JPH1038815A - 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は欠陥検査装置に関し、欠陥があると判
定されたペリクルの良否判定を効率的に行い得るように
する。 【解決手段】ペリクルフレームに貼り付けられたペリク
ルに所定の光束を照射する光照射手段と、光束をペリク
ルに照射した際に得られる該ペリクルからの光を受光す
る受光手段（１８）と、受光手段によつて得られる受光
信号（Ｓ１）に基づいてペリクルの欠陥箇所を検出する
欠陥検出手段（２２）と、欠陥検出手段によつて得られ
る欠陥箇所の位置データを記憶する記憶手段（２４）
と、ペリクル全面について欠陥検査が終了した後、記憶
手段に記憶されている欠陥箇所の位置データに基づいて
欠陥箇所の再検査順序を決定し、該再検査順序を表示す
る順序決定手段（２２）とを設けるようにし、その再検
査順序に従つて欠陥箇所を再検査するようにすれば、欠
陥の確率が高い順にペリクルを再検査することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は欠陥検査装置及び欠
陥検査方法に関し、特に半導体露光工程で使用されるフ
オトマスク（又はレチクル）に対して装着されるペリク
ルの欠陥を検査する欠陥検査装置に適用して好適なもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体露光工程においては、露光
基板であるウエハをウエハステージ上に載置し、光源か
らの光束をフオトマクスを介して当該ウエハ上に照射す
ることにより、フオトマスクに形成された回路パターン
をウエハ上に投影露光するようになされている。その
際、原盤に相当するフオトマスクにゴミ等の異物が付着
すると、その異物がそのままウエハ上に転写されてしま
うので、ペリクルと呼ばれる保護膜をフオトマスクに対
して装着することにより当該フオトマスクに異物が付着
しないようにし、これによつてウエハへの異物転写を防
止するようになされている。

【０００３】ここでこのペリクルについて、図８を用い
て具体的に説明する。図８（Ａ）に示すように、ペリク
ル１は厚さ数μｍの光透過性を有する薄膜からなり、通
常、フオトマスク２の保護範囲を囲うように形成された
ペリクルフレーム３に貼設されており、フオトマスク２
に対してはペリクルフレーム３を介して接着剤４で接着
されるようになされている。この場合、接着剤４は、図
８（Ｂ）に示すように、ペリクル購入段階で既にペリク
ルフレーム３の下面に付着されており、その表面には当
該接着剤４を保護するバツクシート５が貼り付けられて
いる。

【０００４】このようなペリクル１は、通常、ゴミ等の
異物が付着しないように収納ケース（図示せず）に密閉
収納された状態で単品で販売されており、半導体露光業
者は、このような状態のペリクル１を購入してフオトマ
スク２に装着する。このためペリクル１をフオトマスク
２に装着する場合には、まずペリクルフレーム３を把持
して収納ケースからペリクル１を取り出し、次にバツク
シート５の端部に設けられた摘まみ部５Ａを掴んで当該
バツクシート５を引き剥がして接着剤４を露出させ、こ
の後、当該ペリクル１をフオトマスク２の表面に押し当
てる。これにより最終的に図８（Ａ）に示すような状態
でペリクル１はフオトマスク２に対して装着される。

【０００５】因みに、ペリクル１をフオトマスク２に装
着する前には、通常、欠陥検査装置を用いた欠陥検査を
行い、当該ペリクル１に欠陥があるか否かを検査するよ
うになされている。なぜならペリクル１に例えば異物付
着による欠陥があると、露光時にその異物がウエハ上に
転写されてしまうことがあるからである。特にペリクル
１の内側面（すなわちフオトマスク側の面）に異物が付
着している場合には、その異物がフオトマスク２の上に
落下するおそれがあり、ウエハ上に転写される確率も非
常に高くなる。

【０００６】このような欠陥検査装置による欠陥検査を
行つた結果、欠陥が検出された場合には、そのペリクル
１の使用を中止するようになされている。なお、欠陥が
検出されたペリクル１は即不良として廃棄されず、オペ
レータが顕微鏡等を用いて目視検査（以下、これをレビ
ユーと呼ぶ）を行い、露光に際して問題となる欠陥であ
れば、そのとき始めて廃棄処分にするようになされてい
る。このように欠陥が検出されたペリクル１を即廃棄処
分としない理由は、欠陥検査装置においては、ペリクル
フレーム３やその周辺を誤つて異物として検出してしま
うことがあり、本来欠陥でないものまで欠陥として検出
してしまうことがあるからである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで欠陥検査装置
において誤検出されるものとしては、一般に接着剤のは
み出し部分が多い。図９に示すように、ペリクル１はペ
リクルフレーム３に対して接着剤６を使用して貼設され
ており、欠陥検査装置ではこの接着剤６のはみ出し部分
６Ａを誤つて異物として誤検出することが多い。この接
着剤６には接着剤４のように粘性の高いものではなく、
粘性の低いものが使用されており、へらのような部材で
接着剤６よりも薄く引き延ばされた後、ペリクル１が押
し当てられて貼り付けられる。このような貼付け工程の
ため、ほとんどのペリクル１で接着剤６のはみ出し部分
６Ａが存在する。このはみ出し部分６Ａのはみ出し量６
Ｂはペリクル毎に異なるが、多いものでペリクルフレー
ム３の内側から約 0.5〔mm〕程度もある。

【０００８】欠陥検査装置によつてこのはみ出し部分６
Ａを本当の異物７と同じように異物として検出した場
合、異物として検出されたからには上述のようなレビユ
ーを行つて異物か否かを確認しなければならない。はみ
出し部分６Ａの位置はペリクル毎に異なるので、オペレ
ータは経験的にも異物か否かといつたことが分からず、
その都度レビユーを行わなければならない。このレビユ
ーの結果、異物として判定されていた箇所が全てはみ出
し部分６Ａであれば、そのペリクル１は良品として扱わ
れるし、１箇所でも露光に際して問題となる程度の異物
が検出されれば不良品として扱われる。

【０００９】ところでペリクル１は上述したように収納
ケースに密閉収納されているので異物が付着している確
率は低く、異物として検出された箇所のうち本当の異物
の割合は低い。従つてレビユーによつて接着剤６のはみ
出し部分６Ａばかりを確認することになり、無駄な時間
を費やしてしまうおそれがある。特に何箇所もレビユー
を行つた後、一番最後のレビユーで露光に際して問題と
なる異物が検出された場合には、それまでのレビユーに
要した時間が無駄になり、最も非効率的である。なぜな
ら露光に際して問題となる異物が最初に検出されれば、
それ以降のレビユーを行う迄もなく、そのペリクル１は
不良品となるからである。このように従来の場合には、
欠陥があると判定されたペリクルの良否判定が非効率的
に行われているといつた問題があつた。

