JP2010247028A - プラズマ処理装置、異常検出装置、及び異常検出方法 - Google Patents

プラズマ処理装置、異常検出装置、及び異常検出方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010247028A
JP2010247028A JP2009097188A JP2009097188A JP2010247028A JP 2010247028 A JP2010247028 A JP 2010247028A JP 2009097188 A JP2009097188 A JP 2009097188A JP 2009097188 A JP2009097188 A JP 2009097188A JP 2010247028 A JP2010247028 A JP 2010247028A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow rate
pressure gauge
mass flow
processing chamber
flow controller
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009097188A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Yamane
崇 山根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Renesas Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Electronics Corp filed Critical Renesas Electronics Corp
Priority to JP2009097188A priority Critical patent/JP2010247028A/ja
Priority to US12/659,989 priority patent/US20100262302A1/en
Priority to CN201010163694A priority patent/CN101859696A/zh
Publication of JP2010247028A publication Critical patent/JP2010247028A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0218Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterised by the fault detection method dealing with either existing or incipient faults
    • G05B23/0256Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterised by the fault detection method dealing with either existing or incipient faults injecting test signals and analyzing monitored process response, e.g. injecting the test signal while interrupting the normal operation of the monitored system; superimposing the test signal onto a control signal during normal operation of the monitored system

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

【課題】マスフローコントローラが設置された配管にガス流量計を設けなくてもマスフローコントローラの異常を検出することができるようにする。
【解決手段】ガス導入配管20は、処理室3にプラズマ生成用のプロセスガスを導入する。圧力調整バルブ50は、排気管5に設けられている。マスフローコントローラ2は、ガス導入配管20に設けられており、プロセスガスの流量を調整する。圧力計4は、処理室3内の圧力を検出する。制御部6は、圧力計4の検出値に基づいて圧力調整バルブ50の開度を制御することにより、処理室3内の圧力を制御する。また制御部6は、マスフローコントローラ2からプロセスガスの流量を示す流量データを受信し、流量データと、電極に高周波が入力されたときの圧力計4の検出値の変動量に基づいて、マスフローコントローラ2の異常の有無を判断する。
【選択図】図1

