JPH06220641A - 化学的蒸着膜工程のための反応液体の気化 - Google Patents
化学的蒸着膜工程のための反応液体の気化Info
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- JPH06220641A JPH06220641A JP5315466A JP31546693A JPH06220641A JP H06220641 A JPH06220641 A JP H06220641A JP 5315466 A JP5315466 A JP 5315466A JP 31546693 A JP31546693 A JP 31546693A JP H06220641 A JPH06220641 A JP H06220641A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/10—Mixing gases with gases
- B01F23/12—Mixing gases with gases with vaporisation of a liquid
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S261/00—Gas and liquid contact apparatus
- Y10S261/65—Vaporizers
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- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大流量で液体を気化させ、かつ、液体とキャ
リアガスの流量を独自に制御する。 【構成】 気化器１２は、キャリアガスと加圧液体とが
与えられ、キャリアガスと気化液体との混合物を形成す
る。制御バルブ孔５０は、キャリア孔を介してキャリア
ガスを受け入れると共に、液体孔を介してその液体を受
け入れ、混合されたガスと蒸気とを、第３の孔を経由し
て制御バルブ孔５０から排出する。液体孔に対して隣接
して設けられた移動可能なダイアフラム５４は、圧力勾
配を有する気化領域を形成する。この圧力勾配を通過し
た液体は、膨脹のために気化される。液体流量モニター
に応答するフィードバック制御回路によってダイアムラ
ムの位置を制御することによって、この液体の流量はキ
ャリアガスの流量と独立に制御される。
リアガスの流量を独自に制御する。 【構成】 気化器１２は、キャリアガスと加圧液体とが
与えられ、キャリアガスと気化液体との混合物を形成す
る。制御バルブ孔５０は、キャリア孔を介してキャリア
ガスを受け入れると共に、液体孔を介してその液体を受
け入れ、混合されたガスと蒸気とを、第３の孔を経由し
て制御バルブ孔５０から排出する。液体孔に対して隣接
して設けられた移動可能なダイアフラム５４は、圧力勾
配を有する気化領域を形成する。この圧力勾配を通過し
た液体は、膨脹のために気化される。液体流量モニター
に応答するフィードバック制御回路によってダイアムラ
ムの位置を制御することによって、この液体の流量はキ
ャリアガスの流量と独立に制御される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に、制御された割合
で液体を気化させるための装置に関する。より詳細に
は、液体及びキャリアガスの流量を独自に制御する方法
で、急速な圧力低下状態で液体を気化させ、この気化さ
れた液体とキャリアガスとを混合する装置に関する。本
発明は、特に、気化された反応物を化学的蒸着システム
の反応室に供給するには好適である。
で液体を気化させるための装置に関する。より詳細に
は、液体及びキャリアガスの流量を独自に制御する方法
で、急速な圧力低下状態で液体を気化させ、この気化さ
れた液体とキャリアガスとを混合する装置に関する。本
発明は、特に、気化された反応物を化学的蒸着システム
の反応室に供給するには好適である。
【０００２】
【従来の技術】化学的蒸着（Chemical vapor depositio
n : CVD ）プロセスは、半導体デバイスや集積回路に使
用される薄膜の形成に広く用いられる。このようなプロ
セスは、基板上の同種の物質、或いは異種の物質からな
る化学的蒸気の反応の結果として生じる蒸着を伴う。こ
の反応速度は、たとえば、温度、圧力或いは反応ガスの
流量等によって制御される。このようなプロセスのため
の前駆物質（precursors）として、低蒸気圧の液体を使
用することは、いくつかの利点を有しており、この方法
がより一般的になりつつある。
n : CVD ）プロセスは、半導体デバイスや集積回路に使
用される薄膜の形成に広く用いられる。このようなプロ
セスは、基板上の同種の物質、或いは異種の物質からな
る化学的蒸気の反応の結果として生じる蒸着を伴う。こ
の反応速度は、たとえば、温度、圧力或いは反応ガスの
流量等によって制御される。このようなプロセスのため
の前駆物質（precursors）として、低蒸気圧の液体を使
用することは、いくつかの利点を有しており、この方法
がより一般的になりつつある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤプロセスの前に
は、バブラー或いはボイラーを用いて低蒸気圧液体の輸
送を行う。このプロセスにおいて、キャリアガスは、そ
の液体を十分に含有してその蒸気を輸送する。輸送され
る蒸気量は、下流の圧力、キャリアガスの流量、原料液
源（source liquid source）を収容したアンプル内の蒸
気圧等に依存する。このように、輸送される蒸気量は独
立したパラメータではないためその制御は困難である。
その結果、バブラーやボイラーを用いるＣＶＤプロセス
は、気化された反応物の流量を一貫して制御する能力を
明示しておらず、このことは、これらのプロセスによっ
て生産された膜の質を低下させる。
は、バブラー或いはボイラーを用いて低蒸気圧液体の輸
送を行う。このプロセスにおいて、キャリアガスは、そ
の液体を十分に含有してその蒸気を輸送する。輸送され
る蒸気量は、下流の圧力、キャリアガスの流量、原料液
源（source liquid source）を収容したアンプル内の蒸
気圧等に依存する。このように、輸送される蒸気量は独
立したパラメータではないためその制御は困難である。
その結果、バブラーやボイラーを用いるＣＶＤプロセス
は、気化された反応物の流量を一貫して制御する能力を
明示しておらず、このことは、これらのプロセスによっ
て生産された膜の質を低下させる。
【０００４】バブラーを用いたＣＶＤプロセスの付加的
な欠点は、これらのプロセスが高い薄膜蒸着速度を達成
するために必要な、多大な反応物流量を作り出すことが
困難であるということである。バブラーでは、反応物流
量を増加するには、バブラー温度を上昇させるか、或い
はキャリアガス流量を増大させることが要求される。し
かしながら、下流のハードウエアの信頼性は、定められ
た量を上回る温度の使用を制限し、また、蒸着膜の質に
おける、過度のキャリアガス流量の悪影響は、多大なキ
ャリアガス流量の使用を制限し、これは輸送されるべき
蒸気量を制限する。このように、輸送されるべき反応物
蒸気の量は、希望に反する制限を受けることになる。
な欠点は、これらのプロセスが高い薄膜蒸着速度を達成
するために必要な、多大な反応物流量を作り出すことが
困難であるということである。バブラーでは、反応物流
量を増加するには、バブラー温度を上昇させるか、或い
はキャリアガス流量を増大させることが要求される。し
かしながら、下流のハードウエアの信頼性は、定められ
た量を上回る温度の使用を制限し、また、蒸着膜の質に
おける、過度のキャリアガス流量の悪影響は、多大なキ
ャリアガス流量の使用を制限し、これは輸送されるべき
蒸気量を制限する。このように、輸送されるべき反応物
蒸気の量は、希望に反する制限を受けることになる。
【０００５】既知のボイラーでは、液体が加熱されて形
成される蒸気は、高温ガス流量コントローラを用いて制
御される。この装置構成において、輸送される蒸気量
は、下流のチャンバー圧力とボイラー温度に依存する。
しかしながら、半導体膜（たとえば、tetraethylorthos
ilane TEOS)の蒸着に用いられる一般的な液体の蒸気圧
は、通常の運転温度において非常に低い。この結果、ボ
イラーが高圧（たとえば、大気圧）ＣＶＤプロセスで使
用される際に、蒸気輸送の制限が生じる。ボイラーを液
体の沸騰温度に加熱することは、このようなプロセスの
ための蒸気輸送を明らかに改善することができるが、ボ
イラー温度は下流のハードウエアの信頼性にによって制
限されてしまう。
成される蒸気は、高温ガス流量コントローラを用いて制
御される。この装置構成において、輸送される蒸気量
は、下流のチャンバー圧力とボイラー温度に依存する。
しかしながら、半導体膜（たとえば、tetraethylorthos
ilane TEOS)の蒸着に用いられる一般的な液体の蒸気圧
は、通常の運転温度において非常に低い。この結果、ボ
イラーが高圧（たとえば、大気圧）ＣＶＤプロセスで使
用される際に、蒸気輸送の制限が生じる。ボイラーを液
体の沸騰温度に加熱することは、このようなプロセスの
ための蒸気輸送を明らかに改善することができるが、ボ
イラー温度は下流のハードウエアの信頼性にによって制
限されてしまう。
【０００６】先に提出された米国特許出願（出願番号０
７／９１２０２４）には、ＣＶＤプロセスについて記載
されており、このプロセスは、液体のビード（a bead o
