JPS58125633A - ガラス微粒子製造におけるガス供給方法 - Google Patents
ガラス微粒子製造におけるガス供給方法Info
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- JPS58125633A JPS58125633A JP490782A JP490782A JPS58125633A JP S58125633 A JPS58125633 A JP S58125633A JP 490782 A JP490782 A JP 490782A JP 490782 A JP490782 A JP 490782A JP S58125633 A JPS58125633 A JP S58125633A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
九ンアイパの一般的な殺這方ｂＩ、の」つＰＣ火炎加水
分ｍ法がある。この方法は生原料である５ｉｃｔ４をキ
ャリアガスと共にバーナに送り、燃焼ガスにより生じた
火炎を利用して５ｉＣｌ、ガス葡力１１水分解δせ、こ
こで生じたＳ １０２の煤杯年回転体に積層してガ゛ラ
ス体′ｆｆ：製造する方法であ６ 。
分ｍ法がある。この方法は生原料である５ｉｃｔ４をキ
ャリアガスと共にバーナに送り、燃焼ガスにより生じた
火炎を利用して５ｉＣｌ、ガス葡力１１水分解δせ、こ
こで生じたＳ １０２の煤杯年回転体に積層してガ゛ラ
ス体′ｆｆ：製造する方法であ６ 。
この１６台、元ファイバはファイバ内Ｂｌ＋にう′シ合
−閉じ込めて伝送する必要からガラス体の中心Ｒ１５と
周辺市との聞ｔ′こ）Ｂｉ Ｉ）Ｔ率差を有１−ること
がイ、相欠と４る。−ｔ−こて通常用１ノ１率両潤用の
ドー・ギントとなるＢＣＡｓ 、 Ｇ ｅ Ｃｔ４．
ＰＯＣｔｓ なとのド−ａ＃／１−ガスを上記５ｉＣ
ｔ４ガスと共にｌ１ｉｔ＋； Ｌ Ｓ ＋ ０２中ＶＣ
１３２０：、 。
−閉じ込めて伝送する必要からガラス体の中心Ｒ１５と
周辺市との聞ｔ′こ）Ｂｉ Ｉ）Ｔ率差を有１−ること
がイ、相欠と４る。−ｔ−こて通常用１ノ１率両潤用の
ドー・ギントとなるＢＣＡｓ 、 Ｇ ｅ Ｃｔ４．
ＰＯＣｔｓ なとのド−ａ＃／１−ガスを上記５ｉＣ
ｔ４ガスと共にｌ１ｉｔ＋； Ｌ Ｓ ＋ ０２中ＶＣ
１３２０：、 。
Ｑｅ２０３などを配合させることが行なわれる。ここで
股に元ファイバの・出城を向」ニさせる最適のＩＩＩ
ＩＪ斤率分布全率分布るために）−・Ｐントの叔ハ之゛
ケファイバ断面の中心・から周辺に向って二釆分イ１】
にノーることか行なわれン、。
股に元ファイバの・出城を向」ニさせる最適のＩＩＩ
ＩＪ斤率分布全率分布るために）−・Ｐントの叔ハ之゛
ケファイバ断面の中心・から周辺に向って二釆分イ１】
にノーることか行なわれン、。
上ｔＩシ製造力が１、［於て５ｉＣｚ４ ｉｔ −ｘ、
−？ ＧｅＣ４カスなどのドーパントガスはば３１図
に示す」、うにバグリンク゛によって供給さｔｌ、てい
るのが一般的−（ある。貝師−的に猷ＧｅＣｌ４ 、
ＳｉＣｌ２などの静体原旧盆バプラ１０に貯留し、この
原料液体中にギヤリアガスを一定の温度、光音で送り込
み原料液体全バブリングして気化する。バプラの上ｔｊ
ＩＳには送給管１１が設けられており、これを通じてキ
ャリアガスと供に気化した原料ガスを火炎中に供給する
方法である。キャリアガスとして通Ｎ Ｏｚ 、 Ｎ２
、 Ａｒ 、 Ｈｅなどが利用さｎる。、、Ｃの場合
