JP2000077394A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

Info

Publication number
JP2000077394A
JP2000077394A JP10249531A JP24953198A JP2000077394A JP 2000077394 A JP2000077394 A JP 2000077394A JP 10249531 A JP10249531 A JP 10249531A JP 24953198 A JP24953198 A JP 24953198A JP 2000077394 A JP2000077394 A JP 2000077394A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
pressure
flow rate
back pressure
valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10249531A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3830670B2 (ja
Inventor
Kazuyasu Nishikawa
和康 西川
Shingo Tomohisa
伸吾 友久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP24953198A priority Critical patent/JP3830670B2/ja
Priority to US09/258,399 priority patent/US6273954B2/en
Publication of JP2000077394A publication Critical patent/JP2000077394A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3830670B2 publication Critical patent/JP3830670B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマを利用した処理を行なう半導体製造
装置において、反応室内に所望の流量のガスを安定して
供給する。 【解決手段】 反応室１内にガスを供給するガス供給系
に、パルスバルブ２、マスフローコントローラ３および
背圧制御装置４を設ける。マスフローコントローラ３
は、流量計３ａおよび可変流量バルブ３ｂを備え、背圧
制御装置４は、圧力計４ａ１および圧力制御バルブ４ｂ
を備える。パルスバルブ２、マスフローコントローラ３
および背圧制御装置４は、コントローラ５に接続され、
該コントローラ５により動作制御される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
に関し、より特定的には、プラズマを利用して試料の表
面への薄膜の形成や試料の表面のエッチングを行なう半
導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２に、特開平７−２６３３５３号公
報に記載されたプラズマ処理装置の構造を示す。図１２
に示すように、プラズマ処理装置は、反応室１と、試料
１１が載置されるステージ１２と、パルスガスバルブ２
０と、ガス導入管１４１と、圧力検出器１４２と、圧力
制御装置１４３と、圧力調整器１４４とを備える。
【０００３】ガス導入管１４１は、図示しないガスボン
ベからのガスをパルスバルブ２０に供給する。ガス導入
管１４１の途中には、圧力検出器１４２と圧力調整器１
４４とが接続されている。圧力制御装置１４３は、圧力
検出器１４２の信号に基づいて圧力調整器１４４を作動
させる。
【０００４】ガス導入管１４１から導入されたガスは、
パルスガスバルブ２０に供給され、パルス的に反応室１
に導入される。この場合、ガス導入管１４１内の圧力
は、圧力検出器１４２により逐次検出され、圧力制御装
置１４３にフィードバックされる。圧力制御装置１４３
は、ガス導入管１４１内の圧力が所定の値を保つように
圧力調整器１４４を制御する。
【０００５】したがって、パルスガスバルブ８の背圧が
変動しても、反応室１内に導入されるエッチングガス流
量を所定の条件に維持することができ、反応室１内の圧
力を所定の値に維持することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のプラズマ処理装置には、次に説明するようなさま
ざまな問題点があった。
【０００７】上述のガス供給系では、パルスバルブ２０
の入口の圧力によって、パルスバルブ２０から反応室１
内に供給されるガス流量は一義的に決まってしまう。そ
のため、安定して所定の流量のガスをパルス的に供給す
るためには、圧力制御装置１４３を用いてパルスバルブ
２０の入口の圧力を一定に維持する必要がある。また、
ガス流量を設定値以外のものに変更する場合にも、圧力
制御装置１４３を用いるしかない。しかし、このような
圧力制御装置１４３によるガス流量制御では、流量の正
確な制御あるいは微調整が困難であった。
【０００８】また、圧力制御装置１４３によって流量を
制御するので、反応室１内に供給されたガス流量を知る
ためには、反応室１内の圧力から算出する必要がある。
そのため、正確なガス流量をすぐに知ることはできなか
った。
【０００９】圧力制御装置１４３は圧力検出器１４２か
らのフィードバック信号により圧力を制御するため、ゆ
るやかな圧力変化に対しては有効である。しかし、急激
な圧力変化に対して圧力制御装置１４３は、対応でき
ず、圧力変化が大きい場合にガス流量を一定に保つこと
が困難であった。
【００１０】さらに、反応室１内に１つのパルスバルブ
２０で混合ガスを供給する場合、ガスの比熱比およびパ
ルスバルブ２０入口での圧力によってガスの混合比（流
量比・分圧比）が決まる。そのため、ガスの比熱比の差
あるいは圧力差が大きい場合、所望の混合比を得ること
は困難であった。
【００１１】さらに、複数のパルスバルブ２０を使用す
る場合またはパルスバルブ２０を交換する場合におい
て、パルスバルブの個体差によりバルブの開度が異なる
ため、同一条件でパルス動作させても供給されるガス流
量は異なる。この場合にも、所望のガス流量を得ること
は困難であった。
【００１２】さらに、１つのガスボンベから複数の反応
室１にガスを供給する場合、ある反応室１で処理中に別
の反応室１で処理を開始すると、一時的に配管内の圧力
が変動し、反応室１内に供給されるガス流量が変化す
る。この場合にも、所望のガス流量を得ることは困難で
あった。
【００１３】この発明は、上述のようなさまざまな問題
を解決するためになされたものである。この発明の１つ
の目的は、反応室１内に供給されるガス流量をあらゆる
状況下で所望の値に制御することにある。
【００１４】この発明の他の目的は、反応室１内に供給
されるガスの混合比をあらゆる状況下で所望の値に制御
することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、反応室と、ガス供給系と、パルスバルブと、
ガス流量制御手段と、背圧制御手段と、制御部とを備え
る。ガス供給系は、反応室にガスを供給する。パルスバ
ルブは、ガス供給系に設けられ、反応室内にガスをパル
ス的に供給する。ガス流量制御手段は、ガス供給系に設
けられ、パルスバルブに供給されるガスの流量を制御す
る。背圧制御手段は、ガス供給系に設けられ、パルスバ
ルブの背圧を制御する。制御部は、パルスバルブ、ガス
流量制御手段および背圧制御手段の動作制御を行なう。
【００１６】上記のようにガス流量制御手段を設けるこ
とにより、ガス流量を微調整することができる。また、
背圧制御手段によりパルスバルブの背圧の変動を抑制で
き、背圧の変動に起因するガス流量の変動を抑制するこ
とができる。その結果、ガス流量を正確に制御できると
ともに微調整することもできる。また、ガス流量制御手
段の採用により、ガス流量を即時に検知できる。さら
