JP2001156055A - 液体材料気化方法および装置 - Google Patents

液体材料気化方法および装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液体材料の気化を常に効率よくかつ安定して
行わせることができる液体材料気化方法および装置を提
供すること。 【解決手段】 液体材料ＬＭとキャリアガスＣＧとを、
液体流量制御機能を備えた制御バルブ１内の気液混合部
３９において流量制御しながら混合し、このときの気液
混合体Ｍを流量制御部３９の近傍に形成されたノズル部
４２から放出して液体材料ＬＭを減圧気化させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体製
造において用いるテトラエトキシシランなどの液体材料
を気化する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液体材料気化装置として、例えば
特公平７−８４６６２号公報に記載されたように、流量
制御機能を備えた制御バルブ内において液体材料を気化
するようにしたものがある。図９は、この液体材料気化
装置の主要部を示す図で、この図において、７０は流量
制御機能を備えた制御バルブで、その弁本体７１内に
は、上部に開口した凹部７２が形成されている。そし
て、７３は凹部７２を閉塞するように設けられる駆動部
で、凹部７２内で昇降するプランジャ７４を備えてい
る。また、７５は弁本体７１の底面中央から上方に突出
した突部７６の上部に形成された弁シートである。さら
に、７７は可撓性のダイヤフラムで、凹部７２内を、プ
ランジャ７４を含む上部空間７８と弁シート７５を含む
下部空間７９とに機密に区画するとともに、プランジャ
７４の下降により弁シート７５の上面に密着されるよう
に構成されている。
【０００３】そして、図９において、８０は液体材料導
入路で、弁本体７１底面中央から弁シート７５上面のダ
イヤフラム７７が密着する部位まで上下に貫通するよう
に形成されている。また、８１はキャリアガス導入路、
８２は混合ガス導出路で、いずれも、ダイヤフラム７７
が弁シート７５の上面に密着されたとき弁シート７５の
周囲に形成される空間に連通するように形成されてい
る。
【０００４】上記構成の制御バルブ７０においては、液
体材料タンク（図示していない）からの液体材料８３を
流量制御しながら液体材料導入路８０内を上方に誘導し
て制御バルブ７０内に供給するとともに、キャリアガス
源（図示していない）からの高温（例えば７０℃）のキ
ャリアガス８４をキャリアガス導入路８１を介して制御
バルブ７０内に導入し、前記液体材料８３を高温のキャ
リアガス８４に接触させることにより気化して液体材料
８３を原料ガスとし、この原料ガスをキャリアガス８４
と混合して、この混合ガス８５を混合ガス導出路８２を
経て制御バルブ７０外に導出するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記液
体材料気化装置においては、キャリアガス８４の活用効
率が悪く、液体材料８３を効率よくしかも常に安定して
気化させることができないといった欠点がある。これ
を、図１０および図１１を参照しながら説明する。
【０００６】まず、図１０は、弁シート７５の開状態に
おける液体材料８３およびキャリアガス８４の流れを示
すもので、キャリアガス導入路８１を経て下部空間７９
に導入されたキャリアガス８４は、図中の矢印８４ａで
示すように、弁シート７５の上面とダイヤフラム７７と
の間を流れ、液体材料導入路８０内を上方に誘導される
液体材料８３に接触するものもあるが、大部分は、図中
の矢印８４ｂで示すように、弁シート７５およびその下
方の突部７６を迂回するように流れる。このような流れ
の結果、導入された高温のキャリアガス８４が液体材料
８３の気化促進にそれほど寄与せず、局所的な液体の上
記分圧が飽和状態に近い状態となり、そのため結露が生
じやすい。
【０００７】そして、上記液体材料気化装置において
は、制御バルブ７０への液体材料８３の導入量が増える
と、その気化が安定に行われないといった不都合があ
る。すなわち、制御バルブ７０にキャリアガス８４の導
入量を一定に保持しながら、液体材料８３の制御バルブ
７０への導入量を段階的に増加させていったときの、制
御バルブ７０から導出されるガス流量の変化を観察した
ところ、図１１に示すような結果が得られた。
【０００８】すなわち、図１１において、符号ａは、キ
ャリアガス８４の導入量を示し、この例では２０００ｃ
ｃ／分である。そして、符号ｂは、液体材料（例えばエ
タノール）８３の導入量の変化を示し、この例では、
０．２ｃｃ／分から段階的に１．０ｃｃ／分まで変化さ
せている。また、図中の符号ｃは、制御バルブ７０から
導出されるガスの流量変化を電圧変化として表したもの
である。この図１１から、エタノール８３の導入量が比
較的少ない間は、ガス流量は安定して変化しているが、
前記導入量が増大すると、オーバーシュートが生じたり
変動が激しくなることが判る。
【０００９】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、液体材料の気化を常に効率よく
かつ安定して行わせることができる液体材料気化方法お
