JPH0582507A - 液体気化バルブ - Google Patents
液体気化バルブInfo
- Publication number
- JPH0582507A JPH0582507A JP3238158A JP23815891A JPH0582507A JP H0582507 A JPH0582507 A JP H0582507A JP 3238158 A JP3238158 A JP 3238158A JP 23815891 A JP23815891 A JP 23815891A JP H0582507 A JPH0582507 A JP H0582507A
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- JP
- Japan
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- liquid
- raw material
- valve
- needle
- gas
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/008—Feed or outlet control devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/10—Mixing gases with gases
- B01F23/12—Mixing gases with gases with vaporisation of a liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造装置における薄膜形成用液体原料
を高精度に供給する液体気化バルブを得ること。 【構成】 図４に示すように、３方向液体気化バルブ３
０の液体原料供給通路３８内に通路内壁とニードル４０
との間に液体原料が通過できる程度の隙間をもって、先
端に向かってテーパーを有するニードルを挿入するか、
あるいはテーパー状の液体原料供給通路内にテーパーの
ないニードルを挿入したものである。このような構造の
３方向液体気化バルブにおいて、ニードルの位置を調整
することによって気液界面（気体と液体との境界面）が
変化すると共に、気液界面上の空間堆積が変化して液体
原料の気化が安定する。
を高精度に供給する液体気化バルブを得ること。 【構成】 図４に示すように、３方向液体気化バルブ３
０の液体原料供給通路３８内に通路内壁とニードル４０
との間に液体原料が通過できる程度の隙間をもって、先
端に向かってテーパーを有するニードルを挿入するか、
あるいはテーパー状の液体原料供給通路内にテーパーの
ないニードルを挿入したものである。このような構造の
３方向液体気化バルブにおいて、ニードルの位置を調整
することによって気液界面（気体と液体との境界面）が
変化すると共に、気液界面上の空間堆積が変化して液体
原料の気化が安定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液体原料用気化供給器
の液体気化バルブの改良に関し、特に半導体製造装置に
おけるＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Si(0C2H5)4)
をはじめとする薄膜形成用液体原料を高精度に供給する
ことができる液体気化バルブに関する。
の液体気化バルブの改良に関し、特に半導体製造装置に
おけるＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Si(0C2H5)4)
をはじめとする薄膜形成用液体原料を高精度に供給する
ことができる液体気化バルブに関する。
【０００２】
【従来技術】半導体ウエーハの層間絶縁膜(SiO2)材料と
して、最近ＴＥＯＳが特に注目されつつある。その理由
として、(1) 従来の減圧ＣＶＤを使用した(SiH4)の堆積
メカニズムと異なり、表面反応律速であり、そのために
ステップカバレッジが良好であること、(2) SiH4は極め
て反応性が高く、爆発事故を発生する可能性が高いが、
ＴＥＯＳは安全性が高く、保存も容易であること、(3)
将来、原料として低コスト化が期待できることなどのた
めである。
して、最近ＴＥＯＳが特に注目されつつある。その理由
として、(1) 従来の減圧ＣＶＤを使用した(SiH4)の堆積
メカニズムと異なり、表面反応律速であり、そのために
ステップカバレッジが良好であること、(2) SiH4は極め
て反応性が高く、爆発事故を発生する可能性が高いが、
ＴＥＯＳは安全性が高く、保存も容易であること、(3)
将来、原料として低コスト化が期待できることなどのた
めである。
【０００３】ＴＥＯＳを用いるＣＶＤ法には、減圧ＣＶ
Ｄ法、常圧ＣＶＤ法並びにプラズマＣＶＤ法などがあ
る。常圧ＣＶＤ法のように反応炉が常圧状態で使用され
る場合、反応炉よりも上流配管内は上流側程高い圧力と
しなければならない。さもないと液体原料は配管内を流
れることができない。減圧ＣＶＤ法並びにプラズマＣＶ
Ｄ法では反応炉内が減圧状態であるからそのままの状態
