JPH0812850B2 - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPH0812850B2 JPH0812850B2 JP62062067A JP6206787A JPH0812850B2 JP H0812850 B2 JPH0812850 B2 JP H0812850B2 JP 62062067 A JP62062067 A JP 62062067A JP 6206787 A JP6206787 A JP 6206787A JP H0812850 B2 JPH0812850 B2 JP H0812850B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は微小な凹凸段差を有するパターンが形成され
た基板、特に半導体製造時のフォトリソグラフィ工程に
使用されるフォトマスク、又はレティクルや半導体ウェ
ハ等を洗浄する方法に関する。
た基板、特に半導体製造時のフォトリソグラフィ工程に
使用されるフォトマスク、又はレティクルや半導体ウェ
ハ等を洗浄する方法に関する。
（発明の背景） フォトマスク等のガラス基板の洗浄方法として、例え
ば超音波洗浄槽を用いたものはフォトマスクの清浄化に
対しては非常に効果があるが、溶液（洗浄材）の管理が
不完全であると水シミが発生することがあった。水シミ
はフォトリソグラフィ工程において投影パターンを散乱
させ、ウェハの正確な転写を妨げるために、半導体製品
の良品率を下げる原因となる。ここで言う水シミとは大
気中または溶液中の微小な塵埃（通常0.1〜10μｍ）の
集合体である。この水シミは厚みが小さいため、通常洗
浄後の洗浄度を見るために用いる斜光照明下での目視検
査やレーザー光を用いた自動異物検査装置では十分な散
乱光を発しない。そのため、これらの従来の洗浄方法で
は水シミの有無を検査することが大変困難であった。
ば超音波洗浄槽を用いたものはフォトマスクの清浄化に
対しては非常に効果があるが、溶液（洗浄材）の管理が
不完全であると水シミが発生することがあった。水シミ
はフォトリソグラフィ工程において投影パターンを散乱
させ、ウェハの正確な転写を妨げるために、半導体製品
の良品率を下げる原因となる。ここで言う水シミとは大
気中または溶液中の微小な塵埃（通常0.1〜10μｍ）の
集合体である。この水シミは厚みが小さいため、通常洗
浄後の洗浄度を見るために用いる斜光照明下での目視検
査やレーザー光を用いた自動異物検査装置では十分な散
乱光を発しない。そのため、これらの従来の洗浄方法で
は水シミの有無を検査することが大変困難であった。
一方スクラブ材による洗浄方法は、例えば特開昭60−
103349に開示されているような方法で洗浄を行うと、水
シミを残すことなく洗浄を行えるので、フォトマスクの
洗浄に威力を発揮する。しかし、その他の洗浄残留物、
特にスクラブ材の断片が残ることが考えられる。さきの
特開昭60−103349などの従来技術においては、この洗浄
残留物の検出を容易にする方法は開示されていない。
103349に開示されているような方法で洗浄を行うと、水
シミを残すことなく洗浄を行えるので、フォトマスクの
洗浄に威力を発揮する。しかし、その他の洗浄残留物、
特にスクラブ材の断片が残ることが考えられる。さきの
特開昭60−103349などの従来技術においては、この洗浄
残留物の検出を容易にする方法は開示されていない。
また、先の特開昭60−110194に開示されているような
異物検査装置を具備した基板の洗浄装置においては、よ
り有効な洗浄方法を開示していなかった。
異物検査装置を具備した基板の洗浄装置においては、よ
り有効な洗浄方法を開示していなかった。
（発明の目的） 本発明はこれらの欠点を解決し、洗浄を行った後に洗
浄残留物が発生する場合においても、少なくとも洗浄前
に付着していた汚物をよりよく除去し、残った洗浄残留
物に関しては、容易に発見し除去できるよう、散乱光も
しくはケイ光を発する物質が残留する様な洗浄方法を確
立することを目的とする。
浄残留物が発生する場合においても、少なくとも洗浄前
に付着していた汚物をよりよく除去し、残った洗浄残留
物に関しては、容易に発見し除去できるよう、散乱光も
しくはケイ光を発する物質が残留する様な洗浄方法を確
立することを目的とする。
（発明の概要） 本発明は、少なくとも散乱光をより多く発生する性
質、又はケイ光を発生する性質のいづれかを有する物質
を洗浄残留物として残すことを技術的要点とする。さら