Description

本発明は、マスフローコントローラの異常を検出することができるプラズマ処理装置、異常検出装置、及び異常検出方法に関する。
プラズマ処理装置は、処理室内にプロセスガスを導入し、このプロセスガスに高周波を印加することによりプラズマを発生させて処理を行う装置である。プラズマ処理装置における処理条件には、処理室内の圧力やプロセスガスの流量がある。プロセスガスの流量は、マスフローコントローラによって調整される(例えば特許文献1〜4参照)。そして処理室内の圧力は、例えば排気管に設けられた圧力調整バルブの開度を制御することにより、制御される。
特開2000−077394号公報 特開2004−062897号公報 特開2007−027661号公報 特開平08−288222号公報
マスフローコントローラに異常が生じると、処理室内に導入されるプロセスガスの流量が所望する量からずれるため、プラズマ処理装置における処理に異常が生じる。このため、マスフローコントローラの異常を検出することは重要である。
マスフローコントローラの異常を検出する方法として、マスフローコントローラが設置された配管にガス流量計を別に設けることが考えられる。しかし、この方法はガス流量計を設置するスペースが必要となるため、スペースに余裕がない場合には適用できない。また、マスフローコントローラの異常の原因は、配管内に生じた生成物などの異物である場合が多い。このため、マスフローコントローラに異常が発生するときには、ガス流量計にも異常が発生することがあり得る。
このため、マスフローコントローラが設置された配管にガス流量計を設けなくてもマスフローコントローラの異常を検出する必要がある。
本発明によれば、処理室と、
前記処理室内に配置され、高周波が印加される電極と、
前記処理室にプラズマ生成用のプロセスガスを導入するガス導入配管と、
前記ガス導入配管に設けられ、前記プロセスガスの流量を調整するマスフローコントローラと、
前記処理室内の圧力を検出する圧力計と、
前記圧力計の検出値に基づいて前記処理室内の圧力を制御する制御部と、
前記マスフローコントローラから前記プロセスガスの流量を示す流量データを受信し、前記流量データと、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量に基づいて、前記マスフローコントローラの異常の有無を判断する異常検出部と、
を備えるプラズマ処理装置が提供される。
本発明によれば、処理室内の圧力は、制御部によって制御されている。この状態で電極に高周波が入力されたとき、プロセスガスは電離してプラズマが発生する。プラズマが発生すると、プロセスガスの一部が分解するため、処理室内の分子や原子、ラジカルなどの粒子数が増加し、プロセスガスが増加したことと同じ状態になる。制御部による圧力調整バルブの制御は、このプロセスガスの増加に対してすぐには追従することができない。このため、電極に高周波が入力されたとき、圧力計の検出値は瞬間的に上昇する。この上昇量は、プロセスガスの流量が多いほど増加する。このため、圧力計の検出値の変動量に基づいて、プロセスガスの流量が規定値であるか否か、すなわちマスフローコントローラの異常の有無を判断することができる。
本発明によれば、プラズマ処理装置に取り付けられたマスフローコントローラの異常を検出する異常検出装置であって、
前記プラズマ処理装置は、
処理室と、
前記処理室内に配置され、高周波が印加される電極と、
前記処理室にプラズマ生成用のプロセスガスを導入するガス導入配管と、
前記ガス導入配管に設けられ、前記プロセスガスの流量を調整するマスフローコントローラと、
前記処理室内の圧力を検出する圧力計と、
前記圧力計の検出値に基づいて前記処理室内の圧力を制御する制御部と、
前記マスフローコントローラから前記プロセスガスの流量を示す流量データを受信し、前記流量データと、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量に基づいて、前記マスフローコントローラの異常の有無を判断する異常検出部と、
を備え、
前記マスフローコントローラから前記プロセスガスの流量を示す流量データを受信し、前記流量データと、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量に基づいて、前記マスフローコントローラの異常の有無を判断する異常検出装置が提供される。
本発明によれば、プラズマ処理装置に取り付けられたマスフローコントローラの異常を検出する異常検出方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
処理室と、
前記処理室内に配置され、高周波が印加される電極と、
前記処理室にプラズマ生成用のプロセスガスを導入するガス導入配管と、
前記ガス導入配管に設けられ、前記プロセスガスの流量を調整するマスフローコントローラと、
前記処理室内の圧力を検出する圧力計と、
前記圧力計の検出値に基づいて前記処理室内の圧力を制御する制御部と、
前記マスフローコントローラから前記プロセスガスの流量を示す流量データを受信し、前記流量データと、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量に基づいて、前記マスフローコントローラの異常の有無を判断する異常検出部と、
を備え、
前記マスフローコントローラが示した前記プロセスガスの流量を示す流量データと、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量に基づいて、前記マスフローコントローラの異常の有無を判断する異常検出方法が提供される。
本発明によれば、マスフローコントローラが設置された配管にガス流量計を設けなくてもマスフローコントローラの異常を検出することができる。
実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す図である。 制御部の判断ロジックが妥当であることを説明するための図である。 制御部の判断ロジックが妥当であることを説明するための図である。 図1に示したプラズマ処理装置を用いて処理を行う方法を示すフローチャートである。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図1は、実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す図である。このプラズマ処理装置は、処理室3、電極11、ガス導入配管20、排気管5、圧力調整バルブ50、マスフローコントローラ2、圧力計4、及び制御部6を備える。制御部6は、異常検出部を兼ねている。プラズマ処理装置は、例えばプラズマCVD装置、スパッタリング装置、又はエッチング装置である。