よび装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の液体材料気化方法は、液体材料とキャリ
アガスとを、液体流量制御機能を備えた制御バルブ内の
気液混合部において流量制御しながら混合し、このとき
の気液混合体を流量制御部の近傍に形成されたノズル部
から放出して液体材料を減圧気化させるようにしている
（請求項１）。
【００１１】そして、この発明では、上記液体材料気化
方法をより具体的に実施するための装置として、液体流
量制御機能を備えた制御バルブに、液体材料を収容した
原料タンクおよびこの原料タンクからの液体材料の流量
を計測する液体用流量計を備えた液体材料供給ライン
と、キャリアガス供給源およびキャリアガスの流量を制
御する気体用流量制御装置を備えたキャリアガス供給ラ
インとを互いに独立して接続する一方、前記制御バルブ
内に気液混合部およびノズル部を互いに近接して形成
し、前記液体材料供給ラインによって制御バルブ内に導
入される液体材料を流量制御しながら前記気液混合部に
おいてキャリアガス供給ラインによって制御バルブ内に
導入されるキャリアガスと混合し、このときの気液混合
体を前記ノズル部から放出して液体材料を減圧気化し、
この気化によって生じたガスをキャリアガスとともに前
記ノズル部の下流側のガス導出路から取り出すようにし
たものを用いている（請求項２）。
【００１２】上記制御バルブにおける液体材料の流量制
御は、液体用流量計の出力またはガス導出路に連なるガ
ス導出ラインに設けられた気体用流量計の出力に基づい
て行うようにすればよい（請求項３）。
【００１３】この発明においては、液体材料とキャリア
ガスとを、液体流量制御機能を備えた制御バルブ内の気
液混合部において流量制御しながら混合し、この気液混
合体をノズル部で瞬間的に減圧し、液体材料を効率よく
しかも安定した状態で気化することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を、図面を
参照しながら説明する。図１は、この発明の液体材料気
化装置の全体構成を概略的に示すもので、この図におい
て、１は液体流量制御機能を備えた制御バルブ（その構
成は、後で詳しく説明する）で、例えば、その左側面部
には、液体材料供給ライン２が接続され、右側面部には
キャリアガス供給ライン３が接続され、下側面部には、
ガス導出ライン４が接続されている。
【００１５】前記液体材料供給ライン２は、次のように
構成されている。すなわち、５は液体材料供給ライン２
に設けられる原料タンクで、その内部には液体材料ＬＭ
が気密に収容され、その上流側には、レギュレータ６を
有する不活性ガス供給管７が接続されている。そして、
Ｎ2 、Ｈｅ、Ａｒなどの不活性ガスが原料タンク５内の
上部空間に図中のＩＮより供給されることにより、液体
材料ＬＭが液体材料供給ライン２に押し出されるように
構成されている。８は開閉弁９を介して原料タンク５の
下流側に設けられる液体用流量計で、原料タンク５側か
ら流れてくる液体材料ＬＭの流量を計測するものであ
る。この液体用流量計８として例えば公知の液体マスフ
ローメータを用いることができる。そして、この液体用
流量計８の検出結果は、装置全体を制御したり、検出信
号などに基づいて演算を行う装置制御部１０に送出され
る。なお、１１は液体用流量計８と制御バルブ１との間
に介装される開閉弁である。
【００１６】前記キャリアガス供給ライン３は、次のよ
うに構成されている。すなわち、１２はキャリアガス供
給ライン３の上流側に設けられるキャリアガス供給源
で、Ｎ 2 、Ｈｅ、Ａｒなどの不活性ガスのいずれかをキ
ャリアガスＣＧとして供給するもので、その下流側に
は、開閉弁１３を介してレギュレータ１４が設けられ、
さらに、開閉弁１５を介して気体用流量制御装置１６が
設けられている。この気体用流量制御装置１６は、制御
バルブ１に対して供給されるキャリアガスＣＧが一定量
になるように制御するもので、装置制御部１０からの制
御信号に基づいて開度が調節される。この気体用流量制
御装置１６として例えば公知の気体マスフローコントロ
ーラを用いることができる。なお、１７は気体用流量制
御装置１６と制御バルブ１との間に介装される開閉弁で
ある。
【００１７】前記ガス導出ライン４は、次のように構成
されている。１８はガス導出ライン４に介装される気体
用流量計で、制御バルブ１からのガス（後述するよう
に、液体材料ＬＭが気化して生じたガスとキャリアガス
ＣＧとの混合ガス）の流量を計測するもので、その計測
結果は装置制御部１０に送られる。この気体用流量計１
８として例えば公知のガスマスフローメータを用いるこ
とができる。そして、この気体用流量計１８の下流側に
は、開閉弁１９を介してユースポイントとしての反応炉
２０が設けられている。この反応炉２０は、例えばＣＶ
Ｄ装置などの半導体製造装置である。２１は反応炉２０
に接続される吸引ポンプである。
【００１８】次に、前記制御バルブ１について、図２〜
図５を参照しながら説明する。まず、図２において、２
２は例えば直方体形状の本体ブロックで、ステンレス鋼
などのように耐熱性および耐腐食性に富む素材よりな
る。この本体ブロック２２の内部には、３つの流路２
３，２４，２５が形成されている。
【００１９】前記流路２３は、液体材料ＬＭを後述する
気液混合部３９に導入するもので、この液体材料導入路
