JPH03122555A - レティクル面検査装置 - Google Patents

レティクル面検査装置

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Publication number
JPH03122555A
JPH03122555A JP1260471A JP26047189A JPH03122555A JP H03122555 A JPH03122555 A JP H03122555A JP 1260471 A JP1260471 A JP 1260471A JP 26047189 A JP26047189 A JP 26047189A JP H03122555 A JPH03122555 A JP H03122555A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
dusts
ultraviolet rays
inspection device
reticle surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1260471A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Hashimoto
多加志 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP1260471A priority Critical patent/JPH03122555A/ja
Publication of JPH03122555A publication Critical patent/JPH03122555A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板に半導体素子及び配線パターンを形
成するために、半導体基板に塗布された感光剤膜に露光
する露光装置のレティクル表面を検査するレティクル面
検査装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のレティクル面検査装置は、このレティク
ル表面にレーザー光を走査・照射しその反射散乱光をセ
ンサーで感知し、該レティクル表面上の異物を検出する
構造となっていた。
第2図は従来の一例を示すレティクル面検査装置の模式
図である。このレティクル面検査装置は、同図に示すよ
うに、レティクル4を搭載する保持台と、このレティク
ルの面にレーザ光を走査させる走査用ミラー2と、この
走査用ミラー2にレーザ光を照射するレーザ光発光部1
と、レティクル4の表面より反射されたレーザ光を検知
するセンサ3とから構成されている。また、このレティ
クル面検査装置は、レーザ光をレティクル面に照射させ
、レティクル4の面からの散乱光をセンサ3により検知
し、レティクル表面のごみの付着状態などを検査してい
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、従来のレティクル面検査装置では、レテ
ィクル表面に配線パターンを形成する金RMより薄い被
膜状物質やレーザー光を透過する様な有機物膜あるいは
ごみ等に対しては、検出感度は低く、ごみが付着されて
いるにもかかわらず、未検出のまま良品と誤判断されて
しまい、実際の半導体製造に使用した時点で多大な損害
を発生させてしまうという問題点がある。
本発明の目的は、かかる問題を解消するレティクル面検
査装置を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のレティクル面検査装置は、半導体基板に半導体
素子及び配線パターンを形成するために、半導体基板に
塗布された感光剤膜に露光させる露光装置のレティクル
の表面を検査するレティクル面検査装置において、前記
レティクル面に紫外線を照射する手段を有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すレティクル面装置の模
式図である。このレティクル面検査装置は、同図に示す
ように、レティクル4の面上に紫外線を照射する紫外線
ランプ5を設けたことである。その他は従来例と同じで
ある。このレティクル面検査装置は、まず、その操作に
おいてレティクル4を保持台に載置する。次に、紫外線
ランプ5よりレティクル4の表面に紫外線を照射すると
、レティクル表面に付着している薄い被膜状の有機物に
よるごみ等が灰化される。この結果、灰化されたごみ等
のレーザ光による光透過率及びごみの形状等の変化を生
じ、それまで起こらながったレーザ光の散乱をおこすよ
うになる。この散乱光を受光センサー3での検知が可能
となり、ごみとして存在を知ることが出来る。
〔発明の効果) 以上説明したように本発明は、レティクル表面に紫外線
を照射し、それまで感知できなかった種々のゴミ、異物
を灰化することで、その形態に変化を生じさせ、その結
果としてごみとして感知・認識することを可能になるの
で、レティクル面のごみの付着を確実に検査出来るレテ
ィクル面検査装置が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すレティクル面検査装置
の模式図、第2図は従来の一例を示すレティクル面検査
装置の模式図である。 1・・・レーザ光受光部、2・・・走査用ミラー、3・
・・センサ、4・・・レティクル、5・・・紫外線ラン
プ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板に半導体素子及び配線パターンを形成するた
    めに、半導体基板に塗布された感光剤膜に露光させる露
    光装置のレティクルの表面を検査するレティクル面検査
    装置において、前記レティクル面に紫外線を照射する手
    段を備えていることを特徴とするレティクル面検査装置
JP1260471A 1989-10-04 1989-10-04 レティクル面検査装置 Pending JPH03122555A (ja)

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JP1260471A JPH03122555A (ja) 1989-10-04 1989-10-04 レティクル面検査装置

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JPH03122555A true JPH03122555A (ja) 1991-05-24

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