f liquid) を越えて加熱されたキャリアガスを流すこと
によって蒸気が形成される。液体がキャリアガス内で気
化し、ＣＶＤのための反応物蒸気を作り出す。気化速度
は、ビード中の液体の流量を調整することによって制御
される。すなわち、大流量では、気化速度が液体の流量
に等しくなるまで、ビードのサイズと表面領域が増加す
る。しかしながら、上述の与えられた制限において、液
体流量の増加は、単なる部分的な気化となるであろう。
バブラー及びボイラー技術を越える、このプロセスの利
点は、液体流量を独自に制御するということである。し
かし、バブラー及びボイラー技術と同じように、この技
術は液体を気化させるために加熱蒸気に依存し、このた
め、結局、制限された気化速度を作り出す傾向がある。
７／９１２０２４）には、ＣＶＤプロセスについて記載
されており、このプロセスは、液体のビード（a bead o
f liquid) を越えて加熱されたキャリアガスを流すこと
によって蒸気が形成される。液体がキャリアガス内で気
化し、ＣＶＤのための反応物蒸気を作り出す。気化速度
は、ビード中の液体の流量を調整することによって制御
される。すなわち、大流量では、気化速度が液体の流量
に等しくなるまで、ビードのサイズと表面領域が増加す
る。しかしながら、上述の与えられた制限において、液
体流量の増加は、単なる部分的な気化となるであろう。
バブラー及びボイラー技術を越える、このプロセスの利
点は、液体流量を独自に制御するということである。し
かし、バブラー及びボイラー技術と同じように、この技
術は液体を気化させるために加熱蒸気に依存し、このた
め、結局、制限された気化速度を作り出す傾向がある。
【０００７】その結果、大流量で液体を気化させること
ができ、加えて、液体とキャリアガスの流量を独自に制
御する、信頼できかつ軽保守の液体気化器が、依然とし
て望まれている。本発明はこの要求に向けられる。
ができ、加えて、液体とキャリアガスの流量を独自に制
御する、信頼できかつ軽保守の液体気化器が、依然とし
て望まれている。本発明はこの要求に向けられる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、キャリアガス
と加圧液体とを受け入れる気化器を特徴とする。内部空
孔（internal cavity)はキャリア孔(carrier aperture)
を介してキャリアガスを受け入れ、液体孔(liquid aper
ture) を介して受け入れられる液体から形成される蒸気
をこのキャリアガスと混合する。混合されたガスと蒸気
は、第３の孔を経由してこの空孔から排出される。この
液体は、液体と気体との間の圧力差によって気化され
る。液体孔とこの空孔の残材（remainder)との間に圧力
勾配を形成するため、この液体孔よりも実質的に大きな
遮断要素はこの液体孔に隣接して配置される。この圧力
勾配を通過する液体は、膨脹のために気化される。
と加圧液体とを受け入れる気化器を特徴とする。内部空
孔（internal cavity)はキャリア孔(carrier aperture)
を介してキャリアガスを受け入れ、液体孔(liquid aper
ture) を介して受け入れられる液体から形成される蒸気
をこのキャリアガスと混合する。混合されたガスと蒸気
は、第３の孔を経由してこの空孔から排出される。この
液体は、液体と気体との間の圧力差によって気化され
る。液体孔とこの空孔の残材（remainder)との間に圧力
勾配を形成するため、この液体孔よりも実質的に大きな
遮断要素はこの液体孔に隣接して配置される。この圧力
勾配を通過する液体は、膨脹のために気化される。
【０００９】この発明の有利な点は、蒸発というよりも
むしろ圧力勾配下の膨脹により蒸気を形成し、このた
め、多くの半導体製作プロセスで必要とされるような高
流量で液体を気化することができるということである。
むしろ圧力勾配下の膨脹により蒸気を形成し、このた
め、多くの半導体製作プロセスで必要とされるような高
流量で液体を気化することができるということである。
【００１０】好ましい実施例として、遮断要素は液体の
流路を増減させるために液体孔に隣接した移動可能なダ
イアフラムである。この遮断要素は、圧電素子のよう
に、電気的に制御されるアクチュエータによって移動さ
れる。液体の流量を制御するために液体流量メーターが
接続され、液体入力ポート内の液体の流量を計測する。
フィードバック制御システムは、計測された流量と選択
値とを比較し、その流量が選択値に近付くように、圧電
アクチュエータを制御する。
流路を増減させるために液体孔に隣接した移動可能なダ
イアフラムである。この遮断要素は、圧電素子のよう
に、電気的に制御されるアクチュエータによって移動さ
れる。液体の流量を制御するために液体流量メーターが
接続され、液体入力ポート内の液体の流量を計測する。
フィードバック制御システムは、計測された流量と選択
値とを比較し、その流量が選択値に近付くように、圧電
アクチュエータを制御する。
【００１１】この発明の有利な点は、液体の流量はダイ
アフラムの動きによって単独に制御され、このため（上
述した従来の気化システムとは全く相違するように）、
液体の流量はキャリアガスの流量と独立であり、それゆ
え、より正確に制御することが可能である。
アフラムの動きによって単独に制御され、このため（上
述した従来の気化システムとは全く相違するように）、
液体の流量はキャリアガスの流量と独立であり、それゆ
え、より正確に制御することが可能である。
【００１２】さらに好ましい実施例において、液体が気
化した後、膨脹のために冷却された液体が、空孔内の壁
上に液化するのを防止するため、少なくとも空孔近傍の
バルブ本体を加熱装置で加熱する。
化した後、膨脹のために冷却された液体が、空孔内の壁
上に液化するのを防止するため、少なくとも空孔近傍の
バルブ本体を加熱装置で加熱する。
【００１３】
【実施例】さて図面を参照すると、より詳細には図１で
あり、ここには一段において液体流量制御と気化の双方
のために特に設計された気化器１２を用いた液体分配
（delivery) システムが示される。液体流量は、液体流
量モニター１４と気化器１２との間の閉ループシステム
によって制御される。このシステム１０では、ＴＥＯＳ
のような液体反応物（liquid reactant)１１、ホウ酸ト
リメチル、ホウ酸テトラエチル、リン酸テトラエチル、
亜リン酸テトラエチル、テトラキス（ジメチルアミノ）
チタニウムジエチルアナローグ、水等は、液体バルク分
配タンク１６から、通常の熱タイプか或いはプラズマ励
起タイプのＣＶＤプロセスチャンバー１８に分配され
る。例えば、このようなチャンバー１８は、以下に示す
米国特許の中に一般的に開示されている。すなわち、１
９９１年３月１９にAdamik等に与えられた米国特許５０
００１１３号、１９８７年５月２６日にFoster等に与え
られた米国特許４６６８３６５号、１９８６年４月１日
にBenzing 等に与えられた米国特許４５７９０８０号、
１９８５年１月２９日にBenzing 等に与えられた米国特
許４４９６６０９号、及び、１９８０年１１月４日にEa
st等に与えられた米国特許４２３２０６３号があり、各
記載内容は、これらの米国特許明細書を参照されたい。
あり、ここには一段において液体流量制御と気化の双方
のために特に設計された気化器１２を用いた液体分配
（delivery) システムが示される。液体流量は、液体流
量モニター１４と気化器１２との間の閉ループシステム
によって制御される。このシステム１０では、ＴＥＯＳ
のような液体反応物（liquid reactant)１１、ホウ酸ト
リメチル、ホウ酸テトラエチル、リン酸テトラエチル、
亜リン酸テトラエチル、テトラキス（ジメチルアミノ）
チタニウムジエチルアナローグ、水等は、液体バルク分
配タンク１６から、通常の熱タイプか或いはプラズマ励
起タイプのＣＶＤプロセスチャンバー１８に分配され
る。例えば、このようなチャンバー１８は、以下に示す
米国特許の中に一般的に開示されている。すなわち、１
９９１年３月１９にAdamik等に与えられた米国特許５０
００１１３号、１９８７年５月２６日にFoster等に与え
られた米国特許４６６８３６５号、１９８６年４月１日
にBenzing 等に与えられた米国特許４５７９０８０号、
１９８５年１月２９日にBenzing 等に与えられた米国特
許４４９６６０９号、及び、１９８０年１１月４日にEa
st等に与えられた米国特許４２３２０６３号があり、各
記載内容は、これらの米国特許明細書を参照されたい。
【００１４】液体バルク分配タンク１６は、タンク１６
内に延びる浸漬チューブ２０、及び、液体反応物１１を
タンクから押し出すため、液体反応物１１上部のヘッド
スペース（head space) ２６にヘリウムのような加圧ガ
スを供給するソース（source) ２４を有している。液体
流量モニター１４は、液体バルク分配タンク１６と気化
器１２の液体入力ポート３０との間に連結される。液体
の制御量は、気化によって液体を蒸気に変換する気化器
１２によって注入され、ヘリウム、窒素又はアルゴンな
どのキャリアガスにより、この蒸気はＣＶＤプロセスチ
ャンバー１８に輸送される。液体流量モニター１４から
の制御信号は、制御電子部（control electronics)３２
を経由して気化器１２の液体流量制御入力にフィードバ
ックされる。キャリアガスを収容するガスタンク３４
は、ガス流量を調節する質量流量（mass flow)コントロ
ーラー３８を通り、気化器１２のガス入力ポート３６に
連結される。