に、ガスの比熱比の差やガス間の圧力差が大きい場合で
も、ガス流量制御手段と背圧制御手段との併用により所
望の混合比を得ることができ、またパルスバルブの個体
差や配管内圧力の変動にもかかわらずガス流量を制御す
ることができる。以上のように従来の課題を解決するこ
とができることに加え、ガス流量制御手段と背圧制御手
段との双方を備えることにより、互いの欠点を補うよう
にそれらを制御することができる。このことも、ガス流
量の正確な制御に寄与し得る。
【００１７】上記背圧制御手段は、好ましくは、ガス流
量制御手段の入口に接続される。それにより、一定圧力
に制御されたガスをガス流量制御手段に供給することが
でき、所定量のガスを安定して反応室内に供給すること
ができる。特に、急激な圧力変化が生じた場合に有効で
ある。
【００１８】ガス流量制御手段は、好ましくは、流量計
と可変流量バルブとを備える。背圧制御手段は、好まし
くは、圧力計と圧力制御バルブとを備える。制御部は、
好ましくは、流量計により検知されたガスの流量変化に
応じて、可変流量バルブによる流量制御と、圧力制御バ
ルブによる背圧制御の少なくとも一方を選択する。
【００１９】このようにガスの流量変化に応じて好まし
い制御方式を選択できるので、ガスの流量制御をより正
確かつ容易に行なえる。
【００２０】上記制御部は、圧力計により検知されたガ
スの圧力値に応じて、可変流量バルブによる流量制御
と、圧力制御バルブによる背圧制御の少なくとも一方を
選択してもよい。
【００２１】この場合にも、前述の場合と同様に、ガス
の流量制御を正確かつ容易に行なえる。
【００２２】ガス流量制御手段は、好ましくは、マスフ
ローコントローラである。この場合、パルスバルブとマ
スフローコントローラとは、好ましくは、一体化あるい
は直接接続される。
【００２３】それにより、パルスバルブとマスフローコ
ントローラ間の配管のコンダクタンスによりマスフロー
コントローラの指示値と実流量値に差が生じるのを防止
することができる。このことも、正確なガス流量制御に
寄与し得る。
【００２４】ガス供給系は、好ましくは、ガスボンベ
と、該ガスボンベからのガス圧力を減じてパルスバルブ
やガス流量制御手段等の破壊を防止するためのレギュレ
ータを有する。背圧制御手段は、好ましくは、減圧機能
と昇圧機能との双方を有する。
【００２５】上記レギュレータを設けることにより、パ
ルスバルブやガス流量制御手段等の破壊を防止すること
ができる。また、背圧制御手段が減圧機能と昇圧機能と
を双方を有することにより、パルスバルブの背圧を制御
することができる。
【００２６】ガス供給系は、蒸気圧の低いガスを充填し
たガスボンベを有してもよい。この場合には、ガス供給
系は、１つの反応室にのみ接続される。なお、蒸気圧の
低いガスとは、本願明細書では、液化ガス等の数気圧程
度の蒸気圧のガスのことを称する。
【００２７】それにより、他の反応室からの干渉をなく
すことができ、ガス流量を所定値に維持することができ
る。
【００２８】半導体製造装置は、好ましくは、複数のガ
ス供給系を備える。各々のガス供給系には、好ましく
は、ガス流量制御手段と背圧制御手段との双方が設けら
れる。
【００２９】それにより、ガス供給系ごとに上述のよう
な流量制御を行なえる。上記複数のガス供給系に対し１
つのパルスバルブが設けられてもよい。
【００３０】この場合には、パルスバルブの個体差に起
因するガス流量の変動を回避することができる。また、
上述のような本発明に係る流量制御を行なうことによ
り、このように１つのパルスバルブで複数のガスを反応
室内に供給する場合でも、所望の混合比でガスを供給す
ることができる。
【００３１】他方、各々のガス供給系に対しパルスバル
ブがそれぞれ設けられてもよい。ガス間の圧力差が大き
い場合には、１つのパルスバルブを通して複数のガスを
反応室内に供給するよりも、各ガス供給系に対しパルス
バルブをそれぞれ設けた方が流量制御が容易となる。こ
の場合、パルスバルブの個体差に起因するガス流量の変
動は、ガス流量制御手段と背圧制御手段との併用により
効果的に抑制できる。
【００３２】上記ガス供給系は、他の反応室と接続され
る他のガス供給系とガスボンベを共有してもよい。
【００３３】同一のガスボンベからガスが供給される複
数の反応室で同時に処理を行なった場合、配管内におけ
る圧力が変動し得る。しかしながら、上述のガス流量制
御手段および背圧制御手段を使用することにより、安定
して反応室内にガスを供給することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図１１を用いて、こ
の発明の実施の形態について説明する。
【００３５】（実施の形態１）まず、図１〜図５を用い
て、この発明の実施の形態１について説明する。図１
は、本発明の１つの実施の形態によるプラズマ処理装置
の概略構成図である。
【００３６】図１に示すように、プラズマ処理装置は、
反応室１と、パルスバルブ２と、マスフローコントロー
ラ（ガス流量制御手段）３と、背圧制御装置４と、コン
トローラ５と、ガス配管６と、レギュレータ７と、ガス
ボンベ８と、コンピュータ１０と、ステージ１２とを備
える。
【００３７】パルスバルブ２は、反応室１内にパルス的
にガスを供給可能なバルブである。マスフローコントロ
ーラ３は、流量計３ａと可変流量バルブ３ｂとを含み、
ガス流量を制御する。背圧制御装置４は、圧力計４ａ１
と、圧力制御バルブ４ｂとを有する。背圧制御装置４
は、減圧機能および昇圧機能を備え、ある設定値に対し
て一定となるようにガス圧力を制御する。
【００３８】コントローラ５は、パルスバルブ２、マス
フローコントローラ３および背圧制御装置４と信号線９
を介して接続され、それらの動作制御を行なう。コント
ローラ５は、またコンピュータ１０と接続される。さら
に、コントローラ５は、圧力計４ａ２と接続される。
【００３９】レギュレータ７は、パルスバルブ２やマス
フローコントローラ３等の破壊を防止するためのもので
あり、ガスボンベ８から供給されるガスの圧力を減じ
る。
【００４０】ステージ１２上には、試料１１が載置され
る。この試料１１に、反応室１内でプラズマを用いた処
理が施される。
【００４１】上述の構成において、ガス配管６内にガス
ボンベ８から導入されたガスは、パルスバルブ２に供給
され、パルス的に反応室１内に供給される。このとき、
ガス配管６内の圧力は、圧力計４ａ１により逐次検出さ
れ、マスフローコントローラ３入口の圧力が所定の値を
保つように背圧制御装置４が作動する。一定の圧力に保
たれたガスは、マスフローコントローラ３によって流量
制御され、パルスバルブ２へ供給される。
【００４２】その際に、マスフローコントローラ３によ
り、ガス流量を微調整することができる。また、背圧制
御装置４によって前述のようにマスフローコントローラ
３入口に一定の圧力でガスを供給することができるの
で、ガスボンベ８から背圧制御装置４間のガス配管６に
おいてガス圧力が変化した場合においても、マスフロー
コントローラ３入口の圧力が急激に変動することを防止
することができる。このため、ガスがマスフローコント
ローラ３から突出的に設定値以上の流量で流れることを
防止することができる。
【００４３】しかし、ガス配管６内の圧力が設定圧力よ
り低くなった場合、背圧制御装置４は加圧するよう作動
する必要があるため、一定の圧力になるにはある程度の
時間を要する。また、ガス配管６内の圧力が急激に変動
した場合も、背圧制御装置４が対応しきれないことがあ
る。このような場合でも、ガス圧力の変動が背圧制御装
置４によってゆるやかになるため、マスフローコントロ
ーラ３入口の圧力が急激に変動することを防止すること
ができる。このため、マスフローコントローラ３から突
出的にガスが設定値以上の流量で流れることを防止する
ことができる。
【００４４】また、次のような手法で急激な圧力変動に
対し対応することも可能である。後述する図５に示すパ
ルスバルブ動作条件でマスフローコントローラ３を全開
にした場合、供給できる最大流量は０．５気圧で７６ｓ
ｃｃｍであり、１．５気圧で２２７ｓｃｃｍである。図
