JPH0430513A - 縮少投影露光装置 - Google Patents
縮少投影露光装置Info
- Publication number
- JPH0430513A JPH0430513A JP2137845A JP13784590A JPH0430513A JP H0430513 A JPH0430513 A JP H0430513A JP 2137845 A JP2137845 A JP 2137845A JP 13784590 A JP13784590 A JP 13784590A JP H0430513 A JPH0430513 A JP H0430513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- foreign matters
- reduction projection
- projection exposure
- foreign matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造に用いる半導体製造装置に係り
、特にレティクル異物検査機構を持つ縮小投影露光装置
に関するものである。
、特にレティクル異物検査機構を持つ縮小投影露光装置
に関するものである。
従来、縮小投影露光装置は、レティクル面上の異物が付
着していないか否かを検査するレティクル異物検査機構
を備えており、そのレティクル異物検査機構は、図面に
は示さないが、レティクル表面及び裏面へとレーザー光
を走査・照射し、その反射散乱光をセンサーによって感
知してレティクル表面及び裏面へと付着している異物を
投影露光前に検出する構造となっていた。
着していないか否かを検査するレティクル異物検査機構
を備えており、そのレティクル異物検査機構は、図面に
は示さないが、レティクル表面及び裏面へとレーザー光
を走査・照射し、その反射散乱光をセンサーによって感
知してレティクル表面及び裏面へと付着している異物を
投影露光前に検出する構造となっていた。
上述した従来の縮小投影露光装置に設置されたレティク
ル異物検査機構では、レティクル表面に形成されたパタ
ーン面の金属膜より薄い被膜状物質やレーザー光を透過
する様な有機物に対する検出感度は低く、未検出のまま
良品と誤判断され、後の半導体基板上へのレティクルパ
ターン投影露光に於いて、これ等異物を転写してしまい
半導体装置装置製造に於ける歩留値に多大な損害を与え
ていた。又、これらレティクル上の異物検出の為に、高
感度にするとレティクル表面のパターン面をも検出して
しまい、良品を不良品と誤検出してしまい装置能力の低
下を招く結果となっていた。
ル異物検査機構では、レティクル表面に形成されたパタ
ーン面の金属膜より薄い被膜状物質やレーザー光を透過
する様な有機物に対する検出感度は低く、未検出のまま
良品と誤判断され、後の半導体基板上へのレティクルパ
ターン投影露光に於いて、これ等異物を転写してしまい
半導体装置装置製造に於ける歩留値に多大な損害を与え
ていた。又、これらレティクル上の異物検出の為に、高
感度にするとレティクル表面のパターン面をも検出して
しまい、良品を不良品と誤検出してしまい装置能力の低
下を招く結果となっていた。
本発明の目的は、かかる問題を解消するレティクル異物
検査機構を有する縮小投影露光装置を提供することにあ
る。
検査機構を有する縮小投影露光装置を提供することにあ
る。
本発明の縮小投影露光装置は、光源からの光をレティク
ル及び縮小レンズを通してウェハーステージ上の半導体
基板に照射し、該基板に対し、前記レティクル上のパタ
ーンを縮小投影露光する機構と、投影露光前にレティク
ル上の異物検査を行なうレティクル異物検査機構とを有
する縮小投影露光装置において、前記レティクル異物検
査機構内にレティクル表面及び裏面へと紫外線照射する
機構を有している。
ル及び縮小レンズを通してウェハーステージ上の半導体
基板に照射し、該基板に対し、前記レティクル上のパタ
ーンを縮小投影露光する機構と、投影露光前にレティク
ル上の異物検査を行なうレティクル異物検査機構とを有
する縮小投影露光装置において、前記レティクル異物検
査機構内にレティクル表面及び裏面へと紫外線照射する
機構を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す縮小投影露光装置のブ
ロック図である。この縮小投影露光装置は、同図に示す
ように、レティクル異物検査機構を収納する検査室にレ
ティクル５の表裏に紫外線を照射する紫外線照射器１６
を設けたことである。その他は、従来と同様に、ウェー
ハ１をとう義するステージ２の直上に縮小投影レンズ３
を設置し、該縮小投影レンズ３の光軸上にレティクル支
持台４上に載せたレティクル５を配置し、更に、同光軸
上へとコンデンサーレンズ６、反射板７、遮蔽孔８を設
け、光源としての水銀ランプ９を支持するランプハウス
１が配置されている。また、この縮小投影露光装置は、
レティクル５のパターンをステージ２上のウェーハ１に
対し、焼き付は転写する装置であるが、焼き付は転写前
にレティクル５の表面上の異物検査をする為のレティク
ル５の検査室が設けである。そして、この検査室には、
レティクル支持台１１に載せられたレティクル５に対し
、レーザー光発光部１３よりレーザーを発光し走査ミラ
ー１４を介してレティクル５の表面及び裏面にレーザー
光を当てレティクル５上を走査することにより異物等が
発生していた場合、散乱光が発生し、これを受光センサ
１５によって受ける事で異物の発見を行う構造となって
いる。ここで異物の発生もなく良品と判断されたレティ
クル５は、レティクル搬送系１７により縮小投影レンズ
３上のレティクル支持台へと搭載される。さらに、前述
したように、この検査室には紫外線照射器１６をレティ
クル５の表裏側に設けてあり、この紫外線照射器１６に
より、前述のレティクル５の面に薄い被膜状の有機物の
しみあるいはごみに紫外光を照射し、その熱で蒸発させ
飛散させたり、灰化させたりすることによりレーザ光で
検出可能にすることである。
ロック図である。この縮小投影露光装置は、同図に示す
ように、レティクル異物検査機構を収納する検査室にレ
ティクル５の表裏に紫外線を照射する紫外線照射器１６
を設けたことである。その他は、従来と同様に、ウェー
ハ１をとう義するステージ２の直上に縮小投影レンズ３
を設置し、該縮小投影レンズ３の光軸上にレティクル支
持台４上に載せたレティクル５を配置し、更に、同光軸
上へとコンデンサーレンズ６、反射板７、遮蔽孔８を設
け、光源としての水銀ランプ９を支持するランプハウス
１が配置されている。また、この縮小投影露光装置は、
レティクル５のパターンをステージ２上のウェーハ１に
対し、焼き付は転写する装置であるが、焼き付は転写前
にレティクル５の表面上の異物検査をする為のレティク
ル５の検査室が設けである。そして、この検査室には、
レティクル支持台１１に載せられたレティクル５に対し
、レーザー光発光部１３よりレーザーを発光し走査ミラ
ー１４を介してレティクル５の表面及び裏面にレーザー
光を当てレティクル５上を走査することにより異物等が
発生していた場合、散乱光が発生し、これを受光センサ
１５によって受ける事で異物の発見を行う構造となって
いる。ここで異物の発生もなく良品と判断されたレティ
クル５は、レティクル搬送系１７により縮小投影レンズ
３上のレティクル支持台へと搭載される。さらに、前述
したように、この検査室には紫外線照射器１６をレティ
クル５の表裏側に設けてあり、この紫外線照射器１６に
より、前述のレティクル５の面に薄い被膜状の有機物の
しみあるいはごみに紫外光を照射し、その熱で蒸発させ
飛散させたり、灰化させたりすることによりレーザ光で
検出可能にすることである。
以上説明したように本発明では、レーザ光で検知しにく
いレティクル上の薄い被膜状の有機物・シミ等の異物に
対し紫外光を照射する紫外線照射器を設けることによっ
て、これ等、薄い被膜状の有機物あるいはシミが、熱に
より焼き、飛散させ、又は灰化されることで、レーザ光
の透過率に変化を生じさせ、その結果として従来発生し
にくかったレーザ光の散乱を起し、容易に感知認識する
ことが可能となりレティクル上の異物見逃しによる半導
体装置製造に於ける大幅な歩留低下を防止できる縮小投
影露光装置が得られるという効果がある。
いレティクル上の薄い被膜状の有機物・シミ等の異物に
対し紫外光を照射する紫外線照射器を設けることによっ
て、これ等、薄い被膜状の有機物あるいはシミが、熱に
より焼き、飛散させ、又は灰化されることで、レーザ光
の透過率に変化を生じさせ、その結果として従来発生し
にくかったレーザ光の散乱を起し、容易に感知認識する
ことが可能となりレティクル上の異物見逃しによる半導
体装置製造に於ける大幅な歩留低下を防止できる縮小投
影露光装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す縮小投影露光装置のブ
ロック図である。 １・・・ステージ、２・・・ウェーハ、３・・・縮小投
影レンズ、４・・・レティクル支持台、５・・・レティ
クル、６・・・コンデンサーレンズ、７・・・反射板、
８・・・遮蔽孔、９・・・水銀ランプ、１０・・・ラン
プハウス、１１・・・レティクル支持台、１３・・・レ
ーザー光発光部、１４・・・走査ミラー、１５・・・受
光センサー １６・・・紫外線照射器、１７・・・レテ
ィクル搬送系。 代理人 弁理士 内 原 晋
ロック図である。 １・・・ステージ、２・・・ウェーハ、３・・・縮小投
影レンズ、４・・・レティクル支持台、５・・・レティ
クル、６・・・コンデンサーレンズ、７・・・反射板、
８・・・遮蔽孔、９・・・水銀ランプ、１０・・・ラン
プハウス、１１・・・レティクル支持台、１３・・・レ
ーザー光発光部、１４・・・走査ミラー、１５・・・受
光センサー １６・・・紫外線照射器、１７・・・レテ
ィクル搬送系。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 光源からの光をレティクル及び縮小レンズを通してウ
ェハーステージ上の半導体基板に照射し、該基板に対し
、前記レティクル上のパターンを縮小投影露光する機構
と、投影露光前にレティクル上の異物検査を行なうレテ
ィクル異物検査機構とを有する縮小投影露光装置におい
て、前記レティクル異物検査機構内にレティクル表面及
び裏面へと紫外線照射する機構を有することを特徴とす
る縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137845A JPH0430513A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 縮少投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137845A JPH0430513A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 縮少投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430513A true JPH0430513A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15208160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2137845A Pending JPH0430513A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 縮少投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0430513A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009294432A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクの曇り防止方法及び装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54128682A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-05 | Hitachi Ltd | Automatic detector for foreign matters |
