JP2512878B2 - 異物検査装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は微小なゴミ等の異物を検査する装置、特
に、集積回路の製造工程において用いられるフォトマス
ク、レチクル、半導体ウエハまたはフォトマスク若しく
はレチクル用薄膜等（以下薄膜という）の表面に付着し
た異物を検査する装置に関するものである。

［従来の技術］ 集積回路の製造工程の１つであるフォトリソグラフィ
工程においては、レチクルやフオトマスク等（以下「レ
チクル等」という）を用いて回路パターンの半導体ウエ
ハへの転写が行なわれる。

この場合において、レチクル等にゴミ等の異物が付着
していると、半導体ウエハに転写される際に回路パター
ンの欠陥として現われ、その結果、歩留り低下等の原因
となる。

このため、レチクル等の表面に異物が付着しているか
どうかを検査するために、異物検査装置が用いられる。
この異物検査装置は、被検査物に光を当て、異物からの
散乱光を光電検出手段で検出することにより、該レチク
ル等の表面上の異物の位置及び大きさに関する情報が得
られ、上記の不都合を防止するのに役立っている。

また、最近では、異物がレチクル等の表面上に付着す
るのを防止する方法として、レチクル等の表面上にペリ
クルと呼ばれる薄膜（異物付着防止膜）を装着すること
も行われている。ペリクルを、支持枠を介してレチクル
等の表面を被覆するように装着することにより、レチク
ル等に直接異物が付着するのを防ぐものである。このペ
リクルを使用して露光装置による投影露光を行う場合に
は、ペリクルの表面上に異物が付着しても、被投影物体
すなわち半導体ウエハ面上において異物像の焦点が合わ
ないので、かかる異物像は転写されないことになる。

しかし、ペリクルの表面上に付着している異物が比較
的大きい場合には、半導体ウエハ面上において露光ムラ
が生ずるおそれがある。また、ペリクルの下面、すなわ
ちレチクル側に付着した異物は、たとえ露光ムラの原因
となるような大きなものではなくとも、ペリクル表面か
ら離脱してレチクル等の表面に付着する可能性があり、
その場合には半導体ウエハへ像が転写されてしまうこと
になる。

従って、ペリクルを使用する場合でも、ペリクルに付
着した異物の位置や大きさを検査する必要があり、さら
に、異物がペリクルの上面（レチクル等と反対側の面）
に付着しているのか、下面（レチクル等側の面）に付着
しているのかをも判別する必要がある。

［発明が解決しようとする問題点］ 以上説明したように、例えばペリクルを使用する場合
には、ペリクルに付着した異物の位置や大きさのみなら
ず、異物が上面あるいは下面のいずれの面に付着してい
るかをも検査する必要があるが、従来の異物検査装置で
は、ペリクルの表面上の異物の位置及び大きさを知るこ
とはできても、異物がペリクルの上面（レチクル等と反
対側の面）に付着しているのか下面（レチクル等側の
面）に付着しているのかを判別することができないとい
う問題点があった。

この発明は、かかる問題点を解決するためになされた
もので、薄膜に付着した異物の位置や大きさのみなら
ず、その異物が薄膜の上面あるいは下面のいずれの面に
付着しているのかをも判別することができる異物検査装
置を提供することを目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］ この発明は、異物が付着し得る複数の表面を有する光
透過性の被検査物上の異物を検出する異物検査装置にお
いて、前記表面の一つに対し予め定められた波長の検査
光を予め定めた角度で照明する照明手段と、前記検査光
により異物から生じた散乱光を被検査物の同じ側から受
光する第一と第二の受光手段と、前記第一と第二の受光
手段からの検出出力に基づいて、前記被検査対象におけ
る異物が付着している面を判断する判断手段とを有し、
前記第一と第二の受光手段は、前記散乱光のうち互いに
異なる角度方向に進行する光を受光するものであり、且
つ前記被検査物に対する前記検査光の透過特性が互いに
異なるような配置角度方向でそれぞれ配設されているこ
とを技術的要点としている。