で液体原料は反応炉に向かって流れる。
Ｄ法、常圧ＣＶＤ法並びにプラズマＣＶＤ法などがあ
る。常圧ＣＶＤ法のように反応炉が常圧状態で使用され
る場合、反応炉よりも上流配管内は上流側程高い圧力と
しなければならない。さもないと液体原料は配管内を流
れることができない。減圧ＣＶＤ法並びにプラズマＣＶ
Ｄ法では反応炉内が減圧状態であるからそのままの状態
で液体原料は反応炉に向かって流れる。
【０００４】図１は反応炉に混合ガスを供給する気化供
給系統図である。図１を参照すると、反応炉（真空チャ
ンバ）１０内にはサセプター上に半導体基板が載置さ
れ、真空チャンバを真空状態にすると共に液体気化バル
ブ３０において気化したＴＥＯＳを搬送ガスに随伴さ
せ、途中で酸素と混合させ真空チャンバに送り込む。更
に真空チャンバの電極に高周波を印加してプラズマを発
生させて、半導体基板上にSiO2を成膜する。
給系統図である。図１を参照すると、反応炉（真空チャ
ンバ）１０内にはサセプター上に半導体基板が載置さ
れ、真空チャンバを真空状態にすると共に液体気化バル
ブ３０において気化したＴＥＯＳを搬送ガスに随伴さ
せ、途中で酸素と混合させ真空チャンバに送り込む。更
に真空チャンバの電極に高周波を印加してプラズマを発
生させて、半導体基板上にSiO2を成膜する。
【０００５】出願人は、図１の装置において、液体原料
ガスを気化すると共に高温搬送ガスと混合して、真空チ
ャンバのような反応領域に供給するための気化供給装置
を特願平１−３２２２６６及び特願平３−３６７０７に
より特許出願をした。本発明は、これらの装置に用いら
れる液体気化バルブを更に改良したものである。図２は
特願平１−３２２２６６として特許出願した３分岐液体
気化バルブ本体３０の断面図を示している。液体気化バ
ルブ本体３０には上面開口凹所が設けられており、この
上面開口凹所を閉塞するように駆動部３１が設置されて
いる。このバルブの駆動部３１は、例えば精密に制御の
できるエアーバルブ等が用いられる。駆動部３１の下面
中央にプランジャ３２が突設されており、駆動部３１の
作用によって昇降するようになっている。更に上面開口
凹所の中央にダイヤフラム３３が設けられており、その
周囲が上面開口凹所の内周に配設された内周枠に気密状
に固定されている。更にバルブ本体３０の底部中央に液
体原料供給路３８がある。この液体原料供給路３８に合
致してバルブ本体３０の上面にバルブシート３４が装着
されている。そして前記プランジャ３２もバルブシート
３４の開口に一致して配設されており、ダイヤフラム３
３を介して前記開口を開閉するようになっている。ま
た、ダイヤフラム３３の下方においてバルブシート３４
の周囲が制御室３５となっている。液体原料供給路３８
の両側にはＬ字型の搬送ガス入口３６と混合ガスの出口
３７とが設けられ、それらは制御室３５に連通してい
る。そして前記液体原料供給路３８は液体流量制御器
（図１参照）に接続されている。搬送ガス入口３６は恒
温加熱した配管を介して搬送ガスボンベやは反応ガスボ
ンベ（図示せず）に接続されている。また混合ガス出口
はもう一方の恒温加熱した配管を介して反応炉（真空チ
ャンバ）に接続されている。
ガスを気化すると共に高温搬送ガスと混合して、真空チ
ャンバのような反応領域に供給するための気化供給装置
を特願平１−３２２２６６及び特願平３−３６７０７に
より特許出願をした。本発明は、これらの装置に用いら
れる液体気化バルブを更に改良したものである。図２は
特願平１−３２２２６６として特許出願した３分岐液体
気化バルブ本体３０の断面図を示している。液体気化バ
ルブ本体３０には上面開口凹所が設けられており、この
上面開口凹所を閉塞するように駆動部３１が設置されて
いる。このバルブの駆動部３１は、例えば精密に制御の
できるエアーバルブ等が用いられる。駆動部３１の下面
中央にプランジャ３２が突設されており、駆動部３１の
作用によって昇降するようになっている。更に上面開口
凹所の中央にダイヤフラム３３が設けられており、その
周囲が上面開口凹所の内周に配設された内周枠に気密状
に固定されている。更にバルブ本体３０の底部中央に液
体原料供給路３８がある。この液体原料供給路３８に合
致してバルブ本体３０の上面にバルブシート３４が装着
されている。そして前記プランジャ３２もバルブシート
３４の開口に一致して配設されており、ダイヤフラム３
３を介して前記開口を開閉するようになっている。ま
た、ダイヤフラム３３の下方においてバルブシート３４
の周囲が制御室３５となっている。液体原料供給路３８
の両側にはＬ字型の搬送ガス入口３６と混合ガスの出口
３７とが設けられ、それらは制御室３５に連通してい
る。そして前記液体原料供給路３８は液体流量制御器
（図１参照）に接続されている。搬送ガス入口３６は恒
温加熱した配管を介して搬送ガスボンベやは反応ガスボ
ンベ（図示せず）に接続されている。また混合ガス出口
はもう一方の恒温加熱した配管を介して反応炉（真空チ
ャンバ）に接続されている。
【０００６】次に、３分岐液体気化バルブ３０の作用に
ついて説明する。液体原料３９があらかじめ恒温加熱し