| JPS6046558A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-13 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS6431417A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Nec Corp | Reduction projection aligner |
| JPH02966A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-01-05 | Nec Corp | レチクル洗浄装置 |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2137845A patent/JPH0430513A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54128682A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-05 | Hitachi Ltd | Automatic detector for foreign matters |
| JPS6046558A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-13 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS6431417A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Nec Corp | Reduction projection aligner |
| JPH02966A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-01-05 | Nec Corp | レチクル洗浄装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009294432A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクの曇り防止方法及び装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4595289A (en) | Inspection system utilizing dark-field illumination | |
| US4800282A (en) | Apparatus and method for detecting residual organic compounds | |
| JPH0333645A (ja) | 表面状態検査装置、露光装置、及び表面状態検査方法 | |
| JPH0815169A (ja) | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 | |
| JP2000230910A (ja) | 基板の付着異物検査装置および付着異物除去装置および付着異物除去方法 | |
| JP2001291752A (ja) | 異物検査方法及び装置、及び該検査方法を用いた露光装置 | |
| JP2004309287A (ja) | 欠陥検出装置、および欠陥検出方法 | |
| JP4626764B2 (ja) | 異物検査装置及び異物検査方法 | |
| JP2006319163A (ja) | Ｅｕｖ露光装置 | |
| JPH0430513A (ja) | 縮少投影露光装置 | |
| JPS6345541A (ja) | 検査方法および装置 | |
| JPS61182238A (ja) | レジスト等有機化合物残渣検査装置 | |
| JP2705764B2 (ja) | 透明ガラス基板の欠陥検出装置 | |
| KR100529647B1 (ko) | 웨이퍼 상의 파티클 검출장치 및 검출방법 | |
| JPS63103951A (ja) | ゴミ検査装置 | |
| JP2005156416A (ja) | ガラス基板の検査方法及びガラス基板の検査装置 | |
| JPS60167327A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2830430B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH0989793A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH03122555A (ja) | レティクル面検査装置 | |
| JPS63193041A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH0536795A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP3243822B2 (ja) | マスクの検査方法及びレチクル・マスク | |
| JP2004253586A (ja) | 荷電粒子線露光装置 | |
| JPH0792093A (ja) | 表面状態検査装置 |