から分岐される分岐配管に設けられ、前記背圧制御器として、前記分岐配管に直列に設けられた第1の背圧制御器および第2の背圧制御器を有し、前記第1の背圧制御器として差圧範囲が狭い高精度のものが用いられるとともに一次側の圧力が前記ガス供給圧力の設定値になるように設定され、前記第2の背圧制御器として差圧範囲が前記第1の背圧制御器よりも広いものが用いられるとともに一次側の圧力が前記ガス供給圧力の設定値よりも低い値になるように設定されることを特徴とする請求項1に記載のガスクラスター処理装置。
- 前記ガス供給部は、前記ガスクラスターを生成するためのガスとして、少なくとも2種類のガスを別個に供給し、前記流量制御器として、前記少なくとも2種類のガスのそれぞれに対応する少なくとも2つの流量制御器を有し、前記少なくとも2種類のガスは、前記少なくとも2つの流量制御器の下流側で前記配管に合流し、前記圧力制御部は、前記配管の前記少なくとも2種類のガスの全てが合流した部分に設けられることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガスクラスター処理装置。
- 前記配管の前記圧力制御部が設けられた部分よりも上流側に設けられ、前記ガスを昇圧する昇圧器をさらに有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のガスクラスター処理装置。
- 前記圧力制御部は、前記配管から前記背圧制御器をバイパスして排気するバイパス流路と、バイパス流路を開閉する開閉バルブとをさらに有し、ガスクラスター処理後に前記開閉バルブを開いて、前記クラスターノズルおよび前記配管内のガスを前記バイパス流路を介して排気することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のガスクラスター処理装置。
- 前記第1の流量として、前記所定の供給圧力を維持可能な流量の1.5倍から50倍の範囲に制御し、前記第2の流量として、前記所定の供給圧力を維持可能な流量の1.02倍から1.5倍の範囲に制御することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のガスクラスター処理装置。
- ガスクラスター生成するためのガスを、配管を介してクラスターノズルに供給し、前記クラスターノズルから前記ガスを真空保持された処理容器内に噴出させて前記ガスを断熱膨張によりクラスター化させ、前記処理容器内に配置された被処理体にガスクラスターを照射し、被処理体に所定の処理を行うガスクラスター処理方法であって、
流量制御器により前記ガスの流量を所定の流量に制御し、背圧制御器により、前記ガスの一部を前記配管から排出することにより前記配管における供給圧力を所定の供給圧力に制御し、
前記ガスの供給圧力が前記所定の供給圧力に達するまで、前記流量制御器の設定流量を、前記所定の供給圧力に到達するのに必要な流量を超える第1の流量に制御し、前記配管から排出され、前記背圧制御器に流れるガスの流量を計測し、その計測値に基づいて、前記ガスの流量を、前記所定の供給圧力を維持可能な流量より大きく、かつ、前記第1の流量より小さい第2の流量に制御することを特徴とするガスクラスター処理方法。 - 前記背圧制御器は、前記配管から分岐される分岐配管に設けられ、前記配管から排出されるガスが前記分岐配管を通って前記背圧制御器に流れ、前記背圧制御器は、その一次側の圧力が前記所定の供給圧力になるように設定され、前記一次側の圧力が前記所定の供給圧力に到達した時点で、前記背圧制御器を介して余分なガスが排出されることを特徴とする請求項7に記載のガスクラスター処理方法。
- 前記背圧制御器として、前記分岐配管に直列に設けられた第1の背圧制御器および第2の背圧制御器を有し、前記第1の背圧制御器として差圧範囲が狭い高精度のものが用いられるとともに一次側の圧力が前記ガス供給圧力の設定値になるように設定され、前記第2の背圧制御器として差圧範囲が前記第1の背圧制御器よりも広いものが用いられるとともに一次側の圧力が前記ガス供給圧力の設定値よりも低い値になるように設定されることを特徴とする請求項8に記載のガスクラスター処理方法。
- 前記ガスクラスターを生成するためのガスとして、少なくとも2種類のガスを別個に供給し、前記少なくとも2種類のガスをそれぞれ流量制御し、前記少なくとも2種類のガスは流量制御後、前記配管に合流し、前記少なくとも2種類のガスの全てが合流した後に前記ガスの一部が排出されることを特徴とする請求項7から請求項9のいずれか1項に記載のガスクラスター処理方法。
- 前記ガスは、前記ガスの一部が排出される位置よりも上流側で、昇圧器により昇圧されることを特徴とする請求項7から請求項10のいずれか1項に記載のガスクラスター処理方法。
- 前記第1の流量として、前記所定の供給圧力を維持可能な流量の1.5倍から50倍の範囲に制御し、前記第2の流量として、前記所定の供給圧力を維持可能な流量の1.02倍から1.5倍の範囲に制御することを特徴とする請求項7から請求項11のいずれか1項に記載のガスクラスター処理方法。
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