に詳しくは、先の性質を有する物質を用いて洗浄を行う
ことを技術的要点としている。
質、又はケイ光を発生する性質のいづれかを有する物質
を洗浄残留物として残すことを技術的要点とする。さら
に詳しくは、先の性質を有する物質を用いて洗浄を行う
ことを技術的要点としている。
（実施例） 第１図は本発明の実施例であるフォトマスク自動洗浄
装置の全体を示す概略図である。
装置の全体を示す概略図である。
レティクルやマスク等の透明基板５は収納部１に収納
され、収納部１から最も離れた位置に、本発明の方法が
適用されるブラシ洗浄槽２が配置され、その隣の収納部
１にはさまれた位置にはアルコールを用いて透明基板５
を洗うリンス槽３が配置され、さらに、リンス槽３と収
納部１にはさまれた位置にはフレオン蒸気を用いてガラ
ス基板５を乾燥する蒸気乾燥槽４が配置されている。こ
の収納部１、ブラシ洗浄槽２、リンス槽３、及び蒸気乾
燥槽４（以下単に蒸気槽４と呼ぶ）は透明基板５の直線
的な搬送経路６に沿って配列される。収納部１に収納さ
れた洗浄すべき透明基板５は、縦に保持された状態で経
路６に従って、蒸気槽４、リンス槽３を飛び越して、ブ
ラシ洗浄槽２の上方に位置決めされる。ブラシ洗浄槽２
の内部には、上から順番に、ガラス基板５に純水を噴射
する純水噴出部（水洗手段）７と、アンモニア水溶液等
の洗浄液を噴出する洗浄液噴射部（洗浄液塗布手段）８
と、ガラス基板５の表面を擦るように回転するブラシ
（スクラブ材）11とが、各々飛散防止板9,10によって区
画して配置されている。またブラシ洗浄槽２の底部12は
錐体状になっており、廃液の回収効率を高めている。
され、収納部１から最も離れた位置に、本発明の方法が
適用されるブラシ洗浄槽２が配置され、その隣の収納部
１にはさまれた位置にはアルコールを用いて透明基板５
を洗うリンス槽３が配置され、さらに、リンス槽３と収
納部１にはさまれた位置にはフレオン蒸気を用いてガラ
ス基板５を乾燥する蒸気乾燥槽４が配置されている。こ
の収納部１、ブラシ洗浄槽２、リンス槽３、及び蒸気乾
燥槽４（以下単に蒸気槽４と呼ぶ）は透明基板５の直線
的な搬送経路６に沿って配列される。収納部１に収納さ
れた洗浄すべき透明基板５は、縦に保持された状態で経
路６に従って、蒸気槽４、リンス槽３を飛び越して、ブ
ラシ洗浄槽２の上方に位置決めされる。ブラシ洗浄槽２
の内部には、上から順番に、ガラス基板５に純水を噴射
する純水噴出部（水洗手段）７と、アンモニア水溶液等
の洗浄液を噴出する洗浄液噴射部（洗浄液塗布手段）８
と、ガラス基板５の表面を擦るように回転するブラシ
（スクラブ材）11とが、各々飛散防止板9,10によって区
画して配置されている。またブラシ洗浄槽２の底部12は
錐体状になっており、廃液の回収効率を高めている。
リンス槽３の内部には、純水をイソプロピルアルコー
ル液（以下、IPAとする）等に置換するために、そのIPA
を噴出するIPA噴出部13が設けられ、ガラス基板５の両
面をIPAでリンスする。また、このリンス槽３の底部14
も錐体状に形成され、廃液の回収効率を高めてある。蒸
気槽４の底部にはフレオン液16が供給ライン18から所要
量ずつ供給され、ヒーター19によって加熱される。これ
によってフレオン蒸気が槽４内に満たされ、ガラス基板
５の蒸気乾燥が行われる。ガラス基板５によって凝縮し
て滴下するフレオン液は、純度が低く、汚れているの
で、フレオン液16と混じることのないように受皿17aで
受けて回収ライン17bを介して回収される。尚、蒸気槽
４の上方部周辺には冷却管15が設けられ、フレオン蒸気
が槽外に流出するのを防ぐ。
ル液（以下、IPAとする）等に置換するために、そのIPA
を噴出するIPA噴出部13が設けられ、ガラス基板５の両
面をIPAでリンスする。また、このリンス槽３の底部14
も錐体状に形成され、廃液の回収効率を高めてある。蒸
気槽４の底部にはフレオン液16が供給ライン18から所要
量ずつ供給され、ヒーター19によって加熱される。これ
によってフレオン蒸気が槽４内に満たされ、ガラス基板
５の蒸気乾燥が行われる。ガラス基板５によって凝縮し
て滴下するフレオン液は、純度が低く、汚れているの
で、フレオン液16と混じることのないように受皿17aで
受けて回収ライン17bを介して回収される。尚、蒸気槽
４の上方部周辺には冷却管15が設けられ、フレオン蒸気
が槽外に流出するのを防ぐ。
以上の様なブラシを用いた洗浄方法によると、ガラス
基板に残る洗浄残留物としては、ブラシ片が主なもので