２３は、その一端が本体ブロック２２の左側面に開口
し、他端が本体ブロック２２の上面に開口するよう、逆
Ｌ字型を呈している。そして、流路２４は、キャリアガ
スＣＧを気液混合部３９に導入するもので、このキャリ
アガス導入路２４は、その一端が本体ブロック２２の右
側面に開口し、他端が本体ブロック２２の上面に開口す
るよう、Ｌ字型を呈している。また、流路２５は、ガス
導出路として機能するもので、このガス導出路２５は、
その一端が本体ブロック２２の下面に開口し、他端が本
体ブロック２２の適宜位置までほぼ一直線に形成され、
その上端側は後述するノズル部４２を介して気液混合部
３９に連なっている。
【００２０】さらに、２６は本体ブロック２２全体を加
熱するヒータで、例えばカートリッジヒータよりなり、
ガス導出路２５の近傍に着脱自在に内蔵されている。２
７は本体ブロック２２の温度を検出する温度センサとし
ての熱電対である。
【００２１】そして、２８，２９は本体ブロック２２の
左右の側面にシール部材３０を介して着脱自在に設けら
れる接続ブロックで、各ブロック２８，２９には、液体
材料導入路２３、キャリアガス導入路２４とそれぞれ連
通する流路２８ａ，２９ａが形成されており、液体材料
導入路２３、キャリアガス導入路２４のそれぞれがブロ
ック２８，２９を介して外部の液体材料供給ライン２、
キャリアガス供給ライン３と接続されるようになってい
る。なお、図２においては、ガス導出路２５と外部のガ
ス導出ライン４との接続構造については示してないが、
適宜の接続部材を用いて所定の接続が行われることはい
うまでもない。
【００２２】次に、上記本体ブロック２２の上面におけ
る構成を、図２〜図４を参照しながら説明する。図２に
おいて、３１は弁ブロックで、本体ブロック２２の上面
２２ａにＯリング３２を介して載置され、例えばステン
レス鋼などのように熱伝導性および耐腐食性の良好な素
材からなる。この弁ブロック３１と前記上面２２ａとの
間に、液体流量制御機能を有するバルブ本体３３が形成
される。すなわち、弁ブロック３１の内部空間３４に、
ダイヤフラム３５がばね３６によって常時上方に付勢さ
れるようにして設けられている。
【００２３】ここで、前記本体ブロック２２の上面２２
ａにおける構成を、図３および図５を参照しながら説明
すると、３７は前記上面２２ａのほぼ中央部に形成され
るバルブシートで、二つの環状の隔壁３７ａ，３７ｂよ
りなり、ダイヤフラム３５とともにバルブ本体３３を構
成するものである。そして、両バルブシート３７ａ，３
７ｂによって囲まれた平面視環状の凹部３８は、液体材
料導入路２３の下流側の開口２３ａを含むように形成さ
れ、液流路として機能する。
【００２４】また、内側のバルブシート３７ａによって
囲まれた平面視円形の凹部３９には、図５に示すよう
に、その直径上にキャリアガス導入路２４の下流側の開
口２４ａと、ガス導出路２５への孔４０とが開設される
とともに、これらの開口２４ａおよび孔４０を含む浅い
細長い溝４１が形成されており、開口２４ａから流入す
るキャリアガスＣＧと、内側のバルブシート３７ａとダ
イヤフラム３５との間の隙間から流入する液体材料ＬＭ
とが混合されるように構成され、気液混合部として機能
する。
【００２５】そして、４２は前記孔４０とガス導出路２
５との間に形成されるノズル部で、このノズル部４２
は、その直径および長さはかなり小さく、例えば直径は
１．０ｍｍ以下、長さは１．０ｍｍ以下である。また、
このノズル部４２は、気液混合部３９とできるだけ近接
して設ける。そして、このノズル部４２においては、気
液混合部３９において生じた気液混合体Ｍがガス導出路
２５に放出され、これにより、気液混合体Ｍに含まれる
液体材料ＬＭが減圧される事によりガス化され、このガ
スはキャリアガスＣＧと混合して混合ガスＫＧとなる。
【００２６】なお、図３において、４３は外側のバルブ
シート３７ｂ外側に形成されるＯリング溝で、前記Ｏリ
ング３２が装填される。
【００２７】そして、前記ダイヤフラム３５は、耐熱性
および耐腐食性が良好かつ適当な弾性を有する素材より
なり、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、軸部３５ａの
下方にバルブシート３７ａの上面と当接または離間する
弁部３５ｂが形成されるとともに、この周囲に薄肉部３
５ｃを備え、さらに、この薄肉部３５ｃの周囲に厚肉部
３５ｄを備えてなるもので、常時はばね３６によって上
方に付勢されることにより、弁部３５ｂがバルブシート
３７ａからは離間しているが、軸部３５ａに下方向への
押圧力が作用すると、弁部３５ｂがバルブシート３７ａ
と当接する方向に変移するように構成されている。
【００２８】４４はダイヤフラム３５を下方に押圧して
これを歪ませるアクチュエータで、この実施の形態にお
いては、弁ブロック３１の上部に立設されたハウジング
４５内に複数の圧電素子を積層してなるピエゾスタック
４６を設け、このピエゾスタック４６の下方の押圧部４
７をダイヤフラム３５の軸部３５ａに当接させたピエゾ
アクチュエータに構成されている。
【００２９】上述のように構成された液体材料気化装置
の動作について説明する。この、不活性ガスを原料タン
ク５に供給すると、原料タンク５内の液体材料ＬＭが加
圧され、液体材料ＬＭは液体材料供給ライン２を制御バ