電極11は、処理室3の中に配置され、高周波電源1から高周波が印加される。ガス導入配管20は、処理室3にプラズマ生成用のプロセスガスを導入する。排気管5は、排気ポンプ(図示せず)に接続されており、処理室3内を排気する。圧力調整バルブ50は、排気管5に設けられている。マスフローコントローラ2は、ガス導入配管20に設けられており、プロセスガスの流量を調整する。圧力計4は、処理室3内の圧力を検出する。制御部6は、圧力計4の検出値に基づいて圧力調整バルブ50の開度を制御することにより、処理室3内の圧力を制御する。また制御部6は、マスフローコントローラ2からプロセスガスの流量を示す流量データを受信し、流量データと、電極に高周波が入力されたときの圧力計4の検出値の変動量に基づいて、マスフローコントローラ2の異常の有無を判断する。
また制御部6は、高周波電源1及びマスフローコントローラ2も制御している。また処理室3内には、電極12が設けられている。電極12は電極11に対向しており、接地されている。
本実施形態において、プラズマ処理装置は、測定データ記憶部8及び演算部9を備える。測定データ記憶部8は、圧力計4の検出値を一定時間分記憶することができる。測定データ記憶部8は、例えば演算部9からの指令に基づいて、圧力計4の検出値の記憶を開始し、かつ終了する。演算部9は、高周波電源1から電極11に高周波の入力を開始した旨の信号を受信すると、測定データ記憶部8が記憶しているデータを読み出し、電極11に高周波が入力されたときの圧力計4の検出値の変動量を算出する。そして演算部9は、算出した変動量を制御部6に出力する。
またプラズマ処理装置は、標準データ記憶部60を備えている。標準データ記憶部60は、標準データを記憶している。標準データは、電極11に高周波が入力されたときの圧力計4の検出値の変動量の標準値と、プロセスガスの流量の関係を示すデータである。標準データは、標準値とプロセスガスの流量の関係を示す式であっても良いし、プロセスガスの流量別の標準値をテーブル形式で示すデータであっても良い。そして制御部6は、標準データが示す標準値と、圧力計4の検出値の変動量との差が基準以上の場合に、マスフローコントローラ2が異常であると判断する。
このように、制御部6、測定データ記憶部8、及び演算部9は、マスフローコントローラ2の異常を検出する異常検出装置として機能する。
図2及び図3は、制御部6の判断ロジックが妥当であることを説明するための図である。電極11に高周波が印加されると、処理室3内のプロセスガスが電離し、プラズマが生成する。プラズマが発生すると、プロセスガスの一部が分解するため、処理室内の分子、原子、ラジカルなどの粒子数が増加し、プロセスガスが増加したことと同じ状態になる。制御部6による圧力調整バルブ50の制御は、このプロセスガスの増加に対してすぐには追従することができない。このため、電極11に高周波が入力されたとき、圧力計4の検出値は瞬間的に上昇する。
プラズマの発生開始は、処理室3内の圧力が安定してから行なわれるため、プラズマの発生に起因した圧力計4の検出値の上昇量は、容易に算出できる。この上昇量は、図2及び図3に示すように、プロセスガスの流量によって変動する。詳細には、プロセスガスの流量が多いほど、この上昇量は増大する。従って、マスフローコントローラ2に異常が発生していてプロセスガスの流量が変動していた場合、この上昇量が変動するため、制御部6は、マスフローコントローラ2に異常が発生していることを検出できる。
図4は、図1に示したプラズマ処理装置を用いて処理を行う方法を示すフローチャートである。まず制御部6は、マスフローコントローラ2を制御して、処理室3の中にプロセスガスを供給し始める(ステップS1)。そして制御部6は、処理室3の中の圧力が安定し(ステップS2)、処理室3の中の圧力が予め定められた値(P1)になる(ステップS3)と、高周波電源1に、電極11への高周波の入力を開始させる(ステップS4)。
高周波電源1は、電極11に高周波を入力し始めると、高周波の入力を開始した旨を示す高周波印加信号を演算部9に出力する。演算部9は、高周波印加信号を受信する(ステップS5)と、測定データ記憶部8に、圧力計4の検出値をサンプリングさせ、記憶させる(ステップS6)。なお、圧力計4の検出値のサンプリング周期は、例えば100m秒以下である。そして演算部9は、圧力計4の検出値がP1で安定すると、測定データ記憶部8に、圧力計4の検出値のサンプリング及び記憶を終了させる(ステップS7)。
そして演算部9は、測定データ記憶部8が記憶している圧力計4の検出値の最大値P2を読み出し(ステップS8)、このP2と、プラズマ発生直前の処理室3の中の圧力であるP1との差分を算出し、この差分を制御部6に出力する。
制御部6は、演算部9からP2とP1の差分を受信すると、標準データ記憶部60が記憶しているデータを用いて、設定したプロセスガスの流量に対応する標準値を認識する。そして制御部6は、P2とP1の差分が、この標準値(すなわち標準時の圧力変化量)より大きい場合(ステップS9:No)、マスフローコントローラ2に異常が発生していると判断し、プラズマ処理装置による処理を強制終了させる(ステップS10)。またP2とP1の差分が、この標準値(すなわち標準時の圧力変化量)より小さい場合(ステップS9:Yes)、プラズマ処理装置による処理を続行する(ステップS11)。
なお、ステップS9において制御部6は、P2とP1の差分と、標準値(すなわち標準時の圧力変化量)との差分が予め定められた範囲外にある場合に、マスフローコントローラ2に異常が発生していると判断してもよい。
以上、本実施形態によれば、制御部6は、電極11に高周波を印加したときの処理室3の圧力変動に基づいて、マスフローコントローラ2の異常の有無を判断している。このため、マスフローコントローラ2が設置された配管にガス流量計を設けなくてもマスフローコントローラ2の異常を検出することができる。またマスフローコントローラ2の異常を検出したときにプラズマ処理装置の動作を強制終了させるため、不良が生じている可能性のある製品がその後のプロセスに流れることを抑制できる。
また測定データ記憶部8は、電極11への高周波の印加が開始されたことを示す高周波印加信号を受信したときに、圧力計4の検出値の記憶を開始し、かつ圧力計4の検出値が安定したときに圧力計4の検出値の記憶を終了する。従って、測定データ記憶部8に必要な記憶容量を少なくすることができる。
なお測定データ記憶部8は、常に圧力計4の検出値を記憶していてもよい。この場合、測定データ記憶部8は、圧力計4の検出値を一定時間記憶している。また圧力計4の検出値のサンプリング周期は、例えば100m秒以下である。そして制御部6は、圧力計4の検出値が安定すると、測定データ記憶部8が記憶している圧力計4の検出値の最大値P2を読み出し、このP2と、プラズマ発生直前の処理室の中の圧力であるP1との差分を算出し、この差分を制御部6に出力する。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
1 高周波電源
2 マスフローコントローラ
3 処理室
4 圧力計
5 排気管
6 制御部
8 測定データ記憶部
9 演算部
11 電極
12 電極
20 ガス導入配管
50 圧力調整バルブ
60 標準データ記憶部

Claims (5)

  1. 処理室と、
    前記処理室内に配置され、高周波が印加される電極と、
    前記処理室にプラズマ生成用のプロセスガスを導入するガス導入配管と、
    前記ガス導入配管に設けられ、前記プロセスガスの流量を調整するマスフローコントローラと、
    前記処理室内の圧力を検出する圧力計と、
    前記圧力計の検出値に基づいて前記処理室内の圧力を制御する制御部と、
    前記マスフローコントローラから前記プロセスガスの流量を示す流量データを受信し、前記流量データと、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量に基づいて、前記マスフローコントローラの異常の有無を判断する異常検出部と、
    を備えるプラズマ処理装置。
  2. 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
    前記プロセスガスの流量と、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量の標準値の関係を示す標準データを記憶している標準データ記憶部をさらに備え、
    前記異常検出部は、前記標準データが示す前記標準値と、前記圧力計の検出値の変動量との差が基準以上の場合に、前記マスフローコントローラが異常であると判断するプラズマ処理装置。
  3. 請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置において、
    前記電極への高周波の印加が開始されたことを示す高周波印加信号を受信したときに、前記圧力計の検出値の記憶を開始し、かつ前記圧力計の検出値が安定したときに前記圧力計の検出値の記憶を終了する測定データ記憶部をさらに備え、
    前記異常検出部は、前記測定データ記憶部が記憶している前記圧力計の検出値の最大値を用いて、前記圧力計の検出値の変動量を算出するプラズマ処理装置。
  4. プラズマ処理装置に取り付けられたマスフローコントローラの異常を検出する異常検出装置であって、
    前記プラズマ処理装置は、
    処理室と、
    前記処理室内に配置され、高周波が印加される電極と、
    前記処理室にプラズマ生成用のプロセスガスを導入するガス導入配管と、
    前記ガス導入配管に設けられ、前記プロセスガスの流量を調整するマスフローコントローラと、
    前記処理室内の圧力を検出する圧力計と、
    前記圧力計の検出値に基づいて前記処理室内の圧力を制御する制御部と、
    前記マスフローコントローラから前記プロセスガスの流量を示す流量データを受信し、前記流量データと、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量に基づいて、前記マスフローコントローラの異常の有無を判断する異常検出部と、
    を備え、
    前記マスフローコントローラから前記プロセスガスの流量を示す流量データを受信し、前記流量データと、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量に基づいて、前記マスフローコントローラの異常の有無を判断する異常検出装置。
  5. プラズマ処理装置に取り付けられたマスフローコントローラの異常を検出する異常検出方法であって、
    前記プラズマ処理装置は、
    処理室と、
    前記処理室内に配置され、高周波が印加される電極と、
    前記処理室にプラズマ生成用のプロセスガスを導入するガス導入配管と、
    前記ガス導入配管に設けられ、前記プロセスガスの流量を調整するマスフローコントローラと、
    前記処理室内の圧力を検出する圧力計と、
    前記圧力計の検出値に基づいて前記処理室内の圧力を制御する制御部と、
    前記マスフローコントローラから前記プロセスガスの流量を示す流量データを受信し、前記流量データと、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量に基づいて、前記マスフローコントローラの異常の有無を判断する異常検出部と、
    を備え、
    前記マスフローコントローラが示した前記プロセスガスの流量を示す流量データと、前記電極に高周波が入力されたときの前記圧力計の検出値の変動量に基づいて、前記マスフローコントローラの異常の有無を判断する異常検出方法。
JP2009097188A 2009-04-13 2009-04-13 プラズマ処理装置、異常検出装置、及び異常検出方法 Pending JP2010247028A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009097188A JP2010247028A (ja) 2009-04-13 2009-04-13 プラズマ処理装置、異常検出装置、及び異常検出方法
US12/659,989 US20100262302A1 (en) 2009-04-13 2010-03-26 Plasma processing apparatus, fault detection apparatus, and fault detection method
CN201010163694A CN101859696A (zh) 2009-04-13 2010-04-12 等离子体处理装置,异常检测装置以及异常检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009097188A JP2010247028A (ja) 2009-04-13 2009-04-13 プラズマ処理装置、異常検出装置、及び異常検出方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010247028A true JP2010247028A (ja) 2010-11-04

Family

ID=42935022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009097188A Pending JP2010247028A (ja) 2009-04-13 2009-04-13 プラズマ処理装置、異常検出装置、及び異常検出方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20100262302A1 (ja)
JP (1) JP2010247028A (ja)
CN (1) CN101859696A (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130056154A1 (en) * 2011-06-27 2013-03-07 Tokyo Electron Limited Abnormality detecting unit and abnormality detecting method
JP6727871B2 (ja) * 2016-03-18 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 排気システム及びこれを用いた基板処理装置
US10730082B2 (en) * 2016-10-26 2020-08-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus and method for differential in situ cleaning
CN109712907B (zh) * 2017-10-26 2021-05-07 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室压力稳定控制系统及方法、半导体加工设备
KR20190050611A (ko) * 2017-11-03 2019-05-13 삼성전자주식회사 모니터링 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
DE102019215319A1 (de) * 2019-10-07 2021-04-08 Leybold Gmbh Einlasssystem für ein Massenspektrometer

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3830670B2 (ja) * 1998-09-03 2006-10-04 三菱電機株式会社 半導体製造装置
US7137400B2 (en) * 2003-09-30 2006-11-21 Agere Systems Inc. Bypass loop gas flow calibration
US6973375B2 (en) * 2004-02-12 2005-12-06 Mykrolis Corporation System and method for flow monitoring and control
JP2006107572A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Sony Corp ハードコート表面処理方法、ハードコート表面および光ディスク
US7822570B2 (en) * 2006-11-17 2010-10-26 Lam Research Corporation Methods for performing actual flow verification
KR100978886B1 (ko) * 2007-02-13 2010-08-31 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치
JP2008201982A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 多環脂環式化合物を前駆体物質とする薄膜、及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100262302A1 (en) 2010-10-14
CN101859696A (zh) 2010-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010247028A (ja) プラズマ処理装置、異常検出装置、及び異常検出方法
US10222810B2 (en) Methods for monitoring a flow controller coupled to a process chamber
JP4870633B2 (ja) 流量検定システム及び流量検定方法
KR102062596B1 (ko) 유동 제어기의 인-시츄 캘리브레이션을 위한 방법들
KR101557522B1 (ko) 가스 감압 공급 장치, 이것을 구비하는 실린더 캐비닛, 밸브 박스 및 기판 처리 장치
CA2698954C (en) Shielding gas flow controller for a welding apparatus
EP1126347B1 (en) Method for detecting abnormal flow rate for pressure flow rate controller
KR100745372B1 (ko) 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치 및 그 방법
JP2008072030A (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の異常検出方法、及びプラズマ処理方法
JPWO2015064035A1 (ja) 圧力式流量制御装置
CN114184333B (zh) 气体泄漏检测装置、气体泄漏检测的设定方法、气体泄漏检测方法、以及存储介质
JPH11223538A (ja) マスフローコントローラ流量検定システム
JP2017112159A (ja) ガス流量監視方法及びガス流量監視装置
US20210301942A1 (en) Gas inspection method, substrate processing method, and substrate processing system
JP2015122301A (ja) 水素タンク用パイロット式ソレノイド弁の開閉検出方法及び装置
JP7131561B2 (ja) 質量流量制御システム並びに当該システムを含む半導体製造装置及び気化器
JP5758740B2 (ja) レーザガス圧の制御機能を備えたガスレーザ発振器
JPH03219091A (ja) プラズマ処理装置
JP2010055500A (ja) 流量制御装置及び流量制御方法
JP2019053356A (ja) 制御システム、異常検知方法、および異常検知プログラム
JP2005301692A (ja) マスフローコントローラ及びマスフローコントローラの監視装置
US20050204824A1 (en) Device and system for pressure sensing and control
JP2002115800A (ja) 流量計測機能を具えた圧力制御装置
KR20070014856A (ko) 유량 조절기의 오작동 감지장치
JPH0517879A (ja) 薄膜形成装置における放電電圧制御方法