JPH02307047A - レティクル異物検査装置 - Google Patents
レティクル異物検査装置Info
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- JPH02307047A JPH02307047A JP12915989A JP12915989A JPH02307047A JP H02307047 A JPH02307047 A JP H02307047A JP 12915989 A JP12915989 A JP 12915989A JP 12915989 A JP12915989 A JP 12915989A JP H02307047 A JPH02307047 A JP H02307047A
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- Japan
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- fluorescence
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- Pending
Links
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レティクル異物検査装置に関し、特に有機系
異物を検出する機能をもつレティクル異物検査装置に関
する。
異物を検出する機能をもつレティクル異物検査装置に関
する。
従来のレティクル異物検査装置は、レーザー光源をレテ
ィクル表面にある一定角度で投光し、レティクル表面上
の異物の散乱光を検出することで、レティクルの異物検
査を実施していた。
ィクル表面にある一定角度で投光し、レティクル表面上
の異物の散乱光を検出することで、レティクルの異物検
査を実施していた。
上述した従来のレティクル異物検査装置では、異物にあ
る程度の段差がないと検出できない、すなわち、有機系
の異物がレティクル表面上に薄膜状に付着している場合
は検出できないという欠点がある。
る程度の段差がないと検出できない、すなわち、有機系
の異物がレティクル表面上に薄膜状に付着している場合
は検出できないという欠点がある。
上述した従来のレティクル異物検査装置に対し、本発明
はレティクル表面上に薄膜上に付着している有機系の異
物のの検査が可能になるという相違点を有する。
はレティクル表面上に薄膜上に付着している有機系の異
物のの検査が可能になるという相違点を有する。
本発明のレティクル異物検査装置は、蛍光を発光させる
に必要な光を選択的に透過させる励起フィルターと、有
機系異物の蛍光のみを選択的に透過させる吸収フィルタ
ーと、前記吸収フィルターを透過してきた光を検出する
ディテクタとを備え構成される。
に必要な光を選択的に透過させる励起フィルターと、有
機系異物の蛍光のみを選択的に透過させる吸収フィルタ
ーと、前記吸収フィルターを透過してきた光を検出する
ディテクタとを備え構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示すレティクル異物検
査装置の光学系構成図である。このレティクル異物検査
装置の光学系は、同図に示すように、XYテーブル7上
のレティクル6に対面する対物レンズ5と、レティクル
6上にNDフィルタ2及び励起フィルタ3を介してハロ
ゲン光源1より蛍光をハーフミラ−4で屈折し照射する
投光系と、投光された光がレティクル6より反射された
光を検出するディテクタ9とから構成されている。
査装置の光学系構成図である。このレティクル異物検査
装置の光学系は、同図に示すように、XYテーブル7上
のレティクル6に対面する対物レンズ5と、レティクル
6上にNDフィルタ2及び励起フィルタ3を介してハロ
ゲン光源1より蛍光をハーフミラ−4で屈折し照射する
投光系と、投光された光がレティクル6より反射された
光を検出するディテクタ9とから構成されている。
ここでの、このレティクル異物検査装置の動作を説明す
ると、まず、ハロゲン光源1から放射された光は、ND
フィルタ2で最適量に調整され、励起フィルタ3で蛍光
を発光させるのに必要な光のみ選択的に透過される0次
に、励起フィルタ3を透過した光は、ハーフミラ−4で
屈折させられ、対物レンズ5で集光された後、X−Yス
テージ7上にのっているレティクル6に投光される。
ると、まず、ハロゲン光源1から放射された光は、ND
フィルタ2で最適量に調整され、励起フィルタ3で蛍光
を発光させるのに必要な光のみ選択的に透過される0次
に、励起フィルタ3を透過した光は、ハーフミラ−4で
屈折させられ、対物レンズ5で集光された後、X−Yス
テージ7上にのっているレティクル6に投光される。
次に、レティクル6上の有機系異物が発する蛍光とレテ
ィクル6からの反射光は再び対物レンズ5とハーフミラ
−4を通って、有機系異物の蛍光のみを選択的に透過さ
せる吸収フィルター8で選別され、その蛍光のみがディ
テクター9に到達し検出される。
ィクル6からの反射光は再び対物レンズ5とハーフミラ
−4を通って、有機系異物の蛍光のみを選択的に透過さ
せる吸収フィルター8で選別され、その蛍光のみがディ
テクター9に到達し検出される。
これらの動作を繰返しながらX−Yステージ7を移動さ
せ、レティクル6を操作すことにより、レティクル6全
面の有機系異物の検出を行なう。
せ、レティクル6を操作すことにより、レティクル6全
面の有機系異物の検出を行なう。
第2図は本発明の第2の実施例を示すレティクル異物検
査装置の光学系の構成図である。このレティクル異物検
査装置は、投光系であるハロゲン光学1、NDフィルタ
2及び励起フィルタ3に集光レンズである対物レンズ5
を設け、この投光系による蛍光をレティクル6に透過さ
せ、有機系の異物を検査することである。その他の検出
系である検出レンズ10、吸収フィルタ及びディテクタ
9は、レティクル6を中間にして対向して設けである。
査装置の光学系の構成図である。このレティクル異物検
査装置は、投光系であるハロゲン光学1、NDフィルタ
2及び励起フィルタ3に集光レンズである対物レンズ5
を設け、この投光系による蛍光をレティクル6に透過さ
せ、有機系の異物を検査することである。その他の検出
系である検出レンズ10、吸収フィルタ及びディテクタ
9は、レティクル6を中間にして対向して設けである。
この実施例では、透過型の光学系で実施しているため、
問題のある有機系異物のみ検出できるという利点がある
。
問題のある有機系異物のみ検出できるという利点がある