５の例ではマスフローコントローラ３の設定流量を７０
ｓｃｃｍと設定しているので、圧力が１．５気圧から急
に０．５気圧に変化しその対応に時間がかかってもガス
を一定流量で反応室１内に供給することができる。つま
り、マスフローコントローラ３の設定流量を、予測され
る最低圧力におけるマスフローコントローラ３の最大流
量以下とすることにより、圧力変動が大きい場合でも安
定して所望の流量のガスを反応室１内に供給できる。
【００４５】パルスバルブ２を交換した場合、パルスバ
ルブ２の個体差によってバルブの開度が異なるため、同
一条件でパルス動作させても供給されるガス流量は異な
り所望のガス流量を得ることは困難であった。しかし、
マスフローコントローラ３により流量を制御することに
よって所望のガス流量を得ることができる。
【００４６】なお、マスフローコントローラ３をパルス
バルブ２と一体化あるいは直接接続することにより、パ
ルスバルブ２とマスフローコントローラ３間を接続する
配管のコンダクタンスに起因してマスフローコントロー
ラ３の指示値と実流量値の間に差が生じるのを防止する
ことができる。マスフローコントローラ３とパルスバル
ブ２を一体化するには、たとえばパルスバルブ２に対し
内部のコンダクタンスをある範囲で変化させる機能を付
加し、流量計を組込むことにより行なえる。
【００４７】上記のような構成にすることによって、ガ
ス配管６内の圧力が変動しても、反応室１内に導入され
るエッチングガス等のガスの流量を背圧および流量の制
御によって所定の流量に維持することができる。それに
より、反応室１内の圧力を所定の条件に維持することが
できる。
【００４８】次に、図２を用いて、本発明特有のガス流
量制御方法の基本的な考え方について説明する。
【００４９】本発明では、パルスバルブ２の背圧を制御
する背圧制御と、マスフローコントローラ３による流量
制御との双方を用いて、互いの欠点を補償しあうように
それらを制御してガス流量の制御を行なうことができ
る。それにより、所望のガス流量を精度よく得ることが
できる。その理由について以下に詳しく説明する。
【００５０】まず、背圧制御のみによって流量制御する
場合の問題点について説明する。図２（ａ）に示すよう
に、背圧Ｐｏに対してガス流量Ｑの増加率が大きい場
合、わずかな背圧の変化に対してガス流量は敏感に変化
してしまう。そのため、背圧の設定値に対するふらつき
を非常に小さくする必要がある。実際、多少の背圧のふ
らつきはあるため、一定流量を供給することは困難であ
る。
【００５１】次に、マスフローコントローラ３のみによ
る流量制御の場合の問題点について説明する。図２
（ｂ）における点線はマスフローコントローラ（ＭＦ
Ｃ）３の最大流量を示している。マスフローコントロー
ラ３の最大流量が大きすぎると、小流量のガスを流す際
に、誤差が大きくなる。また、蒸気圧の低いガスを流す
場合、マスフローコントローラ３にかかる圧力が小さ
く、ガスが流れにくくなる。そのため、一定流量を供給
することが困難となる。
【００５２】そこで、上述の欠点を解消して所望のガス
流量を得るために、本願発明では、パルスバルブ２、マ
スフローコントローラ３および背圧制御装置を適切に制
御している。具体的には、図２（ｃ）に示すように、マ
スフローコントローラ３による流量設定で制限を設ける
ことにより、背圧のふらつきによる流量の不安定性を防
止する。また、圧力が低い領域では、流量はマスフロー
コントローラ３よりパルスバルブ２の背圧で制御した方
が精度が向上するため、背圧制御を行なうように各要素
を制御する。それにより、さまざまな条件下において
も、所望のガス流量を得ることができる。
【００５３】次に、図３と図４とを用いて、コントロー
ラ５によるパルスバルブ２、マスフローコントローラ３
および背圧制御装置４の制御方法について具体的に説明
する。図３および図４は、上記制御方法の具体例を示す
フローチャートである。
【００５４】図３を参照して、ステップＳ１において各
種条件設定を行なう。ここで、パルスバルブ動作条件と
は、パルスバルブ２のＯＮ／ＯＦＦ時間（パルスバルブ
２の開度の時間変化）のことである。また、コンダクタ
ンスバルブは排気速度の調整をすべく所定の条件に設定
される。
【００５５】上記条件設定を行なった後、ステップＳ２
において、リアクタ（反応室１）内の圧力計算とガスの
流量計算を行なう。反応室１内の圧力Ｐおよび質量流量
ｍは、下記の数式（１）および（２）により求めること
ができる。
【００５６】
【数１】
【００５７】上記の数式（１）および（２）において、
Ｐｏはパルスバルブ２にかかる圧力（背圧）を示し、Ｖ
ｓは音速を示し、Ａ（ｔ）はパルスバルブ２の開度の時
間変化を示し、Ｖは反応室１の容積を示し、Ｓは排気速
度を示し、ｍはガスの質量を示し、γはガスの比熱比を
示す。なお、上記数式ではガスが理想気体であることを
前提としているが、この数式から求めた圧力は実験値と
よく一致することを本願の発明者らは確認した。
【００５８】次に、ステップＳ３において、圧力変化に
対する流量変化をもとに背圧制御を行なうか流量制御を
行なうかの判定を行なう。ここで、Ｐは圧力を示しΔＰ
は圧力のばらつきを示す。なお、圧力Ｐは、制御可能な
圧力領域内の圧力である。また、ＱPV max は圧力Ｐでの
パルスバルブ２から流れ得る最大流量であり、ΔＱPV
max はΔＰのばらつきに対する流量のばらつき（ふれ
幅）を示している。なお、最大流量の代わりに平均流量
を用いてもよい。
【００５９】αはパルスバルブ２からの流量のふれ幅を
規定するものである。一般的に、マスフローコントロー
ラ３の流量制御はその最大流量の１％程度である。たと
えば、最大流量１０ｓｃｃｍのマスフローコントローラ
３は０．１ｓｃｃｍの精度で流量制御を行なえる。した
がって、α＝１％以内の場合には、背圧制御による流量
制御を行なった方がマスフローコントローラ３による流
量制御より正確に流量制御を行なえる。
【００６０】上記の内容に鑑み、ΔＱPV max ／ＱPV max
の値がαより小さい場合には、背圧制御を行ない、ΔＱ
PV max ／ＱPV max の値がα以上の場合には流量制御を行
なう。
【００６１】背圧制御を行なう場合、ステップＳ４にお
いて、背圧Ｐｏにおいてパルスバルブ２から流れ得る最
大流量であるＱPV max （Ｐｏ）と、マスフローコントロ
ーラ３の最大流量ＱMFC max とを比較する。そして、Ｑ
PV max （Ｐｏ）がＱMFC max以下である場合には、ステ
ップＳ５において背圧の値をＰｏからＰ′へ変更し、ガ
ス流量（Ｑset ）をＱPV max （Ｐ′）に設定する。
【００６２】しかし、ステップＳ４において、ＱPV max
（Ｐｏ）がＱMFC max より大きい場合には、図３のへ
戻る。
【００６３】一方、流量制御を行なう場合には、ステッ
プＳ６において、ＱMFC max とＱse t とを比較する。つ
まり、設定流量Ｑset が圧力領域（Ｐｏ±ΔＰ）内でマ
スフローコントローラ３の最大流量ＱMFC max 以下であ
るか否かを判定する。ＱMFC max がＱset 以上である場
合には、ステップＳ７においてＱMFC max の値をガス流
量の設定値とする。しかし、ＱMFC max の値がＱset よ
り小さい場合には、図３におけるへ戻る。
【００６４】以上のようにして背圧制御あるいは流量制
御によってガス流量を設定した後、ステップＳ８におい
て反応室１内にガスを導入し、圧力とガス流量とを測定
する。
【００６５】その後、ステップＳ９において、計算値と
のずれに対する補正や、コンダクタンス・背圧等の調整
を行ない、ステップＳ１０において処理を開始する。
【００６６】次に、制御方法の他の例について図４を用
いて説明する。図４に示すように、本制御方法では、ス
テップＳ３の内容が図３の場合と異なるのみであり、そ
れ以外の内容は図３の場合と同様である。
【００６７】図４に示すフローチャートにおけるステッ
プＳ３では、圧力変化に対するΔＱ PV max の値と、αＱ
PV max の値と、ＱMFC max ／１００の値とを比較してい
る。そして、図４におけるステップＳ３の条件を満たす
場合には、背圧制御を行ない、満たさない場合には流量
制御を行なう。
【００６８】なお、上述のフローチャートに従って実際
に制御を行なう際には、事前にガス流量、コンダクタン
スバルブ、背圧等のデータ（計算値および実測値）をと
ることが好ましい。それにより、処理開始前での計算値
とのずれに対する補正や調整を素早く行なえ、処理開始
までの時間を短縮することができる。
【００６９】また、複数のガス種を用いる場合でも、図
３および図４に示す場合と同様の制御を行なえばよい。
ただし、初期設定の際に、流量比の設定が加わる。ま
た、図３および図４に示すフローチャートは、ガス流量
をある値に制御する方法を示しているが、この他に圧力
一定の制御方法、圧力の最大値と最小値の差を一定にす
る制御方法も考えられる。
【００７０】さらに、蒸気圧の低いガスを用いる場合に
は、マスフローコントローラ３による流量制御を行なわ
ず、背圧制御のみでガス流量を制御してもよい。
【００７１】次に、図５を用いて、図１に示す反応室１
内にガスをパルス的に供給した場合における反応室１内
の圧力変化について説明する。なお、図５に示すデータ
は、オリフィス径が０．５ｍｍのパルスバルブ２を開時
間６０ｍｓｅｃ、繰返し周期３００ｍｓｅｃの条件で動
作させ、塩素ガスを反応室１内に供給した場合のもので
ある。塩素ガスのマスフローコントローラ３入口でのガ
ス圧力設定値は１気圧とし、マスフローコントローラ３
の設定流量を７０ｓｃｃｍとしている。このガス圧力設
定値（１気圧）は、ガスボンベ８のレギュレータ７によ
り減圧された圧力より低くする。
【００７２】図５に示すように、パルスバルブ２のパル
ス動作に応答して、マスフローコントローラ３の設定流
量とほぼ等しい量のガスが反応室１内に供給され（Ｑｉ
ｎ）、それにともなって反応室１内の圧力が変化してい
るのがわかる。この図５に示すように、一定流量のガス
を反応室１内に安定して供給することができる。
【００７３】（実施の形態２）次に、図６および図７を
用いて、この発明の実施の形態２について説明する。本
実施の形態２では、複数の種類のガスを１つのパルスバ
ルブ２で供給している。たとえば、塩素と酸素の混合ガ
スを１つのパルスバルブ２で反応室１内に供給する。な
お、本実施の形態２以降の実施の形態では、装置構成を
簡略化して図示する。
【００７４】図６に示すように、本実施の形態２では、
２つのガス供給系を設けている。一方のガス供給系で
は、ガス配管６１がガスボンベ８１側のレギュレータ７
１により減圧された塩素ガスを背圧制御装置４１および
マスフローコントローラ３１を通してパルスバルブ２に
供給する。他方のガス供給系では、ガス配管６２がガス
ボンベ８２側のレギュレータ７２により減圧された酸素
ガスを背圧制御装置４２およびマスフローコントローラ
３２を通してパルスバルブ２に供給する。各々のマスフ
ローコントローラ３１，３２および背圧制御装置４１，
４２は、図示しないコントローラによって制御される。
制御方法としては、実施の形態１場合と同様のものを採
用できる。
【００７５】ガス配管６１，６２から導入されたガス
は、パルスバルブ２に供給され、パルス的に反応室１内
に供給される。この場合、ガス配管６１，６２内の圧力
は、背圧制御装置４１，４２内の圧力検出器により逐次
検出され、ガス配管６１，６２内のマスフローコントロ
ーラ３１，３２入口の圧力が所定の値を保つように背圧
制御装置４１，４２が作動する。一定圧力に保たれたガ
スは、マスフローコントローラ３１，３２によって流量
制御され、パルスバルブ２へと導入される。
【００７６】図７は、塩素ガスに酸素ガスを流量比５％
で添加した混合ガスを反応室１内に供給した場合の圧力
変化等を示す。パルスバルブ２の動作条件は、実施の形
態１の場合と同様である。ガス流量については、塩素ガ
ス流量を５７ｓｃｃｍとし、酸素ガスを３ｓｃｃｍと設
定している。またマスフローコントローラ３入口でのガ
スの設定圧力は各々１気圧としている。
【００７７】以上の構成によって、複数種類のガスを１
つのパルスバルブ２でパルス的に供給する場合において
も実施の形態１と同様にガス供給系ごとにマスフローコ
ントローラ３および背圧制御装置４を設けることにより
所望の混合比でガスを反応室１内に供給することができ
る。
【００７８】（実施の形態３）次に、図８および図９を
用いて、この発明の実施の形態３について説明する。本
実施の形態３では、複数のガスを複数のパルスバルブで
供給している。本実施の形態３においても、上述の実施
の形態２の場合と同様に２つのガス供給系が設けられて
いる。
【００７９】一方のガス供給系におけるガス配管６１
は、ガスボンベ８１側のレギュレータ７１により減圧さ
れたｃ−Ｃ4 Ｆ8 ガスを背圧制御装置４１およびマスフ
ローコントローラ３１を通してパルスバルブ２１に供給
する。他方のガス供給系におけるガス配管６２は、ガス
ボンベ８２側のレギュレータ７２により減圧された酸素
ガスを背圧制御装置４２およびマスフローコントローラ
３２を通してパルスバルブ２２に供給する。各々のマス
フローコントローラ３１，３２、背圧制御装置４１，４
２およびパルスバルブ２１，２２は、図示しないコント
ローラによって前述の各実施の形態の場合と同様の手法
で制御される。
【００８０】ガス配管６１，６２から導入されたガス
は、パルスバルブ２１，２２に供給され、パルス的に反
応室１内に供給される。この場合、ガス配管６１，６２
内の圧力は、実施の形態２と同様の手法で制御され、一
定の圧力に保たれたガスがマスフローコントローラ３
１，３２によって流量制御される。
【００８１】上述の実施の形態２において使用した塩素
ガスと酸素ガスとの混合ガスでは各々のボンベ充填圧力
は同程度であるが、ｃ−Ｃ4 Ｆ8 ガスと酸素ガスとの混
合ガスではｃ−Ｃ4 Ｆ8 ガスのボンベ充填圧力は酸素ガ
スに比べ低い。このようにそれぞれのガスの圧力差が大
きい場合、実施の形態２のように１つのパルスバルブ２
で流量を制御するよりも、各々別のガス供給系で流量を
制御する方が容易である。
【００８２】図９に、ｃ−Ｃ4 Ｆ8 ガスに酸素ガスを４
０％添加した混合ガスを各々のガス供給系から反応室１
内へ供給した場合の圧力の時間変動を示す。ガス流量の
設定値は、ｃ−Ｃ4 Ｆ8 を１５ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ2 ）
を１０ｓｃｃｍとしている。図９に示すように、ガス流
量（Ｑｉｎ）および反応室１内の圧力が安定して制御さ
れているのがわかる。
【００８３】なお、複数のパルスバルブ２１，２２を使
用する場合、パルスバルブ２１，２２の個体差によって
バルブの開度が異なるため供給される流量が異なるが、
上記のようにマスフローコントローラ３１，３２と背圧
制御装置４１，４２とを併用することによって所望のガ
ス流量を得ることができる。
【００８４】（実施の形態４）次に、図１０を用いて、
本発明の実施の形態４について説明する。本実施の形態
４では、１つのガスボンベ８から複数の反応室へガスを
供給している。
【００８５】図１０に示すように、ガスボンベ８からの
ガスはレギュレータ７により減圧され、ガス配管６１お
よび６２内に供給される。ガス配管６１内に供給された
ガスは、背圧制御装置４１、マスフローコントローラ３
１およびパルスバルブ２１を通して反応室１０１内に供
給される。ガス配管６２内に導入されたガスは、背圧制
御装置４２、マスフローコントローラ３２およびパルス
バルブ２２を通して反応室１０２内に供給される。マス
フローコントローラ３１，３２、背圧制御装置４１，４
２およびパルスバルブ２１，２２は、図示しないコント
ローラによって前述の各実施の形態の場合と同様の手法
で制御される。
【００８６】ガス配管６１，６２内に導入されたガス
は、実施の形態２と同様の手法で一定の圧力に保たれ、
マスフローコントローラ３１，３２に送り込まれる。そ
の後、マスフローコントローラ３１，３２によって流量
制御されたガスがパルスバルブ２１，２２を通して反応
室１０１，１０２内に導入される。
【００８７】１つのガスボンベから複数の反応室にガス
を供給する場合、ある反応室での処理中に別の反応室で
処理を開始すると、一時的に配管内の圧力が変動し、反
応室内に供給されるガス流量が変化していた。しかしな
がら、マスフローコントローラ３１，３２および背圧制
御装置４１，４２を各ガス供給系に設置することによ
り、ガス供給系ごとに流量制御と背圧制御とを行なえ、
各反応室内に安定してガスを供給することができる。し
たがって、ガス配管内の圧力が変動しても、反応室に導
入されるエッチングガス等の流量を所定の値に維持する
ことができ、反応室の圧力を所定の条件に維持すること
ができる。
【００８８】（実施の形態５）次に、図１１を用いて、
本発明の実施の形態５について説明する。
【００８９】前述の各実施の形態では、ガスボンベから
ガスを取出す際にレギュレータで減圧する必要があるガ
スを用いる場合を前提としていたが、ガスボンベからガ
スを取出す際にレギュレータで減圧する必要がないガス
もある。この場合にはレギュレータを設ける必要がない
ため、装置構成が異なるものとなる。
【００９０】一般に高圧ガスは圧力が高いため、レギュ
レータで減圧する必要がある。また、液化ガスでも、充
填圧力が高ければ、レギュレータで減圧する必要があ
る。しかしながら、蒸気圧の低いガスはレギュレータを
使用するとかえってガスが流れにくくなる。そのため、
このようなガスを使用する場合にはレギュレータを省略
する。
【００９１】また、上記のような蒸気圧の低いガスを使
用する場合には、実施の形態４の場合のような構成を採
用するのは好ましくない。それは、他の反応室からの干
渉を受けやすくなるからである。数十気圧以上の充填圧
力であれば、複数の反応室にガスを供給する構成を採用
しても問題はないが、ＳｉＣｌ4 のような数気圧程度し
か充填圧力がないガスは他の反応室からの干渉を受けや
すいので、ガス供給系を他の装置と独立させた方がよ
い。レギュレータを使用するガスの場合でも、ガス供給
系を独立された方がよい場合がある。それは、ガスボン
ベからのガス圧力がレギュレータの設定値より低くなる
と他の反応室からの影響を受けやすくなるからである。
【００９２】本実施の形態５では、蒸気圧の低いガスを
使用する場合について説明する。図１１に示すように、
ガスボンベ８１からのガスはレギュレータ７により減圧
され、ガス配管６１、背圧制御装置４１、マスフローコ
ントローラ３１およびパルスバルブ２１を通して反応室
１内に供給される。蒸気圧の低いガスを充填したガスボ
ンベ８２からのガスは、ガス配管６２、背圧制御装置４
２、マスフローコントローラ３２およびパルスバルブ２
２を通して反応室１内に供給される。マスフローコント
ローラ３１，３２、背圧制御装置４１，４２およびパル
スバルブ２１，２２は、図示しないコントローラによっ
て前述の各実施の形態の場合と同様に制御される。
【００９３】ガス配管６１，６２に導入されたガスは、
実施の形態２と同様の方法で圧力制御され、マスフロー
コントローラ３１，３２に導入される。
【００９４】レギュレータ７を使用するには圧力の低い
液化ガス等のガスにおいては、各反応室ごとに独立して
ガスボンベ８２を接続することにより、他の反応室から
の干渉をなくすことができる。それにより、ガス流量を
所定の流量に維持することができ、反応室１内の圧力を
所定条件に維持することができる。
【００９５】なお、上述の各実施の形態において示した
ガスの種類、パルスバルブ２，２１，２２の動作条件、
ガス流量、圧力は一例であり、これに限定されものでは
ない。また、今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではない考えられるべきであ
る。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特
許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変
更が含まれる。
【００９６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ガス流量制御手段と背圧制御手段とを設けるこによ
り、反応室内に所望の流量のガスを安定して供給するこ
とができる。また、複数のガスを反応室内に供給する場
合、各ガスごとに上述の流量制御を行なうことにより、
反応室内の混合比を制御することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１におけるプラズマ処
理装置の概略構成図である。
【図２】 （ａ）〜（ｃ）は、ガスの最大流量Ｑmax と
背圧Ｐｏとの関係を示す図である。
【図３】 実施の形態１におけるガス流量の制御方法の
一例を示すフローチャートである。
【図４】 実施の形態１におけるガス流量の制御方法の
他の例を示すフローチャートである。
【図５】 パルスバルブのパルス動作と、パルスバルブ
から供給されるガス流量Ｑｉｎと、それに伴う反応室内
の圧力変化とを示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態２におけるプラズマ処
理装置の概略構成図である。
【図７】 パルスバルブのパルス動作と、パルスバルブ
から供給されるガス流量と、それに伴う反応室内の圧力
変化とを示す図である。
【図８】 この発明の実施の形態３におけるプラズマ処
理装置の概略構成図である。
【図９】 パルスバルブのパルス動作と、パルスバルブ
から供給されるガス流量と、それに伴う反応室内の圧力
変化とを示す図である。
【図１０】 この発明の実施の形態４におけるプラズマ
処理装置の概略構成図である。
【図１１】 この発明の実施の形態５におけるプラズマ
処理装置の概略構成図である。
【図１２】 従来のプラズマ処理装置の一例を示す概略
構成図である。
【符号の説明】
１，１０１，１０２ 反応室、２，２１，２２ パルス
バルブ、３，３１，３２ マスフローコントローラ、３
ａ 流量計、３ｂ 可変流量バルブ、４，４１，４２
背圧制御装置、４ａ１，４ａ２ 圧力計、４ｂ 圧力制
御バルブ、５コントローラ、６，６１，６２ ガス配
管、７，７１，７２ レギュレータ、８，８１，８２
ガスボンベ。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応室と、 前記反応室にガスを供給するガス供給系と、 前記ガス供給系に設けられ、前記反応室内に前記ガスを
    パルス的に供給するパルスバルブと、 前記ガス供給系に設けられ、前記パルスバルブに供給さ
    れる前記ガスの流量を制御するガス流量制御手段と、 前記ガス供給系に設けられ、前記パルスバルブの背圧を
    制御する背圧制御手段と、 前記パルスバルブ、前記ガス流量制御手段および前記背
    圧制御手段の動作制御を行なう制御部と、 を備えた半導体製造装置。
  2. 【請求項２】 前記背圧制御手段は、前記ガス流量制御
    手段の入口に接続される、請求項１に記載の半導体製造
    装置。
  3. 【請求項３】 前記ガス流量制御手段は、流量計と可変
    流量バルブとを備え、 前記背圧制御手段は、圧力計と圧力制御バルブとを備
    え、 前記制御部は、前記流量計により検知された前記ガスの
    流量変化に応じて、前記可変流量バルブによる流量制御
    と、前記圧力制御バルブによる背圧制御の少なくとも一
    方を選択する、請求項１または２に記載の半導体製造装
    置。
  4. 【請求項４】 前記ガス流量制御手段は、流量計と可変
    流量バルブとを備え、 前記背圧制御手段は、圧力計と圧力制御バルブとを備
    え、 前記制御部は、前記圧力計により検知された前記ガスの
    圧力値に応じて、前記可変流量バルブによる流量制御
    と、前記圧力制御バルブによる背圧制御の少なくとも一
    方を選択する、請求項１から３のいずれかに記載の半導
    体製造装置。
  5. 【請求項５】 前記ガス流量制御手段は、マスフローコ