【００１０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、欠陥があると判定されたペリクルの良否判定を効率
的に行い得る欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提案しよ
うとするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、欠陥検査装置１０又は４０におい
て、ペリクルフレーム３に貼り付けられたペリクル１に
所定の光束Ｌ１又はＬ３を照射する光照射手段１３又は
４４と、光束Ｌ１又はＬ３をペリクル１に照射した際に
得られる該ペリクル１からの光を受光する受光手段１８
又は４６と、受光手段１８又は４６によつて得られる受
光信号Ｓ１又はＳ１０に基づいてペリクル１の欠陥箇所
を検出する欠陥検出手段２２又は５１と、欠陥検出手段
２２又は５１によつて得られる欠陥箇所の位置データを
記憶する記憶手段２４又は５６と、ペリクル全面につい
て欠陥検査が終了した後、記憶手段２４又は５６に記憶
されている欠陥箇所の位置データに基づいて欠陥箇所の
再検査順序を決定し、該再検査順序を表示する順序決定
手段２２又は５１とを設けるようにした。このように欠
陥箇所の位置データに基づいて欠陥箇所の再検査順序を
決定するようにしたことにより、欠陥箇所の再検査に欠
陥確立に応じた優先順位を付けることができる。またそ
の決定した再検査順序に従つて欠陥箇所を再検査すれ
ば、欠陥確率の高い順にペリクル１を再検査することが
できる。

【００１２】また本発明においては、ペリクルフレーム
３に貼り付けられたペリクル１の欠陥を検査する欠陥検
査方法において、所定の光束Ｌ１又はＬ３をペリクル１
に照射し、該ペリクル１からの光を受光することにより
該ペリクル１の欠陥箇所を検出し、ペリクル全面につい
て欠陥検査が終了した後、検出した欠陥箇所の位置に基
づいて該欠陥箇所の再検査順序を決定し、決定した再検
査順序に基づいてペリクルを再検査するようにした。こ
のように欠陥箇所の位置に基づいて欠陥箇所の再検査順
序を決定し、決定した再検査順序に基づいて再検査する
ようにしたことにより、欠陥確率の高い順にペリクル１
を再検査することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。

【００１４】（１）第１実施例 図１において、１０は全体として第１実施例による欠陥
検査装置を示し、検査対象であるペリクル１に対して所
定の光束を照射し、これによつて得られるペリクル１か
らの光を受光して当該ペリクル１の欠陥を検査するよう
になされている。まず図８に示したようなペリクルフレ
ーム３に貼り付けられたペリクル１はステージ１１上に
載置される。因みに、この欠陥検査装置１０ではフオト
マスクに装着される前のペリクル１を検査するため、こ
のステージ１１上にはバツクシート５が付いたままの状
態のペリクル１が載置される。このステージ１１は駆動
部１２によつて図中示すＹ軸方向に沿つて移動可能な構
成を有し、欠陥検査に合わせてペリクル１をＹ軸方向に
移動し得るようになされている。

【００１５】一方、ステージ１１の斜め上方には、欠陥
検査用の光束としてレーザ等の光ビームＬ１を出射する
光源１３が設けられている。この光源１３から出射され
た光ビームＬ１は図示せぬビーム拡大器等で適当な大き
さのビーム径に変換された後、ガルバノスキヤナーミラ
ー又はポリゴンスキヤナーミラー等からなる偏向走査器
１４に入力される。偏向走査器１４に入力された光ビー
ムＬ１は当該偏向走査器１４によつて反射され、走査レ
ンズ１５を介して集光された後、ペリクル１上に照射さ
れる。これによりペリクル１上には所定の大きさの光ス
ポツトが形成される。この光スポツトは偏向走査器１４
の反射角度を変えることにより図中示すＸ軸方向に移動
し、かくしてペリクル１上にＸ軸方向の走査線１６を形
成する。この欠陥検査装置１０では、この光スポツトの
Ｘ軸方向の走査に並行して当該光スポツトを走査する速
度よりも遅い速度でステージ１１をＹ軸方向に移動する
ようになされており、これにより光スポツトをＹ軸方向
にも移動してペリクル全面を光スポツトによつて走査し
得るようになされている。

【００１６】ところでペリクル１にゴミ等の異物１７が
付着していると、上述のような光スポツトが照射された
とき、正反射光以外の反射光（以下、これを散乱光と呼
ぶ）Ｌ２が発生する。この欠陥検査装置１０では、この
ペリクル１からの散乱光Ｌ２を検出することにより異物
付着による欠陥を検出するようになされている。このた
めこの欠陥検査装置１０には光ビームの正反射位置とは
異なる位置に受光素子１８が設けられており、この受光
素子１８によつて異物からの散乱光Ｌ２を検出するよう
になされている。

【００１７】まず異物１７からの散乱光Ｌ２は受光レン
ズ１９に入力され、ここで集光された後、受光素子１８
に入力される。なお、受光レンズ１９と受光素子１８と
の間には、走査線１６と共役な位置にスリツト２０が設
けられており、当該走査線１６以外で発生する散乱光
（例えばペリクル１を透過した光ビームＬ１がステージ
１１に当たり、その結果発生する散乱光等）を遮光する
ようになされている。これにより異物以外からの散乱光
を受光して誤検出することを未然に回避することができ
る。

【００１８】受光素子１８はフオトマルチプライヤ又は
シリコンフオトダイオード等からなり、受光した散乱光
Ｌ２を光電変換することにより光量に応じた信号レベル
の受光信号を発生する。この欠陥検査装置１０では後述
するような欠陥検査回路が設けられており、当該欠陥検
査回路によつて受光信号を解析することによりペリクル
１上の欠陥箇所を検出する。なお、図１においては特に
図示していないが、欠陥検査装置１０にはペリクル１の
観察手段として顕微鏡が設けられており、欠陥検査後に
欠陥として検出された箇所に顕微鏡を合わせて目視検査
いわゆるレビユーを行えるようになされている。

【００１９】ここで図２において、この欠陥検査装置１
０の回路構成を示す。この欠陥検査装置１０には、図２
に示すような欠陥検査回路２１が設けられており、この
欠陥検査回路２１によつて異物付着によるペリクル１の
欠陥を検出する。まず受光素子１８によつて検出された
散乱光Ｌ２の受光量を表す受光信号Ｓ１は制御部２２に
入力される。また偏向走査器１４から出力されるミラー
偏向角信号Ｓ２も制御部２２に入力される。さらに図１
においては特に図示しなかつたがこの欠陥検査装置１０
にはステージ１１のＹ軸方向の位置を計測する測長器２
３が設けられており、当該測長器２３によつて検出され
たステージ１１のＹ方向位置信号Ｓ３も制御部２２に入
力されるようになされている。なお、制御部２２に対し
てはこれ以外にもキーボード２６から入力された各種情
報も入力されるようになされている。