ルブ１方向に流れる。この液体材料ＬＭの流量は、液体
流量計８で計測され、この計測結果は、装置制御部１０
に入力される。そして、前記液体材料ＬＭは、制御バル
ブ１内に導入される。そして、液体流量設定信号に応じ
た流量となるように、装置制御部１０から制御信号が制
御バルブ１に送られる。これにより、ピエゾアクチュエ
ータ４４が動作して、バルブ本体３３の開度を調整す
る。これにより、制御バルブ１内に導入された液体材料
ＬＭは、図３に示すように、液体材料導入路２３を経て
液流路３８に至り、さらに、図３および図５に示すよう
に、液流路３８からバルブシート３７ａとダイヤフラム
３５の弁部３５ｂとの隙間を経て、適宜の温度になって
いる気液混合部３９に入る。
【００３０】一方、キャリアガス供給源１２からのキャ
リアガスＣＧは、気体用流量制御装置１６において流量
制御されて制御バルブ１方向に送られ、この制御バルブ
１内の気液混合部３９に送られる。制御バルブ１内に導
入されたキャリアガスＣＧは、図３に示すように、キャ
リアガス導入路２４を経て気液混合部３９に入る。
【００３１】前記気液混合部３９に入った液体材料ＬＭ
とキャリアガスＣＧは互いに混合される。特に、気液混
合部３９に細長い溝４１が形成されており、液体材料Ｌ
Ｍがこの溝４１に流れこみながらキャリアガスＣＧと混
合されるので、両者ＬＭ，ＣＧが十分に混ざり合った気
液混合体Ｍとなる。
【００３２】そして、前記気液混合体Ｍは、気液混合部
３９の孔４０を経てノズル部４２からガス導出路２５に
向けて放出される。このとき、気液混合体Ｍのなかの液
体材料ＬＭが瞬間的に減圧されてガスとなる。このガス
は、気液混合体Ｍ中のキャリアガスＣＧと混合し、混合
ガスＫＧとなってガス導出路２５を下流側に流れてい
く。このとき、ガス導出路２５は、ヒータ２６によって
加熱されているので、結露が生ずることはない。
【００３３】なお、前記キャリアガスＣＧは、前記ノズ
ル部４２の手前（上流側）において、圧力が高い状態と
なり、前記ヒータ２６によって効率良く加熱・昇温され
ることになる。また、このように、キャリアガスＣＧ自
体の加熱効率が上昇するだけでなく、前記液体材料ＬＭ
は、ノズル部４２において強制的にキャリアガスＣＧと
混合されることから、前記キャリアガスＣＧから液体材
料ＬＭへの熱伝達が効率良く行われることになる。これ
らのことから、前記ヒータ２６から液体材料ＬＭへの熱
の伝達効率が上昇するため、液体材料ＬＭの気化効率が
あがるとともに、気化した液体材料ＬＭの流量を大きく
し、液体材料ＬＭを気化させるために必要な温度の低温
化、ひいてはエネルギーコストの削減を図ることが可能
となる。
【００３４】また、前記気液混合体Ｍが気液混合部３９
からガス導出路２５の下流側に向かう過程において、前
記ノズル部４２から放出され、気化した液体材料ＬＭの
ガス濃度は、前記キャリアガスＣＧの存在によって低下
することになり、これに伴って、気化した液体材料ＬＭ
がガス導出路２５内において液化・結露することを防止
するために必要な温度も下がることから、ひいては、ガ
ス導出路２５を加熱するためのエネルギーコストを削減
することが可能となる。また、前記液体材料ＬＭは、ノ
ズル部４２からガス導出路２５へ放出されて気化すると
きに、断熱膨張することによって熱を失うため、通常は
気化効率が低下するが、本実施例においては、液体材料
ＬＭが失った熱を、液体材料ＬＭと混合するキャリアガ
スＣＧによって補うことができ、これにより、液体材料
ＬＭの気化効率の向上が達成できる。
【００３５】そして、前記混合ガスＫＧは、ガス導出路
２５の下流側のガス導出ライン４を経てユースポイント
である反応炉２０に供給される。このとき、混合ガスＫ
Ｇの流量は、ガス導出ライン４に介装された気体用流量
計１８によって計測され、その結果は装置制御部１０に
送られる。
【００３６】上述のように、この発明の液体材料気化装
置は、液体流量制御機能を備えた制御バルブ１内に形成
した気液混合部３９において、液体材料ＬＭを流量制御
しながらキャリアガスＣＧと混合し、このときの気液混
合体Ｍを、気液混合部３９に近接するノズル部４２から
放出して液体材料ＬＭを減圧し気化するようにしている
ので、良好に混合された状態の気液混合体Ｍをノズル部
４２から放出することができ、気液混合体Ｍ中の液体材
料ＬＭを効率よくしかも安定した状態で気化し、一定濃
度の蒸気を含むガスを安定して供給できる。
【００３７】なお、本発明の液体材料気化装置では、液
体材料ＬＭの反応炉２０までの運送を、高速で流すこと
が可能なキャリアガスＣＧにのせる（混合する）ことで
行っていることから、液体材料ＬＭを反応炉２０まで高
速で送ることができ、高速応答が要求される場合にも対
応することができる。
【００３８】図６は、上記液体材料気化装置によって、
液体材料ＬＭをガス化したときに得られた測定データ
で、制御バルブ１にキャリアガスＣＧの導入量を一定に
保持しながら、液体材料ＬＭの制御バルブ１への導入量
を段階的に増加させていったときの、制御バルブ１から
導出される混合ガスＫＧの変化を観察した結果を表すも
のである。
【００３９】すなわち、キャリアガスＣＧを２０００ｃ
ｃ／分とし、液体材料ＬＭとしてエタノールを１ｃｃ／
分で反応炉２０に供給する場合、制御バルブ１のヒータ
２６の温度が８０℃のとき、ノズル部４２の径を０．３