。
以上説明したように本発明は、レティクル異物検査装置
に蛍光を発光させるのに必要な光を選択的に透過させる
励起フィルターと有機系異物の蛍光のみを選択的に透過
させる吸収フィルターと吸収フィルターを透過してきた
光を検出するディテクター等を設けることによって、従
来のレティクル異物検査装置では検出できなかった薄膜
状に付着している有機系異物の検出が可能となるレティ
クル異物検査装置が得られるという効果がある。
に蛍光を発光させるのに必要な光を選択的に透過させる
励起フィルターと有機系異物の蛍光のみを選択的に透過
させる吸収フィルターと吸収フィルターを透過してきた
光を検出するディテクター等を設けることによって、従
来のレティクル異物検査装置では検出できなかった薄膜
状に付着している有機系異物の検出が可能となるレティ
クル異物検査装置が得られるという効果がある。
図面の簡単な説明
第1図は本発明の第1の実施例を示すレティクル異物検
査装置の光学系の構成図、第2図は本発明の第2実施例
を示すレティクル異物検査装置の光学系の構成図である
。
査装置の光学系の構成図、第2図は本発明の第2実施例
を示すレティクル異物検査装置の光学系の構成図である
。
1・・・ハロゲン光源、2・・・NDフィルタ、3・・
・励起フィルタ、4・・・ハーフミラ−25・・・対物
レンズ、6・・・レティクル、7・・・X−Yステージ
、8・・・吸収フィルタ、9・・・ディテクタ、10・
・・検出レンズ。
・励起フィルタ、4・・・ハーフミラ−25・・・対物
レンズ、6・・・レティクル、7・・・X−Yステージ
、8・・・吸収フィルタ、9・・・ディテクタ、10・
・・検出レンズ。
Claims (1)
- 蛍光を発光させるのに必要な光を選択的に透過させる励
起フィルターと、有機系異物の蛍光のみを選択的に透過
させる吸収フィルターと、前記吸収フィルターを透過し
てきた光を検出するディテクタとを備えることを特徴と
するレティクル異物検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12915989A JPH02307047A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | レティクル異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12915989A JPH02307047A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | レティクル異物検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02307047A true JPH02307047A (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=15002605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12915989A Pending JPH02307047A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | レティクル異物検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02307047A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013501228A (ja) * | 2009-08-04 | 2013-01-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 対象検査システムおよび方法 |
WO2016002273A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 株式会社Sumco | 半導体基板表面の有機物汚染評価方法およびその利用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6080745A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-08 | Hitachi Ltd | 異物自動検出装置 |
JPH01272945A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-10-31 | Fujitsu Ltd | 表面欠陥の検査方法 |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP12915989A patent/JPH02307047A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6080745A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-08 | Hitachi Ltd | 異物自動検出装置 |
JPH01272945A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-10-31 | Fujitsu Ltd | 表面欠陥の検査方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013501228A (ja) * | 2009-08-04 | 2013-01-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 対象検査システムおよび方法 |
US9122178B2 (en) | 2009-08-04 | 2015-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Object inspection systems and methods |
WO2016002273A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 株式会社Sumco | 半導体基板表面の有機物汚染評価方法およびその利用 |
JP2016018822A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 株式会社Sumco | 半導体基板表面の有機物汚染評価方法およびその利用 |
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