    ントローラであり、 前記パルスバルブと前記マスフローコントローラとは一
    体化あるいは直接接続される、請求項１から４のいずれ
    かに記載の半導体製造装置。
  6. 【請求項６】 前記ガス供給系は、ガスボンベと、該ガ
    スボンベからのガス圧力を減じて前記パルスバルブや前
    記ガス流量制御手段の破壊を防止するためのレギュレー
    タとを有し、 前記背圧制御手段は、減圧機能と昇圧機能との双方を有
    する、請求項１から５のいずれかに記載の半導体製造装
    置。
  7. 【請求項７】 前記ガス供給系は、蒸気圧の低いガスを
    充填したガスボンベを有し、１つの前記反応室にのみ接
    続される、請求項１から５のいずれかに記載の半導体製
    造装置。
  8. 【請求項８】 前記半導体製造装置は、複数の前記ガス
    供給系を備え、 各々の前記ガス供給系に前記ガス流量制御手段と、前記
    背圧制御手段とが設けられる、請求項１から７のいずれ
    かに記載の半導体製造装置。
  9. 【請求項９】 前記複数のガス供給系に対し１つの前記
    パルスバルブが設けられる、請求項８に記載の半導体製
    造装置。
  10. 【請求項１０】 各々の前記ガス供給系に対し前記パル
    スバルブがそれぞれ設けられる、請求項８に記載の半導
    体製造装置。
  11. 【請求項１１】 前記ガス供給系は、ガスボンベを含
    み、 前記ガスボンベは、他の反応室と接続される他のガス供
    給系と前記ガス供給系とに共有される、請求項１に記載
    の半導体製造装置。
JP24953198A 1998-09-03 1998-09-03 半導体製造装置 Expired - Fee Related JP3830670B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24953198A JP3830670B2 (ja) 1998-09-03 1998-09-03 半導体製造装置
US09/258,399 US6273954B2 (en) 1998-09-03 1999-02-26 System for manufacturing a semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24953198A JP3830670B2 (ja) 1998-09-03 1998-09-03 半導体製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000077394A true JP2000077394A (ja) 2000-03-14
JP3830670B2 JP3830670B2 (ja) 2006-10-04

Family

ID=17194377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24953198A Expired - Fee Related JP3830670B2 (ja) 1998-09-03 1998-09-03 半導体製造装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6273954B2 (ja)
JP (1) JP3830670B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020074708A (ko) * 2001-03-21 2002-10-04 삼성전자 주식회사 가스 투입 유량 증대 방법
JP2003529218A (ja) * 2000-03-27 2003-09-30 パーカー・ハニフィン・コーポレーション 半導体製造におけるプロセス・ガスの流量制御
KR20070029552A (ko) * 2005-09-09 2007-03-14 아드반스 덴키 고교 가부시키가이샤 유량 제어 장치
JP2010501351A (ja) * 2006-08-18 2010-01-21 ワグスタッフ， インク． 透過性外周壁を有する溶融金属金型用のガス流制御システム
KR20120024420A (ko) * 2010-08-12 2012-03-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 가스의 공급 방법 및 에칭 장치
KR101557522B1 (ko) 2011-03-03 2015-10-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 감압 공급 장치, 이것을 구비하는 실린더 캐비닛, 밸브 박스 및 기판 처리 장치
JP2018160565A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 東京エレクトロン株式会社 ガスクラスター処理装置およびガスクラスター処理方法
JP2022017347A (ja) * 2016-03-15 2022-01-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ
US11923221B2 (en) 2016-03-15 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Methods and assemblies for gas flow ratio control

Families Citing this family (272)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002061179A1 (en) * 2001-01-19 2002-08-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for gas injection system with minimum particulate contamination
US6599839B1 (en) * 2001-02-02 2003-07-29 Advanced Micro Devices, Inc. Plasma etch process for nonhomogenous film
US6613656B2 (en) * 2001-02-13 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Sequential pulse deposition
WO2002071463A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-12 Tokyo Electron Limited Shower head gas injection apparatus with secondary high pressure pulsed gas injection
JP3985899B2 (ja) * 2002-03-28 2007-10-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US7335396B2 (en) * 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
TW200507141A (en) * 2003-05-12 2005-02-16 Agere Systems Inc Method of mass flow control flow verification and calibration
US7235138B2 (en) * 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7137400B2 (en) * 2003-09-30 2006-11-21 Agere Systems Inc. Bypass loop gas flow calibration