ｍｍ、長さ０．６ｍｍとすることにより、気液混合部３
９の圧力が３０ｋｐａ程度となる。このとき気液混合部
３９における気液混合体Ｍをノズル部４２から放出し
て、気液混合体Ｍ中の液体材料ＬＭを減圧気化して反応
炉２０に供給したときの状態を観察したものである。
【００４０】この図６において、符号Ａは、キャリアガ
スＣＧの導入量を示し、この例では２０００ｃｃ／分で
ある。そして、符号Ｂは、液体材料ＬＭとしてのエタノ
ールの導入量の変化を示し、この例では、０．２ｃｃ／
分から段階的に１．０ｃｃ／分まで変化させている。ま
た、図中の符号Ｃは、制御バルブ１から導出される混合
ガスＫＧ流量変化を電圧変化として表したものである。
【００４１】上記図６から、気体用流量計１８の出力Ｃ
が、エタノール０．２ｃｃ／分〜１．０ｃｃ／分の間で
安定しており、このことから液体材料ＬＭの気化が安定
して行われていることが判る。つまり、上記構成の液体
材料気化装置によれば、従来の気化装置よりも多くの液
体材料ＬＭを安定して気化し、所望のガスを発生させる
ことができる。
【００４２】そして、上記液体材料気化装置において
は、制御バルブ１における液体材料ＬＭの流量制御を、
液体用流量計８の出力に基づいて行うようにしているの
で、気液混合部３９に対して液体材料ＬＭを最適量供給
することができる。
【００４３】この発明は、上述の実施の形態に限られる
ものではなく、種々に変形して実施することができる。
すなわち、液体材料導入路２３やキャリアガス導入路２
４は、必ずしも鉤型状に形成する必要はなく、ストレー
トであってもよい。そして、ヒータ２６はプレートヒー
タであってもよく、ヒータ２６によるの加熱温度は、液
体材料ＬＭの種類などに応じて適宜設定できる。また、
このヒータ２６は、本体ブロック２２の気液混合部３９
やガス導出路２５の近傍を加熱できるようにしてあれば
よく、特に、ノズル部４２から液体材料ＬＭを放出する
ことにより減圧させガスを好適に生成できる程度にして
あればよい。
【００４４】そして、制御バルブ１における液体材料Ｌ
Ｍの流量制御を、ガス導出ライン４に設けられた気体用
流量計１８の出力に基づいて行うようにしてもよく、こ
のようにした場合、より精度よく液体材料ＬＭの流量を
制御することができる。
【００４５】また、アクチュエータ４４として、電磁式
のものやサーマル式のものを用いてもよい。
【００４６】さらに、液体材料ＬＭは、エタノールに限
るものではなく、例えば、ペンタエトキシタンタル（Ｐ
ＥＴａ）や、トリメチルホスペェイト（ＴＭＰＯ）など
でもよい。また、液体材料ＬＭは、常温常圧で液体状態
であるものに限られるものではなく、常温常圧で気体で
あっても適宜加圧することにより常温で液体となるよう
なものであってもよい。
【００４７】しかも、反応容器２０は真空容器でもよ
く、この場合ガス導出ライン４は減圧となってもよい。
【００４８】図７は、上記液体材料気化装置によって、
液体材料ＬＭとしてのトリメチルホスペェイト（ＴＭＰ
Ｏ）をガス化したときに得られた測定データで、キャリ
アガスＣＧとしてのＮ2 の制御バルブ１への導入量を一
定に保持しながら、前記液体材料ＬＭの制御バルブ１へ
の導入量を瞬間的に増加および低下させたときの、制御
バルブ１から導出される混合ガスＫＧの変化を観察した
結果を表すものである。
【００４９】すなわち、前記キャリアガスＣＧを３．０
Ｌ／分、前記液体材料ＬＭを０．０３３ｃｃ／分で反応
炉２０に供給する場合であって、制御バルブ１のヒータ
２６の温度を７０℃とし、気液混合部３９における気液
混合体Ｍをノズル部４２から放出して、気液混合体Ｍ中
の液体材料ＬＭを減圧気化して反応炉２０に供給したと
きの状態を観察したものである。なお、図７に示す各グ
ラフにおいて、横軸は時間、縦軸は液体用流量計８およ
び気体用流量計１８の出力の大きさを表している。
【００５０】前記トリメチルホスペェイト（ＴＭＰＯ）
を、従来の液体材料気化装置によって０．０３３ｃｃ／
分で流して気化発生させるには、１３０度という温度が
必要であったが、このような高い温度ではＴＭＰＯが自
己分解し、分解物が制御バルブ１に堆積し、詰まるとい
う問題があった。しかし、本発明の液体材料気化装置に
よれば、ＴＭＰＯの自己分解がほとんど行われない７０
度で、ＴＭＰＯを０．３ｃｃ／分で流して気化発生させ
ることができるのであり、また、このとき、ＴＭＰＯの
流量をゼロから０．０３３ｃｃ／分にまで瞬間的に増加
させたときの液体用流量計８の出力の変化と、ＴＭＰＯ
の流量を０．０３３ｃｃ／分からゼロにまで瞬間的に低
下させたときの液体用流量計８の出力の変化とに、気体
用流量計１８の出力が追従していることから明らかなよ
うに、ＴＭＰＯの気化は安定して行われている。
【００５１】図８は、バルブシート３７付近におけるＴ
ＭＰＯの分解物の付着状態を比較して示す説明図であ
り、同図（Ａ）は、従来の液体材料気化装置を用いて、
前記キャリアガスＣＧを３．０Ｌ／分、前記液体材料Ｌ
Ｍを０．０３３ｃｃ／分で１４時間供給する場合であっ
て、バルブシート付近の温度を１３０℃としたときの結
果、同図（Ｂ）は、本発明の液体材料気化装置を用い
て、前記キャリアガスＣＧを３．０Ｌ／分、前記液体材
料ＬＭを０．０３３ｃｃ／分で１４時間供給する場合で
あって、バルブシート３７付近の温度を１３０℃とした
ときの結果、同図（Ｃ）は、本発明の液体材料気化装置
を用いて、前記キャリアガスＣＧを３．０Ｌ／分、前記
液体材料ＬＭを０．０３３ｃｃ／分で２０時間供給する
場合であって、バルブシート３７付近の温度を７０℃と
したときの結果をそれぞれ示している。
【００５２】図８（Ａ）および（Ｂ）から、温度を１３
０度とした場合には、本発明の液体材料気化装置を用い
てもバルブシート３７付近におけるＴＭＰＯの分解物の
付着が生じるが、従来の液体材料気化装置を用いた場合
に比べ、その付着面積が小さくなることがわかる。ま
た、図８（Ｃ）から、本発明の液体材料気化装置を用
い、かつ温度を７０度とした場合には、バルブシート３
７付近におけるＴＭＰＯの分解物の付着がほとんど生じ
ないことがわかる。
【００５３】すなわち、本発明の液体材料気化装置によ
れば、液体を気化させるために必要な加熱温度を下げる
ことができ、高温で分解する液体材料を気化させる場合
などであってもその分解を抑えることが可能となる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明において
は、液体材料とキャリアガスとを、液体流量制御機能を
備えた制御バルブ内の気液混合部において流量制御しな
がら混合し、この気液混合体をノズル部において減圧す
るようにしているので、液体材料を効率よくしかも安定
した状態で気化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る液体材料気化装置の全体構成を
概略的に示す図である。
【図２】前記液体材料気化装置における制御バルブの一
例を示す縦断面図である。
【図３】前記制御バルブにおける要部の構成を示す縦断
斜視図である。
【図４】前記制御バルブの動作説明図で、（Ａ）はバル
ブの閉状態を示す図、（Ｂ）はバルブの開状態を示す図
である。
【図５】前記気液混合部の動作説明図である。
【図６】前記液体材料気化装置による気化状態を説明す
るための図である。
【図７】前記液体材料気化装置によるトリメチルホスペ
ェイトの気化状態を説明するための図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は、バルブシート
付近におけるトリメチルホスペェイトの分解物の付着状
態を比較して示す説明図である。
【図９】従来の液体材料気化装置の要部を示す縦断面図
である。
【図１０】前記従来の液体材料気化装置の動作説明図で
ある。
【図１１】前記従来の液体材料気化装置による気化状態
を説明するための図である。
【符号の説明】
１…制御バルブ、２…液体材料供給ライン、３…キャリ
アガス供給ライン、４…ガス導出ライン、５…原料タン
ク、８…液体用流量計、１２…キャリアガス供給源、１
６…気体用流量制御装置、１８…気体用流量計、２５…
ガス導出路、３９…気液混合部、４２…ノズル部、ＬＭ
…液体材料、ＣＧ…キャリアガス、Ｍ…気液混合体、Ｋ
Ｇ…混合ガス。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液体材料とキャリアガスとを、液体流量
    制御機能を備えた制御バルブ内の気液混合部において流
    量制御しながら混合し、このときの気液混合体を流量制
    御部の近傍に形成されたノズル部から放出して液体材料
    を減圧気化させるようにしたことを特徴とする液体材料
    気化方法。
  2. 【請求項２】 液体流量制御機能を備えた制御バルブ
    に、液体材料を収容した原料タンクおよびこの原料タン
    クからの液体材料の流量を計測する液体用流量計を備え
    た液体材料供給ラインと、キャリアガス供給源およびキ
    ャリアガスの流量を制御する気体用流量制御装置を備え
    たキャリアガス供給ラインとを互いに独立して接続する
    一方、前記制御バルブ内に気液混合部およびノズル部を
    互いに近接して形成し、前記液体材料供給ラインによっ
    て制御バルブ内に導入される液体材料を流量制御しなが
    ら前記気液混合部においてキャリアガス供給ラインによ
    って制御バルブ内に導入されるキャリアガスと混合し、
    このときの気液混合体を前記ノズル部から放出して減圧
    する事により液体材料を気化し、この気化によって生じ
    たガスをキャリアガスとともに前記ノズル部の下流側の
    ガス導出路から取り出すようにしたことを特徴とする液
    体材料気化装置。
  3. 【請求項３】 制御バルブにおける液体材料の流量制御
    を、液体用流量計の出力またはガス導出ラインに設けら
    れた気体用流量計の出力に基づいて行うようにしてなる
    請求項２に記載の液体材料気化装置。
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EP00119280A EP1085106B1 (en) 1999-09-14 2000-09-06 A method and an apparatus for gasifying a liquid material
DE60032980T DE60032980T2 (de) 1999-09-14 2000-09-06 Verfahren und Vorrichtung zum Überführen eines flüssigen Materials in ein Gas.
