JPS6211145A - 異物検査装置 - Google Patents

異物検査装置

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Publication number
JPS6211145A
JPS6211145A JP60145760A JP14576085A JPS6211145A JP S6211145 A JPS6211145 A JP S6211145A JP 60145760 A JP60145760 A JP 60145760A JP 14576085 A JP14576085 A JP 14576085A JP S6211145 A JPS6211145 A JP S6211145A
Authority
JP
Japan
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pellicle
pellicle film
foreign matter
laser beam
foreign
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60145760A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Taniuchi
谷内 俊明
Ryoji Nemoto
亮二 根本
Yoichi Takehana
竹花 洋一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60145760A priority Critical patent/JPS6211145A/ja
Publication of JPS6211145A publication Critical patent/JPS6211145A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体デバイスの製造に用いられるペリク
ルの異物検査を行うための異物検査装置に関する。
[従来の技術] 半導体デバイスの製造においては、ウェハの露光工程が
極めて多い。このような露光工程において用いられるマ
スクは異物の付着を極端に嫌うため、ペリクルと呼ばれ
る防塵具をマスクの上面または」二下両面に取り付ける
ことが多い。
このペリクルは、正方形又は円形の枠の一面にペリクル
膜(厚さが0.8〜2μm程度の透明な薄膜)を張った
ものであり、枠の反対側の面には、一般に粘着テープな
どが貼られている。この粘着テープなどによりペリクル
の枠をマスクに固着し、ペリクル膜をマスクから約3〜
10m+n離間させて保持する。ここでペリクル膜面の
うち枠側の而をペリクル膜面裏面、枠と反対側の面をペ
リクル膜面表面と定義する。
このようにしてペリクルを取り付けた場合、雰囲気中の
浮遊塵埃などの異物はべりタル膜に遮られ、マスクに降
下して付着することがなくなる。
また、降ド異物がペリクル膜の表面に付着しても、ペリ
クル膜はマスク而から前記距離だけ離間しているので、
その付着異物の像は露光装置の結像面、つまりウェハ而
ではボケでしまうから、かなり大きな異物(例えば10
μm径以下径異下)でもウェハ而に転写されることはな
い。
このように、ペリクルをマスクに取り付けることにより
、マスクへの異物の付着を防市し、異物の影響を除去す
ることができる。しかし、ペリクル膜の裏面に異物が付
着していると、それがマスクに落下して付着し、それが
ウェハ而に転写される虞がある。このため、ペリクル膜
の裏面に関しては、かなり小さな異物、例えば1μm以
−Lの異物の存在は許されない。
したがって、ペリクル膜の付着異物、特にペリクル膜の
裏面における異物の検査を厳重に行う必°災がある。
従来、そのようなペリクル膜の付着異物の検査は、顕微
鏡を用いたLl視観察により行われていた。
[解決しようとする問題点コ しかし、そのような11視に依存した異物検査では能ヰ
くが悪く、作業者の疲労も激しいため、人:1tのペリ
クルの異物検査に困難を来していた。また、前述のよう
に所定サイズ以1−の異物についてだけ検出したいわけ
であるが、その異物のサイズの判定を誤りやすく、検査
の信頼性の而でも問題があった。
[発明のL1的] この発明は、そのような従来の問題点に鑑み、ペリクル
のペリクル膜について自動的に異物検査を行う異物検査
装置を提供することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段コ この目的を解決するために、この発明にあって、ペリク
ルの裏側よりペリクル膜に対し斜め方向に光ビームを照
射し、ペリクルの裏側において、ペリクル膜からの光ビ
ームの正反射光以外の反射光を、その強さに関連した電
気信号に変換し、この電気信号のレベルに基づきペリク
ル膜の両面における異物の有無を判別するように、異物
検査装置を構成する。
[作用コ 光ビームのj蒸射部分に異物が存在しなければ、光ビー
ムは、ペリクル膜により正反射されるか、またはペリク
ル膜を透過するため、光電変換手段に入射する反射光は
極めてわずかであり、それを変換した電気信号のレベル
は十分に低い。
異物が存在すると、その異物により光ビームは大部分が
乱反射され、その反射光が光電変換手段に入射して充電
変換され1、その光電変換信号のレベルがL!1′?、
する。このレベルは、異物の大きさに比例する関係があ
るため、反射光の光電変換信号のレベルに基づき、所定
サイズ以上の異物を弁別して検出できる。
ペリクル膜の裏面に異物が存在している場合、光ビーム
は直接的にその異物に当たって乱反射され、その反射光
は直接的に光電変換手段に入射する。−・方、ペリクル
膜の表面に付着した異物に関しては、ペリクル膜を透過
した光ビームがその異物に当たり、その反射光は再びペ
リクル膜を透過してから光電変換手段に入射する。そし
て、光ビームはペリクル膜に対して斜め方向より照射さ
れるため、ペリクル膜を透過するのは光ビームの一部だ
けであり、その透過率は光ビームの照射角度によりほぼ
決まる。したがって、同一サイズの異物であっても、そ
の乱反射光の充電変換信号のレベルは、その異物がペリ
クル膜の裏面にある場合の方が表面にある場合よりも高
(なる。
しかして、照射角度を適切に選べば、例えばペリクル膜
の裏面に1μm径の異物がある場合と、ペリクル膜の表
面に10μm径の異物のある場合とで、はぼ同一レベル
の光電変換信号を得るように透過率を設定できる。その
ようにすれば、例えば光電変換信号を特定の閾値と比較
することにより、ペリクル膜裏面の1μm径以1二の異
物およびペリクル膜裏面の10μm径以上の異物を同一
系により検出し得る。
[実施例] 以下、この発明の一実施例について図面を参照し説明す
る。
第1図は、この発明による異物検査装置の一部を省略し
た概略斜視図である。この図において、10はペリタル
であり、方形の枠12の一面にペリクル膜14を張って
なるものである。このペリクル10は、図示しない移動
ステージに取り付けられ、異物検査の際にはY方向にピ
ッチ送りされる。
この異物検査装置は、このペリクル10のペリクル膜1
4の裏面(図中[−而)および表面(図中下面)の異物
を検出するものである。その検査において、ペリクル1
0の裏側(図中」二側)から、ペリクル膜14に斜め方
向より光ビーム(ここではS偏光レーザ光ビーム)を照
射するが、16はそのS偏光レーザ光ビームを発するH
e−Neレーザ発振器である。このS偏光レーザ光ビー
ムは、ビームエキスパンダ18によりビーム径を拡大さ
れた後、ガルバノミラ−20に入射する。このガルバノ
ミラ−20は、S偏光レーザ光ビームをX方向に振るた
めのものであり、高速で往復回動駆動される。
ガルバノミラ−20により反射されたS偏光レーザ光ビ
ームは、fOレンズ24を経由して光路切替ミラー26
に入射する。この光路切替ミラー26は、図示しないソ
レノイドなどにより、実線で示す角度または鎖線26゛
で示す角度に回動させられるものである。この光路切替
ミラー26が実線の角度に設定された場合、fθレンズ
24から入射するS偏光レーザ光ビームは、光路切替ミ
ラー26により固定ミラー30へ向けて反射される。光
路切替ミラー26が鎖線26°の角度に設定された場合
、S偏光レーザ光ビームは反対側の固定ミラー28へ向
けて反射される。固定ミラー28.30に入射しそこで
反射されたS偏光レーザ光ビームは、ペリクル膜14の
同一点にφの照射角度で入射せしめらる。この実施例に
おいては、照射角度φが約15°ないし20″になるよ
うに、固定ミラー28.30の取り付は位置や角度など
が決定されている。
ペリクル10の裏側に、シリンドリカルレンズ32と集
光用光ファイバ東34が設けられている。
ペリクル膜14からの反射光(正反射光を実質的に除外
した反射光)は、シリンドリカルレンズ32を介して集
光用光ファイバ束34の受光端に入射し、出力端より充
電変換素子としてのホトマルチプライヤ36に入射せし
められる。
このホトマルチプライヤ36の出力信号(光電変換信号
)は、第2図に示すように、増幅器40によって増幅さ
れてから比較回路42に入力される。この比較回路42
は、入力された光電変換信号を、制御部44より与えら
れた閾値と比較し、光電変換信号のレベルが閾値以上の
時に“1゛レベルの信号を出力する。この信号は計数回
路46に入力される。この計数回路46は、制御部44
から一定周期のクロックパルスが供給された時に、比較
回路42の出力信号が“1“ルベルならば、1だけカウ
ントアンプする。lit数回路46のカウント値が、制
御ffi<44により検査の開始の直前に設定されたプ
リセット値を越えると、オーバ信号を出力する。なお、
前記モータ22、前記ソレノイドやYステージの駆動用
モータなどの駆動制御は、制御部44により行われる。
次に、この異物検査装置による異物検査動作について説
明する。
まず、ペリクル10の後端(第1図で右端)が、シリン
ドリカルレンズ32の直下に占位するようにYステージ
が位置決めされる。また、光路切替ミラー26は実線の
角度に設定される。これにより、固定ミラー30側から
S偏光レーザ光ビームがペリクル膜14に照射されるよ
うになる。また、計数回路46に所望の値がプリセット
され、クロックの供給も始まる。
そして、Yステージが一定の速度でY方向に後退移動さ
せられる。このY方向移動の開始と同時に、ガルバノミ
ラ−20が回動せしめられる。ガルバノミラ−20の回
動により、そこでS偏光レーザ光ビームはX方向に振ら
れるため、S偏光レーザ光ビームのスポットは、ペリク
ル膜14のシリンドリカルレンズ32の直下部分をX方
向に移動する。すなわち、ペリクル膜14はS偏光レー
ザ光ビームにより、X方向に走査される。同時にペリク
ル10はY方向にピッチ送り(副走査)されるため、結
局、ペリクル膜14はS偏光レーザ光ビームによりラス
ター走査されることになる。
ペリクル膜14の走査点からの反射光が、シリンドリカ
ルレンズ32と集光用光ファイバ東34を介してホトマ
ルチプライヤ36に入射し、その光量に比例したレベル
の光電変換信号がホトマルチプライヤ36より出力され
る。この光電変換信号を増幅器40で増幅した信号(以
下、この信号を光電変換信号と称する)は、比較回路4
2で閾値と比較される。
ここで、ペリクル膜14の裏面に約1μm径以ヒの異物
が付着している場合に、光電変換信号のレベルが前記閾
値を越えるように、同閾値が選ばれている。また、ペリ
クル膜14の表面に異物が付着している場合における光
電変換信号のレベルが、それと同程度のサイズの異物が
ペリクル膜裏面に何首している場合における光電変換信
号のレベルの約10分の1となるように、S偏光レーザ
光ビームの照射角度φが前記のように実験的に決定され
ている。つまり、ペリクル膜14の表面に、約10μ!
n径以−[−の異物が付着している場合に、充電変換信
号のレベルが前記閾値を越えるようになっている。
このように、ペリクル膜14の裏面と表面について、而
毎に異なったサイズ以上の異物を同一系で検出できるの
は、ペリクル10の四側より斜めに光ビームを照射し、
ペリクル10の裏側において、ペリクル膜14からの正
反射光以外の反射光を受光し、その光電変換信号のレベ
ルを調べるからである。
さて、前述のように、ペリクル膜14の走査点において
、裏面に約1μm径以上の異物があるか、または表面に
約10μm1以、Lの異物がある場合、比較回路42の
出力信号が“1′”レベルになる。
(−して、クロックパルスの時刻に、その出力信号が“
l”レベルであれば、計数回路46がカウントアツプす
る。つまり、クロックパルスの周期で異物検出がなされ
る。
ペリクル10のY方向についてのほぼ中心まで検査が進
むと、制御部44は、光路切替ミラー26を鎖線26′
の角度に切り替え、固定ミラー28側からS偏光レーザ
光ビームが照射されるように設定し、同様の検査を続行
する。このようにS偏光レーザ光ビームの照射方向を切
り替えるのは、斜め照射の関係ト、同一方向から照射し
た場合、ペリクル10の前端部分または後端部分におい
て、ペリクル膜14に照射不[可能な死角部分が生じる
ためである。
このような検査の実行過程で計数回路46からオーバ信
号が送出されるか、またはべりタル10の前端部分まで
検査が進むと、制御部44は前記検査動作を終了させる
。ここで、計数回路46からオーバ信号が送出された場
合、ペリクル膜14に、前記サイズ以上の異物がプリセ
ット値以上検出され、そのペリクル10は使用不可能で
あり、廃棄またはクリーニングする必要があるというこ
とである。
このように、この異物検査装置によれば、ペリクル膜の
両面について、曲毎に異なったサイズ以上の異物を自動
的に検出し、ペリクルの良否を能率的に判定することが
できる。しかも、人手に依存しないから、検査の信頼性
も向上する。
以−Llこの発明の−・実施例について説明したが、こ
の発明はそれだけに限定されるものではない。
例えば、前記実施例では、ペリクル膜をラスター走査す
るが、回転走査など、他の走査型式としてもよい。
前記実施例ではべりタルを裏返し状態で検査するが、ペ
リクルを表向きや横向きにして検査してもよい。
光ビームの照射角度は、前記実施例における値に限定さ
れるものではない。ただし、一般的なペリクル膜の場合
、前記照射角度は好適な場合が多い。
光電変換信号のレベル比較や、その比較結果の計数を、
ハードウェアでなくソフトウェアにより実行することも
可能である。
前記実施例では、異物個数だけに注目しているが、異物
の位置も検出し、記憶するようにしてもよい。
さらに、ペリクル膜の照射光ビームは、S偏光レーザ光
ビームに限られるものではない。
[発明の効果コ 以1ユ説明したように、この発明は、ペリクルの裏側よ
りペリクル膜に対し斜め方向に光ビームを照射し、ペリ
クルの裏側において、ペリクル膜からの光ビーl、の正
反射光以外の反射光を、その強さに関連した電気信号に
変換し、この電気信号のレベルに基づきペリクル膜の両
面における異物の有無を判別するものであるから、ペリ
クル膜の表裏面についての異物検査を同時に能率良くか
づ確実に行うことができ、しかも各面毎に適切なサイズ
以」−の異物について検査することができる、などの効
果を得られる。
4、図面の而r11−な1悦明 第1図はこの発明による異物検査装置の一部を省略した
概略斜視図、第2図は同異物検査装置の電気系の概略ブ
ロック図である。
10・・・ペリクル、12・・・枠、14・・・ペリク
ル膜、16・・・He−Neレーザ発振器、20・・・
ガルバノミラ−124・・・fOレンズ、26・・・切
替ミラー、28・・・固定ミラー、32・・・シリンド
リカルレンズ、34・・・集光用光ファイバ東、36・
・・ホトマルチプライヤ、42・・・比較回路、46・
・・計数回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)枠体にペリクル膜を張ってなるペリクルの異物検
    査を行う異物検査装置であって、前記ペリクルの裏側よ
    り前記ペリクル膜に対し斜め方向に光ビームを照射する
    手段と、前記ペリクルの裏側において、前記ペリクル膜
    からの前記光ビームの正反射光以外の反射光を受光し、
    その反射光の強さに関連した電気信号を出力する光電変
    換手段と、この電気信号のレベルに基づき前記ペリクル
    膜の両面における異物の有無を判別する手段とを具備し
    てなる異物検査装置。
  2. (2)ペリクル膜に対して約15°ないし20°の角度
    にて光ビームが照射されることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の異物検査装置。
JP60145760A 1985-07-04 1985-07-04 異物検査装置 Pending JPS6211145A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60145760A JPS6211145A (ja) 1985-07-04 1985-07-04 異物検査装置

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JP60145760A JPS6211145A (ja) 1985-07-04 1985-07-04 異物検査装置

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JPS6211145A true JPS6211145A (ja) 1987-01-20

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ID=15392524

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60145760A Pending JPS6211145A (ja) 1985-07-04 1985-07-04 異物検査装置

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JP (1) JPS6211145A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63190348A (ja) * 1987-02-03 1988-08-05 Ulvac Corp レ−ザダストモニタ装置
JPH02168288A (ja) * 1988-12-21 1990-06-28 Canon Inc 定着装置
KR100416660B1 (ko) * 2001-12-20 2004-01-31 동부전자 주식회사 노광시스템의 페리클 검사장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63190348A (ja) * 1987-02-03 1988-08-05 Ulvac Corp レ−ザダストモニタ装置
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