供給される原料ガスは温度とキャリアガス光音により決
まる。温度Ｔでの原料の飽和蒸気圧をαａｔｆｆｉ と
し、キャリアガスの＃ｔ、 ｂｉをＶｃ とすると原
料ガス流ｋＶｄｔｊ：ドルトンの分圧の法則により となる。この式から明らかなように多缶の地利ガス全供
給１−るには多針のギヤリアガスが必要となる。ところ
が実際にはキャリアガスのｔ）１シｉＪを大きくしても
バッジの形状や各社の彩管により′ｉＡ効的なαは小さ
くなシ供給効率に限界がある。また多餡のキャリアガス
が、火炎の安定性を大幅に乱すためドーパントの分布が
乱れると本発明は上記欠点を生ずることなく原料ガスを
安定にかつ、容易にコントロールできるように送給する
方法を提供するものであって、その構成は、ガラス徽粒
子金生成する固体ないし液ｆ＋原料を加熱室内に導入し
、該室内の加熱により上記原料をＩＵ接気化させて原料
ガスとし、該原料ガスを燃焼用バーナに送ることを特徴
と１゛る。
−？ ＧｅＣ４カスなどのドーパントガスはば３１図
に示す」、うにバグリンク゛によって供給さｔｌ、てい
るのが一般的−（ある。貝師−的に猷ＧｅＣｌ４ 、
ＳｉＣｌ２などの静体原旧盆バプラ１０に貯留し、この
原料液体中にギヤリアガスを一定の温度、光音で送り込
み原料液体全バブリングして気化する。バプラの上ｔｊ
ＩＳには送給管１１が設けられており、これを通じてキ
ャリアガスと供に気化した原料ガスを火炎中に供給する
方法である。キャリアガスとして通Ｎ Ｏｚ 、 Ｎ２
、 Ａｒ 、 Ｈｅなどが利用さｎる。、、Ｃの場合
供給される原料ガスは温度とキャリアガス光音により決
まる。温度Ｔでの原料の飽和蒸気圧をαａｔｆｆｉ と
し、キャリアガスの＃ｔ、 ｂｉをＶｃ とすると原
料ガス流ｋＶｄｔｊ：ドルトンの分圧の法則により となる。この式から明らかなように多缶の地利ガス全供
給１−るには多針のギヤリアガスが必要となる。ところ
が実際にはキャリアガスのｔ）１シｉＪを大きくしても
バッジの形状や各社の彩管により′ｉＡ効的なαは小さ
くなシ供給効率に限界がある。また多餡のキャリアガス
が、火炎の安定性を大幅に乱すためドーパントの分布が
乱れると本発明は上記欠点を生ずることなく原料ガスを
安定にかつ、容易にコントロールできるように送給する
方法を提供するものであって、その構成は、ガラス徽粒
子金生成する固体ないし液ｆ＋原料を加熱室内に導入し
、該室内の加熱により上記原料をＩＵ接気化させて原料
ガスとし、該原料ガスを燃焼用バーナに送ることを特徴
と１゛る。
以下に本発明全実施例と共に詳細に説明する。
ガ゛ラス媒体企製造する方法の一例として気相軸付は法
（ＶＡＤ法）について説明すると、２回転体の下１１す
にバーナを設け、このバーナに礼。
（ＶＡＤ法）について説明すると、２回転体の下１１す
にバーナを設け、このバーナに礼。
０２などの燃力）、用ガスを供給すると共に原、！＋ガ
スとして５ｉＣ４屈折率、ＩＪ ｌｉｄ用金ＩＳ酸化物
の一例としてＱｅＣ４？ｉ＝バーナに込９、バーナの火
炎で上記原料ガスヶ加水分解し、５ｉｎ２． （ｊｅｔ
、 の媒体を作９これ全上記回転体の底面に付着させ
、徐々に回転体を同転しなから上方に引き上け、ぞの底
面に５ｉｎ２ のガラス微粒子媒体を堆積さぜ、棒状の
ガラス微粒子集合体を形成１°る。この場合、５１０２
微粒子の付着と共に屈折率調桔用ドーパントとなるＧ
ｅ ０２ も同時に付着しガラス微粒子集合体の成長
につれて該微粒子体にｂ［定疾度含有される。
スとして５ｉＣ４屈折率、ＩＪ ｌｉｄ用金ＩＳ酸化物
の一例としてＱｅＣ４？ｉ＝バーナに込９、バーナの火
炎で上記原料ガスヶ加水分解し、５ｉｎ２． （ｊｅｔ
、 の媒体を作９これ全上記回転体の底面に付着させ
、徐々に回転体を同転しなから上方に引き上け、ぞの底
面に５ｉｎ２ のガラス微粒子媒体を堆積さぜ、棒状の
ガラス微粒子集合体を形成１°る。この場合、５１０２
微粒子の付着と共に屈折率調桔用ドーパントとなるＧ
ｅ ０２ も同時に付着しガラス微粒子集合体の成長
につれて該微粒子体にｂ［定疾度含有される。
上ｄピ原料ガスを送給する装置構成の例を第２図ないし
第４図に示す。第２図の構成は原料であるＧｅ Ｃｔ４
溶液、５ｉＣ４溶液をそれぞれ個別に加熱室内に導入し
、ガス化する装置例である。
第４図に示す。第２図の構成は原料であるＧｅ Ｃｔ４
溶液、５ｉＣ４溶液をそれぞれ個別に加熱室内に導入し
、ガス化する装置例である。
該装置例において、原料であるＧｅＣ１４ｈ敢、Ｓ ｒ
Ｃｔ４溶液はぞれぞれ容器２０．２１に貯留される。
Ｃｔ４溶液はぞれぞれ容器２０．２１に貯留される。
容器２０．２１の底部には内部の（：ｉ ｅ Ｃ４浴液
、５１Ｃ１４解液を送給するための送給パイ！２２．２
３が配置され、該送給パイｆ２２．２３にはＧｅＣｌ４
溶液、５ｉＣｔ４溶＆を吸！ＩＴるためのポンプ２４．
２５が設けられている。
、５１Ｃ１４解液を送給するための送給パイ！２２．２
３が配置され、該送給パイｆ２２．２３にはＧｅＣｌ４
溶液、５ｉＣｔ４溶＆を吸！ＩＴるためのポンプ２４．
２５が設けられている。
一方、該送給パイ！２２．２３はそれぞれ加熱室２６．
２７に接続される。該加熱室２６゜２７は気密に保たれ
、その底部にヒータ２８゜２りが設けられると共に上記
送給〕七イｆ２４゜２５の先端が該ヒータ２８．２９の
直上に開口する。又、該加熱室の上部側壁には室内で気
化したガスを外部に導くための排気口１．３ 、 ＋
４が設りられておシ、該′ｊＪｌ’気口１３．．１４に
は燃焼用バーナに至る送給ｉｆイフ０か接続する。上記
構成においてＧｅＣｌ４溶敦、５ｊＣ１４溶液はポンプ
２４ 、２５により送給パイプ２２．２３を通して加熱
室２６．２７に送られ、ヒータ２８，２９の上面に滴下
される。ヒータ２８，２９は所定温度に加熱し、ＧｅＣ
ｌ４ 、５ｉＣ４４が滴下すると同時にこの加熱によυ
上記溶液が気化され、室内に充満する。この気化された
原料ガスを排気口１３．１４、送給パイｆを通して燃焼
用バーナに込る。
２７に接続される。該加熱室２６゜２７は気密に保たれ
、その底部にヒータ２８゜２りが設けられると共に上記
送給〕七イｆ２４゜２５の先端が該ヒータ２８．２９の
直上に開口する。又、該加熱室の上部側壁には室内で気
化したガスを外部に導くための排気口１．３ 、 ＋
４が設りられておシ、該′ｊＪｌ’気口１３．．１４に
は燃焼用バーナに至る送給ｉｆイフ０か接続する。上記
構成においてＧｅＣｌ４溶敦、５ｊＣ１４溶液はポンプ
２４ 、２５により送給パイプ２２．２３を通して加熱
室２６．２７に送られ、ヒータ２８，２９の上面に滴下
される。ヒータ２８，２９は所定温度に加熱し、ＧｅＣ
ｌ４ 、５ｉＣ４４が滴下すると同時にこの加熱によυ
上記溶液が気化され、室内に充満する。この気化された
原料ガスを排気口１３．１４、送給パイｆを通して燃焼
用バーナに込る。
第３図の構成は予め原料溶液を所定の割合に混合して気
化する例である。該装置例において、容器３０にＳｉＣ
／！４ 、ＧｅＣｌ４に所定量混合シタ原ネート溶液を
貯留する。該容器３０には第２図と同様の送給ｉＪ？イ
グ３１、ポンプ３２、加熱室３３が接ｔＦ５ｅ、δれる
。上記混合原料はポンプ３２によつて送給ｉｆイア”３
１を通じて加熱至３３に込られ、ヒータ３４に滴下され
て気化され、ＳｉＣノ４、ＱｅＣＬａが所定址混合した
ままのＪ３；Ｈｉ”ｌガスに在る。
化する例である。該装置例において、容器３０にＳｉＣ
／！４ 、ＧｅＣｌ４に所定量混合シタ原ネート溶液を
貯留する。該容器３０には第２図と同様の送給ｉＪ？イ
グ３１、ポンプ３２、加熱室３３が接ｔＦ５ｅ、δれる
。上記混合原料はポンプ３２によつて送給ｉｆイア”３
１を通じて加熱至３３に込られ、ヒータ３４に滴下され
て気化され、ＳｉＣノ４、ＱｅＣＬａが所定址混合した
ままのＪ３；Ｈｉ”ｌガスに在る。
第４図の構成り、ヒータへの滴下によらずに気化する装
置例であり、加熱室４０の一端に浴液を霧状に噴霧する
ノズル４１が設けられ、該ノズル４１に原料浴液の送給
／４’イン０４２が接続する。更に該加熱室４０の外側
にはヒータ４３が設けられ室内を尚温に加熱する。又加
熱￥４０の他端には排気口が設けられ、該排気ロＶＣ―
−ガス供給晋４５が接続する。該装置σシロにおいて原
料浴液はノズル４１を通して加熱血肉に霧状に噴射され
る。ここで加熱室は高温に加熱ａれているので内部に噴
霧された＆別溶液は的ちに気化し、原料ガ゛スとなって
排気口、ガス供給管４５全通して燃焼用バーナに送られ
る。
置例であり、加熱室４０の一端に浴液を霧状に噴霧する
ノズル４１が設けられ、該ノズル４１に原料浴液の送給
／４’イン０４２が接続する。更に該加熱室４０の外側
にはヒータ４３が設けられ室内を尚温に加熱する。又加
熱￥４０の他端には排気口が設けられ、該排気ロＶＣ―
−ガス供給晋４５が接続する。該装置σシロにおいて原
料浴液はノズル４１を通して加熱血肉に霧状に噴射され
る。ここで加熱室は高温に加熱ａれているので内部に噴
霧された＆別溶液は的ちに気化し、原料ガ゛スとなって
排気口、ガス供給管４５全通して燃焼用バーナに送られ
る。
以上説明した本発明の送給方法り：次の利点を廟する。
■ キャリアガス金剛いないので多缶の原＊−１ガスケ
直接送ることができ、キャリアガスによる炎の乱れなど
の不都合を生ずることがない。
直接送ることができ、キャリアガスによる炎の乱れなど
の不都合を生ずることがない。
■ バーナに送る原料ガスの光音を精度よく制御するこ
とができる、従前のキャリアガスを用いる方法によれば
、液温やガスの温度、更には圧力等による影ｗを考慮し
なりれはならす、流蓋の制釧１に、必ずしも容易ではな
い。本発明においてはある所定址以上になれは、滴下し
ｆｃ浴溶液址に比例してガス化するので、その制御が極
めて容易であり、また精度もよい。
とができる、従前のキャリアガスを用いる方法によれば
、液温やガスの温度、更には圧力等による影ｗを考慮し
なりれはならす、流蓋の制釧１に、必ずしも容易ではな
い。本発明においてはある所定址以上になれは、滴下し
ｆｃ浴溶液址に比例してガス化するので、その制御が極
めて容易であり、また精度もよい。
■ 予め原料を混合して用いることができる。
従前のキャリアガス金剛いる方法においてｅＪｌ、ガス
分圧、浴解性など独々の困難な同順があるため原料浴液
は個別に貯留（″１ガス化せざるを得すこのため装置も