US09/661,026 US6752387B1 (en) 1999-09-14 2000-09-13 Method and an apparatus for mixing and gasifying a reactant gas-liquid mixture
KR10-2000-0053937A KR100386217B1 (ko) 1999-09-14 2000-09-14 액체재료 기화방법 및 장치

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DE (1) DE60032980T2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6604493B1 (en) 2002-06-03 2003-08-12 Aera Japan Ltd. Liquid material vaporizing and feeding apparatus
WO2005112081A1 (en) * 2004-04-08 2005-11-24 Sebine Technology, Inc. Vaporizer with integral diaphragm
JP2009079302A (ja) * 2008-11-28 2009-04-16 Horiba Stec Co Ltd 液体材料気化装置
WO2009078293A1 (ja) * 2007-12-19 2009-06-25 Horiba Stec, Co., Ltd. 液体材料気化装置
JP2010540766A (ja) * 2007-09-25 2010-12-24 ピー２アイ リミテッド 蒸気運搬システム
JP2010540765A (ja) * 2007-09-25 2010-12-24 ピー２アイ リミテッド 蒸気運搬システム
KR101078411B1 (ko) 2011-07-06 2011-10-31 주식회사 신명 액체의 기화장치
JP2014045143A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Nippon Shokubai Co Ltd シリコン膜形成方法、シクロヘキサシラン梱包体およびシリコン膜形成装置
JP5548292B1 (ja) * 2013-05-30 2014-07-16 株式会社堀場エステック 加熱気化システムおよび加熱気化方法
US10391417B2 (en) 2015-12-11 2019-08-27 Horiba Stec, Co., Ltd. Liquid material vaporizaton apparatus
KR20230063321A (ko) 2021-11-01 2023-05-09 가부시키가이샤 호리바 에스텍 기화 장치, 기화 장치의 제어 방법, 기화 장치용 프로그램의 기억 매체, 및 유체 제어 장치

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7246796B2 (en) * 2001-01-18 2007-07-24 Masayuki Toda Carburetor, various types of devices using the carburetor, and method of vaporization
JP3881569B2 (ja) * 2002-03-13 2007-02-14 株式会社堀場エステック 液体材料気化装置
AU2002953538A0 (en) * 2002-12-23 2003-01-16 Pickering, Graham Clean line heated valve
US7021330B2 (en) 2003-06-26 2006-04-04 Planar Systems, Inc. Diaphragm valve with reliability enhancements for atomic layer deposition
US6907897B2 (en) * 2003-06-26 2005-06-21 Planar Systems, Inc. Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition
US6941963B2 (en) * 2003-06-26 2005-09-13 Planar Systems, Inc. High-speed diaphragm valve for atomic layer deposition
US20070042119A1 (en) * 2005-02-10 2007-02-22 Larry Matthysse Vaporizer for atomic layer deposition system
US7975718B2 (en) * 2007-04-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. In-situ monitor of injection valve
US8221513B2 (en) * 2008-01-29 2012-07-17 Kellogg Brown & Root Llc Low oxygen carrier fluid with heating value for feed to transport gasification
JP5419276B2 (ja) * 2009-12-24 2014-02-19 株式会社堀場製作所 材料ガス濃度制御システム及び材料ガス濃度制御システム用プログラム
US9454158B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Bhushan Somani Real time diagnostics for flow controller systems and methods
KR102491004B1 (ko) * 2015-01-16 2023-01-19 가부시키가이샤 깃츠 에스시티 블록 밸브와 원료 용기용 블록 밸브
KR20160147482A (ko) * 2015-06-15 2016-12-23 삼성전자주식회사 가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비
US10983537B2 (en) 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
KR102250139B1 (ko) 2018-01-23 2021-05-10 (주)티티에스 액체 소스 기화 장치 및 기화 방법
KR102216526B1 (ko) 2019-06-10 2021-02-17 (주)티티에스 밸브 조립체
US11459654B2 (en) * 2020-11-19 2022-10-04 Eugenus, Inc. Liquid precursor injection for thin film deposition
KR102375713B1 (ko) 2021-11-11 2022-03-17 정병운 매트 겸용 사우나기

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR713721A (fr) 1930-02-04 1931-10-31 Zenith Carburateurs Soc Gen Perfectionnements aux dispositifs d'alimentation en combustible des moteurs à combustion interne
US3889538A (en) 1974-06-05 1975-06-17 Sun Oil Co Pennsylvania Sample vaporizer for gas chromatography
US3930908A (en) 1974-09-30 1976-01-06 Rca Corporation Accurate control during vapor phase epitaxy
US4232063A (en) 1978-11-14 1980-11-04 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition reactor and process
US4241761A (en) 1979-01-09 1980-12-30 Michael Ebert Manifold valve assembly
GB2092908A (en) 1981-02-18 1982-08-25 Nat Res Dev Method and apparatus for delivering a controlled flow rate of reactant to a vapour deposition process
US4558845A (en) 1982-09-22 1985-12-17 Hunkapiller Michael W Zero dead volume valve
US4579080A (en) 1983-12-09 1986-04-01 Applied Materials, Inc. Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
US4668365A (en) 1984-10-25 1987-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition
US4761269A (en) 1986-06-12 1988-08-02 Crystal Specialties, Inc. Apparatus for depositing material on a substrate
US5000113A (en) 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
KR0156237B1 (ko) 1988-06-03 1998-12-01 고다까 토시오 처리액 공급 장치
JPH0784662B2 (ja) 1989-12-12 1995-09-13 アプライドマテリアルズジャパン株式会社 化学的気相成長方法とその装置
JPH0795527B2 (ja) * 1991-02-05 1995-10-11 株式会社リンテック 液体原料用気化供給器
US5203925A (en) 1991-06-20 1993-04-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for producing a thin film of tantalum oxide
NL9200415A (nl) * 1992-03-06 1993-10-01 Bronkhorst High Tech Bv Werkwijze voor het omzetten van een vloeistofstroom in een gasstroom, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
US5431763A (en) * 1992-11-19 1995-07-11 Boss Systems, L.L.C. Linerless labeling system
DE69312436T2 (de) * 1992-12-15 1998-02-05 Applied Materials Inc Verdampfung von flüssigen Reaktionspartnern für CVD
US5520969A (en) * 1994-02-04 1996-05-28 Applied Materials, Inc. Method for in-situ liquid flow rate estimation and verification
US5630878A (en) * 1994-02-20 1997-05-20 Stec Inc. Liquid material-vaporizing and supplying apparatus
US5520001A (en) * 1994-02-20 1996-05-28 Stec, Inc. Vapor controller
JP3720083B2 (ja) 1995-07-21 2005-11-24 株式会社日立製作所 半導体素子用薄膜の製造方法および装置、並びに半導体ウェハ
JPH1089532A (ja) * 1995-12-13 1998-04-10 Rintetsuku:Kk 気化装置の弁構造
US6131307A (en) * 1997-08-07 2000-10-17 Tokyo Electron Limited Method and device for controlling pressure and flow rate
US6167323A (en) * 1997-08-12 2000-12-26 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling gas system
US6179277B1 (en) * 1998-02-27 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Liquid vaporizer systems and methods for their use
JP4064525B2 (ja) * 1998-05-11 2008-03-19 アドバンスド エナジー ジャパン株式会社 液体材料気化供給装置の気化器

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1333106C (zh) * 2002-06-03 2007-08-22 日本Aera株式会社 液体材料汽化及供给装置
US6604493B1 (en) 2002-06-03 2003-08-12 Aera Japan Ltd. Liquid material vaporizing and feeding apparatus
WO2005112081A1 (en) * 2004-04-08 2005-11-24 Sebine Technology, Inc. Vaporizer with integral diaphragm
JP2010540766A (ja) * 2007-09-25 2010-12-24 ピー２アイ リミテッド 蒸気運搬システム
JP2010540765A (ja) * 2007-09-25 2010-12-24 ピー２アイ リミテッド 蒸気運搬システム
US8544828B2 (en) 2007-12-19 2013-10-01 Horiba Stec, Co., Ltd. Liquid material vaporization apparatus
WO2009078293A1 (ja) * 2007-12-19 2009-06-25 Horiba Stec, Co., Ltd. 液体材料気化装置
KR101501311B1 (ko) * 2007-12-19 2015-03-10 가부시키가이샤 호리바 에스텍 액체 재료 기화 장치
TWI501290B (zh) * 2007-12-19 2015-09-21 Horiba Stec Co 液體材料氣化裝置
JP2009079302A (ja) * 2008-11-28 2009-04-16 Horiba Stec Co Ltd 液体材料気化装置
KR101078411B1 (ko) 2011-07-06 2011-10-31 주식회사 신명 액체의 기화장치
JP2014045143A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Nippon Shokubai Co Ltd シリコン膜形成方法、シクロヘキサシラン梱包体およびシリコン膜形成装置
JP5548292B1 (ja) * 2013-05-30 2014-07-16 株式会社堀場エステック 加熱気化システムおよび加熱気化方法
JP2014236018A (ja) * 2013-05-30 2014-12-15 株式会社堀場エステック 加熱気化システムおよび加熱気化方法
US10240233B2 (en) 2013-05-30 2019-03-26 Horiba Stec, Co., Ltd. Heating vaporization system and heating vaporization method
US10391417B2 (en) 2015-12-11 2019-08-27 Horiba Stec, Co., Ltd. Liquid material vaporizaton apparatus
KR20230063321A (ko) 2021-11-01 2023-05-09 가부시키가이샤 호리바 에스텍 기화 장치, 기화 장치의 제어 방법, 기화 장치용 프로그램의 기억 매체, 및 유체 제어 장치

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