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7628860B2 (en) * 2004-04-12 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
JP2005307233A (ja) * 2004-04-19 2005-11-04 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法及びプロセスガスの供給方法
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
DE102006023018A1 (de) * 2006-05-17 2007-11-22 Strämke, Siegfried, Dr. Plasmaverfahren zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken
JP4430718B2 (ja) * 2008-03-21 2010-03-10 三井造船株式会社 原子層成膜装置
JP2010247028A (ja) * 2009-04-13 2010-11-04 Renesas Electronics Corp プラズマ処理装置、異常検出装置、及び異常検出方法
DE102010049789A1 (de) 2010-10-29 2012-05-03 Fresenius Medical Care Deutschland Gmbh Vorrichtung zur chromatographischen Auftrennung eines Stoffgemisches und deren Verwendung
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5960614B2 (ja) * 2012-03-29 2016-08-02 Ckd株式会社 流体制御システム、流体制御方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6017396B2 (ja) * 2012-12-18 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
DE102013109210A1 (de) 2013-08-20 2015-02-26 Aixtron Se Evakuierbare Kammer, insbesondere mit einem Spülgas spülbare Beladeschleuse
JP6158111B2 (ja) * 2014-02-12 2017-07-05 東京エレクトロン株式会社 ガス供給方法及び半導体製造装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
CN111341689B (zh) * 2018-12-18 2023-03-10 中微半导体设备(上海)股份有限公司 气体流量控制装置和控制方法及应用该装置的半导体设备
US20200203127A1 (en) * 2018-12-20 2020-06-25 L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude Systems and methods for storage and supply of f3no-free fno gases and f3no-free fno gas mixtures for semiconductor processes
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11404290B2 (en) * 2019-04-05 2022-08-02 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for pulse gas delivery
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20220057623A (ko) * 2019-09-19 2022-05-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ald 프로세스에서의 펄스 형상 제어
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3653399A (en) * 1970-06-15 1972-04-04 Nat Instr Lab Inc Gas flow controlling system
US4436674A (en) * 1981-07-30 1984-03-13 J.C. Schumacher Co. Vapor mass flow control system
US4709858A (en) * 1986-03-14 1987-12-01 Robotic Vision System, Inc. Digital flow control system
US4747367A (en) * 1986-06-12 1988-05-31 Crystal Specialties, Inc. Method and apparatus for producing a constant flow, constant pressure chemical vapor deposition
US4761269A (en) * 1986-06-12 1988-08-02 Crystal Specialties, Inc. Apparatus for depositing material on a substrate
SE458749B (sv) * 1988-05-18 1989-05-08 Bengtsson Bengt Goeran Foerfarande och anordning foer reglering av sprutning av belaeggningsmaterial
EP0370151A1 (en) * 1988-11-21 1990-05-30 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process for producing low-concentration gas mixtures, and apparatus for producing the same
DE4018954A1 (de) 1989-06-15 1991-01-03 Mitsubishi Electric Corp Trockenaetzgeraet
JPH0443633A (ja) 1990-06-11 1992-02-13 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
US5225366A (en) * 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
JPH07109576A (ja) 1993-10-07 1995-04-25 Shinko Seiki Co Ltd プラズマｃｖｄによる成膜方法
US5520969A (en) * 1994-02-04 1996-05-28 Applied Materials, Inc. Method for in-situ liquid flow rate estimation and verification
JP2942138B2 (ja) 1994-03-22 1999-08-30 三菱電機株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH07335395A (ja) 1994-04-13 1995-12-22 Rikagaku Kenkyusho プラズマ発生方法およびそれを用いた成膜方法、エッチング方法、半導体堆積方法ならびにドーピング方法
US5665214A (en) * 1995-05-03 1997-09-09 Sony Corporation Automatic film deposition control method and system