【００２０】制御部２２は受光信号Ｓ１の信号レベルを
調べることにより異物付着の有無を検出すると共に、そ
の異物の大きさを検出する。この場合、散乱光の光量と
異物の大きさとは相関関係があり、光量が大きい程、大
きな異物となる。このため受光信号Ｓ１の信号レベルを
調べれば、異物付着の有無だけでなく、その大きさも検
出することができる。

【００２１】また制御部２２は測長器２３から出力され
るＹ方向位置信号Ｓ３及び偏向走査器１４から出力され
るミラー偏向角信号Ｓ２に基づいて、異物付着が検出さ
れた箇所のＸＹ座標（すなわち異物付着箇所の位置デー
タ）を検出する。この場合、Ｙ方向位置信号Ｓ３はステ
ージ１１のＹ軸方向の位置すなわちＹ座標を表してお
り、ミラー偏向角信号Ｓ２は光スポツトのＸ軸方向の位
置すなわちＸ座標を表しており、これらの信号Ｓ２、Ｓ
３を使用すれば異物付着箇所の位置データを容易に検出
することができる。制御部２２はこのようにして得た異
物検出箇所の位置データ及びその異物の大きさデータ等
を検査データＳ４として記憶部２４に供給し、当該記憶
部２４に記憶させる。

【００２２】制御部２２は受光信号Ｓ１に基づいてこの
ような検出処理を順次行うことによりペリクル全面につ
いて異物検出を行う。このため検査終了後には、ペリク
ル全面についての検査データＳ４が記憶部２４に記憶さ
れていることになる。なお、このような検出処理の途中
で露光に際して完全に問題となる程に大きな異物が検出
された場合には、その時点でモニタ２５に警告を表示
し、検査を終了する。これにより欠陥検査を効率化し得
る。なぜなら露光に際して完全に問題となる程に大きな
異物であれば、以降検査を続行するまでもなくそのペリ
クル１は不良であるからである。

【００２３】また制御部２２はペリクル全面についての
検査が終了した後、記憶部２４に記憶されている検査デ
ータＳ４に基づいて、欠陥として検出された箇所の再検
査順序（すなわちレビユー順序）を決定する。まず制御
部２２は記憶部２４に記憶されている検査データＳ４の
うち欠陥箇所を表す位置データを読み出し、当該位置デ
ータに基づいて欠陥箇所を２次元平面上に展開して図３
に示すような欠陥箇所マツプ３０を作成し、モニタ２５
に表示する。なお、図３においては斜線部分３１が欠陥
があると判定された箇所を示しており、また一番外側の
枠線３２が欠陥検査装置１０の検査範囲を示している。
さらに図中示される枠線３３は実際に表示されるもので
はなく以下の説明のために付されたものであり、ペリク
ルフレーム３の内周を示している。

【００２４】この欠陥箇所マツプ３０において、枠線３
３よりも外側にある欠陥箇所はペリクルフレーム３を異
物として検出したものであるので、この部分をレビユー
する必要はない。これに対して枠線３３よりも内側にあ
る欠陥箇所は異物である可能性があるので、この部分に
ついてはレビユーを行う必要がある。しかしながらこの
枠線３３よりも内側にある欠陥箇所には、接着剤６のは
み出し部分６Ａ（図９参照）も含まれているので、レビ
ユーを闇雲に行つたのではペリクル良否判定の効率が悪
くなるおそれがある。

【００２５】例えば欠陥箇所３４、３５はペリクル１の
中心に近く、孤立しているので異物である可能性が高
い。また欠陥箇所３６はペリクルフレーム３に近いがペ
リクル１の中心方向に突出しているので、これもまた異
物の可能性が高い。これに対して欠陥箇所３７はペリク
ルフレーム３に沿つた方向に連続しているので、接着剤
６のはみ出し部分６Ａである可能性が高い。従つて欠陥
箇所３４、３５或いは３６を先にレビユーし、欠陥箇所
３７のようにペリクルフレーム３に沿つた方向に所定長
以上連続した欠陥箇所を後にレビユーするようにすれ
ば、ペリクル良否判定を効率的に行えると思われる。な
ぜなら欠陥箇所３４、３５或いは３６をレビユーしたと
き、露光に際して問題となる異物であることが判定され
れば、その時点で以降のレビユーを中止することができ
るからである。このように欠陥の位置と欠陥である確率
（以下、これを単に欠陥確立と呼ぶ）とは相関関係があ
り、制御部２２はその相関関係に基づいてレビユーの順
序を決定する。

【００２６】ここで制御部２２によるレビユー順序の決
定手順を図４に示す。まず始めにステツプＳＰ１から入
つたステツプＳＰ２において、制御部２２はペリクルフ
レーム３の近傍に存在する連続した欠陥箇所に内接する
判定領域Ａを作成する（図３参照）。次のステツプＳＰ
３では、その作成した判定領域Ａの縦、横の大きさ及び
中心位置の座標を求める。但し、この判定領域Ａは欠陥
箇所に依存するので、必ずしもペリクルフレーム３の内
周３３から求まるペリクルの中心座標と一致するとは限
らない。

【００２７】次のステツプＳＰ４では、作成した判定領
域Ａ内に欠陥箇所が存在するか否かを検出し、欠陥箇所
が存在すればその欠陥箇所は異物である可能性が高いの
でステツプＳＰ５に進んでモニタ２５にその部分を優先
的にレビユーするように表示し、欠陥箇所が存在しなけ
ればステツプＳＰ６に進む。例えば図３に示したように
異物の可能性が高い欠陥箇所３４、３５は判定領域Ａ内
に存在するので、ステツプＳＰ４において肯定結果とな
り、優先的レビユーとなる。

【００２８】このステツプＳＰ５における優先的レビユ
ーの表示を受けて、オペレータは上述したような顕微鏡
を用いて該当欠陥箇所をレビユーし、その良否判定結果
をキーボード２６を用いて入力する。その結果、ステツ
プＳＰ７において露光時に問題となる致命的欠陥（例え
ば 100μｍ以上の異物等）であることが判定された場合
には、ステツプＳＰ８に進んで不良ペリクルとして処理
を中止し、小さい異物等で致命的欠陥でなければステツ
プＳＰ６に進んで処理を続行する。

【００２９】ステツプＳＰ６では、判定領域Ａを所定量
（例えば 0.1ｍｍ）ずつ大きくし、欠陥箇所が現れるま
で拡大する。その結果、欠陥箇所が現れた場合には、次
のステツプＳＰ９に進み、ここで欠陥箇所の領域を判定
する。すなわちペリクルフレーム３に沿つた方向に所定
長以上（例えば 0.5ｍｍ）連続しているか否か判定す
る。その結果、所定長以上連続していなければその欠陥
箇所は異物である可能性が高いのでステツプＳＰ１０に
進んでモニタ２５にその部分を優先的にレビユーするよ
うに表示し、当該方向に所定長以上連続していればステ
ツプＳＰ１１に進む。例えば図３に示したように異物の
可能性が高い欠陥箇所３６はペリクル１の中心方向に突
出しているので、ステツプＳＰ９において否定結果とな
り、優先的レビユーとなる。これとは逆に接着剤６のは
み出し部分６Ａの可能性が高い欠陥箇所３７は所定長以
上連続しているので、ステツプＳＰ９において肯定結果
となる。