ある。ゆえに、このブラシ片がより大きい状態あるいは
高い状態で残る可能性を高くすることが、より好適な洗
浄方法となる。このため、ブラシに用いる材料として
は、ブラシ片となったとき入射光に対してより散乱光を
発生する物質、及び紫外光を入射した場合、ケイ光を強
く発する物質がよい。本出願人の行った実験によれば、
このブラシ材としては、例えばケイ光物質を含有したナ
イロン材が良いことが判っている。それ以外の物質に関
しては、光学的に透明かあるいは半透明な有機物で、破
断形状が球形または角形になりやすい物が好適であり、
又その屈折率はｎ＝1.1から3.0の物が好適である。
基板に残る洗浄残留物としては、ブラシ片が主なもので
ある。ゆえに、このブラシ片がより大きい状態あるいは
高い状態で残る可能性を高くすることが、より好適な洗
浄方法となる。このため、ブラシに用いる材料として
は、ブラシ片となったとき入射光に対してより散乱光を
発生する物質、及び紫外光を入射した場合、ケイ光を強
く発する物質がよい。本出願人の行った実験によれば、
このブラシ材としては、例えばケイ光物質を含有したナ
イロン材が良いことが判っている。それ以外の物質に関
しては、光学的に透明かあるいは半透明な有機物で、破
断形状が球形または角形になりやすい物が好適であり、
又その屈折率はｎ＝1.1から3.0の物が好適である。
尚、以上の洗浄方法でブラシ洗浄を行う他、純水、イ
ソプロピルアルコール、フレオン等の純度を十分高め、
塵埃等が混じらないようにすることはいうまでもない。
ソプロピルアルコール、フレオン等の純度を十分高め、
塵埃等が混じらないようにすることはいうまでもない。
更に、ナイロン等は、フォトマスク基板として用いる
ガラスやクロムに対して不活性で、融合することがない
ので、再洗浄により容易に除去できる。
ガラスやクロムに対して不活性で、融合することがない
ので、再洗浄により容易に除去できる。
また、洗浄残留物がブラシ片だけではなく、例えば洗
浄液が水シミとなり残る場合も考慮せねばならない。こ
の場合、洗浄剤中にケイ光を発する物質を予め混入して
おくか、または、洗浄と同時に噴出させることも効果が
ある。この場合、紫外線を洗浄後に照射することによ
り、容易に水シミ部分を検知できる。この場合のケイ光
剤としては、例えば漂白剤などがある。
浄液が水シミとなり残る場合も考慮せねばならない。こ
の場合、洗浄剤中にケイ光を発する物質を予め混入して
おくか、または、洗浄と同時に噴出させることも効果が
ある。この場合、紫外線を洗浄後に照射することによ
り、容易に水シミ部分を検知できる。この場合のケイ光
剤としては、例えば漂白剤などがある。
第２図は、以上の様な方法による洗浄の後に、時とし
て残っている洗浄残留物、例えばブラシ片、ケイ光を発
し易い水シミを、効果的に検出する装置である。以下、
ブラシ片の検出に関して説明を行うが、水シミの検出に
関しても同様にして検出を行うことができる。
て残っている洗浄残留物、例えばブラシ片、ケイ光を発
し易い水シミを、効果的に検出する装置である。以下、
ブラシ片の検出に関して説明を行うが、水シミの検出に
関しても同様にして検出を行うことができる。
ここで、平行光とした紫外線23が集光レンズ24を透過
後、透明基板５に入射する。ブラシ片21,22が例えばナ
イロン材である場合、ブラシ片はケイ光を発する。その
ケイ光のうち光遮光部のある面に発するケイ光28を集光
レンズ29を通して光電変換素子30に入射してケイ光量に
応じた電気信号を得る。
後、透明基板５に入射する。ブラシ片21,22が例えばナ
イロン材である場合、ブラシ片はケイ光を発する。その
ケイ光のうち光遮光部のある面に発するケイ光28を集光
レンズ29を通して光電変換素子30に入射してケイ光量に
応じた電気信号を得る。
一方、他方の面には、ブラシ片22のケイ光25しか発射
されない。そしてそのケイ光25は集光レンズ26を通して
光電変換素子27に入射してケイ光に応じた電気信号を得
る。また、各光電変換素子27,30に入る光のうち、紫外
線の波長の光を遮断するフィルター31,32が入ってい
て、光電変換された電気信号は、ケイ光からのもののみ
となる。
されない。そしてそのケイ光25は集光レンズ26を通して
光電変換素子27に入射してケイ光に応じた電気信号を得
る。また、各光電変換素子27,30に入る光のうち、紫外
線の波長の光を遮断するフィルター31,32が入ってい
て、光電変換された電気信号は、ケイ光からのもののみ
となる。
以上の如き装置であれば、クロムパターンのエッジ等