内に延びる浸漬チューブ２０、及び、液体反応物１１を
タンクから押し出すため、液体反応物１１上部のヘッド
スペース（head space) ２６にヘリウムのような加圧ガ
スを供給するソース（source) ２４を有している。液体
流量モニター１４は、液体バルク分配タンク１６と気化
器１２の液体入力ポート３０との間に連結される。液体
の制御量は、気化によって液体を蒸気に変換する気化器
１２によって注入され、ヘリウム、窒素又はアルゴンな
どのキャリアガスにより、この蒸気はＣＶＤプロセスチ
ャンバー１８に輸送される。液体流量モニター１４から
の制御信号は、制御電子部（control electronics)３２
を経由して気化器１２の液体流量制御入力にフィードバ
ックされる。キャリアガスを収容するガスタンク３４
は、ガス流量を調節する質量流量（mass flow)コントロ
ーラー３８を通り、気化器１２のガス入力ポート３６に
連結される。
【００１５】多くの適用において、液体反応物１１は毒
性(toxic) 、及び／又は苛性(caustic) の場合がある。
このシステム１０、このシステムの構成バルブ及びその
他の要素の整備（servicing)を容易にするため、パージ
ライン３９はガスタンク３４と液体流量モニター１４と
の間に連結されており、この結果、オペレータは液体反
応物１１や運転前の反応物の蒸気を、このシステム１０
から除くことができる。このシステムにおいてさらに反
応物の量を減じるため、このシステムから液体及び蒸気
を排出する目的で、真空ライン３１はパージライン３９
と連結して使用される。（真空ライン３１はＣＶＤプロ
セスチャンバー１８の真空装置と連結されている。） 遠隔制御可能な（例えば空気圧）バルブ１３と手動バル
ブ１５は、各ラインに挿入されている。これらのバルブ
は、通常の運転とパージ及び排気運転とを可能とするよ
うに開閉される。安全性を高め、かつ障害−許容範囲(f
ault-tolerance) を広げるため、遠隔制御バルブ１３を
備える各ラインは、遠隔制御バルブ１３が故障の際に手
動で閉め得る手動バルブ１５も備えている。
性(toxic) 、及び／又は苛性(caustic) の場合がある。
このシステム１０、このシステムの構成バルブ及びその
他の要素の整備（servicing)を容易にするため、パージ
ライン３９はガスタンク３４と液体流量モニター１４と
の間に連結されており、この結果、オペレータは液体反
応物１１や運転前の反応物の蒸気を、このシステム１０
から除くことができる。このシステムにおいてさらに反
応物の量を減じるため、このシステムから液体及び蒸気
を排出する目的で、真空ライン３１はパージライン３９
と連結して使用される。（真空ライン３１はＣＶＤプロ
セスチャンバー１８の真空装置と連結されている。） 遠隔制御可能な（例えば空気圧）バルブ１３と手動バル
ブ１５は、各ラインに挿入されている。これらのバルブ
は、通常の運転とパージ及び排気運転とを可能とするよ
うに開閉される。安全性を高め、かつ障害−許容範囲(f
ault-tolerance) を広げるため、遠隔制御バルブ１３を
備える各ラインは、遠隔制御バルブ１３が故障の際に手
動で閉め得る手動バルブ１５も備えている。
【００１６】気化器１２の詳細は、図２〜図５に示され
る。図２を参照すると、液体入力ポート３０は、バルブ
本体４２を通る流路４０によって、ピストン４６を収容
するバルブ孔（shut off valve bore)４４に連結され
る。閉止バルブが閉じられた場合には、ピストン４６
は、（図２に示すように）バルブ孔４４の内側面に抗し
て着座し、液体の流れを妨げる。いかなる好適な駆動手
段も、この着座位置の内外に、バルブ孔４４に沿ってバ
ルブピストン４６を移動するために使用することができ
る。一つの実施例において、ベローズスプリング４５
は、バルブ孔４４に抗してピストン（seat piston)４６
に向かう押圧力を発生し、閉止バルブを閉じる。開口４
１を経由する空洞（cavity) ４３内に圧縮空気を導入
し、ピストン４６に付勢力を発生し、かつ、このピスト
ン４６がバルブ孔４４から外に移動することにより閉止
バルブ（shut off valve) は開けられ、液体の流れを許
容する。別のタイプのバルブ、例えばダイアフラムバル
ブ等も閉止バルブとして使用することができる。
る。図２を参照すると、液体入力ポート３０は、バルブ
本体４２を通る流路４０によって、ピストン４６を収容
するバルブ孔（shut off valve bore)４４に連結され
る。閉止バルブが閉じられた場合には、ピストン４６
は、（図２に示すように）バルブ孔４４の内側面に抗し
て着座し、液体の流れを妨げる。いかなる好適な駆動手
段も、この着座位置の内外に、バルブ孔４４に沿ってバ
ルブピストン４６を移動するために使用することができ
る。一つの実施例において、ベローズスプリング４５
は、バルブ孔４４に抗してピストン（seat piston)４６
に向かう押圧力を発生し、閉止バルブを閉じる。開口４
１を経由する空洞（cavity) ４３内に圧縮空気を導入
し、ピストン４６に付勢力を発生し、かつ、このピスト
ン４６がバルブ孔４４から外に移動することにより閉止
バルブ（shut off valve) は開けられ、液体の流れを許
容する。別のタイプのバルブ、例えばダイアフラムバル
ブ等も閉止バルブとして使用することができる。
【００１７】バルブ本体４２内の通路或いは流路４８
は、バルブ孔４４を制御バルブ孔５０或いは空洞に連結
している。制御バルブ孔５０は、流路４８終端の孔４９
の直前に位置する、圧電部材５２とダイアフラム５４と
を有するピエゾ（piezo ）バルブを収容している。圧電
部材５２の電気的励振は、ダイアフラム５４を流路４８
の終端近くに、或いは終端から移動させ、これによって
液体流量を制御する。
は、バルブ孔４４を制御バルブ孔５０或いは空洞に連結
している。制御バルブ孔５０は、流路４８終端の孔４９
の直前に位置する、圧電部材５２とダイアフラム５４と
を有するピエゾ（piezo ）バルブを収容している。圧電
部材５２の電気的励振は、ダイアフラム５４を流路４８
の終端近くに、或いは終端から移動させ、これによって
液体流量を制御する。
【００１８】ピエゾバルブは、たとばＳＴＥＣ社製（京
都）から入手可能なモデルＩＶ１００Ｏ、ＩＶ２０００
タイプのような、商業的に使用可能な圧電バルブと共に
提供しても良い。一実施例として、そのバルブは、典型
的には０．３−０．６ｇ／ｍｉｎの流量で作動し、この
場合、ダイアフラム５４と孔４９とのギャップは、おお
よそ１０μｍである。（過度のギャップ長は制御バルブ
孔５０内で望ましくない故障（tuebarence) を引き起こ
す。）この実施例において、圧電バルブ（piezo-electr
ic valve) は、例えば、０ボルトの入力電圧でギャップ
が０μｍ、５ボルトの入力電圧でギャップが１０−１５
μｍ、また１５ボルトの入力電圧でギャップが３０μｍ
のように、０−３０μｍのギャップ調整範囲を与えるよ
うに選定し得る。このように、圧電バルブは、流量制御
を行うだけでなく、一時的に流量を完全に止めるために
も使用することが可能である。
都）から入手可能なモデルＩＶ１００Ｏ、ＩＶ２０００
タイプのような、商業的に使用可能な圧電バルブと共に
提供しても良い。一実施例として、そのバルブは、典型
的には０．３−０．６ｇ／ｍｉｎの流量で作動し、この
場合、ダイアフラム５４と孔４９とのギャップは、おお
よそ１０μｍである。（過度のギャップ長は制御バルブ
孔５０内で望ましくない故障（tuebarence) を引き起こ
す。）この実施例において、圧電バルブ（piezo-electr
ic valve) は、例えば、０ボルトの入力電圧でギャップ
が０μｍ、５ボルトの入力電圧でギャップが１０−１５
μｍ、また１５ボルトの入力電圧でギャップが３０μｍ
のように、０−３０μｍのギャップ調整範囲を与えるよ
うに選定し得る。このように、圧電バルブは、流量制御
を行うだけでなく、一時的に流量を完全に止めるために
も使用することが可能である。
【００１９】通常の圧電バルブは、例えば±１５ボルト
の電力を供給され、適切に動作する。通常、電力供給が
停止された場合には、このバルブは全開状態まで弛緩す
る。このように、電気的な故障に対する保護のため、ピ
ストン４６によってもたらされるようなポジティブ閉止
バルブ（positive shut off valve)に対して直列に圧電
バルブを連結することが賢明である。一方、異なる比率
の制御バルブ（different proportional control valv
e) は、ピエゾバルブの代用となることが可能であり、
流量制御及びポジティブ閉止（positive shut off ）の
双方に使用することができる。
の電力を供給され、適切に動作する。通常、電力供給が
停止された場合には、このバルブは全開状態まで弛緩す
る。このように、電気的な故障に対する保護のため、ピ
ストン４６によってもたらされるようなポジティブ閉止
バルブ（positive shut off valve)に対して直列に圧電
バルブを連結することが賢明である。一方、異なる比率
の制御バルブ（different proportional control valv
e) は、ピエゾバルブの代用となることが可能であり、
流量制御及びポジティブ閉止（positive shut off ）の
双方に使用することができる。
【００２０】図３及び図５によれば、ガス入力ポート３
６は、流路５８により、バルブ本体４２を経由して制御
