JPH10122178A - 真空ポンプ及びそのパージ方法 - Google Patents
真空ポンプ及びそのパージ方法Info
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- JPH10122178A JPH10122178A JP29437896A JP29437896A JPH10122178A JP H10122178 A JPH10122178 A JP H10122178A JP 29437896 A JP29437896 A JP 29437896A JP 29437896 A JP29437896 A JP 29437896A JP H10122178 A JPH10122178 A JP H10122178A
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- Japan
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- vacuum
- vacuum chamber
- process gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プロセスガスを循環させて再利用する真空シ
ステムに使用しても、この循環するプロセスガス中に本
来プロセスガスに含まれない窒素ガス等の不純物が含ま
れないようにする。 【解決手段】 真空チャンバ内に不活性ガスを含むプロ
セスガスを導入して該真空チャンバ内の被処理物と反応
させ、該ガスを真空チャンバ内から排気した後、この排
気されたガスの一部を再び真空チャンバ内に戻す真空シ
ステムで使用される真空ポンプ２０であって、前記真空
ポンプ２０の内部に導入してパージするパージガス２１
として、例えばウェハの酸化膜エッチングに使用される
プロセスガスに含まれる不活性ガスであるＡｒガスを使
用したことを特徴とする。
ステムに使用しても、この循環するプロセスガス中に本
来プロセスガスに含まれない窒素ガス等の不純物が含ま
れないようにする。 【解決手段】 真空チャンバ内に不活性ガスを含むプロ
セスガスを導入して該真空チャンバ内の被処理物と反応
させ、該ガスを真空チャンバ内から排気した後、この排
気されたガスの一部を再び真空チャンバ内に戻す真空シ
ステムで使用される真空ポンプ２０であって、前記真空
ポンプ２０の内部に導入してパージするパージガス２１
として、例えばウェハの酸化膜エッチングに使用される
プロセスガスに含まれる不活性ガスであるＡｒガスを使
用したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不活性ガスを含む
プロセスガスを循環させて再利用する真空システムに用
いる真空ポンプ及びそのパージ方法に関するものであ
る。
プロセスガスを循環させて再利用する真空システムに用
いる真空ポンプ及びそのパージ方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置、例えばエッチン
グ装置や化学気相成長装置（ＣＶＤ）にあっては、図２
に示すように、真空チャンバ１の内部に配置された被処
理物としてのウェハ２に向けて半導体製造に必要なプロ
セスガスをシャワーヘッド３から噴出してウェハ（被処
理物）２に対する処理を行い、真空チャンバ１内の処理
後のガスは、ゲート弁４を介してターボ分子ポンプや複
合分子ポンプ等の高真空ポンプ５で真空チャンバ１から
排気された後、フォアライン弁６から粗引きポンプ７を
介して大気に放出されていた。
グ装置や化学気相成長装置（ＣＶＤ）にあっては、図２
に示すように、真空チャンバ１の内部に配置された被処
理物としてのウェハ２に向けて半導体製造に必要なプロ
セスガスをシャワーヘッド３から噴出してウェハ（被処
理物）２に対する処理を行い、真空チャンバ１内の処理
後のガスは、ゲート弁４を介してターボ分子ポンプや複
合分子ポンプ等の高真空ポンプ５で真空チャンバ１から
排気された後、フォアライン弁６から粗引きポンプ７を
介して大気に放出されていた。
【０００３】ここに、前記プロセスガスとして腐食性ガ
スを含むガスを使用した場合、前記高真空システム５の
内部に腐食性ガスが侵入し、そのガスによって真空ポン
プ５の内部が腐食されてしまう。
スを含むガスを使用した場合、前記高真空システム５の
内部に腐食性ガスが侵入し、そのガスによって真空ポン
プ５の内部が腐食されてしまう。
【０００４】このため、高真空ポンプ５の内部の腐食性
ガスの濃度を希釈することを目的として、不活性ガスで
ある窒素ガスを真空ポンプ５の内部へパージすることに
より、例えばターボ型分子ポンプにおいては、ポンプ内
部の磁気軸受、モータ、センサ等を腐食性ガスから保護
し、また、ルーツ型真空ポンプにおいては、上記の他に
潤滑油のシールを目的として窒素ガスをパージすること
が広く行われていた。
ガスの濃度を希釈することを目的として、不活性ガスで
ある窒素ガスを真空ポンプ５の内部へパージすることに
より、例えばターボ型分子ポンプにおいては、ポンプ内
部の磁気軸受、モータ、センサ等を腐食性ガスから保護
し、また、ルーツ型真空ポンプにおいては、上記の他に
潤滑油のシールを目的として窒素ガスをパージすること
が広く行われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】最近、半導体製造装置
においては、ウェハの大口径化や成膜の高品質化のため
に多量のプロセスガスを使用する傾向にある。半導体製
造装置の真空チャンバに導入されるプロセスガスは、そ
の一部が反応に寄与しているだけであり、残りの大部分
は未反応のまま排出されてしまっている。そこで、将来
的には、図３に示すように、プロセスガスの有効利用を
図るために、ターボ型ポンプ等の高真空ポンプ５によっ
て真空チャンバ１から排出されたプロセスガスの一部を
再び真空チャンバ１に戻して、未反応のプロセスガスの
利用効率を高める工夫をする必要性が高くなる。
においては、ウェハの大口径化や成膜の高品質化のため
に多量のプロセスガスを使用する傾向にある。半導体製
造装置の真空チャンバに導入されるプロセスガスは、そ
の一部が反応に寄与しているだけであり、残りの大部分
は未反応のまま排出されてしまっている。そこで、将来
的には、図３に示すように、プロセスガスの有効利用を
図るために、ターボ型ポンプ等の高真空ポンプ５によっ
て真空チャンバ１から排出されたプロセスガスの一部を
再び真空チャンバ１に戻して、未反応のプロセスガスの
利用効率を高める工夫をする必要性が高くなる。
【０００６】即ち、同図に示すように、高真空ポンプ５
とフォアライン弁６との間から分岐して真空チャンバ１
の入口に戻るガス循環配管８を設け、このガス循環配管
８の内部に締切弁９を介装するとともに、前記フォアラ
イン弁６と粗引きポンプ７との間に流量調節弁１０を介
装することにより、この流量調節弁１０と前記締切弁９
を介して、前記ガス循環配管８内に流量Ｑ２のプロセス
ガスを循環させつつ、真空チャンバ１内に流量Ｑ１＋Ｑ
２のプロセスガスを導入し、流量Ｑ１のプロセスガスを
大気に放出するようにすることが考えられる。
とフォアライン弁６との間から分岐して真空チャンバ１
の入口に戻るガス循環配管８を設け、このガス循環配管
８の内部に締切弁９を介装するとともに、前記フォアラ
イン弁６と粗引きポンプ７との間に流量調節弁１０を介
装することにより、この流量調節弁１０と前記締切弁９
を介して、前記ガス循環配管８内に流量Ｑ２のプロセス
ガスを循環させつつ、真空チャンバ１内に流量Ｑ１＋Ｑ
２のプロセスガスを導入し、流量Ｑ１のプロセスガスを
大気に放出するようにすることが考えられる。
【０００７】しかしながら、上記のように構成した真空
システムの高真空ポンプ５として、前記従来例のよう
に、パージガスとして窒素ガスを使用した真空ポンプを
使用すると、窒素ガスがプロセスガスと共に真空チャン
バ１の内部に戻されることになり、窒素ガスは本来プロ
セスガスに含まれていないため、窒素ガスが真空チャン
バ１内での反応に悪影響を及ぼし、プロセスが正常に成
り立たないことがあると考えられる。
システムの高真空ポンプ５として、前記従来例のよう
に、パージガスとして窒素ガスを使用した真空ポンプを
使用すると、窒素ガスがプロセスガスと共に真空チャン
バ１の内部に戻されることになり、窒素ガスは本来プロ
セスガスに含まれていないため、窒素ガスが真空チャン
バ１内での反応に悪影響を及ぼし、プロセスが正常に成
り立たないことがあると考えられる。
【０００８】本発明は、これらの問題点を解消し、プロ
セスガスを循環させて再利用する真空システムに使用し
ても、この循環するプロセスガス中に本来プロセスガス
に含まれない窒素ガス等の不純物が含まれないようにし
た真空ポンプ及びそのパージ方法を提供することを目的
とする。
セスガスを循環させて再利用する真空システムに使用し
ても、この循環するプロセスガス中に本来プロセスガス
に含まれない窒素ガス等の不純物が含まれないようにし
た真空ポンプ及びそのパージ方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
真空チャンバ内に不活性ガスを含むプロセスガスを導入
して該真空チャンバ内の被処理物と反応させ、該ガスを
真空チャンバ内から排気した後、この排気されたガスの
一部を再び真空チャンバ内に戻す真空システムで使用さ
れる真空ポンプであって、前記真空ポンプの内部に導入
してパージするパージガスとして前記プロセスガスに含
まれる不活性ガスを使用したことを特徴とする真空ポン
プである。
真空チャンバ内に不活性ガスを含むプロセスガスを導入
して該真空チャンバ内の被処理物と反応させ、該ガスを
真空チャンバ内から排気した後、この排気されたガスの
一部を再び真空チャンバ内に戻す真空システムで使用さ
れる真空ポンプであって、前記真空ポンプの内部に導入
してパージするパージガスとして前記プロセスガスに含
まれる不活性ガスを使用したことを特徴とする真空ポン
プである。
【００１０】このように構成した本発明によれば、真空
ポンプの内部に導入したパージガスで真空ポンプの内部
を腐食性ガスから保護するとともに、必要に応じて軸受
の潤滑油をシールし、しかもこのパージガスは、プロセ
スガスに含まれる不活性ガスであるので、本来プロセス
ガスに含まれないガスを含むプロセスガスが真空チャン
バ内に戻って真空チャンバ内での反応へ悪影響を及ぼす
ことを防止することができる。
ポンプの内部に導入したパージガスで真空ポンプの内部
を腐食性ガスから保護するとともに、必要に応じて軸受
の潤滑油をシールし、しかもこのパージガスは、プロセ
スガスに含まれる不活性ガスであるので、本来プロセス
ガスに含まれないガスを含むプロセスガスが真空チャン
バ内に戻って真空チャンバ内での反応へ悪影響を及ぼす
ことを防止することができる。
【００１１】請求項２記載の発明は、真空チャンバ内に
Ａｒガスを含むプロセスガスを導入して該真空チャンバ
内の被処理物と反応させ、該ガスを真空チャンバ内から
排気した後、この排気されたガスの一部を再び真空チャ
ンバ内に戻す真空システムで使用される真空ポンプであ
って、前記真空ポンプの内部に導入してパージするパー
ジガスとして前記プロセスガスに含まれるＡｒガスを使
用したことを特徴とする真空ポンプである。
Ａｒガスを含むプロセスガスを導入して該真空チャンバ
内の被処理物と反応させ、該ガスを真空チャンバ内から
排気した後、この排気されたガスの一部を再び真空チャ
ンバ内に戻す真空システムで使用される真空ポンプであ
って、前記真空ポンプの内部に導入してパージするパー
ジガスとして前記プロセスガスに含まれるＡｒガスを使
用したことを特徴とする真空ポンプである。
【００１２】請求項３記載の発明は、真空チャンバ内に
不活性ガスを含むプロセスガスを導入して該真空チャン
バ内の被処理物と反応させ、該ガスを真空チャンバ内か
ら排気した後、この排気されたガスの一部を再び真空チ
ャンバ内に戻す真空システムで使用される真空ポンプの
内部に、前記プロセスガスに含まれる不活性ガスをパー
ジすることを特徴とする真空ポンプのパージ方法であ
る。
不活性ガスを含むプロセスガスを導入して該真空チャン
バ内の被処理物と反応させ、該ガスを真空チャンバ内か
ら排気した後、この排気されたガスの一部を再び真空チ
ャンバ内に戻す真空システムで使用される真空ポンプの
内部に、前記プロセスガスに含まれる不活性ガスをパー
ジすることを特徴とする真空ポンプのパージ方法であ
る。
【００１３】このように構成した本発明によれば、真空
ポンプの内部にプロセスガスに含まれる不活性ガスをパ
ージすることにより、真空ポンプの内部を腐食性ガスか
ら保護するとともに、必要に応じて軸受の潤滑油をシー
ルし、しかもプロセスガスに含まれる不活性ガスでパー
ジすることにより、本来プロセスガスに含まれないガス
を含むプロセスガスが真空チャンバ内に戻って真空チャ
ンバ内での反応へ悪影響を及ぼすことを防止することが
できる。
ポンプの内部にプロセスガスに含まれる不活性ガスをパ
ージすることにより、真空ポンプの内部を腐食性ガスか
ら保護するとともに、必要に応じて軸受の潤滑油をシー
ルし、しかもプロセスガスに含まれる不活性ガスでパー
ジすることにより、本来プロセスガスに含まれないガス
を含むプロセスガスが真空チャンバ内に戻って真空チャ
ンバ内での反応へ悪影響を及ぼすことを防止することが
できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
を参照して説明する。同図は、前記図３に示す高真空ポ
ンプ５として使用して最適なターボ分子ポンプ２０を示
す断面図であり、このターボ分子ポンプ（真空ポンプ）
２０は、この内部に被処理物と反応するプロセスガスに
含まれる不純物ガスをパージすることにより、この内部
が腐食性ガスから保護されるようになっている。
を参照して説明する。同図は、前記図３に示す高真空ポ
ンプ５として使用して最適なターボ分子ポンプ２０を示
す断面図であり、このターボ分子ポンプ（真空ポンプ）
２０は、この内部に被処理物と反応するプロセスガスに
含まれる不純物ガスをパージすることにより、この内部
が腐食性ガスから保護されるようになっている。
【００１５】例えば、前記図３において、Ａｒガス（不
活性ガス）を含むプロセスガスを使用して真空チャンバ
１内でウェハ２の表面の酸化膜のエッチング処理を行う
場合には、同図における高真空ポンプ５に使用されるタ
ーボ分子ポンプ２０のパージガス２１として、このプロ
セスガスに含まれるＡｒガスが使用されている。
活性ガス）を含むプロセスガスを使用して真空チャンバ
１内でウェハ２の表面の酸化膜のエッチング処理を行う
場合には、同図における高真空ポンプ５に使用されるタ
ーボ分子ポンプ２０のパージガス２１として、このプロ
セスガスに含まれるＡｒガスが使用されている。
【００１６】即ち、この例の場合、パージガス（Ａｒガ
ス）２１がパージガス導入孔２２からターボ分子ポンプ
２０の内部に導入され、このパージガス２１がアキシャ
ルセンサ２３の周囲を流れた後、主軸２４の外周面に沿
って、下部アキシャル磁極２５、上部アキシャル磁極２
６、下部ラジアルセンサ２７、下部ラジアル磁極２８、
モータ２９、上部ラジアル磁極３０及び上部ラジアルセ
ンサ３１と順次流れ、一方、ハーメチックコネクタ３２
の内部を別の流れが流れて、ターボ分子ポンプ２０の内
部に侵入した腐食性ガスの濃度を希釈することにより、
これらを腐食性ガスから保護して、排気口３３からプロ
セスガスと共に排気されるようになっている。
ス）２１がパージガス導入孔２２からターボ分子ポンプ
２０の内部に導入され、このパージガス２１がアキシャ
ルセンサ２３の周囲を流れた後、主軸２４の外周面に沿
って、下部アキシャル磁極２５、上部アキシャル磁極２
６、下部ラジアルセンサ２７、下部ラジアル磁極２８、
モータ２９、上部ラジアル磁極３０及び上部ラジアルセ
ンサ３１と順次流れ、一方、ハーメチックコネクタ３２
の内部を別の流れが流れて、ターボ分子ポンプ２０の内
部に侵入した腐食性ガスの濃度を希釈することにより、
これらを腐食性ガスから保護して、排気口３３からプロ
セスガスと共に排気されるようになっている。
【００１７】なお、同図において、付番４０は主軸２４
と一体に回転する動翼（軸受羽根）、４１はケーシング
に固定された静翼、４２は吸気フランジである。
と一体に回転する動翼（軸受羽根）、４１はケーシング
に固定された静翼、４２は吸気フランジである。
【００１８】このように構成したターボ分子ポンプ２０
を図３に示す高真空ポンプ５に使用することにより、タ
ーボ分子ポンプ２０の内部に導入したＡｒガス（パージ
ガス２１）でターボ分子ポンプ２０の内部を腐食性ガス
から保護し、しかもこのＡｒガスは、プロセスガスに元
々含まれている不活性ガスであるので、例えば窒素ガス
等の本来プロセスガスに含まれないガスを含むプロセス
ガスが真空チャンバ１内に戻って真空チャンバ内での反
応へ悪影響を及ぼすことを防止することができる。
を図３に示す高真空ポンプ５に使用することにより、タ
ーボ分子ポンプ２０の内部に導入したＡｒガス（パージ
ガス２１）でターボ分子ポンプ２０の内部を腐食性ガス
から保護し、しかもこのＡｒガスは、プロセスガスに元
々含まれている不活性ガスであるので、例えば窒素ガス
等の本来プロセスガスに含まれないガスを含むプロセス
ガスが真空チャンバ１内に戻って真空チャンバ内での反
応へ悪影響を及ぼすことを防止することができる。
【００１９】なお、図３において、例えばＨｅガス（不
活性ガス）を含むプロセスガスを使用して真空チャンバ
１内でウェハ２のＡｌエッチング処理を行う場合には、
ターボ分子ポンプ２０のパージガス２１として、このプ
ロセスガスに含まれるＨｅガスが使用される。これによ
って、Ｈｅガスでターボ分子ポンプ２０の内部を腐食性
ガスから保護し、しかも、例えば窒素ガス等の本来プロ
セスガスに含まれないガスを含むプロセスガスが真空チ
ャンバ１内に戻って真空チャンバ内での反応へ悪影響を
及ぼすことを防止することができる。
活性ガス）を含むプロセスガスを使用して真空チャンバ
１内でウェハ２のＡｌエッチング処理を行う場合には、
ターボ分子ポンプ２０のパージガス２１として、このプ
ロセスガスに含まれるＨｅガスが使用される。これによ
って、Ｈｅガスでターボ分子ポンプ２０の内部を腐食性
ガスから保護し、しかも、例えば窒素ガス等の本来プロ
セスガスに含まれないガスを含むプロセスガスが真空チ
ャンバ１内に戻って真空チャンバ内での反応へ悪影響を
及ぼすことを防止することができる。
【００２０】また、この例では、ターボ分子ポンプに適
用した例を示しているが、モレキュラードラッグポン
プ、ルーツ型真空ポンプ、スクリュー型真空ポンプ、ス
クロール型真空ポンプ等の他の真空ポンプに適用できる
ことは勿論である。この場合、軸受に潤滑油を用いた真
空ポンプにあっては、前記ＡｒガスやＨｅガス等のパー
ジガスは、軸受の潤滑油をシールする役割も果たす。
用した例を示しているが、モレキュラードラッグポン
プ、ルーツ型真空ポンプ、スクリュー型真空ポンプ、ス
クロール型真空ポンプ等の他の真空ポンプに適用できる
ことは勿論である。この場合、軸受に潤滑油を用いた真
空ポンプにあっては、前記ＡｒガスやＨｅガス等のパー
ジガスは、軸受の潤滑油をシールする役割も果たす。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真空チャンバ内にプロセスガスを導入して該真空チャン
バ内にある被処理物と反応させ、該ガスを真空チャンバ
から排気した後、その排気されたガスの一部を再び真空
チャンバ内に戻す真空システムに使用される真空ポンプ
の内部を、確実にパージしてこの腐食性ガスからの保護
を図るとともに、必要に応じて潤滑油をシールすること
ができ、しかも、真空チャンバ内にプロセスガスに含ま
れていないガスが導入されてしまうことを防止して、真
空チャンバ内での反応に悪影響を及ぼすことなくプロセ
スを実現することができる。
真空チャンバ内にプロセスガスを導入して該真空チャン
バ内にある被処理物と反応させ、該ガスを真空チャンバ
から排気した後、その排気されたガスの一部を再び真空
チャンバ内に戻す真空システムに使用される真空ポンプ
の内部を、確実にパージしてこの腐食性ガスからの保護
を図るとともに、必要に応じて潤滑油をシールすること
ができ、しかも、真空チャンバ内にプロセスガスに含ま
れていないガスが導入されてしまうことを防止して、真
空チャンバ内での反応に悪影響を及ぼすことなくプロセ
スを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す真空ポンプの断面
図。
図。
【図２】従来の真空システムを示す系統図。
【図３】仮想的で本発明の真空ポンプが適用される真空
システムを示す系統図。
システムを示す系統図。
【符号の説明】 １ 真空チャンバ ２ 被処理物（ウェハ） ５ 高真空ポンプ ８ ガス循環配管 ２０ ターボ分子ポンプ（真空ポンプ） ２１ パージガス（Ａｒガス）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中澤 敏治 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原電産内
Claims (3)
- 【請求項１】 真空チャンバ内に不活性ガスを含むプロ
セスガスを導入して該真空チャンバ内の被処理物と反応
させ、該ガスを真空チャンバ内から排気した後、この排
気されたガスの一部を再び真空チャンバ内に戻す真空シ
ステムで使用される真空ポンプであって、 前記真空ポンプの内部に導入してパージするパージガス
として前記プロセスガスに含まれる不活性ガスを使用し
たことを特徴とする真空ポンプ。 - 【請求項２】 真空チャンバ内にＡｒガスを含むプロセ
スガスを導入して該真空チャンバ内の被処理物と反応さ
せ、該ガスを真空チャンバ内から排気した後、この排気
されたガスの一部を再び真空チャンバ内に戻す真空シス
テムで使用される真空ポンプであって、 前記真空ポンプの内部に導入してパージするパージガス
として前記プロセスガスに含まれるＡｒガスを使用した
ことを特徴とする真空ポンプ。 - 【請求項３】 真空チャンバ内に不活性ガスを含むプロ
セスガスを導入して該真空チャンバ内の被処理物と反応
させ、該ガスを真空チャンバ内から排気した後、この排
気されたガスの一部を再び真空チャンバ内に戻す真空シ
ステムで使用される真空ポンプの内部に、前記プロセス
ガスに含まれる不活性ガスをパージすることを特徴とす
る真空ポンプのパージ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29437896A JPH10122178A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | 真空ポンプ及びそのパージ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29437896A JPH10122178A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | 真空ポンプ及びそのパージ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10122178A true JPH10122178A (ja) | 1998-05-12 |
Family
ID=17806954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29437896A Pending JPH10122178A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | 真空ポンプ及びそのパージ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10122178A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6938638B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gas circulating-processing apparatus |
| KR100877362B1 (ko) * | 2001-03-22 | 2009-01-07 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 진공시스템용 가스재순환흐름 제어방법 및 장치 |
| WO2009028619A1 (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Tokyo Electron Limited | 処理ガス供給システム及び処理装置 |
| JP2009076881A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理ガス供給システム及び処理装置 |
| JP2009175142A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-08-06 | Edwards Kk | 物理量計測装置及び該物理量計測装置を備えた磁気浮上装置、真空ポンプ |
| CN114576181A (zh) * | 2022-05-05 | 2022-06-03 | 成都高真科技有限公司 | 一种高真空涡轮分子泵 |
-
1996
- 1996-10-16 JP JP29437896A patent/JPH10122178A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6938638B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gas circulating-processing apparatus |
| KR100877362B1 (ko) * | 2001-03-22 | 2009-01-07 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 진공시스템용 가스재순환흐름 제어방법 및 장치 |
| WO2009028619A1 (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Tokyo Electron Limited | 処理ガス供給システム及び処理装置 |
| JP2009076881A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理ガス供給システム及び処理装置 |
| JP2009175142A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-08-06 | Edwards Kk | 物理量計測装置及び該物理量計測装置を備えた磁気浮上装置、真空ポンプ |
| JP2013101145A (ja) * | 2007-12-27 | 2013-05-23 | Edwards Kk | 真空ポンプ |
| CN114576181A (zh) * | 2022-05-05 | 2022-06-03 | 成都高真科技有限公司 | 一种高真空涡轮分子泵 |
| CN114576181B (zh) * | 2022-05-05 | 2022-07-05 | 成都高真科技有限公司 | 一种高真空涡轮分子泵 |
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