の散乱光及び装置の壁面からの反射光（いわゆる迷光）
を受光して誤動作することがなく、ブラシ片、水シミに
よる光電信号のみを検出することができ、更にそのブラ
シ片が光遮断部20上のブラシ片21であるか、或いは光透
過部上のブラシ片22であるかも、光電信号A,Bの出力に
より判別することができる。つまり、光電信号がA,B両
方に発する場合には、光透過部上のブラシ片22であると
判定し、光電信号がＡのみに発する場合には、光遮断部
上のブラシ片21であると判定する。
の散乱光及び装置の壁面からの反射光（いわゆる迷光）
を受光して誤動作することがなく、ブラシ片、水シミに
よる光電信号のみを検出することができ、更にそのブラ
シ片が光遮断部20上のブラシ片21であるか、或いは光透
過部上のブラシ片22であるかも、光電信号A,Bの出力に
より判別することができる。つまり、光電信号がA,B両
方に発する場合には、光透過部上のブラシ片22であると
判定し、光電信号がＡのみに発する場合には、光遮断部
上のブラシ片21であると判定する。
更に、ガラス基板５を不図示の２次元移動ステージに
載置して、Ｘ−Ｙ平面上で移動可能にすると、ガラス基
板５の全面に渡ってブラシ片の検出が可能になる。
載置して、Ｘ−Ｙ平面上で移動可能にすると、ガラス基
板５の全面に渡ってブラシ片の検出が可能になる。
尚、基板上で発するケイ光はブラシ片の発するケイ光
だけではなく、他の異物からも発生するが、本実施例に
よれば両者を同時に検出することができるだけではな
く、ガラス基板５あるいは他の平面基板上に、例えばフ
ォトリソグラフィ工程で用いられるフォトレジストが一
様に存在していても、フォトレジストから発生するケイ
光の波長をフィルタ31,32で効果的に除去できるので、
容易にブラシ片や異物検出が行える。また、ガラス基板
５を２次元移動ステージによって移動しなくとも、紫外
線23を走査することによって、ガラス基板全面のブラシ
片の検出が可能になる。
だけではなく、他の異物からも発生するが、本実施例に
よれば両者を同時に検出することができるだけではな
く、ガラス基板５あるいは他の平面基板上に、例えばフ
ォトリソグラフィ工程で用いられるフォトレジストが一
様に存在していても、フォトレジストから発生するケイ
光の波長をフィルタ31,32で効果的に除去できるので、
容易にブラシ片や異物検出が行える。また、ガラス基板
５を２次元移動ステージによって移動しなくとも、紫外
線23を走査することによって、ガラス基板全面のブラシ
片の検出が可能になる。
以上のような装置を第１図に示した洗浄方法に組み込
めば、洗浄残留物を自動的に検出する機能を有する洗浄
装置を構成することができる。尚、特開昭60−110194に
開示されているような異物からの散乱光を検出する異物
検査装置においても、ブラシ片はより強い散乱光を発す
るので、検出能力が上がり、本実施例と同様、より効果
的な洗浄方法を提供することができるのは言うまでもな
い。
めば、洗浄残留物を自動的に検出する機能を有する洗浄
装置を構成することができる。尚、特開昭60−110194に
開示されているような異物からの散乱光を検出する異物
検査装置においても、ブラシ片はより強い散乱光を発す
るので、検出能力が上がり、本実施例と同様、より効果
的な洗浄方法を提供することができるのは言うまでもな
い。
（発明の効果） 以上のように本発明に依れば、洗浄残留物が存在した
場合でも、洗浄度をチェックすることが容易であるのみ
ならず、再洗浄時に、洗浄残留物が容易に除去できる利
点がある。
場合でも、洗浄度をチェックすることが容易であるのみ
ならず、再洗浄時に、洗浄残留物が容易に除去できる利
点がある。
更に、本発明の異物検査装置を洗浄残留物検出時に用
いれば、パターンエッジ又は迷光等の影響を受けること
なく、有効に洗浄残留物を検出することができるので、
より効果的な異物検査機能を有する洗浄装置を提供でき
る。
いれば、パターンエッジ又は迷光等の影響を受けること
なく、有効に洗浄残留物を検出することができるので、
より効果的な異物検査機能を有する洗浄装置を提供でき
る。
第１図は本発明による、好適な洗浄方法の実施例の全体
概略図 第２図は本発明の方法による特長を活用した洗浄残留物
検出装置の構成図 （主要部分の符号の説明） １……被洗浄物収納部 ２……ブラシ洗浄槽 ３……リンス槽 ４……蒸気乾燥槽 ５……被洗浄物 ６……搬送経路 ７……水洗手段 ８……洗浄液噴射部 11……スクラブ材 19……ヒーター 21,22……ブラシ片 27,30……光電変換素子