バルブ孔５０と接続される。出力ポート６０は、流路６
２によりバルブ本体４２を経由して制御バルブ孔５０と
接続される。ハウジング５７はダイアフラム５４をバル
ブ本体４２に接した状態に維持する。ダイアフラム５４
は円筒形のセンターピストン６１を有しており、このセ
ンターピストン６１は弁座５３の表面に並行で、かつ、
この表面からの間隙（close space)を調整可能に位置さ
れる。ダイアフラム５４は厚い環状エッジ６３を有して
おり、この環状エッジ６３はバルブ本体４２に形成され
た円形の縁（ circular lip)５６上に載っている。ダイ
アフラム５４はステンレススチール或いは類似の可撓性
金属によって製造される。ダイアフラム５４の可動“ス
パイダー（spider）”部５９は、厚い環状エッジ６３と
円筒形のセンターピストン６１とを連結する、薄い（例
えば４０−５０ミリメートル）、弾力性のある環状シー
ト或いは薄膜で構成される。輪状のＯリングシール５５
はダイアフラム５４の環状エッジ６３と接しており、こ
れにより制御バルブ孔５０内に、蒸気／キャリア混合物
を収容できる。
６は、流路５８により、バルブ本体４２を経由して制御
バルブ孔５０と接続される。出力ポート６０は、流路６
２によりバルブ本体４２を経由して制御バルブ孔５０と
接続される。ハウジング５７はダイアフラム５４をバル
ブ本体４２に接した状態に維持する。ダイアフラム５４
は円筒形のセンターピストン６１を有しており、このセ
ンターピストン６１は弁座５３の表面に並行で、かつ、
この表面からの間隙（close space)を調整可能に位置さ
れる。ダイアフラム５４は厚い環状エッジ６３を有して
おり、この環状エッジ６３はバルブ本体４２に形成され
た円形の縁（ circular lip)５６上に載っている。ダイ
アフラム５４はステンレススチール或いは類似の可撓性
金属によって製造される。ダイアフラム５４の可動“ス
パイダー（spider）”部５９は、厚い環状エッジ６３と
円筒形のセンターピストン６１とを連結する、薄い（例
えば４０−５０ミリメートル）、弾力性のある環状シー
ト或いは薄膜で構成される。輪状のＯリングシール５５
はダイアフラム５４の環状エッジ６３と接しており、こ
れにより制御バルブ孔５０内に、蒸気／キャリア混合物
を収容できる。
【００２１】図４は、制御バルブ孔５０内の流路５８と
流路６２との間に配設された孔４９を示す。孔４９は、
制御バルブ孔５０内において液流の集中を防止するため
に、十分に大きな径を有している（孔４９があまりに小
さい場合、ピエゾバルブでは、その流量をもはや調整す
ることはできない）。図４の放射状の矢印は、オリィフ
ス４９から制御バルブ孔５０内への、液体の流れの方向
を示している。図４の円弧状の矢印は、流路５８から環
状の制御バルブ孔５０の周辺に沿って流路６２内へ向か
う、キャリアガスの流れの方向を示している（この場所
で、キャリアガスは気化された液体と混合される）。
流路６２との間に配設された孔４９を示す。孔４９は、
制御バルブ孔５０内において液流の集中を防止するため
に、十分に大きな径を有している（孔４９があまりに小
さい場合、ピエゾバルブでは、その流量をもはや調整す
ることはできない）。図４の放射状の矢印は、オリィフ
ス４９から制御バルブ孔５０内への、液体の流れの方向
を示している。図４の円弧状の矢印は、流路５８から環
状の制御バルブ孔５０の周辺に沿って流路６２内へ向か
う、キャリアガスの流れの方向を示している（この場所
で、キャリアガスは気化された液体と混合される）。
【００２２】図４は、また、（図５を参照して以下に述
べるように）ダイアフラム５４の面とかみ合う（engag
e) 弁座５３、ダイアフラム５４の厚い環状エッジ６３
とかみ合う円形の縁５６、及びハウジング５７の円形の
センターエッジを図示している。
べるように）ダイアフラム５４の面とかみ合う（engag
e) 弁座５３、ダイアフラム５４の厚い環状エッジ６３
とかみ合う円形の縁５６、及びハウジング５７の円形の
センターエッジを図示している。
【００２３】図５を参照すると、動作中、ＴＥＯＳのよ
うな液体反応物１１は、たとえばおよそ２〜３０psi(po
unds per square inch) で、ソース２４により加圧され
る（図１）。閉止バルブが開かれるとき（すなわち、図
示されるように、ピストン４６がバルブ孔４４から引き
出される）、その液体は液体入力ポート３０に入り、流
路（liquid inlet port)４０、４８を経由して流れる。
そして、この反応物液体は、バルブ本体４２から突出す
る孔４９を含む弁座５３とダイアフラム５４との間の制
御バルブ孔５０内に形成される気化領域５１に、孔４９
から注入される。弁座５３の径が大き過ぎると、液体流
量メータ１４により測定される振動（oscillating)流量
で検知され得る、不安定な気化(turbulent vaporizatio
n)が生じることが明らかにされた。一実施例として、そ
の弁座の径はおよそ０．５ｃｍである。また、弁座５３
と対をなすダイアフラム５４の面の径が、弁座自体の径
よりも大きい場合に、より効率的な気化が達成されるこ
とが明らかになった。一実施例として、これら２つの径
の割合は、図５に示される通りである。気化領域５１に
注入される液体反応物１１の量は、孔４９に対するダイ
アフラム５４の位置によって制御され、この位置は圧電
部材５２の電気的励起により順に制御される。
うな液体反応物１１は、たとえばおよそ２〜３０psi(po
unds per square inch) で、ソース２４により加圧され
る（図１）。閉止バルブが開かれるとき（すなわち、図
示されるように、ピストン４６がバルブ孔４４から引き
出される）、その液体は液体入力ポート３０に入り、流
路（liquid inlet port)４０、４８を経由して流れる。
そして、この反応物液体は、バルブ本体４２から突出す
る孔４９を含む弁座５３とダイアフラム５４との間の制
御バルブ孔５０内に形成される気化領域５１に、孔４９
から注入される。弁座５３の径が大き過ぎると、液体流
量メータ１４により測定される振動（oscillating)流量
で検知され得る、不安定な気化(turbulent vaporizatio
n)が生じることが明らかにされた。一実施例として、そ
の弁座の径はおよそ０．５ｃｍである。また、弁座５３
と対をなすダイアフラム５４の面の径が、弁座自体の径
よりも大きい場合に、より効率的な気化が達成されるこ
とが明らかになった。一実施例として、これら２つの径
の割合は、図５に示される通りである。気化領域５１に
注入される液体反応物１１の量は、孔４９に対するダイ
アフラム５４の位置によって制御され、この位置は圧電
部材５２の電気的励起により順に制御される。
【００２４】流路４８を出る際、液体反応物１１は気化
領域５１内における放射状の圧力低下（radial pressur
e drop) に遭遇し（この圧力低下の勾配は図４の矢印に
より示される）、膨脹により気化する。（この種の勾配
の圧力低下は、たとえばアトマイザーによって作り出さ
れる種類の階段状の圧力低下よりも、速さの点でより有
効で、かつ、反応物液体をより均一に気化させることが
分かった。） 気化領域５１を出た後、気化された反応
物液体は、流路（inlet passage)５８から流路（outlet
passage) ６２に流れるキャリアガスと混合し、気化器
１２からＣＶＤプロセスチャンバー１８に輸送される
（図１）。膨脹のために冷却された気化反応物液体が、
制御バルブ孔５０の壁上で液化させないように、この気
化器は、加熱ジャケット（surrounding heating jacke
t：図示せず) により高温に維持される。
領域５１内における放射状の圧力低下（radial pressur
e drop) に遭遇し（この圧力低下の勾配は図４の矢印に
より示される）、膨脹により気化する。（この種の勾配
の圧力低下は、たとえばアトマイザーによって作り出さ
れる種類の階段状の圧力低下よりも、速さの点でより有
効で、かつ、反応物液体をより均一に気化させることが
分かった。） 気化領域５１を出た後、気化された反応
物液体は、流路（inlet passage)５８から流路（outlet
passage) ６２に流れるキャリアガスと混合し、気化器
１２からＣＶＤプロセスチャンバー１８に輸送される
（図１）。膨脹のために冷却された気化反応物液体が、
制御バルブ孔５０の壁上で液化させないように、この気
化器は、加熱ジャケット（surrounding heating jacke
t：図示せず) により高温に維持される。
【００２５】ダイアフラム５４の環状エッジ６３上に下
向きにかかる、ハウジング５７からの圧力は、ダイアフ
ラム５４のセンターピストン６１を、弁座５３の表面か
ら離れて上方に後退させることが、後述する図６におい
て示されるであろう。電気的非励起が圧電部材５２に与
えられると、そのバルブは孔位置まで弛緩する（図２、
３）。
向きにかかる、ハウジング５７からの圧力は、ダイアフ
ラム５４のセンターピストン６１を、弁座５３の表面か
ら離れて上方に後退させることが、後述する図６におい
て示されるであろう。電気的非励起が圧電部材５２に与
えられると、そのバルブは孔位置まで弛緩する（図２、
３）。
【００２６】図５において示される実施例において、弁
座５３の表面は縁５６の上面と同一面に位置する。した
がって、制御バルブ孔（cavity) ５０を横切って延び
る、縁５６の上面を表す線は、弁座５３の上面を表す線
と正確に同一直線上に位置する。
座５３の表面は縁５６の上面と同一面に位置する。した