大型化すると共に混合割合の調整も容易で−１ない。本
発明においては、予め所定の割合で原＊１全混合して用
いることができ、しかもそのまま気化することから調竪
も容易である。
分圧、浴解性など独々の困難な同順があるため原料浴液
は個別に貯留（″１ガス化せざるを得すこのため装置も
大型化すると共に混合割合の調整も容易で−１ない。本
発明においては、予め所定の割合で原＊１全混合して用
いることができ、しかもそのまま気化することから調竪
も容易である。
■ 液体原料に限らず固体原料も用いることができるっ
従前のキャリアガスを用いる方法はバブリングの必要上
、液体原料に眠られるが本発明においては所屋量の原料
をヒータに載置すれば気化することができるので固体原
料金も用いることが出来る。
従前のキャリアガスを用いる方法はバブリングの必要上
、液体原料に眠られるが本発明においては所屋量の原料
をヒータに載置すれば気化することができるので固体原
料金も用いることが出来る。
尚上記説明においてはＳ １ｃｔ４、ＧｅＣｌ４全例に
したが勿論これに限らず他の原料を用いる場合に広く適
用することができる。
したが勿論これに限らず他の原料を用いる場合に広く適
用することができる。
次に本発明の実施例を示す。
〈実施例１〉
第２図に示す原料供給機構によＪＳｉＣｔ、を１０ ”
ｔｎＰ、ＧｅＣ１＜ ｋ ５ ｘ １ｏ−”−分の割
合で気化させＨ’２７ｆｉ：２．５１７分、０２を６
ｔ１分の割合ヒ知；バ°−す９火炎中に供給し微粒子媒
体を造った。
ｔｎＰ、ＧｅＣ１＜ ｋ ５ ｘ １ｏ−”−分の割
合で気化させＨ’２７ｆｉ：２．５１７分、０２を６
ｔ１分の割合ヒ知；バ°−す９火炎中に供給し微粒子媒
体を造った。
この媒体全 ７／、６ ℃の）−１ｅ 雰囲気の中で
透明母材ＩＦ、 した。この母材により造ったファイノ
ぐ−ｔｊ、０．８５μｍ の芳香領域においてムルヒ１
％、２．３ｄ９／ｋｍ−，８００ＭＩｌｚＫｍ ６？、
？”３つ、低損失かツＷ６帯域なものであった。
透明母材ＩＦ、 した。この母材により造ったファイノ
ぐ−ｔｊ、０．８５μｍ の芳香領域においてムルヒ１
％、２．３ｄ９／ｋｍ−，８００ＭＩｌｚＫｍ ６？、
？”３つ、低損失かツＷ６帯域なものであった。
〈実施例２〉
第３図に示すように１個のタンクに５ｉＣｔ、／Ｇｅ
Ｃｔ＜ ＝ １０ ／ ２のモル比で混合した原料浴液
をポンプによシ１０”７／分の割合で加熱室に供給し気
化させ、１１２４１７分、０１＋ １０１／分の割合の
火炎中に供給して微粒子ケ基体を・造った。
Ｃｔ＜ ＝ １０ ／ ２のモル比で混合した原料浴液
をポンプによシ１０”７／分の割合で加熱室に供給し気
化させ、１１２４１７分、０１＋ １０１／分の割合の
火炎中に供給して微粒子ケ基体を・造った。
上記媒体を１６００℃のＩＩｅ 雰囲気下透明母材化し
て得ｔ（ファイバの特性は実施例１と同等であった。
て得ｔ（ファイバの特性は実施例１と同等であった。
第１図は従前のガス送給方法の原理図、第２図から第４
図は本発明に係るガス送給方法の原理図である。 図面中 １０はバッジ、 １１１’ｌ：送給管、 ２０．２１．３０は容器、 ２２．２３，３１．４２は送給）？イノ０．２４．２５
．３２はンバンノ、 ２６．２７，３３．４０は加熱室、 ２８．２９．３４はヒータ、 ｌ：＋、’１４１ｊ：υ１．気口、 ４５はガス送給管である。 勤白：出願人 Ｅ１本電信電−１４公社住友電気工渠株
式会ｔＪ 代１３１ｊ人 弁理士 光 石 士 部（他−
名） １ 第１頁の続き ［相］発 明 者 横田弘 横浜市戸塚区田谷町１番地住友 電気工業株式会社横浜製作所内 ０発 明 者 渡辺稔 横浜市戸塚区田谷町１番地住友 電気工業株式会社横浜製作所内 ■出 願 人 住友電買工業株式会社 大阪市東区北浜５丁目１５番地
図は本発明に係るガス送給方法の原理図である。 図面中 １０はバッジ、 １１１’ｌ：送給管、 ２０．２１．３０は容器、 ２２．２３，３１．４２は送給）？イノ０．２４．２５
．３２はンバンノ、 ２６．２７，３３．４０は加熱室、 ２８．２９．３４はヒータ、 ｌ：＋、’１４１ｊ：υ１．気口、 ４５はガス送給管である。 勤白：出願人 Ｅ１本電信電−１４公社住友電気工渠株
式会ｔＪ 代１３１ｊ人 弁理士 光 石 士 部（他−
名） １ 第１頁の続き ［相］発 明 者 横田弘 横浜市戸塚区田谷町１番地住友 電気工業株式会社横浜製作所内 ０発 明 者 渡辺稔 横浜市戸塚区田谷町１番地住友 電気工業株式会社横浜製作所内 ■出 願 人 住友電買工業株式会社 大阪市東区北浜５丁目１５番地
Claims (2)
- （１） ガラス微粒子全生成する固体ないし液体原料
を加熱室内に導入し、該至内の加熱により上記原料全直
接気化させて原ネ」ガスとし、該原料ガス′？ｒ燃焼用
バーナｒＣ送るこ♂’ｃ ’Ｉ”ｒねｋとするガラス微
粒子製造におけるガス供給方法。 - （２） 特許ｕ１ν求の範囲第１項に訃いて、上ｄα
ｌ汐体原＃＋ヲ加熱菟内のヒータＶＣｉ１〜トし一〇気
化１−ることを特徴とノーるガラスｆｙ！Ｉ粒子袈造ｅ
こおけるガス供給方法。 （３１ｔ＋！ｆ訂錆求の範囲第１川又はムう２項にお・
いて、ガラス微粒子全生成する異独の原イー］奮予めＨ
「定の割合に混合したものと直接気化′Ｊ−ることを特
徴とするガラス微粒子製ｊＸ′、に、１・・りるガス供
給力法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP490782A JPS58125633A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | ガラス微粒子製造におけるガス供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP490782A JPS58125633A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | ガラス微粒子製造におけるガス供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125633A true JPS58125633A (ja) | 1983-07-26 |
Family
ID=11596709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP490782A Pending JPS58125633A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | ガラス微粒子製造におけるガス供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125633A (ja) |
Cited By (12)
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