また、このような異物検査装置において、好ましく
は、前記判断手段は、前記第一受光手段及び第二受光手
段の検出出力を（１）式、即ち、（V_max−V_min）／（V
_max＋V_min）に基づいて規格化し、ここで得られた規格
値と予め定めた基準値αとを比較することにより異物が
付着している表面を判定するものとしている。ことを技
術的要点とするものである。

［作用］ 光透過性の薄膜状の被検査対象に光が到達したとき、
その光と被検査対象の面とのなす角が比較的大きい場合
には、光のほとんどが被検査対象を透過する。

これに対し、その光と薄膜の面とのなす角が比較的小
さい場合には、光のほとんどが被検査対象の表面で反射
し、透過するものは少ない。本発明はこの現象を応用し
たものである。

次に、被検査対象の両面に異物が付着している場合
に、該対象に対して異なる方向から光を照射したときの
異物からの散乱光について図を用いて説明する。

第１図は、上面に異物2,下面に異物３がそれぞれ付着
している光透過性の薄膜１に、異なる方向から光を照射
した場合の照射光及び異物からの散乱光の様子を示す図
である。

第１図（ａ）は、薄膜１の面とのなす角が比較的大き
な方向からの光の照射（以下「落射照明」という。）を
行った場合の照射光４及び異物からの散乱光の様子を示
す図である。

また、同図（ｂ）は、薄膜１の面とのなす角が比較的
小さな方向からの光の照射（以下「斜方照明」とい
う。）を行った場合の照射光５及び異物からの散乱光の
様子を示す図である。

まず、一定の方向、例えば図の矢印Ａの方向へ散乱さ
れた異物からの散乱光を受光するときの、落射照明及び
斜方照明をした場合におけるそれぞれの光量について説
明する。

薄膜１の表面に付着した異物２からの散乱光は、落射
照明の場合と斜方照明の場合とで照射光量が同程度であ
るならば、落射照明のときも斜方照明のときもほぼ同じ
光量になる。

一方薄膜１の裏面に付着した異物３においては、斜方
照明の場合の散乱光は落射照明の場合の散乱光に比べて
光量が少なくなる。これは、斜方照明の場合は照射光５
が薄膜１の表面でほとんど反射してしまうため、光のほ
とんどが薄膜１を透過する落射照明の場合と比べて異物
３に到達する光量が少なくなるためである。

従って、異なる方向から光を照射し、その各々の場合
における異物からの散乱光の光量を比較すれば、その異
物が薄膜の上面に付着しているのか下面に付着している
のかを判別することができる。

次に、一定の方向から光を照射したとき、例えば落射
照明をしたときに、異なる方向、例えば第１図（ａ）に
おいてＡ及びＢの方向へ散乱された異物による散乱光を
それぞれ受光したときの光量について説明する。

薄膜１の上面に付着した異物２からの散乱光は、Ａか
ら受光するときもＢから受光するときもその光量はほぼ
同じになる。

一方、薄膜の下面に付着した異物３においては、Ｂか
ら受光するときの散乱光はＡから受光するときの散乱光
に比べて光量が少なくなる。これは、異物３からのＢの
方向への散乱光が薄膜１の下面でほとんど反射してしま
うためである。

従って、一定の方向から光を照射し、異物からの散乱
光の光量を異なる方向から受光し、そのおのおのの検出
器における異物からの散乱光の光量を比較すれば、その
異物が薄膜の上面に付着しているのか下面に付着してい
るのかを判別することができる。さらに、第１図（ｂ）
においては薄膜の下面に付着した異物３によって斜方照
明光５は薄膜でほとんど反射してしまい、かつ散乱光も
薄膜で反射するので、第１図（ａ）における矢印Ａおよ
びＢの方向の散乱光量の差異がさらに拡大するのは勿論
であり、好都合である。

以上説明したように、薄膜に異なる方向から光を照射
し、異物からの散乱光を一定の方向から受光してそれぞ
れの光情報を比較処理するか、あるいは、薄膜に一定の
方向から光を照射し、異物からの散乱光を異なる方向か
ら受光してそれぞれの光情報を比較処理することによ
り、異物が薄膜の表・裏いずれの面にあるのかを判別す
ることができる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について、添付図面を参照しな
がら説明する。

まず、第２図を参照しながら、本発明の第一実施例の
構成について説明する。

第２図において、被検査物としての薄膜１は、支持枠
６によって支持されており、この支持枠６は、載物台７
の上に載置されている。載物台７は図中のxyz座標系に
おいてｘ方向,y方向に独立して移動できるようになって
いる。

薄膜１の側方及び上方には、照射手段としての光源10
及び14が各々落射照明および斜方照明用として配置され
ている。これらの光源10,14としては、例えば通常の顕
微鏡等に用いられる光源が使用される。

光源10,14の照明光出力側には、コリメート用のレン
ズ11,15及び光量調節用のフィルタ12,16が各々配置され
ている。すなわち、光源10,14から発せられた光は、そ
れぞれレンズ11,15によってほぼ平行な光ビームとなっ
た後、フィルタ12,16によって光量が調整されて薄膜１
に照射されるようになっている。

薄膜１の斜め上方には、光電検出器20が配置されてお
り、薄膜１に付着した異物からの散乱光がレンズ19によ
って集光され、光電検出器20によって散乱光の光量に比
例した電気信号に変換されるようになっている。。

次に、以上の光源10,14および光電検出器20の配置に
ついて詳細に説明する。

光源10及び14は、薄膜１に対して異なる入射角で光を
照射するように配置されている。それぞれの入射角は、
例えば、光源10からの光は斜方照明、光源14からの光は
落射照明となるようにする。具体的には、光源10からの
光についてはその光軸13と薄膜１とのなす角θは０〜10
°程度とする。

一方、光源14からの光については、その光軸17と薄膜
１とのなす角は、光源10からの光の光軸13における対応
する角度よりも相対的に大きければよい。具体的には20
°程度以上とする。

次に、受光系である光電検出器20の光軸18は、光源10
の光軸13及び光源14の光軸17およびこれらの光軸のペリ
クルによる正反射光軸と角度をずらし、いわゆる暗視野
照明の状態で異物からの散乱光を受光するように設定さ
れる。

次に、以上のような光学検出系の動作について説明す
る。

まず、薄膜１の上面（照射面側）に付着した異物から
の散乱光の光量すなわち光電検出器20の光電信号の大き
さが、落射照射の場合と斜方照射の場合とで同じ異物に
ついては同じ値になるように、あらかじめ薄膜１に入射
する各照射光の光量を光量調整用フイルター12及び16に
より調整しておく。照射は、例えばまず落射照明のみを
行い、それによる異物からの散乱光を光電検出器20によ
り検出する。次に斜方照明のみを行い、同様にその散乱
光を検出する。この操作を、例えば一定の周期で交互に
繰り返し、そのときの光電信号の変化量を比較すること
により、異物が薄膜１の上面（表面）にあるのか下面
（裏面）にあるのかを判別することができる。

ところで、各照明を単独で行う方法としては、例えば
どちらかの光源が点灯しているときは他の光源を消灯さ
せるようにしてもよいし、あるいは、いずれの光源も連
続点燈させておき、各光源の光軸上にそれぞれシヤツタ
ーを設け、これらのシヤツターを開閉することによって
一方の光源からの光のみが薄膜１に照射されるようにし
てもよい。

次に、光電検出器20から得られる光電信号の特性につ
いて、第３図を参照しながら説明する。

第３図は、光電検出器20の光電信号の出力を示す図で
あり、（Ａ）は光源14による落射照明のときの照射光量
Ｉの時間変化を示す図、（Ｂ）は光源10による斜方照明
のときの照射光量Ｉの時間変化を示す図、（Ｃ）は薄膜
１の上面（照射面側）に付着した異物からの散乱光の光
電検出器20における光電信号Ｖの時間変化を示す図、
（Ｄ）は薄膜１の下面に付着した異物からの散乱光の光
電検出器20における光電信号Ｖの時間変化を示す図であ
る。

同図（Ｃ）から分かるように、落射照明と斜方照明を
一定周期で交互に繰り返したとき、薄膜１の上面に付着
した異物からの散乱光による光電信号Ｖの変化量（Vmax
−Vmin）はほとんどゼロに近くなる。一方、同図（Ｄ）
から分かるように、薄膜１の下面に付着した異物からの
散乱光による光電信号Ｖの変化量（Vmax−Vmin）は、同
図（Ｃ）の場合より相対的に大きく、各光源の照射角を
適切な値にとった場合、Vminの値はVmaxの値のおおむね
50％以下となる。

従って、このような光電信号の変化量の違いを比較す
ることにより、異物が薄膜の上面にあるのか下面にある
のかを判別することができる。すなわち、例えば規格化
した値（Vmax−Vmin）／（Vmax＋Vmin）が所定の値、例
えば0.33より小さい場合は薄膜１の上面（照射面側）
に、0.33以上の場合は下面に異物が付着していると判定
することができる。また、異物のおおよその大きさにつ
いても、Vmaxの値の大小から知ることができる。

次に、光電検出器20から出力される光電信号の処理装
置について、第４図および第５図を参照しながら説明す
る。

第４図には、信号処理装置の一構成例が示されてい
る。この図において、上述した載物台７には、駆動装置
60が設けられており、これによって、第２図のxy方向の
移動が行われるようになっている。駆動装置60に対する
制御指令は、制御部62から行われるようになっている。

上述した光源10,14は、点灯制御部64に接続されてお
り、この点灯制御部64は、制御部62に接続されている。
点灯制御部64は、第３図に示すように、光源10,14を交
互に点灯制御するものである。

次に、上述した光電検出器20は、増幅器66を介して、
光電信号の上記最大値Vmax及び最小値Vminを各々検出す
るレベル検出部68に接続されており、このレベル検出部
68の検出出力は、比較部70および演算部72に対して各々
出力されるように構成されている。

比較部70では、あらかじめ統計的に求められて格納さ
れている異物の大きさと光電信号の関係のデータと、入
力データとが照合され、異物のおおよその大きさが求め
られる。

また、演算部72では、光電信号の最大値Vmax及び最小
値Vminの和（Vmax＋Vmin）及び差（Vmax−Vmin）を各々
求める演算が行われる。

かかる演算部72の演算出力は、判定部74に接続されて
いる。この判定部74では、規格化された光量変化量（Vm
ax−Vmin）／（Vmax＋Vmin）が求められるとともに、こ
の規格化された光量変化量と、あらかじめ定められた所
定の値αとの大小関係が判定されるようになっている。

この基準値αの値は特に限定はされないが、例えば、
第３図を参照しながら説明したように、0.33程度であ
る。前記規格化された光量変化量（Vmax−Vmin）／（Vm
ax＋Vmin）が、基準値αより小さければ、異物が薄膜１
の上面に付着していると判断され、基準値α以上であれ
ば、薄膜１の下面に付着していると判断される。

次に、制御部62は、以上の各部に対する必要な制御を
行うとともに、載物台７の照明位置の座標値、すなわち
異物の位置を出力する機能もある。

次に、以上のような光電検出器20の光電信号の処理装
置の動作について、第５図のフローチャートを参照しな
がら説明する。第５図には、光電信号が出力された場合
の動作が示されている。

まず、制御部62によって、点灯制御部64に制御指令が
行われ、光源10,14が交互に点灯制御される。

次に、制御部62から駆動部60に制御指令がう行われ、
載物台７の移動、すなわち薄膜１上における照明光の照
明位置のスキャンが光源10、14の点灯周期よりも遅い速
度で行われる。

以上の動作中において、異物が存在すると、該異物か
らの散乱光が光電検出器20に入射する。この光電検出器
20の光電信号は、増幅器66により増幅された後、レベル
検出部68に入力されて、最大値Vmax及び最小値Vminが求
められる（ステップ21参照）。

これらのうち、最大値Vmaxは、比較部70に入力され、
ここであらかじめ統計的に求められている異物の大きさ
と光電信号の関係のデータと照合されて、異物のおおよ
その大きさが求められる（ステップ22参照）。

次に、レベル検出部68で求められた最大値Vmax及び最
小値Vminは、演算部72に入力され、ここでVmax及びVmin
の和（Vmax＋Vmin）及び差（Vmax−Vmin）が各々求めら
れる（ステップ23参照）。

これらの求められた値は、各々判定部74に入力され、
ここで規格化された光量変化量（Vmax−Vmin）／（Vmax
＋Vmin）が求められる。そして、この規格化された光量
変化量が基準値αより小さいかあるいはそれ以上である
かが判別される（ステップ24参照）。

この結果、前記規格化された光量変化量（Vmax−Vmi
n）／（Vmax＋Vmin）が、基準値αより小さければ、異
物が薄膜１の上面に付着していると判断され（ステップ
25参照）、基準値α以上であれば、薄膜１の下面に付着
していると判断される（ステップ26参照）。

他方、検出された異物の薄膜１上における位置は、制
御部62から出力される。

以上のように、この実施例によれば、薄膜１に付着し
た異物の大きさおよび位置のみならず、異物が薄膜１の
上面に付着しているのか下面に付着しているのかを判別
することができる。

次に、この発明の第二実施例について、第６図を用い
て説明する。

この第二実施例は、異なる波長の光を薄膜に対して異
なる入射角から照射し、異物からの散乱光を波長別に分
離して検出するものである。

このため、第６図に示すように、第一実施例のフィル
タ12、16のかわりに、波長選別フィルタ31、33が設けら
れている。

また、二つの光電検出器37、38が各々設けられてお
り、これらと、レンズ19との間に、ダイクロイツクフイ
ルタ等の波長弁別フィルタ36が挿入されている。

以上のような構成における波長による光の分離の例に
ついて説明すると、例えば、光源14からの光は、波長弁
別フイルタ36を透過するような波長とし、光源10からの
光は、該波長弁別フィルタ36で反射されるような波長と
なるように、それぞれ波長選別フィルタ31、33で調整を
行う。

このようにすれば、光源14からの光による異物からの
散乱光は、光電検出器37のみで検出され、光電検出器38
では検出されないことになり、一方、光源10からの光に
よる異物からの散乱光は光電検出器38のみで検出され、
光電検出器37では検出されないことになる。

次に、以上のように構成された第二実施例の動作につ
いて説明する。

光源10、14から各々発せられた光は、波長選別フィル
タ31、33によってそれぞれ互いに波長の異なる光に選別
される。従って、異なる波長の光が異なる入射角で薄膜
１上に照射されることになる。

例えば、光源10によって斜方照明を行い、光源14によ
って落射照明を行い、薄膜１上の異物からの散乱光を検
出するものとする。

異物からの散乱光は、、波長弁別フィルタ36によって
各照射光の波長別に分離され、各波長の光に各々対応し
て設けられた光電検出器37、38に各々入射し、それぞれ
光電信号に変換される。

これらの光電信号について考察すると、まず薄膜１の
上面に付着している異物からの散乱光について着目した
場合、光源14による散乱光は光電検出器37へ、光源10に
よる散乱光は光電検出器38へそれぞれ到達し、各照射光
の光量が同じであれば、これらの検出信号レベルはほぼ
同一となる。

一方、薄膜１の下面に付着している異物からの散乱光
については、光源14からの落射照明による散乱光のほと
んどが光電検出器37に到達するのに対し、光源10からの
斜方照明光のほとんどが薄膜１の表面で反射してしまう
ので、光電検出器38に到達する散乱光は少なくなる。

従って、光電検出器37における検出信号量をＳ（3
7）、光電検出器38における検出信号量をＳ（38）とす
ると、Ｓ（37）/S（38）が一定の値、例えば２以上なら
下面に付着した異物であり、２以下ならば上面に付着し
た異物であるというように判別することができる。

以上のように、この第二実施例においては、異なる方
向から同時に照明を行い、各照明による異物からの散乱
光を同時に検出することが可能である。従って、第一実
施例のように交互に照明をおこなうというような方法を
採る必要がない。

以上説明した第一及び第二実施例においては、異なる
入射角で薄膜１に光を照射し、各照明系に対し、いわゆ
る暗視野照明系を構成する一定の受光角で異物からの散
乱光を受光するものであったが、前述したように、原理
的には照射系と受光系をそのまま入れ替えた構成によっ
ても上記の実施例と全く同様の効果を得ることができ
る。この原理については上述したが、より詳しくは特開
昭58-62543号公報において明示されている。

次に、かかる構成による第三実施例について、第７図
を参照しながら説明する。

この第三実施例は、上述した第一実施例に対して、光
源10、14の位置に光電検出器46、50を配置し、光電検出
器20の位置に光源40を配置した構成となっている。

光源40から出力された光は、レンズ41を介して薄膜１
に入射し、異物からの散乱光は、光量調整用フィルタ4
4,48、レンズ45,49を各々介して、光電検出器46、50に
入射するようになっている。

次に、以上のような第三実施例の動作について説明す
る。

光源40から発せられた光は、レンズ41によってほぼ平
行な光ビームとなった後、斜め上方から薄膜１上に照射
される。勿論第１図（ｂ）の様な斜方照明が好都合であ
る。

一方、薄膜１に付着した異物からの散乱光は、照射光
を直接に、またはペリクルによる正反射光を直接受光し
ない位置に配置された２個の光電検出器46、50により受
光される。

光電検出器46の受光角、すなわち光軸43と薄膜１との
なす角θＡは、例えば第一実施例における斜方照明をす
る場合の照射角度と同程度、例えば０°〜10°程度とす
る。

一方、光電検出器50も同様に、薄膜１に対して例えば
第一実施例における落射照明をする場合の照射角度と同
程度、すなわち20°程度以上の受光角とする。

この第三実施例においては、薄膜１の上面に異物が付
着している場合と下面に付着している場合とで、２個の
光電検出器46、50から得られる光電信号の値の比が大き
く異なるので、これらを比較することにより異物が付着
している面の判定が可能となる。

すなわち、まず、光量調整用フィルタ44、48により、
薄膜１の上面に付着した異物からの散乱光による光電検
出器46、50から各々得られる光電信号Ｓ（46）及びＳ
（50）とが予めほぼ同一となるように調整する。

そして、薄膜１の下面に付着した異物からの散乱光に
よる光電信号Ｓ（46）、Ｓ（50）を比較したときに、そ
の比Ｓ（50）/S（46）が、例えば２以上の場合は薄膜１
の下面に、そうでない場合には上面に異物が付着してい
ると判定することができる。

以上説明した通り、この第三実施例においても第一お
よび第二実施例と全く同様の効果を得ることができる。

ところで、照射光として、偏光した光、特にＳ偏光
（入射面に対して垂直な方向に偏光した光）を用いる
と、判定がより容易になり確実性が高まる。

すなわち、Ｓ偏光の光を薄膜に対して斜入射した場
合、通常の光を斜入射した場合と比較して、薄膜面上で
反射される割合がさらに大きくなり、薄膜を透過して下
面に到達する光が極僅かとなる。

その結果、異物が薄膜の上面または下面のどちら側に
付着しているかによって、異物から生じる散乱光量が大
きく異なってくるので、これを比較すればよい。

また、かかる理由により、第一及び第二実施例におい
ては、全ての照明光について偏光光を用いる必要はな
く、少なくとも斜方照明の場合にのみ偏光光を用いれば
よいことになる。

なお、この発明においては、光電検出手段として、CC
Dカメラや撮像管を用いたカメラ等を用いることも可能
である。異物からの光電信号を第５図の信号処理方法に
したがって処理すれば、異物の付着状態を知ることがで
きる。

また、異物が薄膜のいずれの面にあるかについての検
査を、薄膜の全範囲について行おうとすると多くの時間
を要してしまう。従って、例えば、予め薄膜上の全面に
ついて異物の有無を調べておき、異物の付着位置につい
て例えば第２図に示すxyz座標系のxyの座標値を記録
し、次にその同じ座標値まで薄膜を移動させてから異物
が薄膜のいずれの面にあるかについての検査を行えば、
効率のよい検査が可能となる。

さらに、この異物検査装置は、落射暗視野照明の可能
な通常の光学顕微鏡と組み合わせることもできる。すな
わち、薄膜１に対して低い入射角で横から光を照射する
光源、レンズ及びフイルター等を顕微鏡に付加すればよ
い。この場合、落射暗視野照明と斜方照明を交互に繰り
返し、異物からの散乱光の光量変化を目視観測すれば、
異物が薄膜の上面に付着しているのか下面に付着してい
るのかを判断することができる。

以上説明したこの発明の応用例を適宜組合せることに
より、実際の検査に適した方法を見出すことができよ
う。

なお、この発明は、レチクルやフオトマスク等に装着
される異物付着防止用の薄膜上の異物検査のみならず、
一般の光透過性の平面基板等にも適用できることは言う
までもない。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、被検査対象に
付着した異物の位置や大きさのみならず、異物が該対象
の上面に付着しているのか下面に付着しているのかを良
好に判別することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜に付着した異物に対する照明光の角度と異
物からの散乱光の角度との関係を示す説明図、第２図は
本発明の第一実施例を示す構成図、第３図は第一実施例
の光電検出器における光電信号の出力を示す線図、第４
図は光電信号の処理装置の構成例を示す回路ブロック
図、第５図は第一実施例の主要動作を示すフローチヤー
ト、第６図は本発明の第二実施例を示す構成図、第７図
は本発明の第三実施例を示す構成図である。 ［主要部分の符号の説明］ 10,14,40……光源、11,15,19,45,49……レンズ、12,16,
44,48……光量調整用フィルタ、36……波長弁別フィル
タ、31,33……波長選別フィルタ、20,37,38,46,50……
光電検出器。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】異物が付着し得る複数の表面を有する光透
   過性の被検査物上の異物を検出する異物検査装置におい
   て、 前記表面の一つに対し予め定められた波長の検査光を予
   め定めた角度で照明する照明手段と、 前記検査光により異物から生じた散乱光を被検査物の同
   じ側から受光する第一と第二の受光手段と、 前記第一と第二の受光手段からの検出出力に基づいて、
   前記被検査対象における異物が付着している面を判断す
   る判断手段とを有し、 前記第一と第二の受光手段は、前記散乱光のうち互いに
   異なる角度方向に進行する光を受光するものであり、且
   つ前記被検査物に対する前記検査光の透過特性が互いに
   異なるような配置角度方向でそれぞれ配設されているこ
   とを特徴とする異物検査装置。
2. 【請求項２】前記判断手段は、前記第一受光手段及び第
   二受光手段の検出出力を以下の（１）式に基づいて規格
   化し、ここで得られた規格値と予め定めた基準値αとを
   比較することにより異物が付着している表面を判定する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の異物検
   査装置。 （V_max−V_min）／（V_max＋V_min） …（１）式 （但し、V_maxは光第一受光手段及び第二受光手段の検出
   出力の最大値、V_minは第一受光手段及び第二受光手段の
   検出出力の最小値である。）