【００３０】このステツプＳＰ１０における優先的レビ
ユーの表示を受けて、オペレータは顕微鏡を用いて該当
欠陥箇所をレビユーし、その良否判定結果をキーボード
２６を用いて入力する。その結果、ステツプＳＰ１２に
おいて露光時に問題となる致命的欠陥であることが判定
された場合には、ステツプＳＰ１３に進んで不良ペリク
ルとして処理を中止し、小さい異物等で致命的欠陥でな
ければステツプＳＰ６に進んで処理を続行する。

【００３１】一方、ステツプＳＰ１１では、所定長以上
連続している欠陥箇所を接着剤６のはみ出し部分６Ａと
判定し、その部分のリストアツプだけを行つてレビユー
順序を後に回し、再びステツプＳＰ６に戻つて処理を続
行する。以降処理を続行しても所定長以上連続する欠陥
箇所だけが検出されるようであれば、リストアツプして
後に回した欠陥箇所をレビユーするようにモニタ２５に
表示して処理を終了する。

【００３２】以上の構成において、この欠陥検査装置１
０では、光源１３から出力された光ビームＬ１をペリク
ル１に照射し、当該ペリクル１からの散乱光Ｌ２を受光
素子１８によつて検出する。受光素子１８によつて検出
された受光信号Ｓ１は制御部２２に供給される。制御部
２２は受光信号Ｓ１に基づいてペリクル１に異物付着に
よる欠陥があるか否か検出すると共に、異物の大きさを
検出し、さらに異物付着が検出された欠陥箇所の位置デ
ータを測長器２３からのＹ方向位置信号Ｓ３及び偏向走
査器１４からのミラー偏向角信号Ｓ２に基づいて検出す
る。そして制御部２２は検出した異物の大きさ及び位置
データを検査データＳ４として記憶部２４に記憶する。
この欠陥検査装置１０では、このような検出処理を繰り
返すことにより、ペリクル全面の欠陥検査を行う。

【００３３】ペリクル全面の欠陥検査が終了すると、制
御部２２は記憶部２４に記憶されている検査データＳ４
のうち欠陥箇所の位置データを読み出し、当該位置デー
タを２次元平面に展開して欠陥箇所マツプ３０を作成す
る。そして制御部２２はこの欠陥箇所マツプ３０に基づ
いて再検査として行うレビユーの順序を決定する。まず
始めに制御部２２はこの欠陥箇所マツプ３０に基づい
て、ペリクルフレーム３の近傍に存在する連続した欠陥
箇所に内接する判定領域Ａを設定する。次に設定した判
定領域Ａ内に孤立した欠陥箇所があるか否か判定し、該
当する欠陥箇所が存在すれば、その欠陥箇所を最優先に
レビユーするように決定し、その指示をモニタ２５に表
示する。これを受けてオペレータが顕微鏡を用いてその
欠陥箇所をレビユーし、その結果、露光に際して問題と
なる致命的欠陥であればその時点でペリクル１を不良と
判定する。

【００３４】これに対して欠陥箇所が致命的欠陥でなか
つた場合、或いは判定領域Ａ内に孤立した欠陥箇所がな
かつた場合には、制御部２２は判定領域Ａを欠陥箇所が
現れるまで拡大する。そして判定領域Ａ内に欠陥箇所が
現れたら、その欠陥箇所がペリクルフレーム３に沿つた
方向に所定長以上連続する欠陥であるか否か判定する。
その結果、所定長以上連続する欠陥でなければ、それを
優先的にレビユーするように決定し、その指示をモニタ
２５に表示する。これを受けたオペレータは同じように
レビユーを行つて致命的な欠陥であるか否か調べる。一
方、所定長以上連続する欠陥であれば、その部分のリス
トアツプだけを行つてレビユー順序を後回しにし、再び
判定領域Ａを拡大して欠陥箇所の領域を判定する。以降
これを繰り返した結果、所定長以上連続する欠陥だけが
検出されるようであれば、リストアツプしておいた欠陥
箇所をレビユーするようにモニタ２５に表示する。

【００３５】このようにして判定領域Ａを設定し、当該
判定領域Ａ内にある孤立した欠陥箇所を最優先にレビユ
ーするように決定することにより、異物付着による欠陥
の可能性が最も高い欠陥箇所を最初にレビユーすること
ができる。これによりそのレビユーの結果、致命的欠陥
であることが分かれば、そのペリクル１を不良と判定
し、それ以降の良否判定を行わなくても良くなり、効率
的に良否判定を行うことができる。

【００３６】また判定領域Ａ内に孤立した欠陥箇所がな
かつた場合やレビユーの結果、孤立した欠陥箇所が致命
的欠陥でなかつた場合、欠陥箇所が現れるまで判定領域
Ａを順次拡大する。そしてその現れた欠陥箇所の領域を
判定し、ペリクルフレーム３に沿つた方向に所定長以上
連続していなければその欠陥箇所を先にレビユーするよ
うにし、所定長以上連続していればその欠陥箇所を最後
にレビユーするようにする。これにより接着剤６のはみ
出し部分６Ａと思われる部分よりも先に、異物付着によ
る欠陥の可能性が高い部分をレビユーすることができ、
欠陥の可能性が低い部分を最後にレビユーして効率的に
良否判定することができる。

【００３７】このようにして検出した欠陥箇所の位置に
基づいてレビユーの順序を決定するようにしたことによ
り、欠陥箇所のレビユーに欠陥確率に応じた優先順位を
付けることができる。またその順序に従つて欠陥箇所を
レビユーすれば、欠陥確率が高い順にレビユーを行うこ
とができ、効率的にペリクル１の再検査を行つて効率的
にペリクル１の良否判定を行うことができる。

【００３８】以上の構成によれば、検出した欠陥箇所の
位置に基づいてレビユーの順序を決定し、そのレビユー
順序に従つてレビユーを行うようにしたことにより、欠
陥確率が高い順に欠陥箇所のレビユーを行つて効率的に
ペリクル１の良否判定を行うことができる。かくするに
つき欠陥があると判定されたペリクル１の良否判定を効
率的に行い得る欠陥検査装置及び欠陥検査方法を実現し
得る。

【００３９】（２）第２実施例 図５において、４０は全体として第２実施例による欠陥
検査装置を示し、この実施例の場合にも、ペリクル１に
対して所定の光束を照射し、これによつて得られるペリ
クル１からの光を受光して当該ペリクル１の欠陥を検査
するようになされている。但し、この実施例の場合に
は、受光手段として撮像素子を用いることによりペリク
ル１からの光を受光するようにする。

【００４０】まず図８に示したようなペリクルフレーム
３に貼り付けられたペリクル１はステージ４１上に載置
される。このステージ４１は駆動部４２及び４３によつ
て図中示すＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能な構成を有
し、欠陥検査に合わせてペリクル１をＸ軸方向及びＹ軸
方向に移動し得るようになされている。なお、後述する
ようにこの欠陥検査装置４０ではステツプ方式でステー
ジ４１を移動してペリクル１を検査するが、その際、ス
テージ４１を瞬時に加速及び減速して移動することによ
り全体としての検査時間を短くするようにしている。こ
のように瞬時に加速及び減速したとき、ペリクル１がス
テージ４１上で動いてしまうおそれがあるので、ステー
ジ４１にはペリクル１を吸着保持する吸着部（図示せ
ず）が設けられている。

【００４１】一方、ステージ４１の斜め上方には、レー
ザや水銀ランプ等からなる光源４４が設けられており、
当該光源４４から欠陥検査用の光束である光ビームＬ３
を出射するようになされている。この光源４４から出射
される光ビームＬ３はステージ４１上に載置されたペリ
クル１に照射される。この光ビームＬ３の照射位置の鉛
直上方には対物レンズ４５が設けられており、さらにそ
の上方には照射位置の物体が結像する共役位置に撮像素
子４６が設けられている。撮像素子４６としては２次元
ＣＣＤが用いられており、光ビームＬ３が照射されるペ
リクル１上の照射位置を２次元的に撮像し得るようにな
されている。この場合、撮像範囲としては撮像素子４６
の大きさと対物レンズ４５の倍率で決定される。このた
めこの欠陥検査装置４０では、少なくともこの撮像範囲
よりも広い範囲を光ビームＬ３によつて照射し得るよう
になされている。但し、照射範囲を広くし過ぎると輝度
が下がるので、照射範囲としては輝度の低下が問題とな
らない程度の大きさに設定されている。

【００４２】またこの欠陥検査装置４０の場合には、撮
像素子４６と対物レンズ４５との間にミラー４７を介挿
し得るようになされており、このミラー４７によつて照
射位置の像を接眼レンズ４８に対しても導けるようにな
つている。これにより接眼レンズ４８を覗いて欠陥とし
て判定された箇所を目視によつてレビユーすることがで
きる。

【００４３】この欠陥検査装置４０でペリクル１の欠陥
を検査する場合には、まず駆動部４２及び４３を駆動し
てステージ４１を移動することにより、ペリクル１の四
隅のうちいずれかを撮像素子４６の撮像範囲に入れ、そ
の部分を撮像する。これが終了したら撮像素子４６の一
視野分だけステージ４１をＸ軸方向に移動して次の撮像
ポイントを撮像範囲に入れ、その部分を撮像する。これ
を順に繰り返してペリクル１の端まで行つたら今度は一
視野分だけステージ４１をＹ軸方向に移動して次の撮像
ポイントを撮像範囲に入れ、その部分を撮像する。これ
が終了したら先程とは逆に−Ｘ軸方向に１視野分だけス
テージ４１を移動して次の撮像ポイントを撮像範囲に入
れ、その部分を撮像する。これを順に繰り返して行くこ
とにより、この欠陥検査装置４０では、ペリクル１の全
面を撮像する。なお、撮像した際にペリクル１に異物が
付着していれば、その異物部分で散乱光が発生するの
で、所定レベル以上の輝度で撮像された部分が異物付着
箇所ということになる。

【００４４】ここで図６において、この欠陥検査装置４
０の回路構成を示す。この欠陥検査装置４０には、図６
に示すような欠陥検査回路５０が設けられており、この
欠陥検査回路５０によつて異物付着によるペリクル１の
欠陥を検出する。まず上述した撮像素子４６によつて得
られたペリクル１の撮像信号Ｓ１０は制御部５１に入力
される。また図５においては特に図示しなかつたがこの
欠陥検査装置４０にはステージ４１のＸ軸方向の位置を
計測するＸ方向測長器５２とステージ４１のＹ軸方向の
位置を計測するＹ方向測長器４３が設けられており、当
該Ｘ方向測長器５２及びＹ方向測長器５３で検出された
ステージ４１のＸ方向位置信号Ｓ１１及びＹ方向位置信
号Ｓ１２も制御部５１に入力されるようになされてい
る。なお、この欠陥検査装置４０の場合にも、制御部５
１に対してはこれ以外にもキーボード５４から入力され
た各種情報も入力されるようになされている。

【００４５】制御部５１はまず撮像素子４６からの撮像
信号Ｓ１０をモニタ５５に供給して当該モニタ５５に撮
像したペリクル１の画像を表示する。また制御部５１は
撮像信号Ｓ１０に基づいてペリクル１に付着している異
物を検出する。その場合、まず制御部５１は撮像信号Ｓ
１０の信号レベルを調べることにより異物付着の有無を
検出すると共に、その異物の大きさを検出する。第１実
施例でも述べたように、散乱光の光量と異物の大きさと
は相関関係があり、光量が大きい程、大きな異物とな
る。このため撮像信号Ｓ１０の信号レベルを調べれば、
異物付着の有無だけでなく、その大きさも検出すること
ができる。

【００４６】なお、光源４４として輝度の高いレーザを
用いた場合、光ビームの光量分布は一般にガウスビーム
と呼ばれる分布になり、光ビームの中心が最も光量が大
きく、光ビームの周辺に行くに従つて光量が下がるよう
になる。従つてペリクル１を照射したとき、照射位置に
形成される光スポツトの光量分布もこれと同じようにな
り、中心の光量が大きく、周辺に行くに従つて光量が下
がる。このため異物が存在した場合、光スポツトの中心
と周辺とでは照射光量の違いにより同じ異物であつても
散乱光の光量が異つて違う大きさの異物として検出され
るおそれがある。このため制御部５１は異物を検出する
際に撮像信号Ｓ１０の信号レベルに電気的補正（すなわ
ち視野中心から周辺に向かうに従つて信号レベルを増幅
する）を施すことによりこれを回避して正確に異物の大
きさを検出する。

【００４７】また制御部５１はＸ方向測長器５２及びＹ
方向測長器５３からのＸ方向位置信号Ｓ１１及びＹ方向
位置信号Ｓ１２に基づいて、検出された異物の付着箇所
を検出する。この場合、Ｘ方向位置信号Ｓ１１及びＹ方
向位置信号Ｓ１２はそれぞれ撮像素子４６が撮像した撮
像範囲のＸ座標及びＹ座標を示しており、これにより撮
像素子４６で撮像したペリクル１上の位置が分かる。ま
た撮像素子４６内のどの画素で受光したかによつてその
撮像範囲内での位置が分かる。制御部５１はこれらの情
報を利用して異物付着の位置を検出する。

【００４８】制御部５１はこのようにして検出した異物
の大きさデータ及び位置データを検査データＳ１３とし
て記憶部５６に供給し、当該記憶部５６に記憶させる。
制御部５１は撮像信号Ｓ１０に基づいてこのような検出
処理を順次行うことにより、ペリクル全面について異物
検出を行う。このため検査終了後には、ペリクル全面に
ついての検査データＳ１３が記憶部５６に記憶されてい
ることになる。なお、このような検出処理の途中で露光
に際して完全に問題となる程に大きな異物が検出された
場合には、その時点でモニタ５５に警告を表示し、検査
を終了する。

【００４９】またこの実施例の場合にも、ペリクル全面
についての検査が終了した後、制御部５１は記憶部５６
に記憶されている検査データＳ１３に基づいて欠陥とし
て検出された箇所の再検査順序（すなわちレビユー順
序）を決定する。まず制御部５１は記憶部５６に記憶さ
れている検査データＳ１３のうち欠陥箇所を表す位置デ
ータを読み出し、当該位置データに基づいて欠陥箇所を
２次元平面上に展開して図３に示したような欠陥箇所マ
ツプ３０を作成し、モニタ５５に表示する。そして制御
部５１はこの欠陥箇所マツプ３０に対して第１実施例の
場合と同様に判定領域Ａを設定して欠陥箇所のレビユー
順序を決定する。

【００５０】ここで制御部５１によるレビユー順序の決
定手順を図７に示す。まず始めにステツプＳＰ２０から
入つたステツプＳＰ２１において、制御部５１はペリク
ルフレーム３の近傍に存在する連続した欠陥箇所に内接
する判定領域Ａを作成する（図３参照）。次のステツプ
ＳＰ２２では、その作成した判定領域Ａの縦、横の大き
さ及び中心位置の座標を求める。但し、この判定領域Ａ
は欠陥箇所に依存するので、必ずしもペリクルフレーム
３の内周３３から求まるペリクルの中心座標と一致する
とは限らない。

【００５１】次のステツプＳＰ２３では、作成した判定
領域Ａ内に孤立した欠陥箇所が存在するか否かを検出
し、欠陥箇所が存在すればその欠陥箇所は異物である可
能性が高いのでステツプＳＰ２４に進んでモニタ５５に
その部分を優先的にレビユーするように表示し、欠陥箇
所が存在しなければステツプＳＰ２５に進む。例えば図
３に示したように異物の可能性が高い欠陥箇所３４、３
５は判定領域Ａ内に存在するので、ステツプＳＰ２３に
おいて肯定結果となり、優先的レビユーとなる。

【００５２】ステツプＳＰ２４で優先的レビユーの表示
をした後、次のステツプＳＰ２６では、駆動部４２、４
３を駆動してその欠陥箇所を撮像範囲に入れて撮像し、
モニタ５５に表示する。これを受けてオペレータはモニ
タ５５を見てその欠陥箇所をレビユーする。なお、正確
にレビユーしたい場合には、ミラー４７を撮像素子４６
と対物レンズ４５の間に入れ、接眼レンズ４８を用いて
レビユーする。このようにしてオペレータは欠陥箇所を
レビユーし、その良否判定結果をキーボード５４を用い
て入力する。その結果、ステツプＳＰ２７において露光
時に問題となる致命的欠陥であることが判定された場合
には、ステツプＳＰ２８に進んで不良ペリクルとして処
理を中止し、小さい異物等で致命的欠陥でなければステ
ツプＳＰ２５に進んで処理を続行する。

【００５３】ステツプＳＰ２５では、判定領域Ａを所定
量（例えば 0.1ｍｍ）ずつ大きくし、欠陥箇所が現れる
まで拡大する。その結果、欠陥箇所が現れた場合には、
次のステツプＳＰ２９に進み、ここで欠陥箇所の領域を
判定する。すなわちペリクルフレーム３に沿つた方向に
所定長以上（例えば 0.5ｍｍ）連続しているか否か判定
する。その結果、所定長以上連続していなければその欠
陥箇所は異物である可能性が高いのでステツプＳＰ３０
に進んでモニタ５５にその部分を優先的にレビユーする
ように表示し、当該方向に所定長以上連続していればス
テツプＳＰ３１に進む。例えば図３に示したように異物
の可能性が高い欠陥箇所３６はペリクル１の中心方向に
突出しているので、ステツプＳＰ２９において肯定結果
となり、優先的レビユーとなる。これとは逆に接着剤６
のはみ出し部分６Ａの可能性が高い欠陥箇所３７は所定
長以上連続しているので、ステツプＳＰ２９において肯
定結果となる。

【００５４】ステツプＳＰ３０で優先的レビユーの表示
をした後、次のステツプＳＰ３２では、駆動部４２、４
３を駆動してその欠陥箇所を撮像範囲に入れて撮像し、
モニタ５５に表示する。これを受けてオペレータはモニ
タ５５を見るか、又は接眼レンズ４８を覗いてその欠陥
箇所をレビユーし、その良否判定結果をキーボード５４
を用いて入力する。その結果、ステツプＳＰ３３におい
て露光時に問題となる致命的欠陥であることが判定され
た場合には、ステツプＳＰ３４に進んで不良ペリクルと
して処理を中止し、小さい異物等で致命的欠陥でなけれ
ばステツプＳＰ２５に進んで処理を続行する。

【００５５】一方、ステツプＳＰ３１では、所定長以上
連続している欠陥箇所を接着剤６のはみ出し部分６Ａと
判定し、その部分のリストアツプだけを行つてレビユー
順序を後に回し、再びステツプＳＰ２５に戻つて処理を
続行する。以降処理を続行しても所定長以上連続する欠
陥箇所だけが検出されるようであれば、リストアツプし
て後に回した欠陥箇所をレビユーするようにモニタ５５
に表示して処理を終了する。

【００５６】以上の構成において、この欠陥検査装置４
０では、光源４４から出力された光ビームＬ３をペリク
ル１に照射し、当該照射位置を撮像素子４６によつて撮
像する。この撮像素子４６によつて得られた撮像信号Ｓ
１０は制御部５１に供給される。制御部５１は撮像信号
Ｓ１０に基づいてペリクル１に異物付着による欠陥があ
るか否かを検出すると共に、異物の大きさを検出し、さ
らに異物付着が検出された欠陥箇所の位置データをＸ方
向測長器５２及びＹ方向測長器５３からのＸ方向位置信
号Ｓ１１及びＹ方向位置信号Ｓ１２に基づいて検出す
る。そして制御部５１は検出した異物の大きさ及び位置
データを検査データＳ１３として記憶部５６に記憶す
る。この欠陥検査装置４０では、このような検出処理を
繰り返すことによりペリクル全面の欠陥検査を行う。

【００５７】ペリクル全面の欠陥検査が終了すると、制
御部５１は記憶部５６に記憶されている検査データＳ１
３のうち欠陥箇所の位置データを読み出し、当該位置デ
ータを２次元平面に展開して欠陥箇所マツプ３０を作成
する。そして制御部５１はこの欠陥箇所マツプ３０に基
づいて再検査として行うレビユーの順序を決定する。ま
ず始めに制御部５１はこの欠陥箇所マツプ３０に基づい
て、ペリクルフレーム３の近傍に存在する連続した欠陥
箇所に内接する判定領域Ａを設定する。次に設定した判
定領域Ａ内に孤立した欠陥箇所があるか否か判定し、該
当する欠陥箇所が存在すれば、その欠陥箇所を最優先に
レビユーするように決定し、その指示をモニタ５５に表
示すると共に、その欠陥箇所を撮像素子４６で撮像して
モニタ５５に表示する。これを受けてオペレータがモニ
タ５５を見るか又は接眼レンズ４８を覗くことによつて
欠陥箇所をレビユーし、その結果、露光に際して問題と
なる致命的欠陥であればその時点でペリクル１を不良と
判定する。

【００５８】これに対して欠陥箇所が致命的欠陥でなか
つた場合、或いは判定領域Ａ内に孤立した欠陥箇所がな
かつた場合には、制御部５１は判定領域Ａを欠陥箇所が
現れるまで拡大する。そして判定領域Ａ内に欠陥箇所が
現れたら、その欠陥箇所がペリクルフレーム３に沿つた
方向に所定長以上連続する欠陥であるか否か判定する。
その結果、所定長以上連続する欠陥でなければ、それを
優先的にレビユーするように決定し、その指示をモニタ
５５に表示する。これを受けたオペレータは同じように
レビユーを行つて致命的欠陥であるか否か調べる。一
方、所定長以上連続する欠陥箇所であれば、その部分の
リストアツプだけを行つてレビユー順序を後回しにし、
再び判定領域Ａを拡大して欠陥箇所の領域を判定する。
以降これを繰り返した結果、所定長以上連続する欠陥だ
けが検出されるようであれば、リストアツプしておいた
欠陥箇所をレビユーするようにモニタ５５に表示する。

【００５９】このようにして判定領域Ａを設定し、当該
判定領域Ａ内にある孤立した欠陥箇所を最優先にレビユ
ーするように決定することにより、異物付着による欠陥
の可能性が最も高い欠陥箇所を最初にレビユーすること
ができる。これによりそのレビユーの結果、致命的欠陥
であることが分かれば、そのペリクル１を不良と判定
し、それ以降の良否判定を行わなくても良くなり、効率
的に良否判定を行うことができる。

【００６０】また判定領域Ａ内に孤立した欠陥箇所がな
かつた場合やレビユーの結果、孤立した欠陥箇所が致命
的欠陥でなかつた場合、欠陥箇所が現れるまで判定領域
Ａを順次拡大する。そしてその現れた欠陥箇所の領域を
判定し、ペリクルフレーム３に沿つた方向に所定長以上
連続していなければその欠陥箇所を先にレビユーするよ
うにし、所定長以上連続していればその欠陥箇所を最後
にレビユーするようにする。これにより接着剤６のはみ
出し部分６Ａと思われる部分よりも先に、異物付着によ
る欠陥の可能性が高い部分をレビユーすることができ、
欠陥の可能性が低い部分を最後にレビユーして効率的に
良否判定することができる。

【００６１】また欠陥箇所をレビユーするようにモニタ
５５に表示した後、その欠陥箇所を撮像素子４６で撮像
してモニタ５５に表示するようにしたことにより、第１
実施例のように顕微鏡を合わせなくても、モニタ５５を
見るだけで欠陥箇所のレビユーを行うことができる。さ
らにこれに加えてミラー４７及び接眼レンズ４８を設る
ようにしたことにより、簡易な構成で欠陥箇所を目視し
得、正確にレビユーすることもできる。

【００６２】このようにして検出した欠陥箇所の位置に
基づいてレビユーの順序を決定するようにしたことによ
り、欠陥箇所のレビユーに欠陥確率に応じた優先順位を
付けることができる。またその順序に従つて欠陥箇所を
レビユーすれば、欠陥確率が高い順にレビユーを行うこ
とができ、効率的にペリクル１の再検査を行つて効率的
にペリクル１の良否判定を行うことができる。

【００６３】以上の構成によれば、検出した欠陥箇所の
位置に基づいてレビユーの順序を決定し、そのレビユー
順序に従つてレビユーを行うようにしたことにより、欠
陥確率が高い順に欠陥箇所のレビユーを行つて効率的に
ペリクル１の良否判定を行うことができる。かくするに
つき欠陥があると判定されたペリクル１の良否判定を効
率的に行い得る欠陥検査装置及び欠陥検査方法を実現し
得る。

【００６４】（３）他の実施例 なお上述の第２実施例においては、撮像素子４６として
２次元ＣＣＤを用いた場合について述べたが、本発明は
これに限らず、撮像素子４６として１次元ＣＣＤを用い
るようにしても良い。例えばＸ軸方向に画素が並んだ１
次元ＣＣＤを用いた場合には、以下のような手順によつ
てペリクル全体を撮像するようにすれば良い。すなわち
ペリクル１の四隅のうちいずれかを撮像素子４６の撮像
範囲に入れ、その部分をまず撮像する。これが終了した
ら撮像素子４６の幅（すなわちＣＣＤの幅）だけステー
ジ４１をＸ軸方向に移動して次の撮像ポイントを撮像範
囲に入れ、その部分を撮像する。これを順に繰り返して
ペリクル１の端まで行つたら今度は１画素分だけステー
ジ４１をＹ軸方向に移動して次の撮像ポイントを撮像範
囲に入れ、その部分を撮像する。これが終了したら先程
とは逆に−Ｘ軸方向に撮像素子４６の幅だけステージ４
１を移動して次の撮像ポイントを撮像範囲に入れ、その
部分を撮像する。これを順に繰り返して行くことによ
り、ペリクル全面を撮像し得る。

【００６５】因みに、異物が付着した箇所の位置を検出
する場合には、２次元ＣＣＤの場合と同様に何番目の画
素で異物からの散乱光を検出したかを調べれば良い。同
様に撮像信号Ｓ１０の信号レベルに対して電気的補正を
行う場合には、Ｘ軸方向についてのみ電気的補正を行え
ば良い。なお、１次元ＣＣＤを用いた場合には、そもそ
もＸ軸方向にだけ画素があるので、Ｘ軸方向に長く、Ｙ
軸方向に短いスリツト状の光ビームを用いるようにすれ
ば良い。

【００６６】また上述の第２実施例においては、撮像素
子４６と接眼レンズ４８とで対物レンズ４５を共通に使
用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
撮像素子４６と接眼レンズ４８とで対物レンズを切り換
えるようにしても良い。例えば撮像素子４６で撮像する
場合には、視野サイズ優先の対物レンズを使用し、接眼
レンズ４８で目視によるレビユーを行う場合には、解像
度優先の大きい開口率の対物レンズを使用するようにし
ても良い。

【００６７】また上述の実施例においては、ペリクル１
の再検査としてオペレータによる目視検査を行つた場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、画像処理技
術を用いて欠陥検査装置が自動的再検査を行うようにし
ても良い。特に第２実施例による欠陥検査装置４０の場
合には、撮像素子４６によつて画像を取り込んでいるの
で、画像処理によるペリクル再検査を容易に行い得る。

【００６８】また上述の実施例においては、フオトマス
ク２に装着する前のペリクル１を検査するようにした場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、フオトマ
スク２に装着されたペリクル１を検査するようにしても
良い。その場合には、ステージ１１又は４１上にフオト
マスク２に装着された状態のペリクル１を載置すれば良
い。

【００６９】また上述の実施例においては、ペリクル１
の形状が矩形型の場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、ペリクルとしては円形やその他の形状であつ
ても良い。要は、ペリクルフレームに貼り付けられたペ
リクルであれば本発明を広く適用し得る。

【００７０】また上述の実施例においては、ペリクル１
の欠陥が異物付着によるものとして説明したが、本発明
はこれに限らず、ペリクル１の欠陥がキズ等によるもの
であつても良い。要は、欠陥として検出された箇所の位
置に基づいてレビユーすなわち再検査の順序を決定し、
その順序に従つてペリクルの欠陥箇所を再検査するよう
にすれば、欠陥有りと判定されたペリクルの良否判定を
効率的に行うことができる。

【００７１】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、所定の光
束をペリクルに照射し、該ペリクルからの光を受光する
ことにより該ペリクルの欠陥箇所を検出し、ペリクル全
面について欠陥検査が終了した後、検出した欠陥箇所の
位置に基づいて該欠陥箇所の再検査順序を決定するよう
にしたことにより、決定した再検査順序に基づいてペリ
クルを再検査すれば、欠陥確率の高い順にペリクルを再
検査することができ、欠陥があると判定されたペリクル
の良否判定を効率的に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例による欠陥検査装置の構成を示す斜
視図である。

【図２】その欠陥検査装置の回路構成を示すブロツク図
である。

【図３】欠陥箇所の位置データに基づいて作成された欠
陥箇所マツプを示す略線図である。

【図４】レビユー順序の決定手順を示すフローチヤート
である。

【図５】第２実施例による欠陥検査装置の構成を示す斜
視図である。

【図６】第２実施例による欠陥検査装置の回路構成を示
すブロツク図である。

【図７】第２実施例によるレビユー順序の決定手順を示
すフローチヤートである。

【図８】ペリクルフレームに貼り付けられたペリクルの
構造を示す斜視図である。

【図９】接着剤のはみ出し部分の説明に供するペリクル
の断面図である。

【符号の説明】

１……ペリクル、２……フオトマスク、３……ペリクル
フレーム、４、６……接着剤、５……バツクシート、６
Ａ……接着剤のはみ出し部分、７、１７……異物、１
０、４０……欠陥検査装置、１１、４１……ステージ、
１３、４４……光源、１８……受光素子、２２、５１…
…制御部、２４、５６……記憶部、２５、５５……モニ
タ、３０……欠陥箇所マツプ、３４〜３７……欠陥箇
所、４６……撮像素子、４７……ミラー、４８……接眼
レンズ。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ペリクルフレームに貼り付けられたペリク
   ルに所定の光束を照射する光照射手段と、 前記光束を前記ペリクルに照射した際に得られる該ペリ
   クルからの光を受光する受光手段と、 前記受光手段によつて得られる受光信号に基づいて前記
   ペリクルの欠陥箇所を検出する欠陥検出手段と、 前記欠陥検出手段によつて得られる欠陥箇所の位置デー
   タを記憶する記憶手段と、 前記ペリクル全面について欠陥検査が終了した後、前記
   記憶手段に記憶されている前記欠陥箇所の位置データに
   基づいて前記欠陥箇所の再検査順序を決定し、該再検査
   順序を表示する順序決定手段とを具えることを特徴とす
   る欠陥検査装置。
2. 【請求項２】前記欠陥箇所を目視によつて再検査するた
   めの観察手段を具えることを特徴とする請求項１に記載
   の欠陥検査装置。
3. 【請求項３】前記順序決定手段は、 前記ペリクルフレーム近傍に存在する連続した欠陥箇所
   に内接する領域を設定し、該領域内の孤立した欠陥箇所
   を前記再検査順序の最優先にすることを特徴とする請求
   項１に記載の欠陥検査装置。
4. 【請求項４】前記順序決定手段は、 前記領域を順次拡大し、該領域内に現れた欠陥箇所のう
   ち前記ペリクルフレームに沿つた方向に所定長以上連続
   しない欠陥箇所の再検査順序を先にし、該方向に所定長
   以上連続する欠陥箇所の再検査順序を後にすることを特
   徴とする請求項３に記載の欠陥検査装置。
5. 【請求項５】ペリクルフレームに貼り付けられたペリク
   ルの欠陥を検査する欠陥検査方法において、 所定の光束を前記ペリクルに照射し、該ペリクルからの
   光を受光することにより該ペリクルの欠陥箇所を検出
   し、 前記ペリクル全面について欠陥検査が終了した後、検出
   した前記欠陥箇所の位置に基づいて該欠陥箇所の再検査
   順序を決定し、 決定した前記再検査順序に基づいて前記ペリクルを再検
   査することを特徴とする欠陥検査方法。
6. 【請求項６】再検査として前記欠陥箇所を目視検査する
   ことを特徴とする請求項５に記載の欠陥検査方法。
7. 【請求項７】前記ペリクルフレーム近傍に存在する連続
   した欠陥箇所に内接する領域を設定し、該領域内の孤立
   した欠陥箇所を前記再検査順序の最優先にすることを特
   徴とする請求項５に記載の欠陥検査方法。
8. 【請求項８】前記領域を順次拡大し、該領域内に現れた
   欠陥箇所のうち前記ペリクルフレームに沿つた方向に所
   定長以上連続しない欠陥箇所の再検査順序を先にし、該
   方向に所定長以上連続する欠陥箇所の再検査順序を後に
   することを特徴とする請求項７に記載の欠陥検査方法。