がって、制御バルブ孔（cavity) ５０を横切って延び
る、縁５６の上面を表す線は、弁座５３の上面を表す線
と正確に同一直線上に位置する。
【００２７】図１の制御電子部３２の詳細は図６に示さ
れる。ピエゾバルブの電圧対開口の変換機能を制御する
ことは、その機能が非線形であり、履歴現象（hysteres
is)を持ち、また温度、圧力及び流量の変化に伴って変
動するために困難であり、このためピエゾパルブの制御
にはフィードバック制御が用いられる。電子制御部３２
はＰＩＤ制御回路７２を含んでおり、この回路７２はラ
イン７６と７８との間の差分、この差分の積分、或いは
この差分の微分の各関数となる出力をライン８０に発生
する。このＰＩＤ回路の入力−出力の関係は、回路の安
定性とトラッキングが最大となるように、また、応答時
間が最小となるように選択される。好適には、自動調整
或いは適応性のある（adaptive filtered)ＰＩＤ回路
は、その制御機能が連続して最適化されるために用いら
れる。例えば、部品番号９６５Ａとして、Watlow Contr
ols によって販売されるＰＩＤ回路のような、商業的に
利用できる適応性のあるＰＩＤ回路も、図６のアプリケ
ーションで好適に使用可能である。
れる。ピエゾバルブの電圧対開口の変換機能を制御する
ことは、その機能が非線形であり、履歴現象（hysteres
is)を持ち、また温度、圧力及び流量の変化に伴って変
動するために困難であり、このためピエゾパルブの制御
にはフィードバック制御が用いられる。電子制御部３２
はＰＩＤ制御回路７２を含んでおり、この回路７２はラ
イン７６と７８との間の差分、この差分の積分、或いは
この差分の微分の各関数となる出力をライン８０に発生
する。このＰＩＤ回路の入力−出力の関係は、回路の安
定性とトラッキングが最大となるように、また、応答時
間が最小となるように選択される。好適には、自動調整
或いは適応性のある（adaptive filtered)ＰＩＤ回路
は、その制御機能が連続して最適化されるために用いら
れる。例えば、部品番号９６５Ａとして、Watlow Contr
ols によって販売されるＰＩＤ回路のような、商業的に
利用できる適応性のあるＰＩＤ回路も、図６のアプリケ
ーションで好適に使用可能である。
【００２８】ＰＩＤ制御回路７２に対する入力は、ライ
ン７６の液体流量モニターによって与えられる、０から
５ボルトの出力信号、及びライン７８の設定値信号（se
t point signal）である。ＰＩＤ回路７２の出力は、ラ
イン８０のピエゾバルブに与えられる、０から５ボルト
の位置入力信号である。ＰＩＤ制御回路７２は、ライン
７６の流量モニターの出力信号をライン７８の設定値信
号に等しくするように、ライン８０の位置入力信号を操
作する。液体流量が所望のレベルを下回る場合には、ラ
イン７６の流量出力信号とライン７８の設定値信号とが
異なり、ＰＩＤ制御回路７２は気化器１２を操作して、
圧電バルブを開けて液体流量を増加させる。また、液体
流量が所望のレベルを上回る場合には、ＰＩＤ制御回路
７２は気化器１２を操作して、圧電バルブを閉めて液体
流量を低減させる。
ン７６の液体流量モニターによって与えられる、０から
５ボルトの出力信号、及びライン７８の設定値信号（se
t point signal）である。ＰＩＤ回路７２の出力は、ラ
イン８０のピエゾバルブに与えられる、０から５ボルト
の位置入力信号である。ＰＩＤ制御回路７２は、ライン
７６の流量モニターの出力信号をライン７８の設定値信
号に等しくするように、ライン８０の位置入力信号を操
作する。液体流量が所望のレベルを下回る場合には、ラ
イン７６の流量出力信号とライン７８の設定値信号とが
異なり、ＰＩＤ制御回路７２は気化器１２を操作して、
圧電バルブを開けて液体流量を増加させる。また、液体
流量が所望のレベルを上回る場合には、ＰＩＤ制御回路
７２は気化器１２を操作して、圧電バルブを閉めて液体
流量を低減させる。
【００２９】システム１０は単純であり、容易に保守が
でき、低コストでかつ改善されたプロセス制御を備えて
いる。本発明の気化器１２を用いることにより、液体流
量制御と気化とが一段で行われる。その結果、蒸気流
量、反復性及び応答性が改善され、液体流量及びキャリ
アガス流量の個別制御が達成できる。したがって、薄膜
の特性を個別に制御することができる。
でき、低コストでかつ改善されたプロセス制御を備えて
いる。本発明の気化器１２を用いることにより、液体流
量制御と気化とが一段で行われる。その結果、蒸気流
量、反復性及び応答性が改善され、液体流量及びキャリ
アガス流量の個別制御が達成できる。したがって、薄膜
の特性を個別に制御することができる。
【００３０】当業者が、図示され或いは記載された本発
明の形式及び細目に様々な変更を施すことは明らかであ
ろう。例えば、液体流量（liquid mass flow) を液体の
気化と別けて制御することも可能である。この目的を達
成するため、図１の液体流量モニター１２は、低圧力差
を持った液体流量コントローラに変えてもよく、また、
付加的な高温度モニターをライン４７に挿入しても良
い。この際、制御電子部は、液体流量コントローラの入
力を操作して、液体流量を所望の量に制御する第１セク
ション、及び、高温度モニターによって発生された測定
量に応じて気化器１２におけるピエゾバルブの気化を制
御する第２セクションの、分離されたセクションを含ん
でも良い。
明の形式及び細目に様々な変更を施すことは明らかであ
ろう。例えば、液体流量（liquid mass flow) を液体の
気化と別けて制御することも可能である。この目的を達
成するため、図１の液体流量モニター１２は、低圧力差
を持った液体流量コントローラに変えてもよく、また、
付加的な高温度モニターをライン４７に挿入しても良
い。この際、制御電子部は、液体流量コントローラの入
力を操作して、液体流量を所望の量に制御する第１セク
ション、及び、高温度モニターによって発生された測定
量に応じて気化器１２におけるピエゾバルブの気化を制
御する第２セクションの、分離されたセクションを含ん
でも良い。
【００３１】これらの実施例及び他のいかなる代わりの
実施例も、記載された特許請求の範囲の精神及び範囲に
含まれることを意図する。
実施例も、記載された特許請求の範囲の精神及び範囲に
含まれることを意図する。
【００３２】なお、各図上で認識できるように、より細
い流路はその径を誇張して示している。
い流路はその径を誇張して示している。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、圧力勾配下の膨脹によ
りに蒸気を形成し、このため、多くの半導体製作プロセ
スで必要とされるような高流量で液体を気化することが
できる。また、液体の流量はダイアフラムの動きによっ
て単独に制御され、このため液体の流量はキャリアガス
の流量と独立であり、それゆえ、より正確に制御するこ
とが可能となる。
りに蒸気を形成し、このため、多くの半導体製作プロセ
スで必要とされるような高流量で液体を気化することが
できる。また、液体の流量はダイアフラムの動きによっ
て単独に制御され、このため液体の流量はキャリアガス
の流量と独立であり、それゆえ、より正確に制御するこ
とが可能となる。
【図１】本発明にかかる液体分配システムを示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】図３の２Ａ−２Ａ線に沿う気化器の断面を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】図２の２Ｂ−２Ｂ線に沿う気化器の断面を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】蒸発器を示す平面図である。
【図５】気化器の要部を拡大して示す図である。
【図６】図１の液体分配システムを一部をより詳細に示
すブロック図である。
すブロック図である。
１０…液体分配システム、１１…液体反応物、１２…気
化器、１４…液体流量モニター、１８…ＣＶＤプロセス
チャンバー、３０…液体入力ポート、３２…制御電子
部、３６…ガス入力ポート、３８…質量流量コントロー
ラー、４０、４８、５８、６２…流路、４２…バルブ本
体、４４…バルブ孔、４６…ピストン、５０…制御バル
ブ孔、５２…圧電部材、５３…弁座、５４…ダイアフラ
ム、６０…出力ポート。
化器、１４…液体流量モニター、１８…ＣＶＤプロセス
チャンバー、３０…液体入力ポート、３２…制御電子
部、３６…ガス入力ポート、３８…質量流量コントロー
ラー、４０、４８、５８、６２…流路、４２…バルブ本
体、４４…バルブ孔、４６…ピストン、５０…制御バル
ブ孔、５２…圧電部材、５３…弁座、５４…ダイアフラ
ム、６０…出力ポート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴィスウェスワレン シヴァラマクリシュ ナン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95014， キュパティノ， メイプルトゥ リー プレイス 20597 (72)発明者 ジョン エム． ホワイト アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94541， ヘイワード， コロニー ヴュ ー プレイス 2811
Claims (9)
- 【請求項１】液体を気化させ、その気化された液体をキ
ャリアガスと混合するための気化器であって、 第１、第２及び第３の孔（aperture) を有する制御バル
ブの孔（cavity) の画成するバルブ本体と、 既定圧力の前記キャリアガスを受け入れるための第１の
流路を介し、前記第１の孔に接続するガス入力ポート
と、 前記既定圧力を上回る流量及び圧力の前記液体を受け入
れるための第２の流路を介し、前記第２の孔に接続する
液体入力ポートと、 圧力勾配を有し、前記第２の孔を取り囲み、かつ、実質
的に前記第２の孔よりも大なる径を有する、気化領域を
形成するため前記第２の孔に隣接して配置される遮断要
素と、 第３の流路を介し、前記第３の孔に接続される出力ポー
トとを備え、 前記液体入力ポートを介して供給される液体が前記制御
バルブ孔内において気化して気化液体を形成し、前記キ
ャリアガスと混合し、かつ、前記出力ポートを介して前
記気化器される吐出する気化器。 - 【請求項２】前記遮断要素は、前記流量を増加或いは減
少させるために、前記第２の孔に対して相対的に移動可
能なダイアフラムであり、 前記気化器は、さらに、前記第２の孔に向かい、或いは
第２の孔から離れるように、制御信号に応答して前記ダ
イアフラムを駆動するアクチュエータを備える請求項１
記載の気化器。 - 【請求項３】前記液体入力ポートへ流れる液体の流量を
計測するために接続される液体流量計と、 選択値に近づくように前記液体の流量を規定するため、
前記液体流量計によって計測された流量に応答し、前記
制御信号を供給するフィードバック制御システムとを、
さらに備える請求項２記載の気化器。 - 【請求項４】前記アクチュエータは前記制御信号に応答
する圧電部材である請求項２記載の気化器。 - 【請求項５】前記液体が気化した後に前記気化液体が凝
縮（condensing) するのを防止するため、前記制御バル
ブの孔近傍の前記バルブ本体の少なくとも一部を加熱す
る加熱装置（heater) をさらに備える請求項１記載の気
化器。 - 【請求項６】前記液体が気化した後に前記気化液体が凝
縮するのを防止するため、前記制御バルブの孔近傍の前
記バルブ本体の少なくとも一部を加熱する加熱装置をさ
らに備える請求項２記載の気化器。 - 【請求項７】前記液体が気化した後にこの気化液体が液
化するのを防止するため、前記制御バルブの孔近傍の前
記バルブ本体の少なくとも一部を加熱する加熱装置をさ
らに備える請求項３記載の気化器。 - 【請求項８】液体反応物（liquid reactant)とキャリア
ガスとを用いる化学的蒸着システムであって、 ガス入力ポートを有する化学的蒸着室と、前記ガス入力
ポートに連結される出力ポートを有する液体反応物の気
化器とを備え、 前記気化器は、 第１、第２及び第３の孔を有し、前記出力ポートが第１
の流路を介して前記第３の孔に接続され、制御バルブの
孔を画成するバルブ本体と、 既定圧力の前記キャリアガスを受け入れるための第１の
流路を介し、前記第１の孔に接続されるガス入力ポート
と、 前記既定圧力を上回る流量及び圧力の前記液体反応物を
受け入れるための第２の流路を介し、前記第２の孔に接
続される液体入力ポートと、 圧力勾配を有し、前記第２の孔を取り囲み、かつ、実質
的に前記第２の孔よりも大なる径を有する、気化領域を
形成するため前記第２の孔に隣接して配置されるダイア
フラムとを備え、 前記液体入力ポートを介して供給される液体反応物が前
記制御バルブ孔内において気化して気化反応物（vapori
zed reactant) を形成し、前記キャリアガスと混合し、
かつ前記出力ポートを介して前記気化器から吐出される
化学的蒸着システム。 - 【請求項９】前記ダイアフラムは前記第２の孔に対して
相対的に移動可能であり、前記ダイアフラムは、 前記第２の孔に向かい、或いは第２の孔から離れるよう
に、制御信号に応答して前記ダイアフラムを駆動するア
クチュエータと、 前記液体反応物を前記液体入力ポートに連結し、前記液
体反応物の質量流量を計測し、前記質量流量を示す電気
的な質量流量信号を発生する液体質量流量モニターと、 前記質量流量信号と設定値とを比較し、前記質量流量信
号が前記設定値を上回る流量を示す際に前記第２の孔に
向かって前記ダイアフラムを移動させる信号を前記アク
チュエータに与え、かつ、前記質量流量信号が前記設定
値を下回る流量を示す際に前記アクチュエータを励起し
てダイアフラムを前記第２の孔から離れるように移動さ
せる電気的制御手段とをさらに備える請求項８記載の化
学的蒸着システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US99075592A | 1992-12-15 | 1992-12-15 | |
| US07/990755 | 1992-12-15 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006193801A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置及び処理装置 |
| JP2006222133A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Hitachi Cable Ltd | 原料ガス供給方法及びその装置 |
| WO2009078293A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Horiba Stec, Co., Ltd. | 液体材料気化装置 |
| KR101351313B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2014-01-14 | 주식회사 지에스티에스 | 기화 장치 |
| KR20210125971A (ko) * | 2016-07-11 | 2021-10-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가스 공급 시스템, 기판 처리 시스템 및 가스 공급 방법 |
Families Citing this family (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69312436T2 (de) * | 1992-12-15 | 1998-02-05 | Applied Materials Inc | Verdampfung von flüssigen Reaktionspartnern für CVD |
| US5925189A (en) * | 1995-12-06 | 1999-07-20 | Applied Materials, Inc. | Liquid phosphorous precursor delivery apparatus |
| DE19755643C2 (de) * | 1997-12-15 | 2001-05-03 | Martin Schmaeh | Vorrichtung zum Verdampfen von Flüssigkeit und zum Herstellen von Gas/Dampf-Gemischen |
| US6296711B1 (en) | 1998-04-14 | 2001-10-02 | Cvd Systems, Inc. | Film processing system |
| US6136725A (en) * | 1998-04-14 | 2000-10-24 | Cvd Systems, Inc. | Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate |
| US6817381B2 (en) * | 1999-08-24 | 2004-11-16 | Tokyo Electron Limited | Gas processing apparatus, gas processing method and integrated valve unit for gas processing apparatus |
| KR100649852B1 (ko) * | 1999-09-09 | 2006-11-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기화기 및 이것을 이용한 반도체 제조 시스템 |
| JP4393677B2 (ja) | 1999-09-14 | 2010-01-06 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化方法および装置並びに制御バルブ |
| US7163197B2 (en) * | 2000-09-26 | 2007-01-16 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method |
| CN100595910C (zh) * | 2001-01-18 | 2010-03-24 | 株式会社渡边商行 | 汽化器、使用汽化器的各种装置以及汽化方法 |
| US6718126B2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-04-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition |
| US7780785B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
| JP3881569B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2007-02-14 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化装置 |
| US7186385B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
| US7192486B2 (en) * | 2002-08-15 | 2007-03-20 | Applied Materials, Inc. | Clog-resistant gas delivery system |
| JP3854555B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2006-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| US7534363B2 (en) * | 2002-12-13 | 2009-05-19 | Lam Research Corporation | Method for providing uniform removal of organic material |
| US20040112540A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Lam Research Corporation | Uniform etch system |
| US7169231B2 (en) * | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Gas distribution system with tuning gas |
| KR100541814B1 (ko) * | 2003-09-15 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 화학기상증착장치 |
| US20050056216A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-17 | Intel Corporation | Precursor delivery system |
| DE10345824A1 (de) * | 2003-09-30 | 2005-05-04 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zur Abscheidung von atomaren Schichten auf Substraten |
| US20050095859A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Precursor delivery system with rate control |
| US7115508B2 (en) * | 2004-04-02 | 2006-10-03 | Applied-Materials, Inc. | Oxide-like seasoning for dielectric low k films |
| US7112541B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ oxide capping after CVD low k deposition |
| US7273823B2 (en) * | 2005-06-03 | 2007-09-25 | Applied Materials, Inc. | Situ oxide cap layer development |
| JP2007031751A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Renesas Technology Corp | 薬液供給方法 |
| CN105256288A (zh) * | 2006-04-05 | 2016-01-20 | 株式会社堀场Stec | 液体材料气化装置 |
| US8755679B2 (en) | 2006-04-05 | 2014-06-17 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Liquid material vaporizer |
| US7932181B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-04-26 | Lam Research Corporation | Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement |
| JP4605790B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2011-01-05 | 株式会社フジキン | 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。 |
| US7775508B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor |
| US7975718B2 (en) * | 2007-04-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | In-situ monitor of injection valve |
| US7883745B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-02-08 | Micron Technology, Inc. | Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods |
| DE102007038278B4 (de) * | 2007-08-08 | 2013-09-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Stofftransport und Ereigniskontrolle in Systemen mit piezoelektrisch aktivierter Tröpfchenemission und Kombinationsmöglichkeiten von Trägermatrix und zu dosierendem Stoff |
| JP4934117B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2012-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置、ガス処理方法、および記憶媒体 |
| KR101502415B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2015-03-13 | 엠 에스피 코포레이션 | 액체 전구물질 분무 방법 및 장치 |
| US8146896B2 (en) | 2008-10-31 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes |
| WO2010077606A1 (en) * | 2008-12-08 | 2010-07-08 | Rensselaer Polytechnic Institute | Redox-initiated cationic polymerization using vapor-state reducing agents |
| US8151814B2 (en) * | 2009-01-13 | 2012-04-10 | Asm Japan K.K. | Method for controlling flow and concentration of liquid precursor |
| WO2011040067A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | シーケーディ株式会社 | 液体気化システム |
| US8511583B2 (en) * | 2010-02-05 | 2013-08-20 | Msp Corporation | Fine droplet atomizer for liquid precursor vaporization |
| DE102010056021B3 (de) * | 2010-12-23 | 2012-04-19 | Centrotherm Sitec Gmbh | Düsenanordnung und CVD-Reaktor |
| WO2012098730A1 (ja) | 2011-01-19 | 2012-07-26 | シーケーディ株式会社 | 液体気化器 |
| JP5989944B2 (ja) | 2011-09-30 | 2016-09-07 | Ckd株式会社 | 液体制御装置 |
| KR101892758B1 (ko) | 2011-09-30 | 2018-10-04 | 시케이디 가부시키가이샤 | 액체 제어 장치 |
| JP5973178B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2016-08-23 | Ckd株式会社 | 液体制御装置 |
| US8783652B2 (en) * | 2012-03-12 | 2014-07-22 | Mps Corporation | Liquid flow control for film deposition |
| KR101363354B1 (ko) * | 2012-05-01 | 2014-02-17 | 주식회사 유니텍스 | 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로 |
| JP5919115B2 (ja) | 2012-07-12 | 2016-05-18 | Ckd株式会社 | 液体制御装置、及び液体制御装置に適用される網状体組立体 |
| WO2017009997A1 (ja) | 2015-07-16 | 2017-01-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び気化システム |
| JP6695701B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2020-05-20 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液気化装置と基板処理装置 |
| JP7281285B2 (ja) * | 2019-01-28 | 2023-05-25 | 株式会社堀場エステック | 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4496609A (en) * | 1969-10-15 | 1985-01-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor |
| US3930908A (en) | 1974-09-30 | 1976-01-06 | Rca Corporation | Accurate control during vapor phase epitaxy |
| US4232063A (en) | 1978-11-14 | 1980-11-04 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition reactor and process |
| EP0058571A1 (en) | 1981-02-18 | 1982-08-25 | National Research Development Corporation | Method and apparatus for delivering a controlled flow rate of reactant to a vapour deposition process |
| JPS58125633A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ガラス微粒子製造におけるガス供給方法 |
| US4579080A (en) | 1983-12-09 | 1986-04-01 | Applied Materials, Inc. | Induction heated reactor system for chemical vapor deposition |
| US4668365A (en) | 1984-10-25 | 1987-05-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition |
| US4761269A (en) | 1986-06-12 | 1988-08-02 | Crystal Specialties, Inc. | Apparatus for depositing material on a substrate |
| US5000113A (en) | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| KR0156237B1 (ko) | 1988-06-03 | 1998-12-01 | 고다까 토시오 | 처리액 공급 장치 |
| JPH0784662B2 (ja) * | 1989-12-12 | 1995-09-13 | アプライドマテリアルズジャパン株式会社 | 化学的気相成長方法とその装置 |
| US5078092A (en) * | 1989-12-22 | 1992-01-07 | Corning Incorporated | Flash vaporizer system for use in manufacturing optical waveguide fiber |
| US4970093A (en) * | 1990-04-12 | 1990-11-13 | University Of Colorado Foundation | Chemical deposition methods using supercritical fluid solutions |
| US5204314A (en) * | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
| JPH0795527B2 (ja) * | 1991-02-05 | 1995-10-11 | 株式会社リンテック | 液体原料用気化供給器 |
| US5203925A (en) * | 1991-06-20 | 1993-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for producing a thin film of tantalum oxide |
| JPH0582507A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-04-02 | Applied Materials Japan Kk | 液体気化バルブ |
| DE69312436T2 (de) * | 1992-12-15 | 1998-02-05 | Applied Materials Inc | Verdampfung von flüssigen Reaktionspartnern für CVD |
-
1993
- 1993-12-14 DE DE69312436T patent/DE69312436T2/de not_active Expired - Lifetime
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- 1993-12-15 JP JP31546693A patent/JP3606892B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
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- 1995-12-19 US US08/574,999 patent/US6224681B1/en not_active Expired - Lifetime
-
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-
2004
- 2004-04-02 US US10/817,396 patent/US7055809B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006193801A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置及び処理装置 |
| JP4696561B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置及び処理装置 |
| JP2006222133A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Hitachi Cable Ltd | 原料ガス供給方法及びその装置 |
| WO2009078293A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Horiba Stec, Co., Ltd. | 液体材料気化装置 |
| US8544828B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-10-01 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Liquid material vaporization apparatus |
| JP5357053B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2013-12-04 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化装置 |
| KR101501311B1 (ko) * | 2007-12-19 | 2015-03-10 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 액체 재료 기화 장치 |
| KR101351313B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2014-01-14 | 주식회사 지에스티에스 | 기화 장치 |
| KR20210125971A (ko) * | 2016-07-11 | 2021-10-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가스 공급 시스템, 기판 처리 시스템 및 가스 공급 방법 |
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