JP2002339071A - Ａｌｃｖｄシステムにおける処理ガス供給機構 - Google Patents

Ａｌｃｖｄシステムにおける処理ガス供給機構

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JP2002339071A JP2001149292A JP2001149292A JP2002339071A JP 2002339071 A JP2002339071 A JP 2002339071A JP 2001149292 A JP2001149292 A JP 2001149292A JP 2001149292 A JP2001149292 A JP 2001149292A JP 2002339071 A JP2002339071 A JP 2002339071A
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ジャンマルク・ジラルド
Takako Kimura
孝子 木村
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LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
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Abstract

(57)【要約】 【課題】被処理基板のパーティクル汚染を伴うことな
く、処理ガスの切替えを高速に行うことが可能なＡＬＣ
ＶＤシステムにおける処理ガス供給機構を提供する。 【解決手段】ＡＬＣＶＤシステムはＣＶＤ処理部１０と
処理ガス供給部２０とを具備する。処理ガス供給部２０
は、反応ガスライン２４とキャリアガスライン２８とを
含み、これ等は合流して合流ライン３２となる。合流位
置よりも上流で反応ガスライン２４にベントライン３４
が接続される。ベントライン３４には、ストップバルブ
ＳＶ及びニードルバルブＮＶが配設される。ニードルバ
ルブＮＶは、ベントライン３４を流れるガスの流量を設
定するための設定手段として機能する。ストップバルブ
ＳＶは駆動制御部３８により開閉動作を繰返すように駆
動され、これにより反応ガスの供給と停止とが行われ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＡＬＣＶＤ（（Atom
ic Layer Chemical Vapor Deposition）システムにおけ
る処理ガス供給機構に関し、より具体的には、処理ガス
の供給と停止と間の切替え、或いは複数の処理ガス間の
供給の切替えを高速に行うための機能を有するこの種の
処理ガス供給機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤシステムで使用される処理操作モ
ードとしては大きく分けてバッチモードと連続流入モー
ドとがある。ＣＶＤシステムがバッチモードで使用され
る場合、反応ガス及びキャリアガスの両者に流量制御手
段は必要とされない。このモードでは、先ず、圧力が一
定値に達するまで処理室内に処理ガスが供給され、そし
て、処理ガスの供給ラインが閉鎖される。次に、排気ラ
インが開放され、処理室内が排気される（Morisita et
al., Applied Surface Science, 112 (1997), pp198-20
4を参照）。
【０００３】ＣＶＤシステムが連続流入モードで使用さ
れる場合、夫々の処理ガスの供給ラインにキャピラリー
を使用し、これによりガスの流量を制御することができ
る（Pathangey et al., Vacuum technology & coating,
May 2000, pp 33-41を参照）。各ガスに応じたバルブ
が開閉されることにより処理室に供給されるガスの切替
えが行われる。キャピラリー以外にマスフローコントロ
ーラによる制御を用いることができるが、キャピラリー
はガスの流れが瞬時に安定するという利点を有する。
【０００４】ＣＶＤまたはエピタキシャル処理室等の装
置に対して処理ガスを供給するための他の機構として、
ガスの供給に先立ってガスの分流を行うラインにより流
量を安定させる機構が知られている。この機構の場合、
処理室方向または処理室のバイパス方向に処理ガスを指
向させるため、２つ１組のバルブを有するブランチＴ構
造が使用される。２つのバルブはＮＯバルブ（通常開放
状態のバルブ）とＮＣバルブ（通常閉鎖状態のバルブ）
との組合わせからなり、同じ指令で同時に切替え操作さ
れる。
【０００５】同様な技術がＥＰ６６４４４９Ｂ１（Rong
e et al.）に開示される。ここでは微少レベルで不純物
を含むガスの一部及び全てが希釈ガスに混合されるか或
いは分岐される。分岐流量を調整することにより希釈度
を制御するため、分岐ライン上に、即ちオフラインの位
置にマスフローコントローラが配設される。ゼロガス状
態は不純物を含む副流の全てを分流させることにより実
現される。この技術では、不純物を含むガスの総流量が
オリフィスにより制限される一方、マスフローコントロ
ーラにより分岐流量が制御される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤ処理の１つの形
態として、ＡＬＣＶＤ処理が知られている。ＡＬＣＶＤ
処理とは、典型的には、処理室内に第１及び第２の反応
ガスを高い周期で交互に供給することにより、被処理基
板上においてガスの吸着と反応とを繰返し、原子層を積
層することにより所望の膜を形成する処理である。現
在、ＡＬＣＶＤ処理を行うためのＣＶＤシステムにおい
ては標準的なガスマニホルドが使用されている。
【０００７】ＡＬＣＶＤ処理をバッチモードで行うこと
を想定した場合、次のような問題点がある。即ち、この
場合、処理室内に第１の反応ガスを供給した後、第２の
反応ガスを供給するのに先立ち、処理室の排気及びサイ
クルパージが必要となる。これはＡＬＣＶＤに必要なガ
スの切替え回数（２０回から１０００回）を考慮すると
かなり時間を要する工程となる。更に、インラインバル
ブ（処理室へのガス供給ライン上に設けられたバルブ）
の操作回数も多くなる。バルブの操作によりパーティク
ルが発生するため、バルブの操作回数に比例して被処理
基板が汚染される確率が高くなる。従って、ＡＬＣＶＤ
処理をバッチモードで行うことを想定した場合、被処理
基板の汚染の確率はかなり高くなる。
【０００８】ＡＬＣＶＤ処理を連続流入モードで行うこ
とを想定した場合、次のような問題点がある。即ち、こ
の場合も、同様にインラインバルブ操作回数が重要な要
素となる。また、例えば、上述のPathangey et al.の装
置のような構造の場合、圧力が安定するまでガスが不均
一に流れるという問題、即ち、反応ガスラインのバルブ
を開いた瞬間はガスが大流量で流れ、その後徐々に流量
が安定するという問題がもたらされる可能性がある。更
に、バルブが閉鎖されると、キャピラリーが空になるに
つれて反応ガスの流れが減少する。これ等に要する時間
は無駄であり、各工程において動作が安定するまでの時
間も長くなり、結果的に全工程に掛る時間が長くなる。
【０００９】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、被処理基板のパーティクル汚染
を伴うことなく、処理ガスの供給と停止との間の切替
え、或いは複数の処理ガス間の供給の切替えを高速に行
うことが可能なＡＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供
給機構を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の視点は、
被処理基板を収納するための気密な処理室と、前記処理
室を排気するため、排気ラインを介して前記処理室に接
続された真空排気部と、を具備するＡＬＣＶＤシステム
において、前記処理室に処理ガスを供給するため、前記
処理室に接続された処理ガス供給機構であって、流量制
御された第１反応ガスを供給するための第１反応ガスラ
インと、流量制御された第１副ガスを供給するための第
１副ガスラインと、前記第１反応ガス及び前記第１副ガ
スが合流する第１位置よりも上流で前記第１反応ガスラ
インに接続された第１ベントラインと、前記第１反応ガ
スラインから供給される前記第１反応ガスの流量をｍｆ
１とし、前記第１副ガスラインから供給される前記第１
副ガスの流量をｓｆ１とした時、前記第１ベントライン
を流れるガスの流量ｖｆ１を、ｍｆ１＜ｖｆ１＜ｓｆ１
＋ｍｆ１の条件を満足するように設定するため、前記第
１ベントライン上に配設された第１ベント設定手段と、
前記第１ベントラインを開閉するため、前記第１ベント
ライン上に配設された第１ベント開閉手段と、前記第１
ベント開閉手段が開閉動作を繰返すように、前記第１ベ
ント開閉手段を駆動するための第１駆動制御手段と、を
具備することを特徴とする。
【００１１】本発明の第２の視点は、第１の視点の機構
において、前記第１反応ガスライン及び前記第１副ガス
ラインが前記第１位置において合流することにより形成
された、前記処理室に対してガスを供給するための第１
合流ラインを更に具備することを特徴とする。
【００１２】本発明の第３の視点は、第１または第２の
視点の機構において、流量制御された第２反応ガスを供
給するための第２反応ガスラインと、流量制御された第
２副ガスを供給するための第２副ガスラインと、前記第
２反応ガスライン及び前記第２副ガスラインが第２位置
において合流することにより形成された、前記処理室に
対してガスを供給するための第２合流ラインと、前記第
２位置よりも上流で前記第２反応ガスラインに接続され
た第２ベントラインと、前記第２反応ガスラインから供
給される前記第２反応ガスの流量をｍｆ２とし、前記第
２副ガスラインから供給される前記第２副ガスの流量を
ｓｆ２とした時、前記第２ベントラインを流れるガスの
流量ｖｆ２を、ｍｆ２＜ｖｆ２＜ｓｆ２＋ｍｆ２の条件
を満足するように設定するため、前記第２ベントライン
上に配設された第２ベント設定手段と、前記第２ベント
ラインを開閉するため、前記第２ベントライン上に配設
された第２開閉手段と、前記第２開閉手段が、前記第１
開閉手段の開閉動作と同期して且つ開閉状態が逆となる
ように開閉動作を繰返すように、前記第２開閉手段を駆
動するための第２駆動制御手段と、を更に具備すること
を特徴とする。
【００１３】本発明の第４の視点は、被処理基板を収納
するための気密な処理室と、前記処理室を排気するた
め、排気ラインを介して前記処理室に接続された真空排
気部と、を具備するＡＬＣＶＤシステムにおいて、前記
処理室に処理ガスを供給するため、前記処理室に接続さ
れた処理ガス供給機構であって、流量制御された第１反
応ガスを供給するための第１反応ガスラインと、流量制
御された第１副ガスを供給するための第１副ガスライン
と、前記第１反応ガスライン及び前記第１副ガスライン
が第１位置において合流することにより形成された、前
記処理室に対してガスを供給するための第１合流ライン
と、前記第１位置よりも上流で前記第１反応ガスライン
に接続された第１反応ガスベントラインと、前記第１位
置よりも上流で前記第１副ガスラインに接続された第１
副ガスベントラインと、前記第１反応ガスラインから供
給される前記第１反応ガスの流量をｍｆ１とし、前記第
１副ガスラインから供給される前記第１副ガスの流量を
ｓｆ１とした時、前記第１反応ガスベントラインを流れ
るガスの流量ｖｆ１ｍを、ｍｆ１＜ｖｆ１ｍ＜ｍｆ１＋
ｓｆ１の条件を満足するように設定するため、前記第１
反応ガスベントライン上に配設された第１反応ガスベン
ト設定手段と、前記第１副ガスベントラインを流れるガ
スの流量ｖｆ１ｓを、ｓｆ１＜ｖｆ１ｓ＜ｓｆ１＋ｍｆ
１の条件を満足するように設定するため、前記第１副ガ
スベントライン上に配設された第１副ガスベント設定手
段と、前記第１反応ガスベントライン上に配設された前
記第１反応ガスベントラインを開閉するための第１反応
ガスベント開閉手段と、前記第１副ガスベントライン上
に配設された前記第１副ガスベントラインを開閉するた
めの第１副ガスベント開閉手段と、前記第１反応ガスベ
ント開閉手段及び第１副ガスベント開閉手段が、互いに
同期して且つ開閉状態が逆となるように開閉動作を繰返
すように、前記第１反応ガスベント開閉手段及び第１副
ガスベント開閉手段を駆動するための第１駆動制御手段
と、を具備することを特徴とする。
【００１４】本発明の第５の視点は、第４の視点の機構
において、流量制御された第２反応ガスを供給するため
の第２反応ガスラインと、流量制御された第２副ガスを
供給するための第２副ガスラインと、前記第２反応ガス
ライン及び前記第２副ガスラインが第２位置において合
流することにより形成された、前記処理室に対してガス
を供給するための第２合流ラインと、前記第２位置より
も上流で前記第２反応ガスラインに接続された第２反応
ガスベントラインと、前記第２位置よりも上流で前記第
２副ガスラインに接続された第２副ガスベントライン
と、前記第２反応ガスラインから供給される前記第２反
応ガスの流量をｍｆ２とし、前記第２副ガスラインから
供給される前記第２副ガスの流量をｖｆ２とした時、前
記第２反応ガスベントラインを流れるガスの流量ｖｆ２
ｍを、ｍｆ２＜ｖｆ２ｍ＜ｍｆ２＋ｖｆ２の条件を満足
するように設定するため、前記第２反応ガスベントライ
ン上に配設された第２反応ガスベント設定手段と、前記
第２副ガスベントラインを流れるガスの流量ｖｆ２ｓ
を、ｖｆ２＜ｖｆ２ｓ＜ｖｆ２＋ｍｆ２の条件を満足す
るように設定するため、前記第２副ガスベントライン上
に配設された第２副ガスベント設定手段と、前記第２反
応ガスベントライン上に配設された前記第２反応ガスベ
ントラインを開閉するための第２反応ガスベント開閉手
段と、前記第２副ガスベントライン上に配設された前記
第２副ガスベントラインを開閉するための第２副ガスベ
ント開閉手段と、前記第２反応ガスベント開閉手段及び
第２副ガスベント開閉手段が、互いに同期して且つ開閉
状態が逆となると共に前記第１反応ガスベント開閉手段
及び第１副ガスベント開閉手段の開閉動作と同期して且
つ開閉状態が逆となるように開閉動作を繰返すように、
前記第２反応ガスベント開閉手段及び第２副ガスベント
開閉手段を駆動するための第２駆動制御手段と、を更に
具備することを特徴とする。
【００１５】本発明の第６の視点は、第５の視点の機構
において、前記第１及び第２合流ラインが第３位置で合
流することにより形成された、前記処理室に対してガス
を供給するための供給ラインと、前記第３位置よりも上
流で前記第１合流ラインに接続された第１供給ベントラ
インと、前記第３位置よりも上流で前記第２合流ライン
に接続された第２供給ベントラインと、第１合流ライン
から供給されるガスの流量をｆ１とし、第２合流ライン
から供給されるガスの流量をｆ２とした時、第１供給ベ
ントラインを流れるガスの流量ｆ３ａを、ｆ１＜ｆ３ａ
＜ｆ１＋ｆ２の条件を満足するように設定するため、前
記第１供給ベントライン上に配設された第１供給ベント
設定手段と、第２供給ベントラインを流れるガスの流量
ｆ３ｂを、ｆ２＜ｆ３ｂ＜ｆ２＋ｆ１の条件を満足する
ように設定するため、前記第２供給ベントライン上に配
設された第２供給ベント設定手段と、前記第１供給ベン
トライン上に配設された前記第１供給ベントラインを開
閉するための第１供給ベント開閉手段と、前記第２供給
ベントライン上に配設された前記第２供給ベントライン
を開閉するための第２供給ベント開閉手段と、前記第１
供給ベント開閉手段及び第２供給ベント開閉手段が、互
いに同期して且つ開閉状態が逆となるように開閉動作を
繰返すように、前記第１供給ベント開閉手段及び第２供
給ベント開閉手段を駆動するための第３駆動制御手段
と、を更に具備することを特徴とする。
【００１６】本発明の第７の視点は、第６の視点の機構
において、前記第１及び第２供給ベントラインは合流し
て共通ベントラインを形成し、前記第１及び第２供給ベ
ント設定手段は、前記共通ベントライン上に配設された
共通の設定手段からなることを特徴とする。
【００１７】本発明の第８の視点は、第４乃至第７の視
点のいずれかの機構において、前記反応ガスベントライ
ンと前記副ガスベントラインとは合流して合流ベントラ
インを形成し、前記反応ガスベント設定手段と前記副ガ
スベント設定手段とは、前記合流ベントライン上に配設
された共通の設定手段からなることを特徴とする。
【００１８】本発明の第９の視点は、第１及び第５乃至
第７の視点のいずれかの機構において、前記第１及び第
２合流ラインは合流した後、供給ラインを介して前記処
理室に接続されると共に、前記処理ガス供給機構は、第
１及び第２合流ライン内の圧力を設定するため、前記供
給ライン上に配設された共通の圧力設定手段を更に具備
することを特徴とする。
【００１９】本発明の第１０の視点は、第３、第５乃至
第７及び第９の視点のいずれかの機構において、前記第
１及び第２副ガスラインは共通の元ラインから分岐した
ものであり、前記元ライン上に流量制御手段が配設され
ることを特徴とする。
【００２０】本発明の第１１の視点は、第３、第５乃至
第７、第９及び第１０の視点のいずれかの機構におい
て、前記第１及び第２駆動制御手段は共通の駆動制御部
を具備することを特徴とする。
【００２１】本発明の第１２の視点は、第１乃至第１１
の視点のいずれかの機構において、前記合流ライン内の
圧力を設定するため、前記合流ライン上に配設された圧
力設定手段を更に具備することを特徴とする。
【００２２】本発明の第１３の視点は、第１２の視点の
機構において、前記圧力設定手段は、前記合流ライン内
の圧力を設定圧力に維持するための自動圧力調節器から
なることを特徴とする。
【００２３】本発明の第１４の視点は、第１乃至第１３
の視点のいずれかの機構において、同じベントライン上
に配設された前記ベント設定手段と前記ベント開閉手段
とは別体の部材からなり、前記ベント開閉手段は前記ベ
ント設定手段の上流に配設されることを特徴とする。
【００２４】本発明の第１５の視点は、第１乃至第１４
の視点のいずれかの機構において、前記ベント設定手段
は、前記ベントラインを流れるガスの流量を変更可能な
デバイスからなることを特徴とする。
【００２５】本発明の第１６の視点は、第１乃至第１５
の視点のいずれかの機構において、前記ベントラインは
前記排気ラインに接続されることを特徴とする。
【００２６】更に、本発明の実施の形態には種々の段階
の発明が含まれており、開示される複数の構成要件にお
ける適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得
る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つ
かの構成要件が省略されることで発明が抽出された場
合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が
周知慣用技術で適宜補われるものである。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、以下の説明におい
て、略同一の機能及び構成を有する構成要素について
は、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行
う。
【００２８】図１は本発明の実施の形態に係る処理ガス
供給機構を適用したＡＬＣＶＤシステムを概略的に示す
配管図である。図１図示の如く、このシステムはＣＶＤ
処理部１０と処理ガス供給部２０とを具備する。この処
理ガス供給部２０は、キャリアガスに混合された状態で
供給される２つの反応ガスを切替えるための構造を有す
る。
【００２９】ＣＶＤ処理部１０は、半導体ウエハＷを支
持すると共に加熱するためのサセプタ１３が内部に配設
された気密な処理室１２を含む。処理室１２には、この
内部を排気すると共に所望の真空に設定するため、バタ
フライバルブ等の真空度調節器１５が配設された排気ラ
イン１４を介して真空排気部１６が接続される。処理室
１２にはまた、この内部に処理ガスを供給するため、供
給ライン１８を介して処理ガス供給部２０が接続され
る。
【００３０】処理ガス供給部２０は、第１及び第２反応
ガス源２２ａ、２２ｂから処理室１２へ第１及び第２反
応ガスを供給するための第１及び第２反応ガスライン２
４ａ、２４ｂと、キャリアガス源２６から処理室１２へ
キャリアガスを供給するためのキャリアガス元ライン２
８とを有する。キャリアガスライン元２８は途中の部分
が並列な２つの第１及び第２キャリアガスライン２８
ａ、２８ｂに分割される。第１反応ガスライン２４ａ及
び第１キャリアガスライン２８ａは位置Ｊａで合流し、
第１合流ライン３２ａとなる。第２反応ガスライン２４
ｂ及び第２キャリアガスライン２８ｂは位置Ｊｂで合流
し、第２合流ライン３２ｂとなる。第１及び第２合流ラ
イン３２ａ、３２ｂは合流して供給ライン１８となり、
処理室１２に接続される。
【００３１】なお、第１及び第２合流ライン３２ａ、３
２ｂを合流させて処理室１２に接続することは、本発明
において必須な要件ではない。第１及び第２反応ガスの
種類によっては、第１及び第２合流ライン３２ａ、３２
ｂを個別に処理室１２に接続した方が望ましい場合もあ
る。
【００３２】一方、合流位置Ｊａよりも上流の分岐位置
Ｄａで第１反応ガスライン２４ａに第１ベントライン３
４ａが接続される。また、合流位置Ｊｂよりも上流の分
岐位置Ｄｂで第２反応ガスライン２４ｂに第２ベントラ
イン３４ｂが接続される。第１及び第２ベントライン３
４ａ、３４ｂは途中から合流し、合流ベントライン３６
となる。合流ベントライン３６は、ＣＶＤ処理部１０の
排気ライン１４に対してバタフライバルブ１５と真空排
気部１６との間で接続される。
【００３３】第１反応ガスライン２４ａには、分岐位置
Ｄａよりも上流において、上流側から順に、バルブV１
ａ、圧力制御バルブＰＶ１ａ、圧力計Ｐ１ａ、バルブＶ
２ａ、較正（calibrated）オリフィスＯＲ１ａが配設さ
れる。また、分岐位置Ｄａと合流位置Ｊａとの間で、第
１反応ガスライン２４ａには分離バルブＶ３ａが配設さ
れる。同様に、第１反応ガスライン２４ｂには、第１反
応ガスライン２４ａ側と同様な位置に対応する部材V１
ｂ、ＰＶ１ｂ、Ｐ１ｂ、Ｖ２ｂ、ＯＲ１ｂ、Ｖ３ｂが配
設される。部材ＰＶ１ａ、ＯＲ１ａと、部材ＰＶ１ｂ、
ＯＲ１ｂとは、夫々、第１及び第２反応ガスライン２４
ａ、２４ｂに流れる第１及び第２反応ガスの流量を制御
するための制御手段として機能する。なお、部材ＰＶ１
ａ、ＯＲ１ａ及び／または部材ＰＶ１ｂ、ＯＲ１ｂに代
え、マスフローコントローラを使用することもできる。
【００３４】キャリアガスライン元２８には、第１及び
第２キャリアガスライン２８ａ、２８ｂに共通の流量制
御手段として、マスフローコントローラＦＣが配設され
る。合流位置Ｊａ、Ｊｂよりも上流で第１及び第２キャ
リアガスライン２８ａ、２８ｂにオリフィスＯＲ２ａ、
ＯＲ２ｂが夫々配設される。これ等の部材により、第１
及び第２キャリアガスライン２８ａ、２８ｂに流れるキ
ャリアガスの流量が制御される。
【００３５】供給ライン１８には圧力制御バルブ（自動
圧力調節器）ＰＶ２が配設される。圧力制御バルブＰＶ
２は第１及び第２合流ライン３２ａ、３２ｂの背圧を設
定維持するために機能する。但し、処理室１２内の圧力
が適当なものであるならば、圧力制御バルブＰＶ２を省
略することもできる。
【００３６】第１ベントライン３４ａには、上流側から
順に、ソレノイド駆動されるストップバルブＳＶａ及び
ニードルバルブＮＶａが配設される。同様に第２ベント
ライン３４ｂには、第１ベントライン３４ａと同様な位
置に対応する部材ＳＶｂ、ＮＶｂが配設される。ストッ
プバルブＳＶａ、ＳＶｂは夫々第１及び第２ベントライ
ン３４ａ、３４ｂを開閉するための開閉手段として機能
する。ニードルバルブＮＶａ、ＮＶｂは夫々第１及び第
２ベントライン３４ａ、３４ｂを流れるガスの流量を変
更設定するためのデバイス、即ち設定手段として機能す
る。なお、後述する態様で行う処理室１２への第１及び
第２反応ガスの切替えをシャープに行う観点から、スト
ップバルブＳＶａ、ＳＶｂはニードルバルブＮＶａ、Ｎ
Ｖｂよりも上流に配設されることが望ましい。
【００３７】ここで、ＣＶＤ処理時において、第１反応
ガスライン２４ａから供給される第１反応ガスの流量を
ｍｆ１とし、第１キャリアガスライン２８ａから供給さ
れる第１キャリアガスの流量をｓｆ１とした時、第１ベ
ントライン３４ａを流れるガスの流量ｖｆ１は、ｍｆ１
＜ｖｆ１＜ｓｆ１＋ｍｆ１の条件を満足するように設定
される。また、第２反応ガスライン２４ｂから供給され
る第２反応ガスの流量をｍｆ２とし、第２キャリアガス
ライン２８ｂから供給される第２キャリアガスの流量を
ｓｆ２とした時、第２ベントライン３４ｂを流れるガス
の流量ｖｆ２は、ｍｆ２＜ｖｆ２＜ｓｆ２＋ｍｆ２の条
件を満足するように設定される。
【００３８】更に、ニードルバルブＮＶａ、ＮＶｂの出
口において、第１及び第２ベントライン３４ａ、３４ｂ
内の圧力は、夫々第１及び第２合流ライン３２ａ、３２
ｂ内の圧力よりも低くなるように設定される。この観点
からも、第１及び第２ベントライン３４ａ、３４ｂが最
終的にＣＶＤ処理部１０の真空排気部１６に接続される
ことが望ましい。なお、第１及び第２ベントライン３４
ａ、３４ｂは、夫々独立した排気部に接続してもよい。
【００３９】ストップバルブＳＶａ、ＳＶｂは共通の駆
動制御部３８により開閉動作を繰返すように電気的に駆
動される。ここで、ストップバルブＳＶａ、ＳＶｂは互
いの開閉動作が同期して且つ開閉状態が逆となるように
駆動制御される。なお、ストップバルブＳＶａ、ＳＶｂ
として空圧駆動（ニューマチック駆動）されるタイプも
使用可能となる。この場合、駆動制御部３８もこれに対
応してエアシリンダ等に変更される。
【００４０】次に、図１図示のＡＬＣＶＤシステムにお
ける第１及び第２反応ガスの切替え方法について説明す
る。図２（ａ）〜（ｄ）はこの切替え方法において、第
１及び第２反応ガスに対応する第１及び第２供給部分の
夫々において行われる操作を示す図である。第１及び第
２供給部分の操作は切替えバルブの開閉動作が互いに逆
になるだけで操作及び原理自体は全く同じであるから、
説明を単純化するため、一方の供給部分のみについて説
明する。従って、図２（ａ）〜（ｄ）及び以下の操作説
明においては、各部材を示す符号の末尾の「ａ」、
「ｂ」を省略して、両供給部分に共通の説明とする。ま
た、バルブＶ１〜Ｖ３、ＳＶの内、開放されているもの
は白抜きで、閉鎖されているものはハッチングを付して
示す。
【００４１】ＡＬＣＶＤ処理を開始する前は処理ガス供
給部２０をアイドルモードとする。アイドルモードで
は、図２（ａ）図示の如く、バルブＶ１、Ｖ３、ＳＶを
開放する一方、バルブＶ２を閉鎖する。このため、反応
ガスライン２４からは反応ガスは供給されず、一方、キ
ャリアガスライン２８からはキャリアガスが供給され
る。キャリアガスライン２８から供給されたキャリアガ
スＧｃの一部分はベントライン３４に流れ込み、その他
の部分は合流ライン３２に流れ込む。即ち、合流ライン
３２にはキャリアガスのみが流れて処理室１２に供給さ
れる。この時、ベントライン３４にもキャリアガスのみ
が流れる。
【００４２】ＡＬＣＶＤ処理を開始する直前に処理ガス
供給部２０を準備モードとする。準備モードでは、図２
（ｂ）図示の如く、バルブＶ２を開放する（ちなみにバ
ルブＶ１、Ｖ３、ＳＶも開放状態）。ここで、前述の如
く、反応ガスライン２４から供給される反応ガスの流量
をｍｆとし、キャリアガスライン２８から供給されるキ
ャリアガスの流量をｓｆとした時、ベントライン３４を
流れるガスの流量ｖｆは、ｍｆ＜ｖｆ＜ｓｆ＋ｍｆの条
件を満足するように設定される。また、ニードルバルブ
ＮＶの出口の圧力は合流ライン３２内の圧力よりも低く
なるように設定される。
【００４３】このため、準備モードにおいて、反応ガス
ライン２４から供給された反応ガスＧａの全てはベント
ライン３４に流れ込む。また、キャリアガスライン２８
から供給されたキャリアガスＧｃの一部分はベントライ
ン３４に流れ込み、その他の部分は合流ライン３２に流
れ込む。即ち、合流ライン３２にはキャリアガスのみが
流れて処理室１２に供給される。この時、ベントライン
３４には反応ガス及びキャリアガスが流れる。準備モー
ドは反応ガスの流れが安定するまで維持される。
【００４４】ＡＬＣＶＤ処理を開始するため、処理ガス
供給部２０を処理モードとする。処理モードでは、先
ず、図２（ｃ）図示の如く、バルブＳＶを閉鎖する（ち
なみにバルブＶ１〜Ｖ３は開放状態）。これにより、ベ
ントライン３４にガスは流れ込まなくなり、反応ガスラ
イン２４から供給された反応ガスＧａの全て、及びキャ
リアガスライン２８から供給されたキャリアガスＧｃの
全ては合流ライン３２に流れ込む。即ち、反応ガスはキ
ャリアガスに混合された状態で合流ライン３２を介して
処理室１２に供給される。
【００４５】次に、図２（ｄ）図示の如く、バルブＳＶ
を開放する（ちなみにバルブＶ１〜Ｖ３は開放状態）。
これにより、反応ガスライン２４から供給された反応ガ
スＧａの全ては再びベントライン３４に流れ込む。ま
た、キャリアガスライン２８から供給されたキャリアガ
スＧｃの一部分はベントライン３４に流れ込み、その他
の部分は合流ライン３２に流れ込む。即ち、合流ライン
３２にはキャリアガスのみが流れて処理室１２に供給さ
れる。この時、ベントライン３４には反応ガス及びキャ
リアガスが流れる。
【００４６】処理モードでは、図２（ｃ）、（ｄ）図示
の状態間の切替えを高い周期で繰返す。このような切替
え操作を、第１及び第２供給部分間で対応するバルブの
開閉動作が互いに逆になるように制御することにより、
処理室１２内のウエハＷにおいて第１及び第２反応ガス
の吸着と反応とを繰返し、原子層を積層することにより
所望の膜を形成することができる。なお、望ましくは、
第１及び第２反応ガスを切替える間に、キャリアガスに
より処理室１２内のパージを行う時間を少し設けるよう
に制御を行う。
【００４７】図１及び図２（ａ）〜（ｄ）を参照して説
明したように、このＡＬＣＶＤシステムにおいては、第
１及び第２反応ガスの切替えに、インラインバルブ（処
理室へのガス供給ライン上に設けられたバルブ）の開閉
が不要となる。このため、ウエハＷのパーティクル汚染
を伴うことなく、処理ガスの切替えを高速に行うことが
可能となる。
【００４８】ニードルバルブＮＶにより制限されるベン
トライン３４における流量は以下のような理論に基づい
て設定することができる。即ち、ＡＬＣＶＤ処理で必要
とされる反応ガスの流量は処理条件から予め与えられ
る。従って、反応ガスの流量に基づいて、ベントライン
３４を流れるガスの流量が反応ガスの流量よりも大きく
なるように、ニードルバルブＮＶによる流量制限の流量
係数Ｃｖを算出することができる。ここで、ニードルバ
ルブＮＶの入口の圧力は合流ライン３２の圧力に概ね等
しく、出口の圧力はＣＶＤ処理部１０の排気ライン１４
の圧力（処理圧力よりも十分低い）と概ね等しいものと
仮定することができる。上述のような流量及び圧力が分
かれば、Ｃｖの値は下記の式（１）によって容易に導く
ことができる。
【００４９】 Ｆ＝Ｃｖ×３９５×（Ｐｕ×（Ｐｕ−Ｐｄ）／（ｄ×Ｔ））1/2 …（１） ここで、Ｆは流量、ＰｕはニードルバルブＮＶの入口の
圧力、ＰｄはニードルバルブＮＶの出口の圧力、ｄはガ
ス密度（ＩＳ単位）を夫々表す。式（１）は音速以下の
条件（Ｐｕ＜２Ｐｄ）でのみ成り立つが、音速における
同様の式も知られている。
【００５０】なお、図１図示のＡＬＣＶＤシステムにお
いては下記のよう変更を行うことができる。
【００５１】先ず、キャリアガス元ライン２８は、２つ
のキャリアガスライン２８ａ、２８ｂに分割せず、第１
及び第２反応ガスライン２４ａ、２４ｂと合流させるこ
とができる。この場合、第１及び第２反応ガスライン２
４ａ、２４ｂの合流位置Ｊａ、Ｊｂは、単一のキャリア
ガス元ライン２８上で直列に配列されることとなる。
【００５２】反応ガスラインとキャリアガスラインとは
（第１反応ガスライン２４ａ及び第１キャリアガスライ
ン２８ａのペアー、及び／または第２反応ガスライン２
４ｂ及び第２キャリアガスライン２８ｂのペアー）、途
中で合流させず、直接処理室１２に接続することができ
る。この場合、処理室１２自体が反応ガスラインとキャ
リアガスラインとの合流位置として機能することとな
る。また、この場合、各ラインの背圧を設定維持するた
め、圧力制御バルブＰＶ２と同様な機能を提供する圧力
コントローラを、各ラインに必要に応じて配設すること
ができる。
【００５３】なお、全てのガスラインは適宜加熱手段を
付与することができる。これにより、ガスラインの内壁
上で発生する可能性のある反応ガスの液化または吸着を
防止することができる。
【００５４】反応ガスライン２４ａ、２４ｂにおけるガ
スの流量制御は、図１図示の圧力制御バルブＰＶ１ａ、
ＰＶ１ｂ及び較正オリフィスＯＲ１ａ、ＯＲ１ｂに代
え、マスフローコントローラ、ニードルバルブ、キャピ
ラリーチューブ等により行うことができる。
【００５５】反応ガスは各種のガス及び混合ガスの総称
である。混合ガスは２種類以上のガスを混合することに
よって、或いは液体または固体から発生した蒸気をキャ
リアガスに加えることによって得られる。例えば、原料
（前駆体）として固体を用いた場合、固体原料が設けら
れたカートリッジが反応ガスラインのキャリアガス流量
制御部の上流または下流に配置される。
【００５６】処理室１２の圧力が、ベントライン設定手
段（ニードルバルブＮＶａ、ＮＶｂ）により、合流ライ
ン３２ａ、３２ｂとベントライン３４ａ、３４ｂとの圧
力差を形成するのに適当でない場合、合流ライン３２
ａ、３２ｂ側の圧力を制御する必要がある。このため、
例えば、合流位置Ｊａ、Ｊｂよりも下流に圧力コントロ
ーラ、例えば、図１に仮想線で示すように、圧力制御バ
ルブＰＶ２ａ、ＰＶ２ｂを配設することができる。な
お、圧力制御バルブＰＶ２ａ、ＰＶ２ｂを配設する場
合、圧力制御バルブＰＶ２は配設しない。
【００５７】処理室１２側で行われる処理に３つ以上の
反応ガスが必要とされる場合、図１図示の構成に従っ
て、３つ以上の反応ガスラインを配設することができ
る。この場合、反応ガスの相互の反応性に基づいて、夫
々別のキャリアガスラインを使用する、或いは、２つ以
上の反応ガスで共通のキャリアガスラインを使用する等
の配置を採用することができる。
【００５８】図３は本発明の別の実施の形態に係る処理
ガス供給機構を適用したＡＬＣＶＤシステムを概略的に
示す配管図である。図１図示の如く、このシステムはＣ
ＶＤ処理部１０と処理ガス供給部６０とを具備する。こ
の処理ガス供給部６０は、キャリアガスに混合されない
状態で供給される２つ反応ガスを切替えるための構造を
有する。なお、ＣＶＤ処理部１０は図１図示のそれと同
じ構成を有する。また、処理ガス供給部６０は第１及び
第２反応ガスに対応する第１及び第２供給部分６０ａ、
６０ｂからなる。この両者は図１図示の処理ガス供給部
２０と同様、切替えバルブの開閉動作が互いに逆になる
だけで、構成、操作及び原理自体は全く同じものとな
る。従って、図３においては第１供給部分６０ａのみの
詳細を示す。
【００５９】処理ガス供給部６０の各供給部分は、反応
ガス源６２から処理室１２へ反応ガスを供給するための
反応ガスライン６４と、パージガス源６６から処理室１
２へパージガスを供給するためのパージガスライン６８
とを有する。反応ガスライン６４及びパージガスライン
６８は位置Ｊ１０で合流し、合流ライン７２となる。第
１及び第２供給部分６０ａ、６０ｂからの第１及び第２
合流ライン７２ａ、７２ｂは合流して供給ライン１８と
なり、処理室１２に接続される。
【００６０】なお、第１及び第２合流ライン７２ａ、７
２ｂを合流させて処理室１２に接続することは、本発明
において必須な要件ではない。第１及び第２反応ガスの
種類によっては、第１及び第２合流ライン７２ａ、７２
ｂを個別に処理室１２に接続した方が望ましい場合もあ
る。
【００６１】一方、合流位置Ｊ１０よりも上流の分岐位
置Ｄ１１で反応ガスライン６４に反応ガスベントライン
７４が接続される。また、合流位置Ｊ１０よりも上流の
分岐位置Ｄ１２でパージガスライン６８にパージガスベ
ントライン７５が接続される。両ベントライン７４、７
５は途中から合流し、合流ベントライン７６となる。合
流ベントライン７６は、ＣＶＤ処理部１０の排気ライン
１４に対してバタフライバルブ１５と真空排気部１６と
の間で接続される。
【００６２】反応ガスライン６４には、分岐位置Ｄ１１
よりも上流にマスフローコントローラＦＣ１１が配設さ
れる。また、分岐位置Ｄ１１と合流位置Ｊ１０との間
で、反応ガスライン６４には分離バルブＶ１１が配設さ
れる。同様に、パージガスライン６８には、分岐位置Ｄ
１２よりも上流にマスフローコントローラＦＣ１２が配
設される。マスフローコントローラＦＣ１１、ＦＣ１２
により、ガスライン６４、６８に流れるガスの流量が夫
々制御される。
【００６３】供給ライン１８には圧力制御バルブ（自動
圧力調節器）ＰＶ１２が配設される。圧力制御バルブＰ
Ｖ１２は第１及び第２合流ライン７２ａ、７２ｂの背圧
を設定維持するために機能する。但し、処理室１２内の
圧力が適当なものであるならば、圧力制御バルブＰＶ１
２を省略することもできる。
【００６４】反応ガスベントライン７４には、上流側か
ら順に、ソレノイド駆動されるストップバルブＳＶ１１
及びニードルバルブＮＶ１１が配設される。同様にパー
ジガスベントライン７５には、上流側から順に、ソレノ
イド駆動されるストップバルブＳＶ１２及びニードルバ
ルブＮＶ１２が配設される。ストップバルブＳＶ１１、
ＳＶ１２は夫々ベントライン７４、７５を開閉するため
の開閉手段として機能する。ストップバルブＳＶ１１、
ＳＶ１２はＮＯバルブ（通常開放状態のバルブ）とＮＣ
バルブ（通常閉鎖状態のバルブ）との組合わせからな
り、同じ指令で同時に切替え操作される。ニードルバル
ブＮＶ１１、ＮＶ１２は夫々ベントライン７４、７５を
流れるガスの流量を変更設定するためのデバイス、即ち
設定手段として機能する。なお、ストップバルブＳＶ１
１、ＳＶ１２はニードルバルブＮＶ１１、ＮＶ１２より
も上流に配設されることが望ましい。
【００６５】ここで、ＣＶＤ処理時において、反応ガス
ライン６４から供給される反応ガスの流量をｍｆとし、
パージガスライン６８から供給されるパージガスの流量
をｓｆとした時、反応ガスベントライン７４を流れるガ
スの流量ｖｆｍは、ｍｆ＜ｖｆｍ＜ｍｆ＋ｓｆの条件を
満足するように設定される。また、パージガスベントラ
イン７５を流れるガスの流量ｖｆｓは、ｓｆ＜ｖｆｓ＜
ｓｆ＋ｍｆの条件を満足するように設定される。
【００６６】更に、ニードルバルブＮＶ１１、ＮＶ１２
の出口において、ベントライン７４、７５内の圧力は、
合流ライン７２内の圧力よりも低くなるように設定され
る。この観点からも、ベントライン７４、７５が最終的
にＣＶＤ処理部１０の真空排気部１６に接続されること
が望ましい。
【００６７】ストップバルブＳＶ１１、ＳＶ１２は駆動
制御部７８により開閉動作を繰返すように電気的に駆動
される。駆動制御部７８は、第１及び第２供給部分６０
ａ、６０ｂに共通の駆動制御部として機能する。ここ
で、各供給部分６０ａ、６０ｂにおいて、ストップバル
ブＳＶ１１、ＳＶ１２は互いの開閉動作が同期して且つ
開閉状態が逆となるように駆動制御される。更に、第１
及び第２供給部分６０ａ、６０ｂ間においては、対応す
るバルブ同士６０ａ−ＳＶ１１、６０ｂ−ＳＶ１１；６
０ａ−ＳＶ１２、６０ｂ−ＳＶ１２が、互いに同期して
且つ開閉状態が逆となるように駆動制御される。なお、
ストップバルブＳＶ１１、ＳＶ１２として空圧駆動（ニ
ューマチック駆動）されるタイプも使用可能となる。こ
の場合、駆動制御部７８もこれに対応してエアシリンダ
等に変更される。
【００６８】次に、図３図示のＡＬＣＶＤシステムにお
ける第１及び第２反応ガスの切替え方法について説明す
る。図４（ａ）、（ｂ）はこの切替え方法の処理モード
において、各供給部分６０ａ、６０ｂにおいて行われる
操作を示す図である。ストップバルブＳＶ１１、ＳＶ１
２の内、開放されているものは白抜きで、閉鎖されてい
るものはハッチングを付して示す。なお、処理モードに
おいて、前述の如く、反応ガスライン６４から供給され
る反応ガスの流量をｍｆとし、パージガスライン６８か
ら供給されるパージガスの流量をｓｆとした時、反応ガ
スベントライン７４を流れるガスの流量ｖｆｍは、ｍｆ
＜ｖｆｍ＜ｍｆ＋ｓｆの条件を満足するように設定され
る。また、パージガスベントライン７５を流れるガスの
流量ｖｆｓは、ｓｆ＜ｖｆｓ＜ｓｆ＋ｍｆの条件を満足
するように設定される。更に、ニードルバルブＮＶ１
１、ＮＶ１２の出口において、ベントライン７４、７５
内の圧力は、合流ライン７２内の圧力よりも低くなるよ
うに設定される。
【００６９】処理モードにおいて、反応ガスを供給する
期間は、図４（ａ）図示の如く、バルブＳＶ１１を閉鎖
する一方、バルブＳＶ１２を開放する。これにより、パ
ージガスライン６８から供給されたパージガスＧｐの全
てはパージガスベントライン７５に流れ込む。また、反
応ガスベントライン７４にガスは流れ込まなくなるた
め、反応ガスライン６４から供給された反応ガスＧａの
全ては合流位置Ｊ１０まで流れる。ここから、反応ガス
Ｇａの一部分はパージガスベントライン７５に流れ込
み、その他の部分は合流ライン７２に流れ込む。即ち、
合流ライン７２には反応ガスのみが流れて処理室１２に
供給される。この時、パージガスベントライン７５には
反応ガスの一部とパージガスの全てとが流れる。
【００７０】一方、反応ガスを供給しない期間は、図４
（ｂ）図示の如く、バルブＳＶ１１を開放する一方、バ
ルブＳＶ１２を閉鎖する。これにより、反応ガスライン
６４から供給された反応ガスＧａの全ては反応ガスベン
トライン７４に流れ込む。また、パージガスベントライ
ン７５にガスは流れ込まなくなるため、パージガスライ
ン６８から供給されたパージガスＧｐの全ては合流位置
Ｊ１０まで流れる。ここから、パージガスＧｐの一部分
は反応ガスベントライン７４に流れ込み、その他の部分
は合流ライン７２に流れ込む。即ち、合流ライン７２に
はパージガスのみが流れて処理室１２に供給される。こ
の時、反応ガスベントライン７４にはパージガスの一部
と反応ガスの全てとが流れる。
【００７１】処理モードでは、図４（ａ）、（ｂ）図示
の状態間の切替えを高い周期で繰返す。このような切替
え操作を、第１及び第２供給部分６０ａ、６０ｂ間で対
応するバルブの開閉動作が互いに逆になるように制御す
ることにより、処理室１２内の上はＷにおいて第１及び
第２反応ガスの吸着と反応とを繰返し、原子層を積層す
ることにより所望の膜を形成することができる。なお、
望ましくは、第１及び第２反応ガスを切替える間に、パ
ージガスにより処理室１２内のパージを行う時間を少し
設けるように制御を行う。
【００７２】図３及び図４（ａ）、（ｂ）を参照して説
明したように、このＡＬＣＶＤシステムにおいても、第
１及び第２反応ガスの切替えに、インラインバルブの開
閉が不要となる。このため、ウエハＷのパーティクル汚
染を伴うことなく、処理ガスの切替えを高速に行うこと
が可能となる。
【００７３】図６は図３図示のＡＬＣＶＤシステムの反
応ガスベントライン７４及びパージガスベントライン７
５近傍部分の変更例を示す配管図である。この変更例に
係るシステムは、反応ガスベントライン７４及びパージ
ガスベントライン７５の流量を設定する手段を共通のニ
ードルバルブＮＶ１３で兼用した点で図３図示のシステ
ムと異なる。この構成は反応ガスの流量とパージガスの
流量とが十分に近い場合に可能となる。
【００７４】図５は本発明の更に別の実施の形態に係る
処理ガス供給機構を適用したＡＬＣＶＤシステムを概略
的に示す配管図である。この実施の形態に係るシステム
は図６図示の変更例のコンセプトを更に発展させた特徴
を有する。
【００７５】図５図示の如く、第１及び第２供給部分６
０ａ、６０ｂからの第１及び第２合流ライン７２ａ、７
２ｂは、合流位置Ｊ２０で合流して供給ライン１８とな
り、処理室１２に接続される。合流位置Ｊ２０よりも上
流の分岐位置Ｄ２０ａで第１合流ライン７２ａに第１供
給ベントライン８２ａが接続される。また、合流位置Ｊ
２０よりも上流の分岐位置Ｄ２０ｂで第２合流ライン７
２ｂに第２供給ベントライン８２ｂが接続される。両ベ
ントライン８２ａ、８２ｂは途中から合流して共通ベン
トライン８４となり、合流ベントライン７６に接続され
る。
【００７６】第１及び第２供給ベントライン８２ａ、８
２ｂには、ソレノイド駆動されるストップバルブＳＶ２
１ａ、ＳＶ２１ｂが夫々配設される。また、共通ベント
ライン８４には、第１及び第２供給ベントライン８２
ａ、８２ｂの流量を設定する共通の手段としてニードル
バルブＮＶ２０が配設される。ここで、第１合流ライン
７２ａから供給されるガスの流量をｆ１とし、第２合流
ライン７２ｂから供給されるガスの流量をｆ２とした
時、共通ベントライン８４を流れるガスの流量ｆ３は、
ｆ１＜ｆ３＜ｆ１＋ｆ２且つｆ２＜ｆ３＜ｆ２＋ｆ１の
条件を満足するように設定される。
【００７７】第１及び第２供給ベントライン８２ａ、８
２ｂ上のストップバルブＳＶ２１ａ、ＳＶ２１ｂは、第
１及び第２供給部分６０ａ、６０ｂのストップバルブＳ
Ｖ１１、ＳＶ１２と共通の駆動制御部７８により駆動さ
れる。具体的には、ストップバルブＳＶ２１ａ、ＳＶ２
１ｂは、第１及び第２合流ライン７２ａ、７２ｂに第１
及び第２反応ガスが交互に流れるタイミングに合わせ
て、互いの開閉動作が同期して且つ開閉状態が逆となる
ように駆動制御される。これにより、供給ライン１８に
は、第１及び第２反応ガスが交互に、パージガスに混合
されない状態で供給される。
【００７８】図５図示のＡＬＣＶＤシステムにおいて
も、第１及び第２反応ガスの切替えに、インラインバル
ブの開閉が不要となる。このため、ウエハＷのパーティ
クル汚染を伴うことなく、処理ガスの切替えを高速に行
うことが可能となる。また、供給ライン１８側に供給さ
れる状態において、第１及び第２反応ガスは一切混合す
ることがないため、良好な処理環境を維持することがで
きる。
【００７９】図７は図５図示のＡＬＣＶＤシステムの第
１及び第２供給ベントライン８２ａ、８２ｂ近傍部分の
変更例を示す配管図である。この変更例に係るシステム
は、第１及び第２供給ベントライン８２ａ、８２ｂの夫
々に流量を設定する手段としてニードルバルブＮＶ２１
ａ、ＮＶ２１ｂが配設されている点で図５図示のシステ
ムと異なる。ここで、第１合流ライン７２ａから供給さ
れるガスの流量をｆ１とし、第２合流ライン７２ｂから
供給されるガスの流量をｆ２とした時、第１供給ベント
ライン８２ａを流れるガスの流量ｆ３ａは、ｆ１＜ｆ３
ａ＜ｆ１＋ｆ２の条件を満足するように設定される。ま
た、第２供給ベントラインを流れるガスの流量ｆ３ｂ
は、ｆ２＜ｆ３ｂ＜ｆ２＋ｆ１の条件を満足するように
設定される。
【００８０】なお、図３図示のＡＬＣＶＤシステムおい
ても、図５或いは図７図示のように、第１及び第２合流
ライン７２ａ、７２ｂに第１及び第２供給ベントライン
８２ａ、８２ｂを付加することができる。また、図３乃
至図７図示のＡＬＣＶＤシステムにおいても、処理室１
２内の圧力が適当なものであるならば、供給ライン１８
上の圧力制御バルブＰＶ１２を省略することができる。
その他、図１図示のＡＬＣＶＤシステムの構成やそれに
可能な変更として述べた構成は、矛盾が生じない限り、
図３乃至図７図示のＡＬＣＶＤシステムにも適用するこ
とができる。
【００８１】その他、本発明の思想の範疇において、当
業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るも
のであり、それら変更例及び修正例についても本発明の
範囲に属するものと了解される。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理基板のパーティクル汚染を伴うことなく、処理ガ
スの供給と停止と間の切替え、或いは複数の処理ガス間
の供給の切替えを高速に行うことが可能なＡＬＣＶＤシ
ステムにおける処理ガス供給機構を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る処理ガス供給機構を
適用したＡＬＣＶＤシステムを概略的に示す配管図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、図１図示のＡＬＣＶＤシス
テムにおける第１及び第２反応ガスの切替え方法におい
て行われる操作を示す図。
【図３】本発明の別の実施の形態に係る処理ガス供給機
構を適用したＡＬＣＶＤシステムを概略的に示す配管
図。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、図３図示のＡＬＣＶＤシス
テムにおける第１及び第２反応ガスの切替え方法におい
て行われる操作を示す図。
【図５】本発明の更に別の実施の形態に係る処理ガス供
給機構を適用したＡＬＣＶＤシステムを概略的に示す配
管図。
【図６】図３図示のＡＬＣＶＤシステムの反応ガスベン
トライン及びパージガスベントライン近傍部分の変更例
を示す配管図。
【図７】図５図示のＡＬＣＶＤシステムの第１及び第２
供給ベントライン近傍部分の変更例を示す配管図。
【符号の説明】
１０…ＣＶＤ処理部 １２…処理室 １３…サセプタ １４…排気ライン １６…真空排気部 １８…供給ライン ２０…処理ガス供給部 ２４ａ、２４ｂ…第１及び第２反応ガスライン ２８ａ、２８ｂ…第１及び第２キャリアガスライン ３２ａ、３２ｂ…第１及び第２合流ライン ３４ａ、３４ｂ…第１及び第２ベントライン ３８…駆動制御部 ＰＶ１ａ、ＰＶ１ｂ、ＰＶ２…圧力制御バルブ ＯＲ１ａ、ＯＲ１ｂ、ＯＲ２ａ、ＯＲ２ｂ…オリフィス ＦＣ…マスフローコントローラ ＳＶａ、ＳＶｂ…ストップバルブ ＮＶａ、ＮＶｂ…ニードルバルブ ６０…処理ガス供給部 ６０ａ、６０ｂ…第１及び第２供給部分 ６４…反応ガスライン ６８…パージガスライン ７２ａ、７２ｂ…第１及び第２合流ライン ７４…反応ガスベントライン ７５…パージガスベントライン ７８…駆動制御部 ８２ａ、８２ｂ…第１及び第２供給ベントライン ＦＣ１１、ＦＣ１２…マスフローコントローラ ＳＶ１１、ＳＶ１２、ＳＶ２１ａ、ＳＶ２１ｂ…ストッ
プバルブ ＮＶ１１、ＮＶ１２、ＮＶ１３、ＮＶ２０、ＮＶ２１
ａ、ＮＶ２１ｂ…ニードルバルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 孝子 茨城県稲敷郡阿見町荒川本郷 1338−28 Ｆターム(参考） 4K030 BB11 CA04 CA12 EA01 EA11 JA05 KA41 LA12 LA15

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被処理基板を収納するための気密な処理室
    と、前記処理室を排気するため、排気ラインを介して前
    記処理室に接続された真空排気部と、を具備するＡＬＣ
    ＶＤシステムにおいて、前記処理室に処理ガスを供給す
    るため、前記処理室に接続された処理ガス供給機構であ
    って、 流量制御された第１反応ガスを供給するための第１反応
    ガスラインと、 流量制御された第１副ガスを供給するための第１副ガス
    ラインと、 前記第１反応ガス及び前記第１副ガスが合流する第１位
    置よりも上流で前記第１反応ガスラインに接続された第
    １ベントラインと、 前記第１反応ガスラインから供給される前記第１反応ガ
    スの流量をｍｆ１とし、前記第１副ガスラインから供給
    される前記第１副ガスの流量をｓｆ１とした時、前記第
    １ベントラインを流れるガスの流量ｖｆ１を、ｍｆ１＜
    ｖｆ１＜ｓｆ１＋ｍｆ１の条件を満足するように設定す
    るため、前記第１ベントライン上に配設された第１ベン
    ト設定手段と、 前記第１ベントラインを開閉するため、前記第１ベント
    ライン上に配設された第１ベント開閉手段と、 前記第１ベント開閉手段が開閉動作を繰返すように、前
    記第１ベント開閉手段を駆動するための第１駆動制御手
    段と、を具備することを特徴とするＡＬＣＶＤシステム
    における処理ガス供給機構。
  2. 【請求項２】前記第１反応ガスライン及び前記第１副ガ
    スラインが前記第１位置において合流することにより形
    成された、前記処理室に対してガスを供給するための第
    １合流ラインを更に具備することを特徴とする請求項１
    に記載のＡＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供給機
    構。
  3. 【請求項３】流量制御された第２反応ガスを供給するた
    めの第２反応ガスラインと、 流量制御された第２副ガスを供給するための第２副ガス
    ラインと、 前記第２反応ガスライン及び前記第２副ガスラインが第
    ２位置において合流することにより形成された、前記処
    理室に対してガスを供給するための第２合流ラインと、 前記第２位置よりも上流で前記第２反応ガスラインに接
    続された第２ベントラインと、 前記第２反応ガスラインから供給される前記第２反応ガ
    スの流量をｍｆ２とし、前記第２副ガスラインから供給
    される前記第２副ガスの流量をｓｆ２とした時、前記第
    ２ベントラインを流れるガスの流量ｖｆ２を、ｍｆ２＜
    ｖｆ２＜ｓｆ２＋ｍｆ２の条件を満足するように設定す
    るため、前記第２ベントライン上に配設された第２ベン
    ト設定手段と、 前記第２ベントラインを開閉するため、前記第２ベント
    ライン上に配設された第２開閉手段と、 前記第２開閉手段が、前記第１開閉手段の開閉動作と同
    期して且つ開閉状態が逆となるように開閉動作を繰返す
    ように、前記第２開閉手段を駆動するための第２駆動制
    御手段と、を更に具備することを特徴とする請求項１ま
    たは２に記載のＡＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供
    給機構。
  4. 【請求項４】被処理基板を収納するための気密な処理室
    と、前記処理室を排気するため、排気ラインを介して前
    記処理室に接続された真空排気部と、を具備するＡＬＣ
    ＶＤシステムにおいて、前記処理室に処理ガスを供給す
    るため、前記処理室に接続された処理ガス供給機構であ
    って、 流量制御された第１反応ガスを供給するための第１反応
    ガスラインと、 流量制御された第１副ガスを供給するための第１副ガス
    ラインと、 前記第１反応ガスライン及び前記第１副ガスラインが第
    １位置において合流することにより形成された、前記処
    理室に対してガスを供給するための第１合流ラインと、 前記第１位置よりも上流で前記第１反応ガスラインに接
    続された第１反応ガスベントラインと、 前記第１位置よりも上流で前記第１副ガスラインに接続
    された第１副ガスベントラインと、 前記第１反応ガスラインから供給される前記第１反応ガ
    スの流量をｍｆ１とし、前記第１副ガスラインから供給
    される前記第１副ガスの流量をｓｆ１とした時、前記第
    １反応ガスベントラインを流れるガスの流量ｖｆ１ｍ
    を、ｍｆ１＜ｖｆ１ｍ＜ｍｆ１＋ｓｆ１の条件を満足す
    るように設定するため、前記第１反応ガスベントライン
    上に配設された第１反応ガスベント設定手段と、 前記第１副ガスベントラインを流れるガスの流量ｖｆ１
    ｓを、ｓｆ１＜ｖｆ１ｓ＜ｓｆ１＋ｍｆ１の条件を満足
    するように設定するため、前記第１副ガスベントライン
    上に配設された第１副ガスベント設定手段と、 前記第１反応ガスベントライン上に配設された前記第１
    反応ガスベントラインを開閉するための第１反応ガスベ
    ント開閉手段と、 前記第１副ガスベントライン上に配設された前記第１副
    ガスベントラインを開閉するための第１副ガスベント開
    閉手段と、 前記第１反応ガスベント開閉手段及び第１副ガスベント
    開閉手段が、互いに同期して且つ開閉状態が逆となるよ
    うに開閉動作を繰返すように、前記第１反応ガスベント
    開閉手段及び第１副ガスベント開閉手段を駆動するため
    の第１駆動制御手段と、を具備することを特徴とするＡ
    ＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供給機構。
  5. 【請求項５】流量制御された第２反応ガスを供給するた
    めの第２反応ガスラインと、 流量制御された第２副ガスを供給するための第２副ガス
    ラインと、 前記第２反応ガスライン及び前記第２副ガスラインが第
    ２位置において合流することにより形成された、前記処
    理室に対してガスを供給するための第２合流ラインと、 前記第２位置よりも上流で前記第２反応ガスラインに接
    続された第２反応ガスベントラインと、 前記第２位置よりも上流で前記第２副ガスラインに接続
    された第２副ガスベントラインと、 前記第２反応ガスラインから供給される前記第２反応ガ
    スの流量をｍｆ２とし、前記第２副ガスラインから供給
    される前記第２副ガスの流量をｖｆ２とした時、前記第
    ２反応ガスベントラインを流れるガスの流量ｖｆ２ｍ
    を、ｍｆ２＜ｖｆ２ｍ＜ｍｆ２＋ｖｆ２の条件を満足す
    るように設定するため、前記第２反応ガスベントライン
    上に配設された第２反応ガスベント設定手段と、 前記第２副ガスベントラインを流れるガスの流量ｖｆ２
    ｓを、ｖｆ２＜ｖｆ２ｓ＜ｖｆ２＋ｍｆ２の条件を満足
    するように設定するため、前記第２副ガスベントライン
    上に配設された第２副ガスベント設定手段と、 前記第２反応ガスベントライン上に配設された前記第２
    反応ガスベントラインを開閉するための第２反応ガスベ
    ント開閉手段と、 前記第２副ガスベントライン上に配設された前記第２副
    ガスベントラインを開閉するための第２副ガスベント開
    閉手段と、 前記第２反応ガスベント開閉手段及び第２副ガスベント
    開閉手段が、互いに同期して且つ開閉状態が逆となると
    共に前記第１反応ガスベント開閉手段及び第１副ガスベ
    ント開閉手段の開閉動作と同期して且つ開閉状態が逆と
    なるように開閉動作を繰返すように、前記第２反応ガス
    ベント開閉手段及び第２副ガスベント開閉手段を駆動す
    るための第２駆動制御手段と、を更に具備することを特
    徴とする請求項４に記載のＡＬＣＶＤシステムにおける
    処理ガス供給機構。
  6. 【請求項６】前記第１及び第２合流ラインが第３位置で
    合流することにより形成された、前記処理室に対してガ
    スを供給するための供給ラインと、 前記第３位置よりも上流で前記第１合流ラインに接続さ
    れた第１供給ベントラインと、 前記第３位置よりも上流で前記第２合流ラインに接続さ
    れた第２供給ベントラインと、 第１合流ラインから供給されるガスの流量をｆ１とし、
    第２合流ラインから供給されるガスの流量をｆ２とした
    時、第１供給ベントラインを流れるガスの流量ｆ３ａ
    を、ｆ１＜ｆ３ａ＜ｆ１＋ｆ２の条件を満足するように
    設定するため、前記第１供給ベントライン上に配設され
    た第１供給ベント設定手段と、 第２供給ベントラインを流れるガスの流量ｆ３ｂを、ｆ
    ２＜ｆ３ｂ＜ｆ２＋ｆ１の条件を満足するように設定す
    るため、前記第２供給ベントライン上に配設された第２
    供給ベント設定手段と、 前記第１供給ベントライン上に配設された前記第１供給
    ベントラインを開閉するための第１供給ベント開閉手段
    と、 前記第２供給ベントライン上に配設された前記第２供給
    ベントラインを開閉するための第２供給ベント開閉手段
    と、 前記第１供給ベント開閉手段及び第２供給ベント開閉手
    段が、互いに同期して且つ開閉状態が逆となるように開
    閉動作を繰返すように、前記第１供給ベント開閉手段及
    び第２供給ベント開閉手段を駆動するための第３駆動制
    御手段と、を更に具備することを特徴とする請求項５に
    記載のＡＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供給機構。
  7. 【請求項７】前記第１及び第２供給ベントラインは合流
    して共通ベントラインを形成し、前記第１及び第２供給
    ベント設定手段は、前記共通ベントライン上に配設され
    た共通の設定手段からなることを特徴とする請求項６に
    記載のＡＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供給機構。
  8. 【請求項８】前記反応ガスベントラインと前記副ガスベ
    ントラインとは合流して合流ベントラインを形成し、前
    記反応ガスベント設定手段と前記副ガスベント設定手段
    とは、前記合流ベントライン上に配設された共通の設定
    手段からなることを特徴とする請求項４乃至７のいずれ
    かに記載のＡＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供給機
    構。
  9. 【請求項９】前記第１及び第２合流ラインは合流した
    後、供給ラインを介して前記処理室に接続されると共
    に、前記処理ガス供給機構は、第１及び第２合流ライン
    内の圧力を設定するため、前記供給ライン上に配設され
    た共通の圧力設定手段を更に具備することを特徴とする
    請求項３及び５乃至７のいずれかに記載のＡＬＣＶＤシ
    ステムにおける処理ガス供給機構。
  10. 【請求項１０】前記第１及び第２副ガスラインは共通の
    元ラインから分岐したものであり、前記元ライン上に流
    量制御手段が配設されることを特徴とする請求項３、５
    乃至７及び９のいずれかに記載のＡＬＣＶＤシステムに
    おける処理ガス供給機構。
  11. 【請求項１１】前記第１及び第２駆動制御手段は共通の
    駆動制御部を具備することを特徴とする請求項３、５乃
    至７、９及び１０いずれかに記載のＡＬＣＶＤシステム
    における処理ガス供給機構。
  12. 【請求項１２】前記合流ライン内の圧力を設定するた
    め、前記合流ライン上に配設された圧力設定手段を更に
    具備することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか
    に記載のＡＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供給機
    構。
  13. 【請求項１３】前記圧力設定手段は、前記合流ライン内
    の圧力を設定圧力に維持するための自動圧力調節器から
    なることを特徴とする請求項１２に記載のＡＬＣＶＤシ
    ステムにおける処理ガス供給機構。
  14. 【請求項１４】同じベントライン上に配設された前記ベ
    ント設定手段と前記ベント開閉手段とは別体の部材から
    なり、前記ベント開閉手段は前記ベント設定手段の上流
    に配設されることを特徴とする請求項１乃至１３のいず
    れかに記載のＡＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供給
    機構。
  15. 【請求項１５】前記ベント設定手段は、前記ベントライ
    ンを流れるガスの流量を変更可能なデバイスからなるこ
    とを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載のＡ
    ＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供給機構。
  16. 【請求項１６】前記ベントラインは前記排気ラインに接
    続されることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか
    に記載のＡＬＣＶＤシステムにおける処理ガス供給機
    構。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004079804A1 (ja) * 2003-03-03 2004-09-16 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体装置の製造方法
WO2004101845A1 (ja) * 2003-05-13 2004-11-25 Tokyo Electron Limited 原料ガスと反応性ガスとを用いる処理装置
WO2005024926A1 (ja) * 2003-09-05 2005-03-17 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
WO2008078518A1 (ja) * 2006-12-27 2008-07-03 Sharp Kabushiki Kaisha 半導体層製造方法および半導体層製造装置ならびにこれらを用いて製造される半導体デバイス
JP2011077083A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Ckd Corp プロセスガス供給システム
JP2020004957A (ja) * 2018-06-26 2020-01-09 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、部品の管理方法、基板処理装置及び基板処理プログラム

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7169231B2 (en) * 2002-12-13 2007-01-30 Lam Research Corporation Gas distribution system with tuning gas
US7534363B2 (en) * 2002-12-13 2009-05-19 Lam Research Corporation Method for providing uniform removal of organic material
US20040112540A1 (en) * 2002-12-13 2004-06-17 Lam Research Corporation Uniform etch system
JP4195837B2 (ja) * 2003-06-20 2008-12-17 東京エレクトロン株式会社 ガス分流供給装置及びガス分流供給方法
US7290572B2 (en) * 2005-07-10 2007-11-06 David James Silva Method for purging a high purity manifold
FR2881209B1 (fr) * 2005-01-21 2015-04-24 Snecma Moteurs Incinerateur de gaz installe sur un navire de transport de gaz liquefie
KR100725098B1 (ko) * 2005-11-17 2007-06-04 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 유량조절기 오동작 감지장치 및 그 방법
US20070175392A1 (en) * 2006-01-27 2007-08-02 American Air Liquide, Inc. Multiple precursor dispensing apparatus
US7932181B2 (en) * 2006-06-20 2011-04-26 Lam Research Corporation Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement
JP2009076881A (ja) * 2007-08-30 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd 処理ガス供給システム及び処理装置
WO2010001849A1 (ja) * 2008-07-04 2010-01-07 シャープ株式会社 真空処理装置及びガス供給方法
DE102008037160A1 (de) * 2008-08-08 2010-02-11 Krones Ag Versorgungsvorrichtung
US9040393B2 (en) * 2010-01-14 2015-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming semiconductor structure
US20130255784A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Applied Materials, Inc. Gas delivery systems and methods of use thereof
EP3120206B1 (en) * 2014-03-18 2019-01-02 O.M.T. Officina Meccanica Tartarini S.R.L. Apparatus and method for flow equipartition.
KR102389072B1 (ko) * 2016-10-18 2022-04-22 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 기상 제트 증착 디바이스 구성
US10927459B2 (en) * 2017-10-16 2021-02-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for atomic layer deposition
WO2021046666A1 (en) * 2019-09-09 2021-03-18 Qualcomm Incorporated Uplink transmission timing patterns
US11372431B1 (en) * 2021-05-10 2022-06-28 Bayotech, Inc. Multi-function three-stage pressure regulator

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5313982A (en) * 1988-07-08 1994-05-24 Tadahiro Ohmi Gas supply piping device for a process apparatus
JPH0644986B2 (ja) * 1988-05-08 1994-06-15 忠弘 大見 プロセスガス供給配管装置
US5225366A (en) * 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
FR2714968B1 (fr) 1994-01-07 1996-03-29 Air Liquide Procédé et dispositif de fourniture de gaz à un analyseur de traces d'impuretés dans un gaz.
US5865205A (en) * 1997-04-17 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Dynamic gas flow controller
US6296026B1 (en) * 1997-06-26 2001-10-02 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical delivery system having purge system utilizing multiple purge techniques
KR100275738B1 (ko) * 1998-08-07 2000-12-15 윤종용 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법
FI118342B (fi) * 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US6302139B1 (en) * 1999-07-16 2001-10-16 Advanced Technology Materials, Inc. Auto-switching gas delivery system utilizing sub-atmospheric pressure gas supply vessels
US6511539B1 (en) * 1999-09-08 2003-01-28 Asm America, Inc. Apparatus and method for growth of a thin film

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004079804A1 (ja) * 2003-03-03 2004-09-16 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体装置の製造方法
WO2004101845A1 (ja) * 2003-05-13 2004-11-25 Tokyo Electron Limited 原料ガスと反応性ガスとを用いる処理装置
WO2005024926A1 (ja) * 2003-09-05 2005-03-17 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
WO2008078518A1 (ja) * 2006-12-27 2008-07-03 Sharp Kabushiki Kaisha 半導体層製造方法および半導体層製造装置ならびにこれらを用いて製造される半導体デバイス
JP2008166366A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Sharp Corp 半導体層製造方法および半導体層製造装置ならびにこれらを用いて製造される半導体デバイス
JP4553891B2 (ja) * 2006-12-27 2010-09-29 シャープ株式会社 半導体層製造方法
US8389389B2 (en) 2006-12-27 2013-03-05 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor layer manufacturing method, semiconductor layer manufacturing apparatus, and semiconductor device manufactured using such method and apparatus
JP2011077083A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Ckd Corp プロセスガス供給システム
JP2020004957A (ja) * 2018-06-26 2020-01-09 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、部品の管理方法、基板処理装置及び基板処理プログラム
JP7254620B2 (ja) 2018-06-26 2023-04-10 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、部品の管理方法、基板処理装置及び基板処理プログラム

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