た３方向液体気化バルブの液体気化供給路３８に供給さ
れると、バルブシート３４の上端に達した液体原料は搬
送ガスと接して、その表面から順次蒸発気化する。この
蒸気（即ち、原料ガス）は気化と同時に搬送ガスによっ
て運び去られるので、この原料ガスの圧力は低下する。
そこで、この圧力低下を補うために原料ガスが次々に気
化する。この一連の作用によって液化原料は連続的に気
化、搬送が起こり混合ガスが得られる。この混合ガスは
反応炉へ導かれるため反応炉へ流量の一定な原料ガスの
供給が行われることになる。
ついて説明する。液体原料３９があらかじめ恒温加熱し
た３方向液体気化バルブの液体気化供給路３８に供給さ
れると、バルブシート３４の上端に達した液体原料は搬
送ガスと接して、その表面から順次蒸発気化する。この
蒸気（即ち、原料ガス）は気化と同時に搬送ガスによっ
て運び去られるので、この原料ガスの圧力は低下する。
そこで、この圧力低下を補うために原料ガスが次々に気
化する。この一連の作用によって液化原料は連続的に気
化、搬送が起こり混合ガスが得られる。この混合ガスは
反応炉へ導かれるため反応炉へ流量の一定な原料ガスの
供給が行われることになる。
【０００７】従って、必要に応じて液体流量制御器２０
を制御すれば３分岐液体気化バルブ３０において適宜割
合の混合ガスが得られるのである。
を制御すれば３分岐液体気化バルブ３０において適宜割
合の混合ガスが得られるのである。
【０００８】
【本発明が解決すべき課題】ところが、このような３分
岐液体気化バルブを用いた場合、プランジャーを上げて
バルブをオン状態にしたとき、液体流量制御器と３分岐
液体気化バルブとの間の液体供給ラインが減圧となるた
めに液体の沸騰が起こり液体と蒸気が混合した状態とな
る。更に液体流量制御器から液体の供給が行われると、
供給された液体も沸騰し液体と蒸気が混じりあった状態
となる。従って、図３に示すように３分岐液体気化バル
ブより反応炉へ供給される液体流量が液体と蒸気の混合
比に応じて変動されるリップルを生じる。
岐液体気化バルブを用いた場合、プランジャーを上げて
バルブをオン状態にしたとき、液体流量制御器と３分岐
液体気化バルブとの間の液体供給ラインが減圧となるた
めに液体の沸騰が起こり液体と蒸気が混合した状態とな
る。更に液体流量制御器から液体の供給が行われると、
供給された液体も沸騰し液体と蒸気が混じりあった状態
となる。従って、図３に示すように３分岐液体気化バル
ブより反応炉へ供給される液体流量が液体と蒸気の混合
比に応じて変動されるリップルを生じる。
【０００９】従って、本発明は、液体の沸騰を抑え、液
体の気化供給を安定して行い、目的とする混合ガスを安
定して得ることを目的とする。
体の気化供給を安定して行い、目的とする混合ガスを安
定して得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の３方向
液体気化バルブの液体原料供給通路内に、通路の内壁と
の間に液体原料が通過できる程度の隙間をもって、先端
に向かってテーパーを有するニードルを挿入したもので
ある。或いはテーパー状の液体原料供給通路内にテーパ
ーのないニードルを挿入したものである。この様な構造
の３方向液体気化バルブにおいては、液体原料供給通路
とニードルとによって或る一定の空間が形成される。こ
の間隙を気化流量に対して適切化することによって気液
界面（気体と液体との境界面）が固定され、液体原料の
気化が安定するものである。
液体気化バルブの液体原料供給通路内に、通路の内壁と
の間に液体原料が通過できる程度の隙間をもって、先端
に向かってテーパーを有するニードルを挿入したもので
ある。或いはテーパー状の液体原料供給通路内にテーパ
ーのないニードルを挿入したものである。この様な構造
の３方向液体気化バルブにおいては、液体原料供給通路
とニードルとによって或る一定の空間が形成される。こ
の間隙を気化流量に対して適切化することによって気液
界面（気体と液体との境界面）が固定され、液体原料の
気化が安定するものである。
【００１１】
【実施例】図４は本発明の３分岐液体気化バルブの断面
図である。従来の３方向液体気化バルブである図２と比
較した場合、本発明である図４においては、液体原料供
給通路内にニードルが挿入されており、その他の構成は
両者共通である。同一の構成部分には共通の参照番号を
付してある。
図である。従来の３方向液体気化バルブである図２と比
較した場合、本発明である図４においては、液体原料供
給通路内にニードルが挿入されており、その他の構成は
両者共通である。同一の構成部分には共通の参照番号を
付してある。
【００１２】本発明おけるニードル４０は先端に向かっ
てテーパーを有しており、液体原料供給通路３８の内壁
との間には、液体原料が通過できる程度の間隙を持たせ
て液体原料供給通路３８の内部に挿入される。この様な
構造の３分岐液体気化バルブ３０は液体原料供給通路の
内壁とニードルとの間に空間が形成される。いま液体原
料供給通路３８にある一定の圧力で液体原料３９を供給
し、気液界面の位置（バルブシート３４の開口からの距
離）がニードル４０の適当な位置にくるようにニードル
位置、即ちニードルと液体原料供給通路３８の隙間を調
節する。このようにしてプランジャ３２を上昇させてバ
ルブをオンにすると加熱搬送ガスによって、液体原料の
気化がスムーズに行われ、気化した原料ガスはバルブシ
ートの開口部において搬送ガスと混合し、混合ガス出口
３７を通過して、反応炉１０へと導かれる。
てテーパーを有しており、液体原料供給通路３８の内壁
との間には、液体原料が通過できる程度の間隙を持たせ
て液体原料供給通路３８の内部に挿入される。この様な
構造の３分岐液体気化バルブ３０は液体原料供給通路の
内壁とニードルとの間に空間が形成される。いま液体原
料供給通路３８にある一定の圧力で液体原料３９を供給
し、気液界面の位置（バルブシート３４の開口からの距
離）がニードル４０の適当な位置にくるようにニードル
位置、即ちニードルと液体原料供給通路３８の隙間を調
節する。このようにしてプランジャ３２を上昇させてバ
ルブをオンにすると加熱搬送ガスによって、液体原料の
気化がスムーズに行われ、気化した原料ガスはバルブシ
ートの開口部において搬送ガスと混合し、混合ガス出口
３７を通過して、反応炉１０へと導かれる。
【００１３】ニードル４０が挿入された液体原料供給路
３８とバルブによって形成される空間体積を適当に選ぶ
ことによって、混合ガスが得られる初期状態に前述のオ
ーバシュートを除くことが可能になった。ニードル４０
は種々の形状のものが考えられるが、先端があまり尖っ
ているものよりも丸みのあるものとし、ニードルの位置
は、バルブがオフのときダイヤフラムとニードルの先端
の距離を小さくして、前述の空間体積を少なくする。こ
のようにすると、バルブがオフのときに溜まった液体原
料がバルブがオンになった初期において、過剰供給され
ることなく所謂オーバシュート現象を除くことができ
る。また気液界面の位置を調整することによって液体原
料の気化状態を調整することもできる。これよって、定
常時においても、気化がスムーズに行われるため常に一
定の原料ガスが供給されるため、リップル現象を生じる
ことがない。従って、ニードルの位置を可変にする構造
にすることは好ましいことである。
３８とバルブによって形成される空間体積を適当に選ぶ
ことによって、混合ガスが得られる初期状態に前述のオ
ーバシュートを除くことが可能になった。ニードル４０
は種々の形状のものが考えられるが、先端があまり尖っ
ているものよりも丸みのあるものとし、ニードルの位置
は、バルブがオフのときダイヤフラムとニードルの先端
の距離を小さくして、前述の空間体積を少なくする。こ
のようにすると、バルブがオフのときに溜まった液体原
料がバルブがオンになった初期において、過剰供給され
ることなく所謂オーバシュート現象を除くことができ
る。また気液界面の位置を調整することによって液体原
料の気化状態を調整することもできる。これよって、定
常時においても、気化がスムーズに行われるため常に一
定の原料ガスが供給されるため、リップル現象を生じる
ことがない。従って、ニードルの位置を可変にする構造
にすることは好ましいことである。
【００１４】また、上記の実施例においてはニードルに
テーパーを設けたものについて説明を行ったが、液体原
料供給路にテーパーを設け、テーパーのないニードルを
挿入するようにしてもよい。更に液体原料供給路及びニ
ードルの双方にテーパを設け、そのテーパーの角度を変
えてもよいことは勿論である。
テーパーを設けたものについて説明を行ったが、液体原
料供給路にテーパーを設け、テーパーのないニードルを
挿入するようにしてもよい。更に液体原料供給路及びニ
ードルの双方にテーパを設け、そのテーパーの角度を変
えてもよいことは勿論である。
【００１５】
【発明の効果】本発明の液体気化バルブは前述の如き構
造を有することにより、バルブがオフのときにバルブと
ニードルとの間に液体が殆ど溜まることがなく、バルブ
をオンにしたとき、初期において原料ガスの過剰供給と
いう、所謂オーバシュート現象が生じることなく、その
後の定常時においても、気化がスムーズに行われるため
常に一定の原料ガスが反応炉に供給されるため、リップ
ル現象を生じることもない。従って、半導体ウエーハの
製造において不良品の発生が少なく、歩留りが向上す
る。
造を有することにより、バルブがオフのときにバルブと
ニードルとの間に液体が殆ど溜まることがなく、バルブ
をオンにしたとき、初期において原料ガスの過剰供給と
いう、所謂オーバシュート現象が生じることなく、その
後の定常時においても、気化がスムーズに行われるため
常に一定の原料ガスが反応炉に供給されるため、リップ
ル現象を生じることもない。従って、半導体ウエーハの
製造において不良品の発生が少なく、歩留りが向上す
る。
【００１６】以上、本発明の実施例において、半導体製
造装置における薄膜形成用液体原料を供給する場合につ
いて述べたが、化学工業分野、特に次工程が減圧状態に
ある反応炉等の液体（例えば、アルコール類、有機酸類
等）を高精度に移送する液体原料用気化供給器の液体気