AU5717296A (en) * 1995-05-10 1996-11-29 Ferro Corporation Control system for processes using supercritical fluids
US6071572A (en) * 1996-10-15 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Forming tin thin films using remote activated specie generation
US5916016A (en) * 1997-10-23 1999-06-29 Vlsi Technology, Inc. Methods and apparatus for polishing wafers

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003529218A (ja) * 2000-03-27 2003-09-30 パーカー・ハニフィン・コーポレーション 半導体製造におけるプロセス・ガスの流量制御
KR20020074708A (ko) * 2001-03-21 2002-10-04 삼성전자 주식회사 가스 투입 유량 증대 방법
KR20070029552A (ko) * 2005-09-09 2007-03-14 아드반스 덴키 고교 가부시키가이샤 유량 제어 장치
JP2010501351A (ja) * 2006-08-18 2010-01-21 ワグスタッフ， インク． 透過性外周壁を有する溶融金属金型用のガス流制御システム
KR20120024420A (ko) * 2010-08-12 2012-03-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 가스의 공급 방법 및 에칭 장치
KR101882718B1 (ko) 2010-08-12 2018-07-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 가스의 공급 방법 및 에칭 장치
KR101557522B1 (ko) 2011-03-03 2015-10-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 감압 공급 장치, 이것을 구비하는 실린더 캐비닛, 밸브 박스 및 기판 처리 장치
JP2022017347A (ja) * 2016-03-15 2022-01-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ
JP7168747B2 (ja) 2016-03-15 2022-11-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ
US11923221B2 (en) 2016-03-15 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Methods and assemblies for gas flow ratio control
JP2018160565A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 東京エレクトロン株式会社 ガスクラスター処理装置およびガスクラスター処理方法
JP6998664B2 (ja) 2017-03-23 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 ガスクラスター処理装置およびガスクラスター処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20010002581A1 (en) 2001-06-07
US6273954B2 (en) 2001-08-14
JP3830670B2 (ja) 2006-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000077394A (ja) 半導体製造装置
US5904170A (en) Pressure flow and concentration control of oxygen/ozone gas mixtures
US7007707B2 (en) Mass flow ratio system and method
US7437944B2 (en) Method and apparatus for pressure and mix ratio control
KR100846758B1 (ko) 챔버의 내압 제어 장치 및 내압 피제어식 챔버
JP5613752B2 (ja) マルチ反対称最適制御性能構成を使用する流量比制御装置を含むガス送出方法及びシステム
US7621290B2 (en) Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control
JP5300261B2 (ja) 半導体製造のための気体フロー分割システム及び方法
TWI849644B (zh) 用於氣體流量比控制的方法與組件
TWI525734B (zh) And a raw material gas supply device for a semiconductor manufacturing apparatus
JP5372353B2 (ja) 半導体製造装置用ガス供給装置
EP0666340A1 (en) Method for in-situ liquid flow rate estimation and verification
US20080167748A1 (en) Integrated pressure and flow ratio control system
JP2005196788A (ja) 流体の流量を制御する装置、方法及びシステム
US20200018736A1 (en) Concentration detection method and pressure-type flow rate control device
TW201723712A (zh) 流量控制器的輸出流量之求取方法
JP2005056031A (ja) チャンバへのガス供給装置及びこれを用いたチャンバの内圧制御方法
JP2659334B2 (ja) マスフローコントローラ流量検定システム
US20080097657A1 (en) Method and System for Wafer Temperature Control
JPH08172084A (ja) 半導体成膜方法及びその装置
JPH11286782A (ja) 基板処理装置
JP2008157620A (ja) バーナーの燃焼制御方法
JP2020057671A (ja) 活性ガス供給システムとそれを用いた半導体製造装置
JP2005045158A (ja) 気相成膜装置
JPH04191910A (ja) 流量制御システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060411

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060609

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060704

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060712

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100721

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100721

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130721

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees