JP2009076881A - 処理ガス供給システム及び処理装置 - Google Patents

処理ガス供給システム及び処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009076881A
JP2009076881A JP2008208782A JP2008208782A JP2009076881A JP 2009076881 A JP2009076881 A JP 2009076881A JP 2008208782 A JP2008208782 A JP 2008208782A JP 2008208782 A JP2008208782 A JP 2008208782A JP 2009076881 A JP2009076881 A JP 2009076881A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
processing
passage
supply system
flow rate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2008208782A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Matsumoto
賢治 松本
Hitoshi Ito
仁 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2008208782A priority Critical patent/JP2009076881A/ja
Priority to KR1020107001252A priority patent/KR101140476B1/ko
Priority to CN2008801011449A priority patent/CN101765680B/zh
Priority to US12/675,222 priority patent/US20110139272A1/en
Priority to PCT/JP2008/065430 priority patent/WO2009028619A1/ja
Publication of JP2009076881A publication Critical patent/JP2009076881A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00—Control of flow ratio
    • G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/131—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components
    • G05D11/132—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components by controlling the flow of the individual components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7837—Direct response valves [i.e., check valve type]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems

Abstract

【課題】処理ガスの濃度を数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる処理ガス供給システムを提供する。
【解決手段】ガス使用系４に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システム２において、処理ガスタンク１０と、希釈ガスタンク１２と、処理ガスタンクとガス使用系とを接続する主ガス通路１４と、主ガス通路に介設した複数の流量制御器ＦＣ１、ＦＣ５と、希釈ガスタンクから延びると共に、複数の流量制御器の内の最下流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路１６と、希釈ガス通路に介設される流量制御器ＦＣ２と、複数の流量制御器の内の最上流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路２４とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対してアニール処理や成膜処理等の所定の処理を施す処理装置及びこれに用いる処理ガス供給システムに係り、特に処理ガスを希釈ガスにより数ｐｐｂレベル〜数１００ｐｐｂレベルの非常に希釈率の高い領域で精度良く希釈して供給することが可能な処理ガス供給システム及び処理装置に関する。
一般に、半導体デバイスを製造するには、半導体ウエハに成膜処理、エッチング処理、アニール処理、酸化拡散処理、改質処理等の各種の処理を繰り返し行って所望のデバイスを製造するが、半導体デバイスの更なる高集積化及び高微細化の要請より、線幅やホール径が益々微細化されている。
このような状況下において、上述したような各種の処理を実施するに際して、プロセス条件である、例えばプロセス温度やプロセス圧力等はより厳しく精度の高い制御が要求されるが、これと同時にプロセスガスである処理ガスに関してもより厳しく精度の高い流量制御が求められ、特に、微量な処理ガスを供給する場合においては、この処理ガスの微細量を精度良く流量制御しつつ供給することが求められる場合がある。
例えば最近にあっては、配線材料やトレンチ、ホールなどの凹部内への埋め込み材料として電気抵抗の小さな銅を用いる場合があり（特許文献１等）、この時のバリア膜として従来のＴａ膜やＴａＮ膜に代えてＭｎ膜やＣｕＭｎ合金膜を用いた自己形成バリア層が注目されている（特許文献２）。このＭｎ膜やＣｕＭｎ合金膜は、スパッタリングにより成膜されて、更にこのＭｎ膜やＣｕＭｎ合金膜自体がシード膜となるので、この上方にＣｕメッキ層を直接形成することができる。Ｃｕメッキ後にアニールを施すことでＭｎ膜やＣｕＭｎ合金膜中のＭｎ成分が自己整合的に下層の絶縁膜であるＳｉＯ２ 層と反応して、このＳｉＯ２ 層とメッキしたＣｕ層との境界部分にＭｎＳｉｘＯｙ（ｘ、ｙ：任意の自然数）膜、或いはマンガン酸化物ＭｎｘＯｙ（ｘ、ｙ：任意の自然数）膜というバリア膜が形成されるため、製造工程数も削減できる、という利点を有する。
上述したようなＭｎ膜やＣｕＭｎ合金膜による自己形成バリア膜を用いたＣｕ配線の信頼性を向上させるためにはＣｕ層の形成後に、これをＯ２ 雰囲気中でアニール処理してＭｎ膜やＣｕＭｎ合金膜中の余分なＭｎをＣｕ層上に排出させる必要がある。この際、ＭｎのＣｕ表面への排出度合いをコントロールするためには、上記Ｏ２ 雰囲気のＯ２ 濃度を数ｐｐｂから数１００ｐｐｂレベルという非常に低い値に設定することが必要であり、且つこれを精度良く制御することが望まれる。
また他の例としては、上記Ｍｎ膜またはＭｎ含有膜を形成する場合には、例えばＭｎを含む有機金属材料と僅かな水分を用いて、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成するが、このときに必要とされる水分は非常に微量であり、信頼性の高いＭｎｘＯｙバリア膜を形成するためにはこの水分量を数ｐｐｂから数１００ｐｐｂレベルで精度良く流量制御する必要がある。
上述したような微量な流量で処理ガスを供給するには、一般的には上記処理ガスを微少な流量で流しつつ、これを多量のＡｒやＮ２ 等の希釈ガスで希釈してこの希釈処理ガスを供給することが行われている（特許文献３等）。
特開２００４−１０７７４７号公報 特開２００５−２７７３９０号公報 特表２００６−５２１７０７号公報
ところで、上述のように、微少量の処理ガスを流しつつこれを多量の希釈ガスで希釈するようにした場合には、処理ガスの濃度を上述したような数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することはマスフローコントローラのような流量制御器の特性上非常に困難であった。また、非常に多くの希釈ガスを流さなければ所望の濃度の希釈処理ガスを作ることができないことと、希釈処理ガスのうち必要とされる流量以外の余剰分を廃棄しなければならず、非効率的でガスのコストが高いという問題点があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、処理ガスの濃度を、数ｐｐｍ〜数１００ｐｐｍレベルの低い濃度で、或いは数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる処理ガス供給システム及び処理装置を提供することにある。また本発明の別の目的は、処理ガスを再利用することでガスのコストを低減することにある。
請求項１に係る発明は、ガス使用系に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システムにおいて、前記処理ガスを貯留する処理ガスタンクと、前記希釈ガスを貯留する希釈ガスタンクと、前記処理ガスタンクと前記ガス使用系とを接続する主ガス通路と、前記主ガス通路に介設した複数の流量制御器と、前記希釈ガスタンクから延びると共に、前記複数の流量制御器の内の最下流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路と、前記希釈ガス通路に介設される流量制御器と、前記複数の流量制御器の内の最上流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路と、を備えたことを特徴とする処理ガス供給システムである。
このように、処理ガスタンクから主ガス通路内を流量制御されつつ流れてきた処理ガスを、希釈ガス通路内に流量制御されつつ流れてきた希釈ガスにより希釈して希釈処理ガスを流量制御して供給しつつ余剰な希釈処理ガスを排出するようにしたので、処理ガスの濃度を数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる。
この場合、例えば請求項２に記載したように、前記処理ガスタンク内には、純粋な処理ガス、或いは希釈ガスにより所定の濃度に希釈された処理ガスが収容されている。
特に、処理ガスタンク内に、希釈ガスにより予め所定の濃度に希釈された処理ガスを収容しておくことにより、更に低い濃度で精度良く制御することができる。
また例えば請求項３に記載したように、前記余剰ガス排出通路は、該余剰ガス排出通路から排出された余剰ガスの全部、或いは一部を前記希釈ガスとして再利用するために再利用ガス通路を介して前記希釈ガス通路側へ接続されている。
このように、排出された余剰ガスの全部、或いは一部を再利用することにより、ガスのコストを低減して運転費用を削減することができる。
また例えば請求項４に記載したように、前記余剰ガス排出通路は、該余剰ガス排出通路から排出される余剰ガスの全部、或いは一部を前記ガス使用系の真空ポンプに対するパージガスとして再利用するために再利用ガス通路を介して前記ガス使用系の真空ポンプ側へ接続されている。
また例えば請求項５に記載したように、前記再利用ガス通路には、該再利用ガス通路に流れる希釈された処理ガス中から処理ガスを吸収して除去し、希釈ガスを排出する処理ガス除去フィルタが介設されている。
また例えば請求項６に記載したように、前記ガス使用系の直前の前記主ガス通路、或いは前記ガス使用系には、前記処理ガスの濃度を測定する濃度測定器が設けられると共に、該濃度測定器の検出値に基づいて前記流量制御器をフィードバック制御するフィードバック制御部が設けられる。
このように、ガス使用系に導入される処理ガスの濃度を検出してフィードバック制御するようにしたので、処理ガスの濃度を極めて低い濃度で精度良く安定的に制御することができる。
また例えば請求項７に記載したように、前記フィードバック制御が行われる流量制御器は、前記主ガス通路に介設された前記流量制御器である。
また例えば請求項８に記載したように、前記フィードバック制御が行われる流量制御器は、前記希釈ガス通路に介設された前記流量制御器である。
また例えば請求項９に記載したように、前記希釈ガス通路の前記主ガス通路に対する各々の接続部には、混合器が設けられている。
また例えば請求項１０に記載したように、前記処理ガスは、Ｏ２ ガスである。
また例えば請求項１１に記載したように、前記希釈ガスは、Ｎ２ ガス及び希ガスよりなる群より選択される１以上のガスよりなる。
請求項１２に係る発明は、ガス使用系に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システムにおいて、前記処理ガスの液体原料を貯留する液体原料タンクと、前記希釈ガスを貯留する希釈ガスタンクと、前記液体原料タンクと前記ガス使用系とを接続する主ガス通路と、前記主ガス通路に介設した流量制御器と、前記希釈ガスタンクから延びると共に、前記流量制御器の下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路と、を備えたことを特徴とする処理ガス供給システムである。
このように、処理ガスの原料が液体原料の場合には、この液体原料を貯留する液体原料タンクから発生する処理ガスを流量制御しつつ流しながら流量制御された希釈ガスにより希釈するようにしたので、処理ガスの濃度を数ｐｐｍ〜数１００ｐｐｍレベルの低い濃度で精度良く制御することができる。
この場合、例えば請求項１３に記載したように、前記液体原料タンクからは、貯留されている前記液体原料の蒸気圧によって発生した処理ガスが流されて行く。
請求項１４に係る発明は、ガス使用系に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システムにおいて、前記処理ガスの液体原料を貯留する液体原料タンクと、前記希釈ガスを貯留する希釈ガスタンクと、前記液体原料タンク内へ流量制御器により流量制御された希釈ガスを供給してバブリングにより前記液体原料を気化させて前記処理ガスを形成するバブリング機構と、前記液体原料タンクと前記ガス使用系とを接続する主ガス通路と、前記希釈ガスタンクから延びて前記主ガス通路に接続された希釈ガス通路と、前記希釈ガス通路に介設された流量制御器と、を備えたことを特徴とする処理ガス供給システムである。
このように、処理ガスの原料が液体原料の場合には、この液体原料を貯留する液体原料タンク内に流量制御した希釈ガスを導入してバブリングにより処理ガスを形成し、この処理ガスを流量制御された希釈ガスにより更に希釈するようにしたので、処理ガスの濃度を数ｐｐｍ〜数１００ｐｐｍレベルの低い濃度で精度良く制御することができる。
この場合、例えば請求項１５に記載したように、前記主ガス通路に介設された流量制御器と、該流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路と、を有する。
また例えば請求項１６に記載したように、前記主ガス通路に介設された複数の流量制御器と、前記複数の流量制御器の内の最下流側の流量制御器以外の各流量制御器の下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路と、前記希釈ガス通路に介設された流量制御器と、前記複数の流量制御器の内の最上流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路と、を有する。
このように、希釈ガス通路と余剰ガス排出通路とを複数段に亘って設けて、処理ガスの希釈と余剰ガスの排出とを繰り返しながら複数段に亘って希釈を繰り返すようにしたので、処理ガスの濃度を更に低い濃度領域で精度良く制御することができる。また多段構成とすることで、希釈ガスの総使用量を少なくすることもできる。
また例えば請求項１７に記載したように、前記液体原料タンクの直ぐ下流側の主ガス通路には圧力調整弁機構が設けられている。
また例えば請求項１８に記載したように、前記処理ガスは、水蒸気（Ｈ２ Ｏ）である。
請求項１９に係る発明は、ガス使用系に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システムにおいて、処理ガスを形成する処理ガス形成部と、希釈ガスを貯留する希釈ガスタンクと、前記処理ガス形成部と前記ガス使用系とを連通する主ガス通路と、前記主ガス通路に介設される１又は複数の流量制御器と、前記希釈ガスタンクから延びると共に前記１又は複数の流量制御器の上流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路と、前記希釈ガス通路に介設された流量制御器と、前記１又は複数の流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路と、を備えたことを特徴とする処理ガス供給システムである。
このように、処理ガス形成部から主ガス通路内を流れてきた処理ガスを、希釈ガス通路内を流量制御されつつ流れてきた希釈ガスにより希釈して希釈処理ガスを流量制御して供給しつつ余剰な希釈処理ガスを排出するようにしたので、処理ガスの濃度を数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる。
この場合、例えば請求項２０に記載したように、前記処理ガス形成部は、前記処理ガスを形成するための複数の原料ガスを個別に流量制御しつつ供給する原料ガス供給系と、前記原料ガス供給系からの前記複数の原料ガスを反応させて前記処理ガスを形成する反応部と、を有する。
このように、処理ガス形成部では、処理ガスを形成するための複数の原料ガスを供給しつつこれらの原料ガスを反応部で反応させて処理ガスを形成するようにしたので、ここで形成される処理ガスの純度を高く維持すると共に、濃度を精度良く制御することができる。
また例えば請求項２１に記載したように、前記複数の原料ガスはＨ２ ガスとＯ２ ガスであり、前記処理ガスは水蒸気（Ｈ２ Ｏ）である。
また例えば請求項２２に記載したように、前記ガス使用系の直前の前記主ガス通路、或いは前記ガス使用系には、前記処理ガスの濃度を測定する濃度測定器が設けられると共に、該濃度測定器の検出値に基づいて前記流量制御器をフィードバック制御するフィードバック制御部が設けられる。
また例えば請求項２３に記載したように、前記フィードバック制御が行われる流量制御器は、前記主ガス通路に介設された前記流量制御器、或いは前記処理ガス形成部に設けられた流量制御器である。
また例えば請求項２４に記載したように、前記フィードバック制御が行われる流量制御器は、前記希釈ガス通路に介設された前記流量制御器である。
また例えば請求項２５に記載したように、前記希釈ガス通路の前記主ガス通路に対する各々の接続部には、混合器が設けられている。
また例えば請求項２６に記載したように、前記希釈ガスは、Ｎ２ ガス及び希ガスよりなる群より選択される１以上のガスよりなる。
また例えば請求項２７に記載したように、前記ガス使用系は、被処理体の表面に薄膜の成膜処理を行う成膜チャンバ、或いは薄膜が形成された被処理体に対してアニール処理を行うアニールチャンバである。
また例えば請求項２８に記載したように、前記薄膜はＣｕＭｎ膜、高誘電率膜、Ｍｎ膜、及びＭｎ含有膜の内のいずれか１つである。
また例えば請求項２９に記載したように、最下流側の前記流量制御器の下流側の主ガス通路には、前記ガス使用系をバイパスして前記処理ガスを流して廃棄させる廃棄ガス排出通路が接続されている。
また例えば請求項３０に記載したように、前記余剰ガス排出通路には、前記処理ガスの圧力が所定の圧力以上になると開動作する逆止弁が介在されている。
また例えば請求項３１に記載したように、前記余剰ガス排出通路には、前記逆止弁よりも上流側にニードル弁が介在されている。
また例えば請求項３２に記載したように、前記主ガス通路のガス圧力を測定する圧力計と、前記余剰ガス排出通路の途中に介設された圧力調整弁と、前記圧力計の測定値に基づいて前記圧力調整弁の弁開度を制御する弁制御部と、を備える。
また例えば請求項３３に記載したように、前記主ガス通路において、前記余剰ガス排出通路の接続点と、該接続点よりも下流側における前記希釈ガス通路の接続点との間の主ガス通路部分は、他の主ガス通路部分よりもその内径が細くなされている。
また例えば請求項３４に記載したように、前記主ガス通路には、処理ガス中の酸素濃度を測定するジルコニア式の濃度測定器を設け、該ジルコニア式の濃度測定器の検出値に基づいて前記流量制御器を制御するフィードバック制御部を設けるように構成する。
また例えば請求項３５に記載したように、前記主ガス通路には、前記ジルコニア式の濃度測定器をバイパスさせるために開閉弁が介設された測定器バイパス管が設けられている。
請求項３６に係る発明は、被処理体に対して所定の処理を施す処理装置において、前記被処理体を１枚、或いは複数枚収容することが可能な処理容器と、前記処理容器内で前記被処理体を保持する保持手段と、前記処理容器内へガスを導入するためのガス導入手段と、前記処理容器内を真空引きする真空排気系と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理容器内へ希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給するために前記ガス導入手段に接続された請求項１乃至３５のいずれか一項に記載された処理ガス供給システムと、を備えたことを特徴とする処理装置である。
また例えば請求項３７に記載したように、前記真空排気系には、途中に開閉弁と真空ポンプが介設された主排気通路と、前記真空ポンプを迂回するように前記主排気通路に接続されると共に途中に開閉弁が開設された大気圧処理用のバイパス排気通路とを有する。
本発明に係る処理ガス供給システム及び処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
処理ガスの濃度を、数ｐｐｍ〜数１００ｐｐｍレベルの低い濃度で、或いは数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる。
特に請求項３に係る発明によれば、処理ガスを再利用することにより、ガスのコストを低減して運転費用を削減することができる。
以下に、本発明に係る処理ガス供給システム及び処理装置の好適な一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
以下に説明する各実施例においては、ガス使用系としては半導体ウエハ等の被処理体に対して成膜処理やアニール処理等の各種の処理を施す処理装置を例にとって説明する。また、処理ガスとしてはＯ２ ガス或いは水蒸気（Ｈ２ Ｏ）を用い、希釈ガスとしては希ガスの中のＡｒガスを用いた場合を例にとって説明する。
＜第１実施例＞
図１は処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第１実施例を示す構成図である。
図１に示すように、ガス使用系としては上述したように処理装置４が用いられており、この処理ガス供給システム２は、半導体ウエハ等の被処理体に対して成膜処理やアニール処理等の各種の処理を施すために上記処理装置４のガス導入手段６に接続されている。そして、この処理装置４内は、真空ポンプ８により真空引きされて減圧雰囲気になされている。
上記処理ガス供給システム２は、上記処理装置４で用いる処理ガスを貯留する処理ガスタンク１０と、この処理ガスを希釈する希釈ガスを貯留する希釈ガスタンク１２とを有している。この場合、この処理ガスタンク１０や希釈ガスタンク１２には、それぞれの原料が液体で貯留されていてもよいし、気体で貯留されていてもよい。
また、これらの両タンク１０、１２としては、上記処理装置４が設置される半導体製造工場に、工場設備として常設されているタンク設備を用いてもよいし、或いは搬送が可能な可動式のタンク設備を用いてもよい。以上の点は、後述する他の実施例においても同様である。
特に、この第１実施例においては、上記希釈ガスタンク１２内には、濃度が実質的に１００％の純粋な希釈ガスが貯留されており、上記処理ガスタンク１０内には、希釈ガスにより所定の濃度に希釈された処理ガスが貯留されている。ここで前述したように、希釈ガスとしてはＡｒガスが用いられ、処理ガスとしてはＯ２ ガスが用いられている。従って、上記処理ガスタンク１０内にはＡｒガスで希釈されたＯ２ ガスが充填されており、Ｏ２ の含有量は例えば５００ｐｐｍ程度に設定されている。この程度のＯ２ 濃度の希釈処理ガスは、ガス製造会社において精度良く比較的容易に製造することができ、ここでは処理ガスタンク１０として可動式のタンク設備が用いられており、希釈ガスタンク１２としては工場設備の固定式のタンク設備が用いられている。
そして、上記処理ガスタンク１０と上記処理装置４のガス導入手段６とを接続するようにして主ガス通路１４が設けられている。そして、この主ガス通路１４の途中には、複数、図示例では２個の流量制御器ＦＣ１、ＦＣ５が上流側から下流側に向けて順次介設されている。また上記希釈ガスタンク１２から延びるようにして希釈ガス通路１６が設けられ、この希釈ガス通路１６の先端は上記主ガス通路１４に接続されている。
具体的には、ここでは上記希釈ガス通路１６は１本であり、その先端は、最下流側の流量制御器ＦＣ５以外の他の流量制御器、ここでは最上流側の流量制御器ＦＣ１の直ぐ下流側の主ガス通路１４に接続されており、処理ガスタンク１０側から流れてくる希釈処理ガスを、新たに導入される希釈ガスにより更に薄く希釈するようになっている。
そして、この主ガス通路１４と希釈ガス通路１６の接続部は図２に示すようになっており、例えば図２（Ａ）に示すように、主ガス通路１４の一部を縮径してこの部分に希釈ガス通路１６を連結しベンチュリ効果を持たせたものや、さらに好ましくは、図２（Ｂ）〜図２（Ｆ）に示すように両ガスの混合を促進させるための混合器１８を有していてもよい。この混合器１８は、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）に示すように、ある程度の大きさの容量を持った容器本体１８Ａを有しており、この容器本体１８Ａの一端から主ガス通路１４内を流下する処理ガスを導入し、他端から処理ガスを下流に向けて流出させると共に、希釈ガス通路１６内を流下する希釈ガスにより容器本体１８Ａ内で上記処理ガスを希釈するようになっている。
この場合、上記希釈ガス通路１６の端部は、図２（Ｂ）に示すように容器本体１８Ａの側面に接続するようにしてもよいし、図２（Ｃ）に示すように、上流側から延びてくる主ガス通路１４の接続端面と同じ端面に接続するようにしてもよい。また容器本体１８Ａ内に、ＳＵＳ（ステンレススチール）或いはセラミックのボールを詰めたり、各種フィルタメディアを設置してもよい。さらに図２（Ｄ）〜図２（Ｆ）に示すように、容器本体１８Ａ内に複数の穴を設けた穴開きバッフル板１８Ｂを設置したり（図２（Ｄ））、オリフィス孔を有するオリフィス板１８Ｃを設置したり（図２（Ｅ））、主ガス通路１４の配管の一部を容器本体１８Ａ内に延長し、この配管に複数の穴を設けてこれを穴開き管１８Ｄとして形成する（図２（Ｆ））ようにしても良い。以上説明した希釈ガス通路と主ガス通路１４との接続部に関する事項は、これ以降説明する全ての実例において同様に適用される。
そして、上記希釈ガス通路１６の途中には、流量制御器ＦＣ２が介設されており、希釈ガスの流量を制御しつつ流し得るようになっている。ここで用いられる流量制御器ＦＣ１、ＦＣ２、ＦＣ５としては、マスフローコントローラや絞り流量計や音速ノズルを用いた圧力制御によるフローコントローラ等を用いることができ、この点は、これ以降に説明する実施例においても同様である。
そして、上記処理ガスタンク１０の直ぐ下流側の主ガス通路１４及び上記希釈ガスタンク１２の直ぐ下流側の希釈ガス通路１６には、これらに流れるガス中の水分等の不純物を除去するためのインラインガス精製器２０、２２がそれぞれ介設されている。そして、主ガス通路１４の上記複数、ここでは２つの流量制御器ＦＣ１、ＦＣ５の内の最上流側の流量制御器ＦＣ１以外の流量制御器、すなわちここでは流量制御器ＦＣ５の直ぐ上流側であって上記混合器１８の下流側の主ガス通路１４には、余剰ガス排出通路２４が接続されている。この余剰ガス排出通路２４には、開閉弁２６と排出用の逆止弁２８とが順次介設されており、上記主ガス通路１４内の圧力が一定圧以上になった時に上記逆止弁２８が開いて余剰な希釈処理ガスを系外へ排出するようになっている。この場合、余剰ガス排出通路２４の下流側は、例えば処理装置４の排気系側に接続された真空ポンプ８の上流側へ、あるいは真空ポンプ８の下流側の減圧された排気ダクトへ接続されている。
また、上記処理装置４の直前の主ガス通路１４には、これに流れる処理ガスの濃度を測定する濃度測定器３０が設けられており、ここでは処理ガスであるＯ２ 濃度を測定できるようになっている。この濃度測定器３０としては差動排気機能付きのＱ−ｍａｓｓ（四重極質量分析計）を用いることができ、他には限界電流式（ジルコニア式）、磁気流量比式、隔膜ガルバニ電池式等の分析計や、フーリエ変換赤外分光分析計（ＦＴ−ＩＲ）を用いることができる。そして、この濃度測定器３０の検出値は例えばコンピュータ等よりなるフィードバック制御部３２へ入力され、流量制御器ＦＣ５を除く上流側の流量制御器ＦＣ１又はＦＣ２を制御して所定の処理ガス濃度、すなわちＯ２ 濃度を維持するようになっている。尚、上記濃度測定器３０は、主ガス通路１４ではなく、処理装置４内に設けるようにしてもよい。
次に、以上のように構成された処理ガス供給システム２の動作について説明する。
まず、処理装置４の動作時には、この処理装置４に設けられた真空ポンプ８が連続的に駆動して、処理装置４内は真空引きされて所定の減圧雰囲気、例えば１０−７Ｐａに維持されている。
上記処理ガスタンク１０からは、予め希釈ガスであるＡｒガスにより例えば５００ｐｐｍ程度まで希釈された処理ガスであるＯ２ ガスを含む希釈処理ガスが、流量制御器ＦＣ１により、例えば１０ｓｃｃｍ程度に流量制御されつつ主ガス通路１４内を流下し、このガス中に含まれる水分等の不純物はインラインガス精製器２０にて除去される。ここで一般的な流量制御器の制御精度は、流量制御が可能な範囲であるフルスケールの１％程度であり、必要に応じてフルスケールを変更すれば、様々な濃度、流量に対応することができる。そして、上述したように水分等の不純物が除去された希釈処理ガスは流量制御器ＦＣ１を通過した後に混合器１８内へ流入される。
一方、希釈ガスタンク１２からは、希釈ガスであるＡｒガスが流量制御器ＦＣ２により、例えば５０ｓｌｍ程度に流量制御されつつ希釈ガス通路１６内を流下し、このガス中に含まれる水分等の不純物はインラインガス精製器２２にて除去される。そして、この水分等の不純物除去後のＡｒガスは流量制御器ＦＣ２を通過した後に混合器１８内に流入する。この混合器１８内では上記主ガス通路１４内を流れてきた希釈処理ガスが、上記希釈ガス通路１６内を流れてきたＡｒガスと均一に混合されることにより、更に希釈されて主ガス通路１４の下流側へ流出して行く。従って、この時の希釈された処理ガス中におけるＯ２ 濃度は１００ｐｐｂ程度である。
このように、Ｏ２ 濃度が１００ｐｐｂ程度まで希釈された希釈処理ガスは更に下流側へ流れ、流量制御器ＦＣ５により例えば２０ｓｌｍ程度に流量制御される。そして、この流量制御された希釈処理ガスが更に主ガス通路１４内を流下して処理装置４内へ導入されて、所定の処理、例えばアニール処理等に用いられることになる。従って、処理装置４内ではＡｒによるＯ２ 濃度が極めて低い１００ｐｂｂ程度まで希釈された処理ガスが使用されることになる。尚、上記Ｏ２ 以外に他の処理ガスが必要な場合には、図示しないガス供給系によって必要なガスが処理装置に導入されるのは勿論である。
ここで上記混合器１８と流量制御器ＦＣ５との間の主ガス通路１４内には余剰な希釈処理ガスが滞留することになるが、この部分の圧力が一定以上になると余剰ガス排出通路２４に介設した逆止弁２８が開動作して、上記余剰な希釈処理ガスがこの余剰ガス排出通路２４を介して系外へ排気されることになる。また、処理装置４の直前の主ガス通路１４に設けた濃度測定器３０により希釈処理ガス中の処理ガスの濃度、すなわちＯ２ ガス濃度が測定して検出され、この検出値をフィードバック制御部３２に入力することにより、このフィードバック制御部３２は、流量制御器ＦＣ１又はＦＣ２を制御して希釈処理ガス中のＯ２ 濃度が設定値を維持するようにしている。
この場合、流量の大きな希釈ガス通路１６の流量制御器ＦＣ２をフィードバック制御する場合には、応答速度は遅いが流量精度を高くすることができる。逆に、主ガス通路１４に介設した流量制御器ＦＣ１をフィードバック制御する場合には、希釈ガス通路１６内を流れる希釈ガス流量に対して遥かに少ない流量の処理ガスを流量制御することになるので、流量精度は少し低くなるが応答速度を速くすることができる。別の視点から考察すれば、流量制御器のフルスケール（ＦＳ）を適宜選択することによって最適動作を選択可能である。すなわち、流量制御の精度を優先する場合には流量制御器に実際に流す流量（想定流量）に近いＦＳをもつ流量制御器（例えば、想定流量１０ｓｃｃｍに対し、ＦＳを２０ｓｃｃｍとする）を設置し、流量制御の速度を優先する場合には流量制御器に実際に流す流量よりもずっと大きなＦＳをもつ流量制御器（例えば、想定流量１０ｓｃｃｍに対し、ＦＳを１００ｓｃｃｍとする）を設置することも有効である。
このように、処理ガスタンク１０から主ガス通路１４内を流量制御されつつ流れてきた処理ガスを、希釈ガス通路１６内を流量制御されつつ流れてきた希釈ガスにより希釈して希釈処理ガスを流量制御して供給しつつ余剰な希釈処理ガスを排出するようにしたので、処理ガスの濃度、例えばＯ２ 濃度を数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる。
また、処理ガスタンク１０内に、希釈ガスにより予め所定の濃度に希釈された処理ガスを収容しておくことにより、更に低い濃度で精度良く制御することができる。また、ガス使用系である処理装置４に導入される処理ガスの濃度を検出してフィードバック制御するようにしたので、処理ガスの濃度を極めて低い濃度で精度良く安定的に制御することができる。
＜第２実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第２実施例について説明する。
図３は処理装置４に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第２実施例を示す構成図である。尚、図１及び図２に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
先の第１実施例では、処理ガスタンク１０内に予め希釈ガスで精度良く所定のＯ２ 濃度、例えば５００ｐｐｍに希釈されたガスを充填しておいた場合を例にとって説明したが、この第２実施例の処理ガス供給システムにおいては、上記処理ガスタンク１０に代えて処理ガスとして純粋なＯ２ ガスを充填した処理ガスタンク３４を用いている。そして、この純粋な処理ガスを希釈ガスにより複数段階、ここでは２段階で希釈するようにしている。
具体的には、上記希釈ガス通路１６の途中から分岐させて新たな希釈ガス通路３６を延ばし、この希釈ガス通路３６の途中に別の流量制御器ＦＣ４を介設すると共に、この希釈ガス通路３６の他端を新たな混合器３８を介在させて上記主ガス通路１４に接続している。この希釈ガス通路３６の主ガス通路１４に対する接続部は、先の第１実施例における混合器１８と余剰ガス排出通路２４の接続部との間の領域である。
そして、この混合器３８の直ぐ上流側の主ガス通路１４に別の流量制御器ＦＣ３を介在させている。更に、この流量制御器ＦＣ３の直ぐ上流側であって上記混合器１８の下流側の主ガス通路１４には新たな余剰ガス排出通路４０が接続されている。そして、この余剰ガス排出通路４０には、開閉弁４２と排出用の逆止弁４４とが順次介設されており、この領域における主ガス通路１４内の圧力が一定値以上になった時に上記逆止弁４４が開いて余剰な希釈処理ガスを系外へ排出するようになっている。この場合、主ガス通路１４の上流側に行く程、主ガス通路１４内の圧力が高くなるように上記各逆止弁２８、４４の開放圧力値は設定されている。またフィードバック制御部３２のフィードバック先は、この場合には、流量制御器ＦＣ１〜ＦＣ４の内のいずれか１つである。
次に、上記した第２実施例の動作について説明する。ここでは、各流量制御器ＦＣ１の設定値は１０ｓｃｃｍ、流量制御器ＦＣ２の設定値は２０ｓｌｍ、流量制御器ＦＣ３は１０ｓｃｃｍ、流量制御器ＦＣ４は５０ｓｌｍ、流量制御器ＦＣ５は２０ｓｌｍである。
まず、処理ガスタンク３４からは純粋のＯ２ ガスが主ガス通路１４内に向けて流れて行き、このガス流量は初段の流量制御器ＦＣ１により１０ｓｃｃｍに制御される。この純粋のＯ２ ガスは、希釈ガス通路１６内を流れてくるＡｒガスにより初段の混合器１８にて均一に混合されて希釈される。この時のＡｒガスの流量は流量制御器ＦＣ２により２０ｓｌｍに流量制御されており、従って、混合器１８にて希釈された希釈処理ガスのＯ２ 濃度は５００ｐｐｍ程度となる。
この希釈処理ガスは、第２段の流量制御器ＦＣ３により１０ｓｃｃｍに流量制御されて第２段の混合器３８内に流入する。この混合器３８にて、上記Ｏ２ 濃度が５００ｐｐｍの希釈処理ガスは、希釈ガス通路３６内を流れてくるＡｒガスにより均一に混合されて更に希釈される。この時のＡｒガスの流量は、流量制御器ＦＣ４により５０ｓｌｍに流量制御されており、従って、混合器３８にて希釈された希釈処理ガスのＯ２ 濃度は１００ｐｐｂとなり（第１実施例と同じ）、この希釈処理ガスが流量制御器ＦＣ５により２０ｓｌｍに流量制御されつつ処理装置４内へ導入されることになる。
この場合にも各流量制御器ＦＣ３、ＦＣ５の上流側で余剰となった希釈処理ガスは、それぞれ余剰ガス排気通路４０、２４を介して系外へ排出される。尚、この第２実施例において、各流量制御器ＦＣ３、ＦＣ４、ＦＣ５における流量設定値は、第１実施例における各流量制御器ＦＣ１、ＦＣ２、ＦＣ５の流量設定値に対応している。
この場合、流量の大きな希釈ガス通路１６、３６の流量制御器ＦＣ２又はＦＣ４をフィードバック制御する場合には、応答速度は遅いが流量精度を高くすることができる。逆に、主ガス通路１４に介設した流量制御器ＦＣ１又はＦＣ３をフィードバック制御する場合には、希釈ガス通路１６内を流れる希釈ガス流量に対して遥かに少ない流量の処理ガスを流量制御することになるので、流量精度は少し低くなるが応答速度を速くすることができる。この第２実施例の場合も、先の第１実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
＜第３実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第３実施例について説明する。
図４は処理装置４に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第３実施例を示す構成図である。尚、図１乃至図３に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
先の第２実施例では余剰ガス排出通路２４、４０から排出された余剰ガスは全て廃棄されていたが、この第３実施例では、その内の一部、すなわちＯ２ 濃度がより低い余剰ガス排出通路２４から排出された余剰ガスを再利用するようにしている。すなわち、図４に示すように、上記余剰ガス排出通路２４は、ここでは再利用ガス通路４６に接続され、この再利用ガス通路４６の先端が、上記希釈ガス通路１６の流量制御器ＦＣ２の直ぐ上流側に接続されている。すなわち上記余剰ガス排出通路２４は、上記再利用ガス通路４６を介して上記希釈ガス通路１６側へ接続されている。
この場合、この再利用ガス通路４６には、排出される余剰ガスの圧力を高めるための加圧ポンプ４８と、この加圧ポンプ４８から僅かに発生するゴミやチリを除去するため、および加圧ポンプ４８の圧力振動を緩和するためのフィルタ５０及びガス中の水分等の不純物を除去するインラインガス精製器５２が順次介設されている。上記加圧ポンプ４８としてはガス中に油が混入しないよう、油フリーポンプ、例えばダイヤフラムポンプなどのドライポンプを使用することが望ましい。
また、上記インラインガス精製器５２の下流側の再利用ガス通路４６には、余剰ガス排出通路５４が接続されており、この余剰ガス排出通路５４には、開閉弁５６及び逆止弁５８が順次介設されて、再利用されなかった余剰なガスを排気するようになっている。
また、上記希釈ガス通路１６に対する上記再利用ガス通路４６の接続部と希釈ガス通路１６に設けたインラインガス精製器２２の出口側との間の希釈ガス通路１６には、この下流側に向けて逆止弁６０及び開閉弁６２が順次介設されており、上記再利用ガス通路４６内を流れてくるガスの流量が不足する場合には、この不足分を希釈ガスタンク１２側から供給して補うようになっていると共に、ここでは上記再利用ガス中にはある程度のＯ２ ガスが含まれているので、後段の混合器３８に接続される希釈ガス通路３６内へは純粋のＡｒガスのみが流れて再利用ガスが流入しないようにしている。
この第３実施例の場合は、先の第２実施例と同様の作用効果を発揮することができる。また、ここでは再利用ガス通路４６を設けて、排出された余剰ガスの一部を再利用することにより、運転費用を低減することができる。
＜第４実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第４実施例について説明する。
図５は処理装置４に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第４実施例を示す構成図である。尚、図１乃至図４に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
先の第３実施例では、２つの余剰ガス排出通路２４、４０から排出された余剰ガスの内、Ｏ２ 濃度が低い一方の余剰ガス排出通路２４から排出された余剰ガスのみを再利用していたが、ここでは、上記２つの余剰ガス排出通路２４、４０の双方から排出された余剰ガス、すなわち全ての余剰ガスを再利用するようにしている。具体的には、上記２つの余剰ガス排出通路２４、４０をそれぞれ上記再利用ガス通路４６に接続し、この再利用ガス通路４６の他端を先の希釈ガス通路１６側へ接続している。この場合、この再利用ガス通路４６の途中には、これに流れるガス中から処理ガスであるＯ２ ガスを取り除くための処理ガス除去フィルタ６４が介設されており、Ｏ２ 除去後の希釈ガスであるＡｒガスのみを再利用するようにしている。
上述のように、処理ガス除去フィルタ６４を通過した後の再利用ガス中にはＯ２ 成分が含まれておらず、純粋な希釈ガス（Ａｒ）のみとなるので、これを後段の混合器３８へ導入することも可能となる。そこで、ここでは希釈ガス通路１６から他方の希釈ガス通路３６が分岐される分岐点を、インラインガス精製器２２の直ぐ下流側（図４参照）から、この途中に介設した逆止弁６０及び開閉弁６２の直ぐ下流側、すなわち流量制御器ＦＣ２の直ぐ上流側へ移している。
これにより、再利用ガスを、上記希釈ガス通路１６のみならず、他方の希釈ガス通路３６側へも供給できるようになっている。この第４実施例の場合は、先の第３実施例と同様な作用効果を発揮することができる。また、ここでは再利用ガス通路４６を設けて、排出された余剰ガスの全部を再利用することにより、運転費用を低減することができる。
＜第５実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第５実施例について説明する。
図６は処理装置４に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第５実施例を示す構成図である。尚、図１乃至図５に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
先の第４実施例においては、再利用ガス通路４６を希釈ガス通路１６側へ接続して希釈ガスであるＡｒガスを再利用するようにしたが、この第５実施例においては、図６に示すように上記再利用ガス通路４６を、処理装置４に設けた真空ポンプ８側へ接続して、真空ポンプ８の回転シャフトのパージガスとして用いている。
すなわち、例えば半導体ウエハの成膜処理やエッチング処理等を行う場合には、処理装置４内に残留する反応ガスや反応副生成物が排気ガス中に含まれて排出される結果、これらの反応ガスや反応副生成物が真空ポンプ８の回転シャフト等に付着して真空ポンプ８を故障させる恐れがある。そのため、この付着現象を防止するために上記再利用ガス通路４６内を流れてくる希釈ガスを上記回転シャフト８Ａに吹き付けてパージガスとして用い、回転シャフトに反応ガスや反応副生成物が付着することを防止することができる。
この場合、上記余剰ガスは希釈ガスとして用いるのではないので、第３及び第４実施例で設けた加圧ポンプ４８、フィルタ５０、インラインガス精製器５２、余剰ガス排出通路５４、開閉弁５６、６２、逆止弁５８、６０は設ける必要がない。また、Ｏ２ 成分を除去する処理ガス除去フィルタ６４は必要に応じて設けるようにすればよい。
この第５実施例の場合にも先の第４実施例と同様な作用効果を発揮することができる。尚、ここでは全ての余剰ガスを再利用するようにしたが、これに限定されず、両余剰ガス排出通路２４、４０の内のいずれか一方の余剰ガス排出通路からの余剰ガスのみを再利用するようにしてもよい。また、真空ポンプ８の回転シャフトのパージ用以外の用途としては、除害装置における排気ガス冷却や、Ｈ２ などの可燃性ガスの爆発下限希釈用途にも用いることができる。
＜第６実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第６実施例について説明する。この第６実施例から第１０実施例では処理ガスとして水分（水蒸気）を用いた場合を例にとって説明する。図７は処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第６実施例を示す構成図である。尚、図１乃至図６に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
図７に示す第６実施例の構成は、基本的には図１で示した第１実施例の構成を用いている。ただし、ここでは処理ガスタンク１０（図１参照）に代えて処理ガスの液体原料を貯留する液体原料タンク６６が設けられている。この液体原料タンク６６は、ジョイント６８により主ガス通路１４に対して着脱可能に設けられており、着脱時にはこの液体原料タンク６６の出口に設けた開閉弁７０を手動で開閉するようになっている。この液体原料タンク６６は例えばステンレススチールよりなり、この内部には、液体原料７２が収容されている。ここで、上述したように、処理ガスとして水蒸気を用いることから、上記液体原料７２としては清浄な水が用いられる。なお必要に応じてジョイント６８からＦＣ１との間にバルブを設けても良い。
この液体原料タンク６６では、液体原料７２の温度に応じた蒸気が、すなわちここでは水蒸気が発生し、所定の水蒸気圧となっている。例えば３５℃における水蒸気圧は４５．１Ｔｏｒｒ（６．０ＫＰａ）である。ここでは、発生した水蒸気は処理ガスとなり、主ガス通路１４内を流下して行くことになる。この時の水蒸気（Ｈ２ Ｏ）の供給量は、流量制御器ＦＣ１により適宜制御することができ、必要な場合には上記液体原料タンク６６にヒータを設けて、これを所定の温度に加熱するようにしてもよい。換言すれば、ヒータにより必要な水蒸気圧が得られるように液体原料タンク６６の温度を調節する。なお、液体原料の蒸気が主ガス通路１４の内部で凝集しないよう、主ガス通路１４およびここに介設される流量制御器や混合器については、液体原料タンク６６の温度程度に加熱できるよう、ヒータを設置しておくことが望ましい。
また、ここでは液体原料タンク６６内にて発生した水蒸気、すなわち処理ガスを全て用いるようにしているので、図１で用いた余剰ガス排出通路２４は設けていない。そして、上記主ガス通路１４内を流下する水蒸気は希釈ガス通路１６からのＡｒガスにより希釈されるようになっている。また、処理装置４の直前の主ガス通路１４に設けた濃度測定器７４は、ここでは水分の濃度を検出し、この検出値に基づいてフィードバック制御部３２は、流量制御器ＦＣ１又はＦＣ２を制御することになる。
この第６実施例においては、上記原料ガス用の流量制御器ＦＣ１は０．５ｓｃｃｍに設定され、希釈ガス用の流量制御器ＦＣ２は２０ｓｌｍに設定されている。従って、従って混合器１８より流下する希釈処理ガス中の水分濃度は２５ｐｐｍとなって処理装置４内へ導入されることになる。なお、液体原料タンク６６内の液体原料７２の温度が上述のように３５℃の場合には水蒸気圧は４５．１Ｔｏｒｒ（６．０ＫＰａ）あるので流量制御器ＦＣ１を動作させる圧力としては十分である。一般に、流量制御器が動作するには流量制御器の上流と下流との差圧が一定値以上なければならないことから、流量制御器ＦＣ１の下流の圧力が４５Ｔｏｒｒ（６．０ＫＰａ）よりも高くならないようにしておく。
このように、処理ガスの原料が液体原料７２の場合には、この液体原料を貯留する液体原料タンク６６から発生する処理ガス（水蒸気）を流量制御しつつ流しながら流量制御された希釈ガスにより希釈するようにしたので、処理ガスの濃度を数ｐｐｍ〜数１００ｐｐｍレベルの低い濃度で精度良く制御することができる。また、ガス使用系（処理装置４）に導入される処理ガスの濃度を検出してフィードバック制御するようにしたので、処理ガスの濃度を低い濃度で精度良く安定的に制御することができる。
＜第７実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第７実施例について説明する。図８は処理装置４に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第７実施例を示す構成図である。尚、図１乃至図７に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
図８に示すように、この第７実施例の場合には、図７に示す第６実施例の液体原料タンク６６に対してバブリング機構７８を設けている。具体的には、このバブリング機構７８は、上記希釈ガス通路１６側から分岐させたバブリング用ガス通路８０を有しており、Ａｒガスをバブリングガスとして用いるようになっている。このバブリング用ガス通路８０には、流量制御器ＦＣ１、熱交換器８２及び開閉弁８４が順次介設されている。この熱交換器８２はバブリングガスを一定の温度に維持するものである。
このバブリング用ガス通路８０の一端は、上記液体原料タンク６６内の液体原料７２中にその先端を浸漬させたバブリングノズル８６にジョイント８８を介して接続されている。そして、このバブリングノズル８６には手動による開閉弁９０が介設されている。
一方、上記主ガス通路１４には、図７に示す流量制御器ＦＣ１に替えて、圧力調整弁機構９２が設けられている。この圧力調整弁機構９２は、上記主ガス通路１４に介在させた圧力調整弁９４と、圧力測定器９６とよりなり、この圧力測定器９６で得られた圧力値に基づいて上記圧力調整弁９４を制御することになる。この圧力調整弁機構９２では例えば１〜５０ｋＰａ程度の範囲で制御されている。
この第７実施例においては、上記各流量制御器ＦＣ１、ＦＣ２の流量は、それぞれ０．６９ｓｃｃｍ、２０ｓｌｍに設定されている。そして、原料液体７２の温度を３５℃に設定すると共に、液体原料タンク６６内部圧力を２００Ｔｏｒｒ（２６．７ＫＰａ）に設定すると、この時のＡｒガスのバブリングにより発生した水蒸気中の水分の実流量は０．２０ｓｃｃｍとなる。この結果、処理装置４に導入されるガス中の水分濃度は１０．０６ｐｐｍとなる。
そして、この時に発生した水蒸気を含む希釈処理ガスは混合器１８にてＡｒガスにより更に希釈されて処理装置４側へ供給されることになる。この場合、フィードバック制御部３２は、流量制御器ＦＣ１又はＦＣ２をフィードバック制御することになる。このように、処理ガスの原料が液体原料７２の場合には、この液体原料７２を貯留する液体原料タンク６６内に流量制御した希釈ガスを導入してバブリングにより処理ガス（水蒸気）を形成し、この処理ガスを流量制御された希釈ガスにより更に希釈するようにしたので、処理ガスの濃度を数ｐｐｍ〜数１００ｐｐｍレベルの低い濃度で精度良く制御することができる。
また、ガス使用系（処理装置４）に導入される処理ガスの濃度を検出してフィードバック制御するようにしたので、処理ガスの濃度を低い濃度で精度良く安定的に制御することができる。
＜第８実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第８実施例について説明する。図９は処理装置４に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第８実施例を示す構成図である。尚、図１乃至図８に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
図９に示すように、この第８実施例の場合には、図８に示す第７実施例の構成に対して、主ガス通路１４の途中に流量制御器ＦＣ５を設けると共に、この直ぐ上流側の主ガス通路１４に、開閉弁２６及び逆止弁２８を有する余剰ガス排気通路２４を分岐させて設けており、上記流量制御器ＦＣ５よりも上流側の主ガス通路１４内の水蒸気を含んだ希釈処理ガスのうちの余剰分を排気するようになっている。
この第８実施例における各流量制御器ＦＣ１、ＦＣ２、ＦＣ５の各設定値は、それぞれ１ｓｃｃｍ、５０ｓｌｍ、２０ｓｌｍである。そして、液体原料７２の温度を３５℃に設定すると共に、液体原料タンク６６内の圧力を１１４０Ｔｏｒｒ（１５２ＫＰａ）に設定すると、この時のＡｒガスのバブリングにより発生した水蒸気中の水の実流量は０．０４ｓｃｃｍとなる。この結果、処理装置４に導入されるガス中の水分濃度は０．８２ｐｐｍとなる。この場合にも、先の図８に示す実施例７と同様な作用効果を発揮することができる。なお、第８実施例においては圧力調整弁機構９２における圧力制御範囲を第７実施例よりも高く、１０〜５００ｋＰａとしている。これは、流量制御器ＦＣ５を動作させるための必要差圧が０．１５ＭＰａであるため、流量制御器ＦＣ５の上流側の主ガス通路１４における圧力は常に０．１５ＭＰａ以上あり、その圧力に打ち勝って水蒸気を含んだ希釈処理ガスを圧力調整弁機構９２から混合器１８に向けて滞りなく流すためである。
＜第９実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第９実施例について説明する。図１０は処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第９実施例を示す構成図である。尚、図１乃至図９に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
図１０に示すように、この第９実施例の場合には、図９に示す第８実施例の構成に対して、更に、図３に示す第２実施例における新たな希釈ガス通路３６と、この希釈ガス通路３６に介設した流量制御器ＦＣ４と、主ガス通路１４に介設した混合器３８及び流量制御器ＦＣ３と、開閉弁４２及び逆止弁４４を有する新たな余剰ガス排出通路４０とをそれぞれ設けている。
この第９実施例における各流量制御器ＦＣ１〜ＦＣ５の各設定値は、それぞれ６５ｓｃｃｍ、２０ｓｌｍ、５０ｓｃｃｍ、５０ｓｌｍ、２０ｓｌｍである。そして、液体原料７２の濃度を３５℃に設定すると共に、液体原料タンク６６内の圧力を１５２０Ｔｏｒｒ（２０３ＫＰａ）に設定すると、この時のＡｒガスのバブリングにより発生した水蒸気中の水の実流量は１．９９ｓｃｃｍとなる。この結果、処理装置４に導入されるガス中の水分濃度は９９ｐｐｂとなる。
このように、希釈ガス通路１６、３６と余剰ガス排出通路２４、４０とを複数段、例えば２段に亘って設けて、処理ガス（水蒸気）の希釈と余剰ガスの排出とを繰り返しながら複数段、例えば２段に亘って希釈を繰り返すようにしたので、処理ガスの濃度を更に低い濃度領域で精度良く制御することができる。また、ガス使用系（処理装置４）に導入される処理ガスの濃度を検出してフィードバック制御するようにしたので、処理ガスの濃度を極めて低い濃度で精度良く安定的に制御することができる。
＜第１０実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第１０実施例について説明する。図１１は処理装置４に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第１０実施例を示す構成図である。尚、図１乃至図１０に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
図１１に示すように、この第１０実施例の場合には、図１０に示す第９実施例の構成において、液体原料タンク６６やバブリング機構７８に替えて、別の機構の処理ガス形成部１００を設けている。尚、図９に示す第８実施例の構成において、上記液体原料タンク６６やバブリング機構７８に替えて、上記処理ガス形成部１００を設けるようにしてもよい。
具体的には、この処理ガス形成部１００は、処理ガスを形成するための複数の原料ガスを個別に流量制御しつつ供給する原料ガス供給系１０２と、この原料ガス供給系１０２からの複数の原料ガスを反応させて上記処理ガスを形成する反応部１０４とにより構成されている。
上記原料ガス供給系１０２としては、ここでは２つの原料ガスを貯留する原料ガスタンク１０６Ａ、１０６Ｂを有しており、例えば一方の原料ガスタンク１０６Ａには純粋なＨ２ ガスが貯留され、他方の原料ガスタンク１０６Ｂには純粋なＯ２ ガスが貯留されている。尚、上記両原料ガスタンク１０６Ａ、１０６Ｂとしては、工場設備のタンクを用いるようにしてもよい。そして、上記両原料ガスタンク１０６Ａ、１０６Ｂからのガス通路１０８Ａ、１０８Ｂは途中で一本に接続されてガス通路１０８となり、このガス通路１０８の途中に上記反応部１０４が介設されている。
この反応部１０４では触媒反応により、或いは燃焼反応により処理ガス、すなわちここでは水蒸気を形成するようになっている。そして、このガス通路１０８が上記主ガス通路１４側に接続されており、処理ガスとして水蒸気を下流に向けて流すようになっている。
ここで上記両ガス通路１０８Ａ、１０８Ｂにはそれぞれ流量制御器ＦＣ１−ａ、ＦＣ１−ｂが介設されており、これに流れるガスを流量制御するようになっている。また上記反応部１０４の直ぐ上流側のガス通路１０８にはフィルタ１１０が介設され、反応部１０４の直ぐ下流側のガス通路１０８にはＨ２ 、或いはＯ２ を検出するセンサ１１２及びフィルタ１１４がそれぞれ介設されている。
尚、必要に応じてＯ２ ガス、又はＨ２ ガスを貯留する添加用ガスタンク１１６を設けて、このタンク１１６より途中に流量制御器ＦＣ１−ｃを介設したガス通路１１８を延ばし、この先端を反応部１０４の下流側のガス通路１０８に接続するようにして、反応部１０４より流れ出るガス中に過剰なＯ２ ガス、或いはＨ２ ガスを供給するようにしてもよい。
この第１０実施例における各流量制御器ＦＣ１−ａ、ＦＣ１−ｂ、ＦＣ２〜ＦＣ５の各設定値は、制御器ＦＣ１−ａが１０ｓｃｃｍ、ＦＣ１−ｂが５ｓｃｃｍ、ＦＣ２が５０ｓｌｍ、ＦＣ３が２５ｓｃｃｍ、ＦＣ４が５０ｓｌｍ、ＦＣ５が２０ｓｌｍである。ここで反応部１０４で触媒反応や燃焼反応によって生ずる水の生成量は１０ｓｃｃｍとなる。この場合、余剰な希釈処理ガスは余剰ガス排出通路２４、４０から排出されるのは前述した通りである。この結果、処理装置４内に導入されるガス中の水分濃度は１００ｐｐｂとなる。
このように、処理ガス形成部１００から主ガス通路１４内を流れてきた処理ガス（水蒸気）を、希釈ガス通路１６、３６内に流量制御されつつ流れてきた希釈ガスにより希釈して希釈処理ガスを流量制御して供給しつつ余剰な希釈処理ガスを排出するようにしたので、処理ガスの濃度を数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる。
また、処理ガス形成部１００では、処理ガスを形成するための複数の原料ガス、例えばＯ２ ガスとＨ２ ガスとを供給しつつこれらの原料ガスを反応部１０４で反応させて処理ガスを形成するようにしたので、ここで形成される処理ガスの純度を高く維持することができる。この場合、原料ガスを供給する２つの流量制御器ＦＣ１−ａ、ＦＣ１−ｂにより、これらの流量を精度良く制御することができるので、これらの両ガスの反応によって生ずる処理ガス（水分＝水蒸気）の流量を精度良く制御することができる。
また、この場合、ガス中の水分濃度を調整するフィードバック制御部３２のフィードバック先は流量制御器ＦＣ２、ＦＣ３、ＦＣ４の内のいずれか１つとなり、このフィードバック制御により、ガス中の水分濃度を極めて低い濃度であるにもかかわらず、精度良く安定的に制御することができる。また、上記水分濃度を調整するために流量制御器ＦＣ１−ａ又はＦＣ１−ｂをフィードバック制御するようにしてもよい。なお、処理ガス形成部１００としては、パーミエータと呼ばれる浸透膜式の微量蒸発器を用いてもよく、この場合にも上述の実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
＜第１１実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第１１実施例について説明する。図１２は本発明に係る処理ガス供給システムの第１１実施例を示す部分構成図である。尚、図３に示した第２実施例の構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。この第１１実施例は、先に図３を参照して説明した第２実施例を基本構成として改良したものであり、処理装置４内にて主にアニール処理を真空雰囲気のみならず、大気圧、或いは大気圧に近い雰囲気中でも実施できるようにすると共に、各流量制御器の上流側における圧力変動を抑制して流量制御器の安定動作を保証するようにしたものである。
まず、ここではアニール処理を真空雰囲気中のみならず、大気圧、或いは大気圧に近い雰囲気中でも選択的に行い得るようにするために、真空排気系を２系統にしている。すなわち、ガス使用系である処理装置４には、この内部雰囲気を排気する真空排気系１２８が接続されている。この真空排気系１２８は、途中に開閉弁１６０、処理装置（処理容器）４内の圧力調整を行う圧力調整弁１２６、及びドライポンプ等の真空ポンプ８を順次介設した主排気通路１６２を有している。この主排気通路１６２の下流側は、図示しない除害装置等を介して大気圧程度になされた排気ダクトに接続されており、これより排気ガスが大気放散されている。
そして、この主排気通路１６２には、上記真空ポンプ８を迂回するようにして途中に開閉弁１６４を介設したバイパス排気通路１６６が設けられている。具体的には、このバイパス排気通路１６６の上流側の一端は、開閉弁１６０よりも上流側で主排気通路１６２に接続され、その下流側の他端は真空ポンプ８よりも下流側で主排気通路１６２に接続されている。従って、処理装置４内にて真空雰囲気中でアニール処理する場合には、バイパス排気通路１６６側の開閉弁１６４を閉状態とし、主排気通路１６２側の開閉弁１６０を開状態とし、真空ポンプ８を回転駆動させて真空雰囲気中のアニール処理を行う。
これに対して、処理装置４内で大気圧雰囲気、或いはそれに近い圧力雰囲気中でアニール処理を行う場合には、上記とは逆に、バイパス排気通路１６６側の開閉弁１６４を開状態とし、主排気通路１６２側の開閉弁１６０を閉状態とする。これにより、処理装置４内の雰囲気は、排気ダクト側から直接的に吸引されることになり、大気圧、或いはそれに近い圧力雰囲気中でアニール処理が行うことができるようになっている。従って、真空雰囲気中のアニール処理と大気圧中のアニール処理とを選択的に実行できるようになっている。換言すれば、真空雰囲気中から大気圧雰囲気中まで広範囲な圧力雰囲気中でアニール処理を行うことができる。尚、この真空排気系の構成は、第１〜第１０の全ての実施形態に適用可能である。
また、酸素濃度等の処理ガスの濃度を切り替える場合や、処理システムの立ち上げ時等は流量が一時的に不安定になるので、この処理ガスを処理装置４内に流すことなく、バイパスさせて廃棄することが必要な場合が生ずる。このため、この処理ガス供給システムの主ガス通路１４には、処理装置４の直前近傍に処理ガスを廃棄させるための廃棄ガス排出通路１６８が接続されている。また、この接続点と上記処理装置４との間の主ガス通路１４には開閉弁１７０が介設されており、処理ガスの廃棄時には、この開閉弁１７０を閉状態にして処理装置４側へ処理ガスが流れないようにしている。尚、処理装置４内へ処理ガスを流す時にはこの開閉弁１７０を開状態にするのは勿論である。
そして、上記廃棄ガス排出通路１６８は、２つの分岐路１６８Ａ、１６８Ｂに分岐されて、一方の分岐路１６８Ａの下流側は、真空ポンプ８の直ぐ上流側にて主排気通路１６２に接続され、他方の分岐管１６８Ｂの下流側は、開閉弁１６４の下流側にてバイパス排気通路１６６に接続されている。そして、一方の分岐路１６８Ａの途中には真空雰囲気用の開閉弁１７２Ａが介設され、他方の分岐路１６８Ｂの途中には大気圧雰囲気用の開閉弁１７２Ｂが介設される。従って、真空雰囲気中でアニール処理をする時の不要な処理ガス（流量が安定するまでのガス）は、上記真空雰囲気用の開閉弁１７２Ａを開状態にしてこの分岐路１６８Ａを介して主排気通路１６２側へ廃棄する。
また大気圧雰囲気中でアニール処理をする時の不要な処理ガス（流量が安定するまでのガス）は、上記大気圧雰囲気用の開閉弁１７２Ｂを開状態にしてこの分岐路１６８Ｂを介してバイパス排気通路１６６側へ廃棄する。この廃棄ガス排出通路１６８の一連の構成は、第１〜第１０の全ての実施形態に適用可能である。
また、ここではＯ２ 濃度を測定する前記濃度測定器３０としては、ジルコニア式の濃度測定器３０Ａを設けた場合が示されている。このジルコニア式の濃度測定器３０Ａは、主ガス通路１４に流れる処理ガスの一部を分岐させて取り出すための分岐測定管１７６を有しており、この分岐測定管１７６にオリフィス１７８及びジルコニア式Ｏ２ 測定センサ１８０を順次介設して、上記処理ガス中のＯ２ 濃度を測定し得るようになっている。
この場合、この分岐測定管１７６に分岐して流れ込む処理ガスの流量は、上記オリフィス１７８を設けてあることから非常に抑制されて、主ガス通路１４内を流れるガス流量の約１０％程度であって非常に少なく、処理装置４内におけるアニール処理に悪影響を与えることはないようにしている。
また、このジルコニア式Ｏ２ 測定センサ１８０にあっては、その測定方法に起因して測定対象となったガス中のＯ２ 濃度が少し増加する傾向にあるので、この測定対象となったガスを再度、主ガス通路１４内に戻すのは好ましくなく、そのため、ここでは真空排気系１２８側へ廃棄するようにしている。具体的には、この分岐測定管１７６の途中に開閉弁１８４を介設して、その下流側を上記バイパス排気通路１６６に接続している。
これにより、処理装置４内で大気圧雰囲気中にてアニール処理を行う時には、Ｏ２ 濃度測定対象になった処理ガスを、上記分岐測定管１７６を介してバイパス排気通路１６６へ廃棄するようになっている。
また、真空雰囲気中ではジルコニア式Ｏ２ 測定センサ１８０が使えないので、或いは処理ガス中のＯ２ 濃度の測定を行う必要がない場合もあるので、このような場合のために、上記主ガス通路１４には、上記ジルコニア式の濃度測定器３０（３０Ａ）をバイパスさせるために途中に開閉弁１８６が介設された測定器バイパス管１８８が接続されている。
そして、このジルコニア式の濃度測定器３０（３０Ａ）の直ぐ上流側と下流側の主ガス通路１４の途中にも開閉弁１９０が介設されており、これらの開閉弁１９０と上記測定器バイパス管１８８に介設した開閉弁１８６とを切り替え操作することにより、処理ガス中のＯ２ 濃度を測定するか否かを選択できるようになっている。
ここでジルコニア式のＯ２ 測定センサ１８０での測定値はフィードバック制御部３２へ入力され、これにより流量制御器ＦＣ１〜ＦＣ４のいずれかの流量制御をしてＯ２ 濃度が予め定められた一定値を維持するようになっている。
この場合、流量制御器ＦＣ２、ＦＣ４の制御流量は大きいので、この流量は固定しておき、また制御流量の小さい流量制御器ＦＣ１の流量を制御すると、その制御結果のＯ２ 濃度が処理装置４内に反映するまでに長い時間を要すことになり、結果的に、制御流量が小さい流量制御器ＦＣ３の流量を制御してＯ２ 濃度をコントロールするのが最も好ましい。このジルコニア式の濃度測定器３０Ａ（３０）の構成は、第１〜第１０の全ての実施形態においてＯ２ 濃度を測定する場合に適用可能である。
また、ここでは各余剰ガス排出通路２４、４０の途中には、それぞれ主ガス通路１４内の圧力が所定の圧力以上になると開状態となる逆止弁２８、４４が設けられているが、更に、各逆止弁２８、４４の上流側に、それぞれニードル弁１９２、１９４を介設している。これにより、各逆止弁２８、４４が開状態となった場合でも、主ガス通路１４内の圧力が急激に減少することを防止し、緩やかに減少させるようにしている。
一般に、マスフローコントローラのような流量制御器ＦＣ３、ＦＣ５は、その上流側と下流側との間で大きな圧力変動を生ずると、流量制御の精度が低下することが知られているが、上述のように余剰ガス排出通路２４、４０の途中にニードル弁１９２、１９４を介設することにより、各逆止弁２８、４４が開状態になった場合でも主ガス通路１４内の圧力は、急激に低下することなく緩やかに減少するので、すなわち各流量制御器ＦＣ３、ＦＣ５の上流側の圧力変動を抑制することができ、この結果、各流量制御器ＦＣ３、ＦＣ５の流量制御の精度を高く維持することができる。このニードル弁１９２、１９４の構成は、第１〜第１０の全ての実施形態に適用することができる。
また、この主ガス通路１４の最下流側には、不活性ガスによるパージライン２１０が接続されている。このパージライン２１０の途中には、開閉弁２１２及びマスフローコントローラのような流量制御器２１４がそれぞれ介設されており、必要に応じてパージガスを流すことにより処理装置４の残留ガスの排出を促進させるようになっている。このパージガスとしてはＮ２ ガス等の不活性ガスやＡｒ等の希ガスを用いることができる。
＜第１２実施例＞
次に本発明に係る処理ガス供給システムの第１２実施例について説明する。図１３は本発明に係る処理ガス供給システムの第１２実施例を示す部分構成図である。尚、図３及び図１２に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。この第１２実施例は、各流量制御器の上流側の圧力変動を更に抑制するようにしたものである。
すなわち、ここでは上記各余剰ガス排出通路２４、４０の途中に、図１２で示した逆止弁２８、４４やニードル弁１９２、１９４を設けないで、これらの替わりに圧力調整弁１９６、１９８を設けており、主ガス通路１４内の圧力を所定の値に制御できるようになっている。この場合、各流量制御器ＦＣ５、ＦＣ３の直ぐ上流側の主ガス通路１４には、それぞれ圧力計２００、２０２が設けられると共に、これらの圧力計２００、２０２の測定値は、それぞれ弁制御部２０４、２０６へ入力され、これらの弁制御部２０４、２０６がそれぞれ個別に圧力調整弁１９６、１９８を制御するようになっている。
この場合には、上記圧力調整弁１９６、１９８の動作により、各流量制御器ＦＣ５、ＦＣ３の上流側の圧力は常に一定に維持されることになるので、各流量制御器ＦＣ５、ＦＣ３の動作を、第１１実施例の場合と比較して更に安定化させることができるので、これらの流量制御の精度を一層向上させることができる。この圧力調整弁１９６、１９８の構成は、第１〜第１０実施例においても適用することができる。
ところで、処理ガスの酸素濃度の切り替えを迅速に行ってスループットを向上させるには主ガス通路１４の全体の長さをできるだけ短くし、通路内部の容積を可能な限り少なくすることが望ましく、またそのように設定されている。
更に、この実施例では、酸素濃度の切り替えを更に迅速化するために、上記主ガス通路１４において、上記余剰ガス排出通路４０の接続点Ｐ１と、この接続点Ｐ１よりも下流側における上記希釈ガス通路３６の接続点Ｐ２との間の主ガス通路部分は、他の主ガス通路部分よりもその内径が細くなされている。
具体的には、ここでは主ガス通路１４において余剰ガス排出通路４０の接続点Ｐ１と、この接続点Ｐ１よりも下流側における上記希釈ガス通路３６の接続点Ｐ２（具体的には混合器３８）との間の主ガス通路部分Ｌ１は、他の主ガス通路部分よりもその内径が細くなされている。例えば、主ガス通路１４の大部分は、例えば配管径が１／４インチの配管が用いられているが、この主ガス通路部分Ｌ１では配管径が１／８インチの配管が用いられている。これによれば、例えば処理ガスのＯ２ 濃度を切り替える場合には、上記主ガス通路部分Ｌ１の容積は非常に少なく設定されているので、この部分の処理ガスの入れ替えを迅速に行うことができる。
また、同様に、流量制御器ＦＣ１とその直ぐ下流側の希釈ガス通路１６の接続点Ｐ３（混合器１８）との間の主ガス通路部分Ｌ２も、この部分には１００％濃度のＯ２ が残留しているので、上述のように配管径が１／８インチの配管を用いており、上述のように処理ガスの入れ替えを迅速に行うようにしている。この配管径を他の部分より小さくして容積を小さくする構成は、第１〜第１０の実施例においても適用することができる。
＜ガス使用系である処理装置＞
次に、上記第１〜第１２実施例の処理ガス供給システム２を用いたガス使用系である処理装置４の一例について説明する。図１４はガス使用系である処理装置の一例を示す概略構成図である。まず図１４（Ａ）は、一度に複数枚の被処理体を処理するバッチ式の処理装置の一例を示し、図１４（Ｂ）は１枚ずつ被処理体を処理する枚葉式の処理装置の一例を示す。
図１４（Ａ）に示す場合の処理装置４は、例えばアニール処理を行う処理装置であり、この処理装置４は、例えば天井部を有して下端が開放された円筒体状の石英製処理容器１２０を有している。この処理容器１２０内へは、その下方より例えばウエハボートのような保持手段１２２が上昇、或いは下降されて挿脱可能に設けられ、処理容器１２０の下端は蓋部１２４により密閉される。そして、上記保持手段１２２には、被処理体として複数枚の半導体ウエハＷが多段に支持されている。
また処理容器１２０の下部には、圧力調整弁１２６及び真空ポンプ８が介設された真空排気系１２８が接続されており、上記処理容器１２０内を真空引きして所定の減圧雰囲気に維持できるようになっている。そして、上記処理容器１２０の外周には、これを囲むようにして円筒体状の加熱手段１３０が設けられており、上記ウエハＷを加熱するようになっている。また、この処理容器１２０には、これにガスを導入するためのガス導入手段６が設けられる。このガス導入手段６は、例えば処理容器１２０内の上下方向に沿って延びるガスノズルよりなる。
そして、このガス導入手段６に、前記第１〜第５実施例及び第１１、第１２実施例の内のいずれか１つの処理ガス供給システム２が接続されており、前述したようにＯ２ 濃度が極く微量にコントロールされたガスを処理ガスとして供給するようになっている。なお、特にガス流量が多い場合には処理容器内の温度雰囲気を冷却することがないよう、予めガスを加熱しておくための熱交換器（ガス加熱器）を流量制御器ＦＣ５から濃度測定器３０を経由してガス導入手段６に至る主ガス通路１４に設置することが望ましい。
この処理装置を用いれば、Ｍｎ膜やＣｕＭｎ膜が形成されている半導体ウエハＷに対してＯ２ 濃度が極めて薄く濃度調整された雰囲気下にてアニール処理を施すことができる。尚、必要な場合には、他の処理ガスも処理容器１２０内へ供給できるのは勿論である。また上記アニール処理を図１４（Ｂ）に示すような枚葉式の処理装置で行うようにしてもよい。
図１４（Ｂ）に示す場合の処理装置４は、薄膜、例えばＭｎ含有膜の成膜処理を行う処理装置であり、この処理装置４は、例えばアルミニウム合金等よりなる筒体状の処理容器１３４を有している。この処理容器１３４内には、被処理体である半導体ウエハＷを保持する保持手段１３６が設けられる。具体的には、この保持手段１３６は、容器底部より支柱１３８により起立された円板状の載置台１４０よりなり、この載置台１４０上にウエハＷが載置される。そして、この載置台１４０内には、例えばタングステンワイヤ等よりなる加熱手段１４２が設けられており、上記ウエハＷを加熱するようになっている。
この処理容器１３４の底部には、排気口１４４が設けられ、この排気口１４４には圧力調整弁１４６及び真空ポンプ８が順次介設された真空排気系１４８が接続されており、上記処理容器１３４内を真空引きして所定の減圧雰囲気に維持できるようになっており、この圧力調整弁１４６を動作させるため、処理容器１３４内には図示しない圧力計が設置されている。また真空排気系１４８は、処理ガスが不要な工程のときには、処理容器１３４内から処理ガスを速やかに排気させる必要があることから、必要に応じてターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）やイオンポンプ、スパッタイオンポンプ、ノーブルポンプ、チタンサブリメーションポンプ、クライオポンプ等の高真空排気系を設置することもできる。
そして、この処理容器１３４の天井部には、例えばシャワーヘッドよりなるガス導入手段６が設けられており、処理容器１３４内へ必要なガスを供給するようになっている。そして、このガス導入手段６にＭｎ原料を供給するＭｎ原料供給系１５２と、第６〜第１０実施例の内のいずれか１つの処理ガス供給システム２が接続されて、前述したようにＨ２ Ｏ濃度が極めて微量にコントロールされたガスを処理ガスとして供給するようになっている。
また上記Ｍｎ原料供給系１５２では、Ｍｎ原料として例えばＭｎ有機金属材料が用いられ、このガスを流量制御しつつ供給するようになっている。尚、この場合、Ｈ２ ＯとＭｎ原料とはシャワーヘッド（ガス導入手段）６内は別々で流れ、処理容器１３４内で初めて混合される、いわゆるポストミックスの供給方式となる。
この処理装置を用いれば、半導体ウエハＷ上に品質が良好なＭｎ含有膜を膜厚制御性良く形成することができる。尚、必要な場合には、他の処理ガスも処理容器１３４内へ供給できるのは勿論である。また、上記成膜処理を図１４（Ａ）に示すようなバッチ式の処理装置内で行うようにしてもよい。
以上の各実施例では、希釈ガスとしてＡｒガスを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、希釈ガスは、Ｎ２ 及び希ガス（Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ、Ｘｅ等）よりなる群から選択される１以上のガスを用いることができる。
また、ここで説明した各ガスの流量やガス濃度は単に一例を示したに過ぎず、これらの数値例に限定されないのは勿論である。
また、アニール処理される薄膜としては、Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ膜の他に、Ｃｕ膜、Ｃｏ膜、Ｗ膜、Ａｌ膜や、さらに高誘電率膜（ｈｉｇｈ−ｋ膜）等にも適用することができる。また上記各実施例では、処理ガスに、最大２段階に亘って希釈ガスを混合させて希釈するようにしたが、これに限定されるものではなく、３段階以上に亘って希釈ガスを混合させて処理ガスを希釈するようにしてもよい。この場合には、希釈段階数に見合った希釈ガス通路、余剰ガス排出通路、混合器等を設けてもよいのは勿論である。
また、上記実施例ではＯ２ ガス又は水分（水蒸気）を希釈して供給する場合を例にとって説明したが、これらのガスに限定されず、例えば複数の処理ガスを混合した後にこれを希釈して低濃度な希釈処理ガスを生成する場合にも適用可能である。さらに本発明は全てのガスの供給に際して適用できるのは勿論であり、反応促進剤、反応抑制剤、酸化剤、Ｈ２ 等の還元剤などのガスを微量添加する場合に特に有効である。
更には、図１４（Ｂ）に示す成膜処理では熱ＣＶＤによって、成膜する場合を例にとって説明したが、これに限定されず本発明はＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタ法、蒸着法等による成膜方法にも適用することができる。また更には、本発明は、成膜処理やアニール処理に限定されず、他の全ての処理、例えば酸化拡散処理、アッシング処理、改質処理等にも適用することができる。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第１実施例を示す構成図である。 主ガス通路と希釈ガス通路の接続部を示す図である。 処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第２実施例を示す構成図である。 処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第３実施例を示す構成図である。 処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第４実施例を示す構成図である。 処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第５実施例を示す構成図である。 処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第６実施例を示す構成図である。 処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第７実施例を示す構成図である。 処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第８実施例を示す構成図である。 処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第９実施例を示す構成図である。 処理装置に接続された本発明に係る処理ガス供給システムの第１０実施例を示す構成図である。 本発明に係る処理ガス供給システムの第１１実施例を示す部分構成図である。 本発明に係る処理ガス供給システムの第１２実施例を示す部分構成図である。 ガス使用系である処理装置の一例を示す概略構成図である。
符号の説明
２ 処理ガス供給システム
４ 処理装置（ガス使用系）
６ ガス導入手段
８ 真空ポンプ
１０，３４ 処理ガスタンク
１２ 希釈ガスタンク
１４ 主ガス通路
１６，３６ 希釈ガス通路
１８，３８ 混合器
２４，４０，５４ 余剰ガス排出通路
３０ 濃度測定器
３２ フィードバック制御部
４６ 再利用ガス通路
６６ 液体原料タンク
７２ 液体原料
７８ バブリング機構
９２ 圧力調整弁機構
１００ 処理ガス形成部
１０２ 原料ガス供給系
１０４ 反応部
１０６Ａ，１０６Ｂ 原料ガスタンク
ＦＣ１〜ＦＣ５ 流量制御器
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

Claims (37)

  1. ガス使用系に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システムにおいて、
    前記処理ガスを貯留する処理ガスタンクと、
    前記希釈ガスを貯留する希釈ガスタンクと、
    前記処理ガスタンクと前記ガス使用系とを接続する主ガス通路と、
    前記主ガス通路に介設した複数の流量制御器と、
    前記希釈ガスタンクから延びると共に、前記複数の流量制御器の内の最下流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路と、
    前記希釈ガス通路に介設される流量制御器と、
    前記複数の流量制御器の内の最上流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路と、
    を備えたことを特徴とする処理ガス供給システム。
  2. 前記処理ガスタンク内には、純粋な処理ガス、或いは希釈ガスにより所定の濃度に希釈された処理ガスが収容されていることを特徴とする請求項１記載の処理ガス供給システム。
  3. 前記余剰ガス排出通路は、該余剰ガス排出通路から排出された余剰ガスの全部、或いは一部を前記希釈ガスとして再利用するために再利用ガス通路を介して前記希釈ガス通路側へ接続されていることを特徴とする請求項１又は２記載の処理ガス供給システム。
  4. 前記余剰ガス排出通路は、該余剰ガス排出通路から排出される余剰ガスの全部、或いは一部を前記ガス使用系の真空ポンプに対するパージガスとして再利用するために再利用ガス通路を介して前記ガス使用系の真空ポンプ側へ接続されていることを特徴とする請求項１又は２記載の処理ガス供給システム。
  5. 前記再利用ガス通路には、該再利用ガス通路に流れる希釈された処理ガス中から処理ガスを吸収して除去し、希釈ガスを排出する処理ガス除去フィルタが介設されていることを特徴とする請求項３又は４記載の処理ガス供給システム。
  6. 前記ガス使用系の直前の前記主ガス通路、或いは前記ガス使用系には、前記処理ガスの濃度を測定する濃度測定器が設けられると共に、該濃度測定器の検出値に基づいて前記流量制御器をフィードバック制御するフィードバック制御部が設けられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  7. 前記フィードバック制御が行われる流量制御器は、前記主ガス通路に介設された前記流量制御器であることを特徴とする請求項６記載の処理ガス供給システム。
  8. 前記フィードバック制御が行われる流量制御器は、前記希釈ガス通路に介設された前記流量制御器であることを特徴とする請求項６記載の処理ガス供給システム。
  9. 前記希釈ガス通路の前記主ガス通路に対する各々の接続部には、混合器が設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  10. 前記処理ガスは、Ｏ２ ガスであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  11. 前記希釈ガスは、Ｎ２ ガス及び希ガスよりなる群より選択される１以上のガスよりなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  12. ガス使用系に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システムにおいて、
    前記処理ガスの液体原料を貯留する液体原料タンクと、
    前記希釈ガスを貯留する希釈ガスタンクと、
    前記液体原料タンクと前記ガス使用系とを接続する主ガス通路と、
    前記主ガス通路に介設した流量制御器と、
    前記希釈ガスタンクから延びると共に、前記流量制御器の下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路と、
    を備えたことを特徴とする処理ガス供給システム。
  13. 前記液体原料タンクからは、貯留されている前記液体原料の蒸気圧によって発生した処理ガスが流されて行くことを特徴とする請求項１２記載の処理ガス供給システム。
  14. ガス使用系に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システムにおいて、
    前記処理ガスの液体原料を貯留する液体原料タンクと、
    前記希釈ガスを貯留する希釈ガスタンクと、
    前記液体原料タンク内へ流量制御器により流量制御された希釈ガスを供給してバブリングにより前記液体原料を気化させて前記処理ガスを形成するバブリング機構と、
    前記液体原料タンクと前記ガス使用系とを接続する主ガス通路と、
    前記希釈ガスタンクから延びて前記主ガス通路に接続された希釈ガス通路と、
    前記希釈ガス通路に介設された流量制御器と、
    を備えたことを特徴とする処理ガス供給システム。
  15. 前記主ガス通路に介設された流量制御器と、
    該流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路と、
    を有することを特徴とする請求項１４記載の処理ガス供給システム。
  16. 前記主ガス通路に介設された複数の流量制御器と、
    前記複数の流量制御器の内の最下流側の流量制御器以外の各流量制御器の下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路と、
    前記希釈ガス通路に介設された流量制御器と、
    前記複数の流量制御器の内の最上流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路と、
    を有することを特徴とする請求項１４記載の処理ガス供給システム。
  17. 前記液体原料タンクの直ぐ下流側の主ガス通路には圧力調整弁機構が設けられていることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  18. 前記処理ガスは、水蒸気（Ｈ２ Ｏ）であることを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  19. ガス使用系に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システムにおいて、
    処理ガスを形成する処理ガス形成部と、
    希釈ガスを貯留する希釈ガスタンクと、
    前記処理ガス形成部と前記ガス使用系とを連通する主ガス通路と、
    前記主ガス通路に介設される１又は複数の流量制御器と、
    前記希釈ガスタンクから延びると共に前記１又は複数の流量制御器の上流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路と、
    前記希釈ガス通路に介設された流量制御器と、
    前記１又は複数の流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路と、
    を備えたことを特徴とする処理ガス供給システム。
  20. 前記処理ガス形成部は、
    前記処理ガスを形成するための複数の原料ガスを個別に流量制御しつつ供給する原料ガス供給系と、
    前記原料ガス供給系からの前記複数の原料ガスを反応させて前記処理ガスを形成する反応部と、
    を有することを特徴とする請求項１９記載の処理ガス供給システム。
  21. 前記複数の原料ガスはＨ２ ガスとＯ２ ガスであり、前記処理ガスは水蒸気（Ｈ２ Ｏ）であることを特徴とする請求項２０記載の処理ガス供給システム。
  22. 前記ガス使用系の直前の前記主ガス通路、或いは前記ガス使用系には、前記処理ガスの濃度を測定する濃度測定器が設けられると共に、該濃度測定器の検出値に基づいて前記流量制御器をフィードバック制御するフィードバック制御部が設けられることを特徴とする請求項１２乃至２１のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  23. 前記フィードバック制御が行われる流量制御器は、前記主ガス通路に介設された前記流量制御器、或いは前記処理ガス形成部に設けられた流量制御器であることを特徴とする請求項２２記載の処理ガス供給システム。
  24. 前記フィードバック制御が行われる流量制御器は、前記希釈ガス通路に介設された前記流量制御器であることを特徴とする請求項２２記載の処理ガス供給システム。
  25. 前記希釈ガス通路の前記主ガス通路に対する各々の接続部には、混合器が設けられていることを特徴とする請求項１２乃至２４のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  26. 前記希釈ガスは、Ｎ２ ガス及び希ガスよりなる群より選択される１以上のガスよりなることを特徴とする請求項１２乃至２５のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  27. 前記ガス使用系は、被処理体の表面に薄膜の成膜処理を行う成膜チャンバ、或いは薄膜が形成された被処理体に対してアニール処理を行うアニールチャンバであることを特徴とする請求項１乃至２６のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  28. 前記薄膜はＣｕＭｎ膜、高誘電率膜、Ｍｎ膜、及びＭｎ含有膜の内のいずれか１つであることを特徴とする請求項２７記載の処理ガス供給システム。
  29. 最下流側に位置する前記流量制御器の下流側の主ガス通路には、前記ガス使用系をバイパスして前記処理ガスを流して廃棄させる廃棄ガス排出通路が接続されていることを特徴とする請求項１乃至２８のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  30. 前記余剰ガス排出通路には、前記処理ガスの圧力が所定の圧力以上になると開動作する逆止弁が介在されていることを特徴とする請求項１乃至２９のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  31. 前記余剰ガス排出通路には、前記逆止弁よりも上流側にニードル弁が介在されていることを特徴とする請求項３０記載の処理ガス供給システム。
  32. 前記主ガス通路のガス圧力を測定する圧力計と、
    前記余剰ガス排出通路の途中に介設された圧力調整弁と、
    前記圧力計の測定値に基づいて前記圧力調整弁の弁開度を制御する弁制御部と、
    を備えたことを特徴とする請求項１乃至２９のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  33. 前記主ガス通路において、前記余剰ガス排出通路の接続点と、該接続点よりも下流側における前記希釈ガス通路の接続点との間の主ガス通路部分は、他の主ガス通路部分よりもその内径が細くなされていることを特徴とする請求項１乃至３２のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  34. 前記主ガス通路には、処理ガス中の酸素濃度を測定するジルコニア式の濃度測定器を設け、該ジルコニア式の濃度測定器の検出値に基づいて前記流量制御器を制御するフィードバック制御部を設けるように構成したことを特徴とする請求項１乃至３３のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  35. 前記主ガス通路には、前記ジルコニア式の濃度測定器をバイパスさせるために開閉弁が介設された測定器バイパス管が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３４のいずれか一項に記載の処理ガス供給システム。
  36. 被処理体に対して所定の処理を施す処理装置において、
    前記被処理体を１枚、或いは複数枚収容することが可能な処理容器と、
    前記処理容器内で前記被処理体を保持する保持手段と、
    前記処理容器内へガスを導入するためのガス導入手段と、
    前記処理容器内を真空引きする真空排気系と、
    前記被処理体を加熱する加熱手段と、
    前記処理容器内へ希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給するために前記ガス導入手段に接続された請求項１乃至３５のいずれか一項に記載された処理ガス供給システムと、
    を備えたことを特徴とする処理装置。
  37. 前記真空排気系には、途中に開閉弁と真空ポンプが介設された主排気通路と、前記真空ポンプを迂回するように前記主排気通路に接続されると共に途中に開閉弁が介設された大気圧処理用のバイパス排気通路とを有することを特徴とする請求項３６記載の処理装置。
JP2008208782A 2007-08-30 2008-08-13 処理ガス供給システム及び処理装置 Ceased JP2009076881A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008208782A JP2009076881A (ja) 2007-08-30 2008-08-13 処理ガス供給システム及び処理装置
KR1020107001252A KR101140476B1 (ko) 2007-08-30 2008-08-28 처리 가스 공급 시스템 및 처리 장치
CN2008801011449A CN101765680B (zh) 2007-08-30 2008-08-28 处理气体供给系统及处理装置
US12/675,222 US20110139272A1 (en) 2007-08-30 2008-08-28 Process-gas supply and processing system
PCT/JP2008/065430 WO2009028619A1 (ja) 2007-08-30 2008-08-28 処理ガス供給システム及び処理装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007224759 2007-08-30
JP2008208782A JP2009076881A (ja) 2007-08-30 2008-08-13 処理ガス供給システム及び処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009076881A true JP2009076881A (ja) 2009-04-09

Family

ID=40611518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008208782A Ceased JP2009076881A (ja) 2007-08-30 2008-08-13 処理ガス供給システム及び処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20110139272A1 (ja)
JP (1) JP2009076881A (ja)
KR (1) KR101140476B1 (ja)
CN (1) CN101765680B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011026685A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Choshu Industry Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
US8531033B2 (en) 2009-09-07 2013-09-10 Advanced Interconnect Materials, Llc Contact plug structure, semiconductor device, and method for forming contact plug
JP2019129298A (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 株式会社豊田中央研究所 成膜装置および半導体装置の製造方法

Families Citing this family (302)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP5530118B2 (ja) * 2009-04-08 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 酸化マンガン膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI590335B (zh) * 2010-08-18 2017-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 膜形成設備及膜形成方法
CN102747338A (zh) * 2011-04-18 2012-10-24 北大方正集团有限公司 一种气体传输管路和二氧化硅沉积装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
NZ715286A (en) * 2013-06-11 2020-03-27 Univ Houston Fixed and portable coating apparatuses and methods
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
WO2016182648A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Method for controlling a processing system
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
DE102016105548A1 (de) * 2016-03-24 2017-09-28 Khs Plasmax Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Behältern
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10281263B2 (en) * 2016-05-02 2019-05-07 Kla-Tencor Corporation Critical dimension measurements with gaseous adsorption
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
CN107817139A (zh) * 2016-09-12 2018-03-20 东北林业大学 一种柴油车尾气稀释装置
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6948803B2 (ja) * 2017-03-02 2021-10-13 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、ガス供給方法及び成膜方法
JP6998664B2 (ja) * 2017-03-23 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 ガスクラスター処理装置およびガスクラスター処理方法
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10927459B2 (en) * 2017-10-16 2021-02-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for atomic layer deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7096004B2 (ja) 2018-02-07 2022-07-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
JP7182988B2 (ja) 2018-10-12 2022-12-05 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、成膜装置及び原料ガス供給方法
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210063564A (ko) * 2019-11-25 2021-06-02 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN114959649A (zh) * 2022-05-19 2022-08-30 江苏微导纳米科技股份有限公司 一种基片处理设备和方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63184339A (ja) * 1987-01-27 1988-07-29 Tokyo Electron Ltd 酸化装置
JPH063318A (ja) * 1992-06-17 1994-01-11 Yokogawa Electric Corp ジルコニアガス分析計
JPH06295870A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Nippon Steel Corp 化学的気相成長装置
JPH07283210A (ja) * 1994-04-01 1995-10-27 Sony Corp 絶縁膜形成装置及び絶縁膜形成方法
JPH09269100A (ja) * 1996-03-31 1997-10-14 Furontetsuku:Kk 混合ガス供給配管系
JPH10122178A (ja) * 1996-10-16 1998-05-12 Ebara Corp 真空ポンプ及びそのパージ方法
JP2004179499A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 半導体エピタキシャルウェーハの製造装置
JP2005026455A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5240024A (en) * 1992-03-31 1993-08-31 Moore Epitaxial, Inc. Automated process gas supply system for evacuating a process line
FR2698288B1 (fr) * 1992-11-20 1994-12-23 Lair Liquide Procédé d'alimentation gazeuse notamment en diborane et silane.
US5777300A (en) * 1993-11-19 1998-07-07 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Processing furnace for oxidizing objects
KR100342720B1 (ko) * 1996-09-25 2002-11-29 슈즈리후렛샤 가이하쓰교도구미아이 고밀도액화가스를사용하는세정수단
US5865205A (en) * 1997-04-17 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Dynamic gas flow controller
US6799603B1 (en) * 1999-09-20 2004-10-05 Moore Epitaxial, Inc. Gas flow controller system
KR100332313B1 (ko) * 2000-06-24 2002-04-12 서성기 Ａｌｄ 박막증착장치 및 증착방법
US6938638B2 (en) * 2000-12-28 2005-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Gas circulating-processing apparatus
JP4335469B2 (ja) * 2001-03-22 2009-09-30 株式会社荏原製作所 真空排気装置のガス循環量調整方法及び装置
JP2002339071A (ja) * 2001-05-18 2002-11-27 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude Ａｌｃｖｄシステムにおける処理ガス供給機構
JP3495033B1 (ja) * 2002-09-19 2004-02-09 東京エレクトロン株式会社 無電解メッキ装置、および無電解メッキ方法
US6868869B2 (en) * 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
JP4478038B2 (ja) * 2004-02-27 2010-06-09 株式会社半導体理工学研究センター 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63184339A (ja) * 1987-01-27 1988-07-29 Tokyo Electron Ltd 酸化装置
JPH063318A (ja) * 1992-06-17 1994-01-11 Yokogawa Electric Corp ジルコニアガス分析計
JPH06295870A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Nippon Steel Corp 化学的気相成長装置
JPH07283210A (ja) * 1994-04-01 1995-10-27 Sony Corp 絶縁膜形成装置及び絶縁膜形成方法
JPH09269100A (ja) * 1996-03-31 1997-10-14 Furontetsuku:Kk 混合ガス供給配管系
JPH10122178A (ja) * 1996-10-16 1998-05-12 Ebara Corp 真空ポンプ及びそのパージ方法
JP2004179499A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 半導体エピタキシャルウェーハの製造装置
JP2005026455A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011026685A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Choshu Industry Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
US8531033B2 (en) 2009-09-07 2013-09-10 Advanced Interconnect Materials, Llc Contact plug structure, semiconductor device, and method for forming contact plug
JP2019129298A (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 株式会社豊田中央研究所 成膜装置および半導体装置の製造方法
JP7017084B2 (ja) 2018-01-26 2022-02-08 株式会社豊田中央研究所 成膜装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101765680A (zh) 2010-06-30
US20110139272A1 (en) 2011-06-16
KR20100039850A (ko) 2010-04-16
KR101140476B1 (ko) 2012-04-30
CN101765680B (zh) 2013-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009076881A (ja) 処理ガス供給システム及び処理装置
JP4590402B2 (ja) 基板の処理装置
US8235001B2 (en) Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US7883581B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20050136657A1 (en) Film-formation method for semiconductor process
JP4365785B2 (ja) 成膜装置
JP2008277762A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4235076B2 (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
KR100327282B1 (ko) 박막형성처리장치내의부착금속막의클리닝방법
US20070237895A1 (en) Method and system for initiating a deposition process utilizing a metal carbonyl precursor
US20240093361A1 (en) Vaporizer, processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
TW200909607A (en) Valve switching operation checking method, gas processing apparatus, and storage medium
JP4150356B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP4356943B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US7858522B2 (en) Method for reducing carbon monoxide poisoning in a thin film deposition system
JP2004206662A (ja) 処理装置及び処理方法
JP2010219145A (ja) 成膜装置
JP2009146939A (ja) 化合物薄膜半導体製造装置並びにアンモニアガスの供給装置及び方法
US20060231026A1 (en) Vapor deposition systems having separate portions configured for purging using different materials
WO2021193480A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP5060375B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20240060179A1 (en) Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method
WO2007117803A2 (en) Method for introducing a precursor gas to a vapor deposition system
CN117769453A (zh) 具有缓冲罐的升华气体供应系统和升华气体供应方法
KR20090109058A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130305

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130416

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130514

A045 Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20131001