化バルブに応用できることは勿論である。
造装置における薄膜形成用液体原料を供給する場合につ
いて述べたが、化学工業分野、特に次工程が減圧状態に
ある反応炉等の液体（例えば、アルコール類、有機酸類
等）を高精度に移送する液体原料用気化供給器の液体気
化バルブに応用できることは勿論である。
【図１】反応炉に混合ガスを供給する気化供給系統図
【図２】従来の３分岐液体気化バルブの断面図
【図３】バルブをオンにしたときに発生するオーバシュ
ートの説明図
ートの説明図
【図４】本発明の３分岐液体気化バルブの断面図
３０ 液体気化バルブ ３１ 駆動部 ３２ プランジャ ３３ ダイヤフラム ３４ バルブシート ３５ 制御室 ３６ 搬送ガス入口 ３７ 混合ガス出口 ３８ 液体原料供給路 ３９ 液体原料 ４０ ニードル
Claims (3)
- 【請求項１】 搬送ガスと原料液化ガスを混合する３分
岐液体気化バルブにおいて、液体原料供給通路内に先端
に向かって流量を制御する手段を有することを特徴とす
る液体気化バルブ。 - 【請求項２】 前記流量を制御する手段は液体原料供給
通路内にテーパー状のニードルを挿入したことを特徴と
する請求項１に記載の液体気化バルブ。 - 【請求項３】 前記流量を制御する手段はテーパー状の
液体原料供給通路にテーパーのないニードルを挿入した
ことを特徴とする請求項１に記載の液体気化バルブ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238158A JPH0582507A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 液体気化バルブ |
| EP92116031A EP0533201B1 (en) | 1991-09-18 | 1992-09-18 | Liquid vaporization valve |
| DE69208306T DE69208306T2 (de) | 1991-09-18 | 1992-09-18 | Flüssigkeitsverdampfungsventil |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238158A JPH0582507A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 液体気化バルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582507A true JPH0582507A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17026054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3238158A Pending JPH0582507A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 液体気化バルブ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0533201B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0582507A (ja) |
| DE (1) | DE69208306T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5690743A (en) * | 1994-06-29 | 1997-11-25 | Tokyo Electron Limited | Liquid material supply apparatus and method |
| JP2008112964A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Applied Materials Inc | 可変処理ガス分布マスクエッチングプラズマリアクタ |
| US9218944B2 (en) | 2006-10-30 | 2015-12-22 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0602595B1 (en) * | 1992-12-15 | 1997-07-23 | Applied Materials, Inc. | Vaporizing reactant liquids for CVD |
| US5925189A (en) | 1995-12-06 | 1999-07-20 | Applied Materials, Inc. | Liquid phosphorous precursor delivery apparatus |
| TW322602B (ja) * | 1996-04-05 | 1997-12-11 | Ehara Seisakusho Kk | |
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