概略図 第２図は本発明の方法による特長を活用した洗浄残留物
検出装置の構成図 （主要部分の符号の説明） １……被洗浄物収納部 ２……ブラシ洗浄槽 ３……リンス槽 ４……蒸気乾燥槽 ５……被洗浄物 ６……搬送経路 ７……水洗手段 ８……洗浄液噴射部 11……スクラブ材 19……ヒーター 21,22……ブラシ片 27,30……光電変換素子
Claims (2)
- 【請求項１】ケイ光物質を含む洗浄剤を用い、被洗浄物
である半導体素材又は半導体原版の表面をスクラブ材に
より摩擦し、その結果、前記スクラブ材の破片が洗浄残
留物として前記表面に残留する可能性のある洗浄工程
と、 前記被洗浄物の表面に光を照射して、前記ケイ光物質か
らケイ光を発生させ、このケイ光を検出することにより
前記ケイ光物質の付着した前記破片を検出する工程と、
からなる洗浄方法。 - 【請求項２】洗浄剤を用い、被洗浄物である半導体素材
又は半導体原版の表面を、ケイ光物質を含むスクラブ
材、又は破片形状が角形となることによって散乱光を
より多く発生するスクラブ材により摩擦し、その結果、
スクラブ材の破片が洗浄残留物として前記表面に残留す
る可能性のある洗浄工程と、 前記被洗浄物の表面に光を照射して、前記破片に含まれ
るケイ光物質からケイ光を発生させ、又は前記破片から
散乱光を発生させることにより前記破片を検出する工程
と、からなる洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062067A JPH0812850B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062067A JPH0812850B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228624A JPS63228624A (ja) | 1988-09-22 |
| JPH0812850B2 true JPH0812850B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=13189385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62062067A Expired - Fee Related JPH0812850B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812850B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6368416B1 (en) * | 1999-07-01 | 2002-04-09 | Lam Research Corporation | Method for validating pre-process adjustments to a wafer cleaning system |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ZA806489B (en) * | 1979-10-26 | 1982-05-26 | Unilever Ltd | Fabric washing process and detergent composition for use therein |
| DE3163946D1 (en) * | 1980-03-21 | 1984-07-12 | Unilever Nv | Bleaching detergent compositions |
| JPS59195645A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | 露光マスク洗浄装置 |
| JPS59195646A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | 半導体素子製造用マスクの洗浄方法および洗浄装置 |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP62062067A patent/JPH0812850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63228624A (ja) | 1988-09-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |