JPS6273141A - 透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置 - Google Patents
透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置Info
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- JPS6273141A JPS6273141A JP60212435A JP21243585A JPS6273141A JP S6273141 A JPS6273141 A JP S6273141A JP 60212435 A JP60212435 A JP 60212435A JP 21243585 A JP21243585 A JP 21243585A JP S6273141 A JPS6273141 A JP S6273141A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
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- Image Analysis (AREA)
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、透明な試料の表面及び内部の微小異物を区別
して高速、高感度で検出する透明な試料に対する欠陥検
出方法及びその装置に関するものである。
して高速、高感度で検出する透明な試料に対する欠陥検
出方法及びその装置に関するものである。
単管式カラー撮像管用ガラス面板構造を第28図に示す
。
。
これは、色分解用フィルタ1kを有する合板ガラス1a
に接着剤1Gで薄板ガラス1dを接着しである。薄板ガ
ラス1dの表面に光電膜2を蒸着して撮像管3九組み込
む。こつ面を電子ビーム5αが走査し、さらに同期して
モニタ上に光電膜2の照度を出力する構造となっている
。光電面2の欠陥21(異物、クラック、汚れ等)は電
子ビーム釦の走査の際に電荷が集中し、この結果モニタ
上に白色の欠陥を呈する。光電面上2の欠陥は0.5〜
1μ屡の大きさを検査する必要がある。
に接着剤1Gで薄板ガラス1dを接着しである。薄板ガ
ラス1dの表面に光電膜2を蒸着して撮像管3九組み込
む。こつ面を電子ビーム5αが走査し、さらに同期して
モニタ上に光電膜2の照度を出力する構造となっている
。光電面2の欠陥21(異物、クラック、汚れ等)は電
子ビーム釦の走査の際に電荷が集中し、この結果モニタ
上に白色の欠陥を呈する。光電面上2の欠陥は0.5〜
1μ屡の大きさを検査する必要がある。
第29図に周波数分離方式の単管式カラーカメラのWf
、要を示す。被写体4はレンズ5により光′「;す膜2
に結伽され、光電変換され電気信号6となる。色成分は
色分解フィルタ1bにより電子ビーム5αの走査速度と
フィルタのピッチで決まる周波数(fc)で輝度変調さ
れる。
、要を示す。被写体4はレンズ5により光′「;す膜2
に結伽され、光電変換され電気信号6となる。色成分は
色分解フィルタ1bにより電子ビーム5αの走査速度と
フィルタのピッチで決まる周波数(fc)で輝度変調さ
れる。
この電気信号6はプリアンプ7で増幅されローパスフィ
ルタ8により高周波成分を除去され輝度信号15となる
。他方、通過周波数fcのバンドパスフィルタ9で輝度
変調された色成分の信号10を得る。この信号は色分離
回路11によシ青色成分、赤色成分に分離し、検波器1
2A、12Bを通り青色信号14.赤色信号15となる
。輝度信号15、青色信14.赤色信号15は、ビデオ
信号変換器16でビデオ信号17に変換する。
ルタ8により高周波成分を除去され輝度信号15となる
。他方、通過周波数fcのバンドパスフィルタ9で輝度
変調された色成分の信号10を得る。この信号は色分離
回路11によシ青色成分、赤色成分に分離し、検波器1
2A、12Bを通り青色信号14.赤色信号15となる
。輝度信号15、青色信14.赤色信号15は、ビデオ
信号変換器16でビデオ信号17に変換する。
第28図に示す接着層内の欠陥27は薄板ガラスのIQ
み分だけ焦点面2において焦点はづれとなり、大きさ4
.αm以丁の小さな欠陥27は光電膜2への影響はない
。厚にローパスフィルタ8.バンドパスフィルタ9によ
り10以上の周波数成分となる微小欠陥27はビデオ信
号17に表われない。
み分だけ焦点面2において焦点はづれとなり、大きさ4
.αm以丁の小さな欠陥27は光電膜2への影響はない
。厚にローパスフィルタ8.バンドパスフィルタ9によ
り10以上の周波数成分となる微小欠陥27はビデオ信
号17に表われない。
このため接着層の欠陥は4μm8度まで許容される。
従来の欠陥検査装置を第30図に示す(特開昭56−4
5539号公報)。2つの照射光としてレーザビームA
、Bを用い、試料20の茨匣にレーザA22、裏面にレ
ーザB25の各々の焦点を一致させる。例えばレーザビ
ームB23による裏面欠陥21からの散乱光の強度には
レーザビームA22による散乱光の強度二より強くなる
ことを利用し、各々の照射光圧よる光電変換器の出力1
8cL、18bを比較することにより、欠陥の存在する
面を区別し欠陥検出を行なう。
5539号公報)。2つの照射光としてレーザビームA
、Bを用い、試料20の茨匣にレーザA22、裏面にレ
ーザB25の各々の焦点を一致させる。例えばレーザビ
ームB23による裏面欠陥21からの散乱光の強度には
レーザビームA22による散乱光の強度二より強くなる
ことを利用し、各々の照射光圧よる光電変換器の出力1
8cL、18bを比較することにより、欠陥の存在する
面を区別し欠陥検出を行なう。
この例の株に試料の厚さがある程度厚い場合には、上記
ビームの焦点位置を利用して所望の面の欠陥のみ又は欠
陥のある面を区別して検出でよる。しかし、試料の厚さ
が極度に薄い場合は焦点差が僅かで、前記分離礪能を果
すことができないという問題点を有す。特に、ビームA
、Bの焦点深度を浅くする構成では、ビームA、Bを絞
り込むレンズのNA(開口)が大よくなるため、必然的
にビームA、Hの形成するスポットが試料上で小さくな
り、検査速度が著しく遅くなるという問題点も有してい
た。
ビームの焦点位置を利用して所望の面の欠陥のみ又は欠
陥のある面を区別して検出でよる。しかし、試料の厚さ
が極度に薄い場合は焦点差が僅かで、前記分離礪能を果
すことができないという問題点を有す。特に、ビームA
、Bの焦点深度を浅くする構成では、ビームA、Bを絞
り込むレンズのNA(開口)が大よくなるため、必然的
にビームA、Hの形成するスポットが試料上で小さくな
り、検査速度が著しく遅くなるという問題点も有してい
た。
本発明の目的は、前記の従来技術の問題点に鑑み、表面
と内部もしくは裏面の欠陥検出区別(分離)機能を向上
させた透明な試料に対する方法及びその装置を提供する
にある。
と内部もしくは裏面の欠陥検出区別(分離)機能を向上
させた透明な試料に対する方法及びその装置を提供する
にある。
即ち上記目的を達成するため、本発明は第25図に示す
フレネルの法則を利用した。
フレネルの法則を利用した。
第25図は第26図で説明される。強度10入射光25
を試料面20に対し入射角りで入射すると強度R2の反
射光26を得る(第26図(・))。ここで入射光がP
偏光(25P)の場合には反射光26Pの強度R2は第
25図で示す24Pとなる(第26図(b))。
を試料面20に対し入射角りで入射すると強度R2の反
射光26を得る(第26図(・))。ここで入射光がP
偏光(25P)の場合には反射光26Pの強度R2は第
25図で示す24Pとなる(第26図(b))。
又入射光がS偏向(25s)の場合には反射光26Sの
強IIRは第25図で示す24sとなる(第26図(C
))。一般の光はP偏光とS偏光が混在していると考え
ることがでよるので反射光260強4RはP偏光の反射
強度(26p)とS偏光の反射強度(26S)の平均2
4となる。
強IIRは第25図で示す24sとなる(第26図(C
))。一般の光はP偏光とS偏光が混在していると考え
ることがでよるので反射光260強4RはP偏光の反射
強度(26p)とS偏光の反射強度(26S)の平均2
4となる。
第25図に示す反射率R2は試料20の屈折率−で決ま
る。第25図の例は試料20がガラス(n:1.53)
の場合の例を示す。
る。第25図の例は試料20がガラス(n:1.53)
の場合の例を示す。
以上では反射強度R2を示しているが、透過強度T2は
、T=1−Rで与えられる。
、T=1−Rで与えられる。
即ち本発明は、照明手段で透明な試料に対して異なる傾
斜角度でもって複数の光を照明し、照明された各照明光
についての試料面からの散乱光を撮像手段で受光して散
乱光の各々を電気信号に変換し、該撮像手段から得られ
る各電気信号の大きさ忙より試料表面上、及びその面内
もしもしくは裏面に存在する各々の欠陥を区別して検出
することを特徴とするものである。
斜角度でもって複数の光を照明し、照明された各照明光
についての試料面からの散乱光を撮像手段で受光して散
乱光の各々を電気信号に変換し、該撮像手段から得られ
る各電気信号の大きさ忙より試料表面上、及びその面内
もしもしくは裏面に存在する各々の欠陥を区別して検出
することを特徴とするものである。
即ち、第27図(α)で示す入射角度b2の照明光H2
8hで試料20上の欠陥21を照明した場合、欠陥21
からの散乱光22+と内面の欠陥27からの散乱光12
7は差がない。しかしながら同図(b)で示す入射角度
L1の照明光りで欠陥21を照明した場合の散乱光12
1と欠陥27の散乱光”27 とを比べると127は著
しく小さい。これは照明光L 28iの、7−過光の強
度T2が著しく小さいためである。例えば入射角度↓1
を90°とした場合にはR2=1.T2=0となるため
227は零となる。
8hで試料20上の欠陥21を照明した場合、欠陥21
からの散乱光22+と内面の欠陥27からの散乱光12
7は差がない。しかしながら同図(b)で示す入射角度
L1の照明光りで欠陥21を照明した場合の散乱光12
1と欠陥27の散乱光”27 とを比べると127は著
しく小さい。これは照明光L 28iの、7−過光の強
度T2が著しく小さいためである。例えば入射角度↓1
を90°とした場合にはR2=1.T2=0となるため
227は零となる。
そこで、照明光H28Lによる散乱光りと照明光L 2
81による散乱光1の各々を検出して、(1)tと1の
大きさが概略間等の場合は表面欠陥21゜(2)訛に比
べ1が著しく小さい場合は内面欠陥27と区別(分離)
することがでよる。
81による散乱光1の各々を検出して、(1)tと1の
大きさが概略間等の場合は表面欠陥21゜(2)訛に比
べ1が著しく小さい場合は内面欠陥27と区別(分離)
することがでよる。
以上は、内部欠陥の深さに無関係であるため非常に薄い
透明薄膜上の表面と裏面(又は内面)の異物を区別して
検出でよる長所を有す。
透明薄膜上の表面と裏面(又は内面)の異物を区別して
検出でよる長所を有す。
第25図から、任意の入射角においてsl光の反射率2
43はP偏光の反射率24pより大きくなる。入射角度
が90°に近い角度(照明L)においてはS@光の方が
反射率ゾが著しく大まくなるので、透過成分がT2が小
さくなり、上記弁別に都合が良い。またP偏光では入射
角と屈折角の和が90 となる角度(”p:偏光角)
でR=0となる。照明Hではこの角度Lpを用いれば1
00チ透過するので散乱光J、Jが同一となる。従って
表面及び内面の分離性能を向上するためには、照明光H
28Jとして入射角ApのP偏光及び照明光L 284
として入射角が90 のS偏光を使用することが望し
い。
43はP偏光の反射率24pより大きくなる。入射角度
が90°に近い角度(照明L)においてはS@光の方が
反射率ゾが著しく大まくなるので、透過成分がT2が小
さくなり、上記弁別に都合が良い。またP偏光では入射
角と屈折角の和が90 となる角度(”p:偏光角)
でR=0となる。照明Hではこの角度Lpを用いれば1
00チ透過するので散乱光J、Jが同一となる。従って
表面及び内面の分離性能を向上するためには、照明光H
28Jとして入射角ApのP偏光及び照明光L 284
として入射角が90 のS偏光を使用することが望し
い。
以下本発明を第1図〜第9図に示す実施例にもとづいて
具体的に説明する。
具体的に説明する。
第1図は波長の異なるレーザ(例えば照明光L K H
e−Neレーザ30(λ+ =6528A) 、照明光
Hは半導体レーザ29(λ2 = 8333A )を照
明光として用いた実施例を示す。照明光Hはレーザ光源
29とコリメータレンズ31Jにより入射角度L2で試
料20上を照明する。照明光りはレーザ光源60とビー
ムエクスパンダ32およびコリメータレンズ31により
入射角度〃1で試料20上を照明する。
e−Neレーザ30(λ+ =6528A) 、照明光
Hは半導体レーザ29(λ2 = 8333A )を照
明光として用いた実施例を示す。照明光Hはレーザ光源
29とコリメータレンズ31Jにより入射角度L2で試
料20上を照明する。照明光りはレーザ光源60とビー
ムエクスパンダ32およびコリメータレンズ31により
入射角度〃1で試料20上を照明する。
対物レンズ36により検出される散乱光(2,L)は、
ダイクロイックミラー34により2つの光路に分かれる
。検出器18LはレーザHの散乱光、検出器181はレ
ーザLの散乱光を検出する。
ダイクロイックミラー34により2つの光路に分かれる
。検出器18LはレーザHの散乱光、検出器181はレ
ーザLの散乱光を検出する。
第2図にダイクロイックミラーの透過率を示す。ダイク
ロイックミラーはレーザH29(λ=8355A )を
透過しないため検出器18JはレーザL30(λ=65
28k)の散乱光のみをダイクロイックミラーの透過光
35として検出する。
ロイックミラーはレーザH29(λ=8355A )を
透過しないため検出器18JはレーザL30(λ=65
28k)の散乱光のみをダイクロイックミラーの透過光
35として検出する。
ダイクロイックミラーの反射光36は、レーザH(λ=
8533A )とレーザL(λ==6328A )の
現在光となるが、色フィルタ37がレーザL(λ=63
28A)を遮断するので検出器181は、し〜ザH(j
= 8333A )の散乱光のみを検出する。
8533A )とレーザL(λ==6328A )の
現在光となるが、色フィルタ37がレーザL(λ=63
28A)を遮断するので検出器181は、し〜ザH(j
= 8333A )の散乱光のみを検出する。
第6図に表面欠陥及び内面欠陥のレーデHKよる検出器
18Lの検出出力vz(4o)、レーザLによる検出器
182の検出出力VJ(41)を示す。表面欠陥21は
、レーザH2し〜ザL共に欠陥部に同様f照射されるた
め検出出力(■ヱ、■杓も同程度の大よさで得られる。
18Lの検出出力vz(4o)、レーザLによる検出器
182の検出出力VJ(41)を示す。表面欠陥21は
、レーザH2し〜ザL共に欠陥部に同様f照射されるた
め検出出力(■ヱ、■杓も同程度の大よさで得られる。
しかし内面の欠陥27の検出出力は、入射角度により内
面への透過強度T2が異なる(例えばS偏光、入射角度
L2=544のレーザH,P偏光、入射角度#+:88
°のレーザLを使用した場合、各々で透過率T!=1.
’rt=o、iとなる。)ため、ViはVtに比べ著
しく小さくなる。
面への透過強度T2が異なる(例えばS偏光、入射角度
L2=544のレーザH,P偏光、入射角度#+:88
°のレーザLを使用した場合、各々で透過率T!=1.
’rt=o、iとなる。)ため、ViはVtに比べ著
しく小さくなる。
したがって演g VJ/Vノを求めると、表面欠陥によ
る散乱光の演算結果に比べ内面欠陥による散乱光の演算
が著しく大きくなり、欠陥の存在面を区別して検出でき
た。
る散乱光の演算結果に比べ内面欠陥による散乱光の演算
が著しく大きくなり、欠陥の存在面を区別して検出でき
た。
次に照明の方向について説明する。
即ち、第4図に色分解フィルター14による散乱光図を
示す。フィルター1kによる散乱光42は、照明光がフ
ィルター長手方向に対し直角に近い角度になる程強くな
る。そのため、第4図(cL)では、フィルター1kを
構成するシアンフィルター14Qとイエローフィルター
141の交叉する点で両者の散乱光が加えられるので大
きな散乱光が発生して欠陥検出信号1.lの87Nを低
下させる。同図(b)の如く面板試料ン90 回転し
た場合、照明方向とフィルター長手方向がほぼ水平とな
るので、各々のフィルターの交叉する点でスポット状の
僅かな微小散乱光にとどまり、欠陥検出に影響が無祈で
よる大きさとなる。
示す。フィルター1kによる散乱光42は、照明光がフ
ィルター長手方向に対し直角に近い角度になる程強くな
る。そのため、第4図(cL)では、フィルター1kを
構成するシアンフィルター14Qとイエローフィルター
141の交叉する点で両者の散乱光が加えられるので大
きな散乱光が発生して欠陥検出信号1.lの87Nを低
下させる。同図(b)の如く面板試料ン90 回転し
た場合、照明方向とフィルター長手方向がほぼ水平とな
るので、各々のフィルターの交叉する点でスポット状の
僅かな微小散乱光にとどまり、欠陥検出に影響が無祈で
よる大きさとなる。
さらにS/Nを向上させるためには遮光マスクろ;7を
乱方向のみの遮光方法(特開昭56−4・69号公報に
記載)がある。
乱方向のみの遮光方法(特開昭56−4・69号公報に
記載)がある。
次に自動焦点について説明する。
試料20の表面にうねりあるいは頑まがある場合、光学
系の焦点ズレ及び照明光強度変化により検出信号に誤差
を生ずる。このため試料2oの表面が常に定位置になる
よう自動焦点手段が必要となる。
系の焦点ズレ及び照明光強度変化により検出信号に誤差
を生ずる。このため試料2oの表面が常に定位置になる
よう自動焦点手段が必要となる。
第5図に位置検出素子44を使用した自動焦点例を示す
。位置検出素子44は同図fb)に示すよう光スポット
の同素子長手方向照射位置に比例した出力V’zが発生
する。照射光L 282の試料表面反射光を集光レンズ
43で検出素子44上に照射する。検出素子44の出力
Vzは、試料表面が焦点位置Zoにある場合VZOとな
り比較器45の出力は零となり、自動焦点機構46は動
作しない。焦点ずれにより試料表面がΔ2だけ移動した
場合、検出素子44に照射される光スポツト位置がiz
シフトし検出素子出力VzもlVzだけシフトする。こ
の結果比較器45からは、試料表面がZolCなるまで
Z移動機構駆動部46VC信号が送られZ移動機構47
が移動する。上記動作の繰返しで試料表面2゜は常に焦
点位置Z□を保つ。
。位置検出素子44は同図fb)に示すよう光スポット
の同素子長手方向照射位置に比例した出力V’zが発生
する。照射光L 282の試料表面反射光を集光レンズ
43で検出素子44上に照射する。検出素子44の出力
Vzは、試料表面が焦点位置Zoにある場合VZOとな
り比較器45の出力は零となり、自動焦点機構46は動
作しない。焦点ずれにより試料表面がΔ2だけ移動した
場合、検出素子44に照射される光スポツト位置がiz
シフトし検出素子出力VzもlVzだけシフトする。こ
の結果比較器45からは、試料表面がZolCなるまで
Z移動機構駆動部46VC信号が送られZ移動機構47
が移動する。上記動作の繰返しで試料表面2゜は常に焦
点位置Z□を保つ。
照明光28!の反射光は(第25図で説明した如く)反
射率が高いので、試#+20の表面が透明ガラスの場合
でも十分な大きさの検出信号を検出素子44から得られ
る利点を有する。
射率が高いので、試#+20の表面が透明ガラスの場合
でも十分な大きさの検出信号を検出素子44から得られ
る利点を有する。
第6図に7L個の画素を有する自己走査型検出素子44
cLを使用した自動焦点例を示す。照明光281の試料
表面反射光を集光レンズ43で検出素子44の中央画素
上に照射する。検出素子444の出力りは閾値■iLに
より二値化されフリップフロップ(以下F/Fと省略す
る)入力信号りとなる。F/Fは素子の走査開始でセッ
トし、二値化信号りでリセットし、出力信号iを出力す
る。
cLを使用した自動焦点例を示す。照明光281の試料
表面反射光を集光レンズ43で検出素子44の中央画素
上に照射する。検出素子444の出力りは閾値■iLに
より二値化されフリップフロップ(以下F/Fと省略す
る)入力信号りとなる。F/Fは素子の走査開始でセッ
トし、二値化信号りでリセットし、出力信号iを出力す
る。
信号iとクロックパルスはAND回路により光スポット
位置に比例した数のクロック数を有するパルスAを得る
。パルスAは比較器45により試料表面の焦点位置のパ
ルス数(Azo)と比較し、ズレ景(Δ2)だけ信号を
Z移動機構駆動部46に送られZ移動機構47を移動す
る。この様に試料表面は常に焦点位置Zoを保つ。同図
(b)に合焦点時の、(C)にΔZ焦点ズレ時のメイム
チャートを示す。
位置に比例した数のクロック数を有するパルスAを得る
。パルスAは比較器45により試料表面の焦点位置のパ
ルス数(Azo)と比較し、ズレ景(Δ2)だけ信号を
Z移動機構駆動部46に送られZ移動機構47を移動す
る。この様に試料表面は常に焦点位置Zoを保つ。同図
(b)に合焦点時の、(C)にΔZ焦点ズレ時のメイム
チャートを示す。
以上のように、照明光28Lを自動焦点に兼用すれば、
自動焦点用照明光が省略できるので、装置が1m便とな
る利点を有する。
自動焦点用照明光が省略できるので、装置が1m便とな
る利点を有する。
次にアライメントについて説明する。
即ち、第7図(cL)に示すように試料上の領域により
フィルタ面21周辺領域りの領域で不良品となる欠陥の
大きさが異なる。領域Fでは、前述の如く、0.5μm
以上の表面欠陥と4μm以上の内部欠陥を検出する必要
があるが、周辺領域りでは撮像管3の撮像特性に影響が
ないため、薄板ガラス1d、のワレ、カケ等の大きな欠
陥のみが不良となる。この為、検査する前に領域F 、
Dを検出光学系に対してアライメントする必要がある
。このため試料20を検査以前にアライメント合わせ作
業が必要となる。同図(b)にアライメント合わせ例を
示す。TV左カメラ検出した試料像の位置検出マークの
各中心位置を求め(中心位置検出にはI#顧昭55−9
273. を待開昭56−39407等がある)、各中
心位置と各基準位置とのズレ量ΔXI、Δ71、Iz2
.Δy2を求め試量のズレ量Δ−9Δ2.ノyを次式九
より求める。
フィルタ面21周辺領域りの領域で不良品となる欠陥の
大きさが異なる。領域Fでは、前述の如く、0.5μm
以上の表面欠陥と4μm以上の内部欠陥を検出する必要
があるが、周辺領域りでは撮像管3の撮像特性に影響が
ないため、薄板ガラス1d、のワレ、カケ等の大きな欠
陥のみが不良となる。この為、検査する前に領域F 、
Dを検出光学系に対してアライメントする必要がある
。このため試料20を検査以前にアライメント合わせ作
業が必要となる。同図(b)にアライメント合わせ例を
示す。TV左カメラ検出した試料像の位置検出マークの
各中心位置を求め(中心位置検出にはI#顧昭55−9
273. を待開昭56−39407等がある)、各中
心位置と各基準位置とのズレ量ΔXI、Δ71、Iz2
.Δy2を求め試量のズレ量Δ−9Δ2.ノyを次式九
より求める。
lθ=(Δy1−Δy2)/L
Δχ=(Δz1+Δ22)/
Δy=(Δy1+Δy2)/
このズレ量をだけ、試料2oをX、 Y、θ方向に位置
補正した後、再び検出を行ない、ズレ量が設定された各
々の許容イ直(1θ、1z、す)以下の場合は、アライ
メント終了とみなす。許容値以上の場合はズレ量を補正
し再度−画像入力し上記を行なう。第7図(C)にアラ
イメント合わせのアルゴリズムフローチャートを示す。
補正した後、再び検出を行ない、ズレ量が設定された各
々の許容イ直(1θ、1z、す)以下の場合は、アライ
メント終了とみなす。許容値以上の場合はズレ量を補正
し再度−画像入力し上記を行なう。第7図(C)にアラ
イメント合わせのアルゴリズムフローチャートを示す。
鳩8〜第12r¥1に試料2oを走査して検査する方法
を示す。
を示す。
第8図(cL) K試料20の移動走査例を示す。試料
の移動により試料上を■、■、■・・・と走査する際に
、α1=1−/i1.α2ニー?/i2.・・・の加速
度が生じ検査装置の振動が大まくなシ光学系に影響を+
I j′Eす。加速度αを小さくするためには加速時間
差を長く収るか又は移動速度Vを遅くすれば良いが両者
共に検査速度が遅くなる欠点を有する。
の移動により試料上を■、■、■・・・と走査する際に
、α1=1−/i1.α2ニー?/i2.・・・の加速
度が生じ検査装置の振動が大まくなシ光学系に影響を+
I j′Eす。加速度αを小さくするためには加速時間
差を長く収るか又は移動速度Vを遅くすれば良いが両者
共に検査速度が遅くなる欠点を有する。
第9図(cL)のようにカウンタバランスBを使用して
、カウンタバランス機構の走査を移動機構Aと反対方向
とし、移動機構の加速度α□とカウンタバランスの加速
度α3の加速度方向を逆にし相殺して撮動を防止し安定
化、検査の高速化を計る。
、カウンタバランス機構の走査を移動機構Aと反対方向
とし、移動機構の加速度α□とカウンタバランスの加速
度α3の加速度方向を逆にし相殺して撮動を防止し安定
化、検査の高速化を計る。
第9図ではカウンタバランスBは単に振動防止の役割を
はだすのみであるが、カウンタバランスBにも試料を搭
載すれば同時に21の試料の検査が行なえる。これを第
10図に示す。
はだすのみであるが、カウンタバランスBにも試料を搭
載すれば同時に21の試料の検査が行なえる。これを第
10図に示す。
第10図に共通のY移動機構50上にA、B各々のX移
動機構2式48.49を設置し、X移動機溝48.49
を対象に移動させ、互いに反対方向に移動するカウンタ
バランスとして利用し検査効率を向上させた例を示す。
動機構2式48.49を設置し、X移動機溝48.49
を対象に移動させ、互いに反対方向に移動するカウンタ
バランスとして利用し検査効率を向上させた例を示す。
第11図(cL)に各駆動回路の同期例を、同図(/4
)に各X移動機構の移動速度(Vxム、VXB)とY移
動信号のタイムチャートを示す。
)に各X移動機構の移動速度(Vxム、VXB)とY移
動信号のタイムチャートを示す。
第12図に検出器18 (18J、182)に−次元自
己走査型撮像素子(例えばCOD )で自己走査した例
を示す。検出器18の幅を町検出光学系の倍率をMx、
X移動機構48,49のX方向移動速度をVxとした場
合、試料上でのX方向の検出幅すなわち検出器18の1
回の自己走査でX方向へ進める距離S及び移動に必−要
な時間差は次式で表わすことができる。
己走査型撮像素子(例えばCOD )で自己走査した例
を示す。検出器18の幅を町検出光学系の倍率をMx、
X移動機構48,49のX方向移動速度をVxとした場
合、試料上でのX方向の検出幅すなわち検出器18の1
回の自己走査でX方向へ進める距離S及び移動に必−要
な時間差は次式で表わすことができる。
S=、/M
χ= S / Vx
試料20がX方向KSだけ移動する間に検出器18の自
己走査が完了しなければならないため検出器18の走査
時間、tm(1〜M画素を走査する時間)は次式を満足
しなければならない。
己走査が完了しなければならないため検出器18の走査
時間、tm(1〜M画素を走査する時間)は次式を満足
しなければならない。
lrn < w/M Vx
次にTV左カメラ用いた場合について説明する。即ち第
16図に検出器18として二次元の検出器例えばTV左
カメラ使って試料面2o全体を1度に検出する例を示す
。透過照明はレンズ51により集光しX、 Y、 Z、
e 49,50,47.59ノ各移動機構の空胴を通
り試料2oを照明する。TVカメラ18J、又は182
に結はした試料像は画像処理を行ない、前述の方法でア
ライメントを行なう。自動焦点は照明L 282の試料
表面での反射を用い前述の自動焦点を行なう。照明H2
8J及び照明L281は、試料全面を一、庫に照明して
おり欠陥による散乱光はTVカメラ18J、18jに結
像させ、出力信−号vtylを得ろ。
16図に検出器18として二次元の検出器例えばTV左
カメラ使って試料面2o全体を1度に検出する例を示す
。透過照明はレンズ51により集光しX、 Y、 Z、
e 49,50,47.59ノ各移動機構の空胴を通
り試料2oを照明する。TVカメラ18J、又は182
に結はした試料像は画像処理を行ない、前述の方法でア
ライメントを行なう。自動焦点は照明L 282の試料
表面での反射を用い前述の自動焦点を行なう。照明H2
8J及び照明L281は、試料全面を一、庫に照明して
おり欠陥による散乱光はTVカメラ18J、18jに結
像させ、出力信−号vtylを得ろ。
次て欠陥の分離てついて説明する。即ち第14図にに面
及び内面の各々の欠陥の分布を示す。
及び内面の各々の欠陥の分布を示す。
VA、とVlを各々横軸とたて釉にとり、欠陥21と2
7の分布領域タブロッ11−だ。欠陥21と27の弁別
線・1)傾斜の逆数mOを境に欠陥21と27が区別さ
れろ。
7の分布領域タブロッ11−だ。欠陥21と27の弁別
線・1)傾斜の逆数mOを境に欠陥21と27が区別さ
れろ。
か、15図にブロック図を、第16図に各信号のタイム
チャートを示す。vL倍信号比較回路53に入力され璽
・7値voと比較され、ここで閾値vOは信号Vにのノ
・イズレベルより犬まく設定される。又VL。
チャートを示す。vL倍信号比較回路53に入力され璽
・7値voと比較され、ここで閾値vOは信号Vにのノ
・イズレベルより犬まく設定される。又VL。
viの各信号は割算回路42に入力し信号層を求めろ。
さらに信号m、は比較回路52に入力し弁別値Tloと
比較し信号kを寿る。信号に=11″は欠陥27を示す
。第16 I21 (イ)、(ロ)の場合はVJがVo
より大キく、かつmがrrLOより大きいためゲート回
路54が′げの条件が成立し、VLはピークホールド回
−路56.+ンブルホールド回路60を経てA/D変換
器57によりA/D変換値eをゲート61を経てメモ!
J t 58&に取り込む。同様に(ハ)、に)の場合
はVLがVoより大きく4かつmがmoより小さいため
ゲート回路55が′1″の条件が成立し、A/D変換器
57によりveのA/D変換値eをゲート62を経てメ
モリ158J、に取りこむ。
比較し信号kを寿る。信号に=11″は欠陥27を示す
。第16 I21 (イ)、(ロ)の場合はVJがVo
より大キく、かつmがrrLOより大きいためゲート回
路54が′げの条件が成立し、VLはピークホールド回
−路56.+ンブルホールド回路60を経てA/D変換
器57によりA/D変換値eをゲート61を経てメモ!
J t 58&に取り込む。同様に(ハ)、に)の場合
はVLがVoより大きく4かつmがmoより小さいため
ゲート回路55が′1″の条件が成立し、A/D変換器
57によりveのA/D変換値eをゲート62を経てメ
モリ158J、に取りこむ。
次に欠陥の良・不良判定について説明する。
以上の処理により、欠陥21(表面欠陥)の欠陥データ
は、メモリjに、欠陥27(内面欠陥)の欠陥データは
、メモリ1に区別され記憶される。
は、メモリjに、欠陥27(内面欠陥)の欠陥データは
、メモリ1に区別され記憶される。
さらに欠陥の大きさは、各々のメモリJ、j 58L。
581に記憶されたA/D変換値より、求めることが可
能である。
能である。
メモリL 58Lには大きさ0.5μm以上の欠陥21
が記憶されており、予め設定された分布(第17図)に
従い、大、中、小の不良分類を行なう。
が記憶されており、予め設定された分布(第17図)に
従い、大、中、小の不良分類を行なう。
メモリJ、5BJ、には大きさ0.5 、Ilj’11
以上の欠陥27が記憶されており、第18図に示す様に
、4μm以上の中、犬の欠陥のみが不良品となり、小欠
陥は良品として製品となる。
以上の欠陥27が記憶されており、第18図に示す様に
、4μm以上の中、犬の欠陥のみが不良品となり、小欠
陥は良品として製品となる。
以上のメモリLとメモリj!、 51,582の良・
不良判定は領域Fの場合であるが、領域りにおいて(主
、第19図に示すように欠陥210大欠陥のみが不良品
となる。これは前述の如く、;1板ガラス田のワレ、カ
ブなどの大きな欠陥のみが不良となるからでbろ。領域
F、Dの漬地情報は、X及びY FJ動機湾118+4
9150に取り付けられたエンコータ゛によりメモリイ
、A 58Jl、58fに送られる。
不良判定は領域Fの場合であるが、領域りにおいて(主
、第19図に示すように欠陥210大欠陥のみが不良品
となる。これは前述の如く、;1板ガラス田のワレ、カ
ブなどの大きな欠陥のみが不良となるからでbろ。領域
F、Dの漬地情報は、X及びY FJ動機湾118+4
9150に取り付けられたエンコータ゛によりメモリイ
、A 58Jl、58fに送られる。
(V′4略)
次に本発明の別な実:だ1例について説明する。
即ち第20図、第21Fjaiて本発明の別な実施例を
示す。第25図参照す矢に、0.5.αmの欠陥21と
4μmの欠陥27の散乱光の残穀(121と)27)が
同一となる峰に設定した入射角LcLの照明L (28
1)のみを用いろことに、より、前記の信号処理(第2
1図)より簡便な処理が可能となる。即ち、出力VJ、
を1Jで・1ViJ元(同図(A) )と比較すれば比
較回路1ケにより簡rA K良・不良判定が近似的に可
能となる。
示す。第25図参照す矢に、0.5.αmの欠陥21と
4μmの欠陥27の散乱光の残穀(121と)27)が
同一となる峰に設定した入射角LcLの照明L (28
1)のみを用いろことに、より、前記の信号処理(第2
1図)より簡便な処理が可能となる。即ち、出力VJ、
を1Jで・1ViJ元(同図(A) )と比較すれば比
較回路1ケにより簡rA K良・不良判定が近似的に可
能となる。
この処理1去では、表面と内面の欠陥の区別(分離)は
出来ないが、良・不良判定の目的は十分である。
出来ないが、良・不良判定の目的は十分である。
第21同圧上記の照−明りのみを用いる簡便法での良・
不良判定処理法(同図(8))と前記の照明HとLを用
いる処理法(同図(a))とを比較する為、両者におけ
る欠陥21と27の分布を示す。
不良判定処理法(同図(8))と前記の照明HとLを用
いる処理法(同図(a))とを比較する為、両者におけ
る欠陥21と27の分布を示す。
簡便法(→においては、欠陥27の中と小の弁別が厳密
法(a、)と若干異なるが、現場的には、この弁別でも
十分使用出来る。
法(a、)と若干異なるが、現場的には、この弁別でも
十分使用出来る。
特に本発明は撮像管面板のみならず、他の透明面板の欠
陥の検出にも適用出来る。
陥の検出にも適用出来る。
例えは、第22図に示したLSI半導体露光用に用いる
ペリクル63上の異物21.27の検出にも適用出来る
。ペリクル63は枠65aと1.αm の透明薄膜20
より成るが、これをホトマスク(回路バl−ン64n原
版)64に装着(第24.第25図参照)して、回路パ
ターン64Q上に異物が付着するのな防止する役割を行
なう。この装着後に薄膜外側の4μm以上の異物27は
枠65(Lの焦点はずれ分(H)の効果により露光に影
響しない。薄膜内側のα5μ屏以上の異物21は薄膜に
付着している場合には同様に影響しないが、回路パター
ン64、−上に落下又は転位する場合には影響を及ぼす
。このため、薄膜外側の4μm以上の欠陥27と内側の
欠陥(0,5μm以上)を区別して検出する必要がある
。この異物21.27の検査も本発明により、区別して
検出可能となる。
ペリクル63上の異物21.27の検出にも適用出来る
。ペリクル63は枠65aと1.αm の透明薄膜20
より成るが、これをホトマスク(回路バl−ン64n原
版)64に装着(第24.第25図参照)して、回路パ
ターン64Q上に異物が付着するのな防止する役割を行
なう。この装着後に薄膜外側の4μm以上の異物27は
枠65(Lの焦点はずれ分(H)の効果により露光に影
響しない。薄膜内側のα5μ屏以上の異物21は薄膜に
付着している場合には同様に影響しないが、回路パター
ン64、−上に落下又は転位する場合には影響を及ぼす
。このため、薄膜外側の4μm以上の欠陥27と内側の
欠陥(0,5μm以上)を区別して検出する必要がある
。この異物21.27の検査も本発明により、区別して
検出可能となる。
以上説明したように、本発明によれば、従来実現できな
かった非常に薄い透明な試料の欠陥が存在する面又は各
々の面の欠陥の大きさが検出可能となる効果を奏する。
かった非常に薄い透明な試料の欠陥が存在する面又は各
々の面の欠陥の大きさが検出可能となる効果を奏する。
また本発明によれば、従来法に比べ、照明光のスポット
を原理的に大よくすることがでよるため、検査の高速化
が可能となる。
を原理的に大よくすることがでよるため、検査の高速化
が可能となる。
第1図は本発明の実施例の概略を示す図、第2図は夕′
イク口イノクミラーと色フィルタの透過特性とを示す図
、第3図は表面及び内面欠陥の照明光11反び照明光り
による各々の散乱光と検出信号を示す原理図、第4図は
照明光の方向による色分解フィルタの散乱光強度の違い
を示す図、第5図は位置検出器に位置検出素子を使用し
た自動焦点例のブロックと位置検出素子の出力特性とを
示す図、第6図は位置検出に自己走介尤検出素子を使用
した自動焦点例のブロックと信号処理タイムチャートと
を示す図、第7図は試料の領域D&びFとアライメント
と、アライメントによる位置補正法のフローチャートと
を示す図、第8図は試料移、@方向と、その時の移動速
度、加速度、検査ゲート、Y移動信号のタイムチャート
とを示す図、第9図はカウンタテーブルと、その時の各
移動速と各加速度とを示す図、第10図は共通のY移動
機構上に2式のX移動隈構を設置し、各X移動機構を左
右対象に移動させ、各々を互いにカウンタバランスとし
て高速化した実施例を示す@親図、第11図は第10図
のX及びY移動機W4克動モータ同期例のブロックと移
動速度のタイムチャートとを示す図、第12図は散乱光
の検出器に一次元自己走査型撮像素子で自己走査した例
の斜視図、第13図は散乱光の検出器にTV左カメラ使
用して試料面全体を1度に検出する例の概略図、第14
図は布面及び内面の欠陥のvz、vJLの分布図、第1
5図はvz、vz各々の信号処理を示す電気回路ブロッ
ク図、第16図は第15図の信号処理のタイムチャート
図、第17図は領域Fにおける欠陥210分布図、第1
8図は領域Fにおける欠陥270分布図、第19図は領
域りにおける欠陥21の分布図、第20図は本発明の能
の実施例を示す原理図、第21図は第14図と同様vz
、vzによる分項と第141メ(に示す方法をV!のみ
により分頌した場合の良・不良判定処理処理法を示す図
、第22図はペリクルを示す断面図、第26図はペリク
ルをホトマスクに装着した状態を示す断面図、第24図
は第23図の斜?JF図、第25図は周波数分離式単管
カラー撮像管の構造を示す断面図、第26図は周波数分
離式単管カラーカメラの信号処理を示すブロック図、第
27図は従来の検出法を示す原理図、第28図はフレネ
ルの定理を示す図(空気中よりn=155のガラスへの
照射)、第29図を玉入射光の入射角と反射率を説明す
る図、第50図は本発明の詳細な説明する図である。 14・・・台板ガラス、1k・・色分解用フィルタ、1
d。 ・・・薄板ガラス、1c・・・接着剤、2・・・′#:
戒幌(光電面)5・・・撮像管、3cL・・・成子ビー
ム、4・・・被写体、5・・・レンズ、7・・・プリア
ンプ、8・・・ローパスフィルタ、9・・・バンドパス
フィルタ、 10・・・色成分信号、11・・・色分離
回路、12A、12B・・・検波器、15・・・輝度信
号、14・・・青色信号、15・・・赤色信号、16・
・・ビデオ信号変換器、17・・・ビデオ(8号、18
.18に、18J−・・・光透変換器、20・・・試料
、21.27・・・欠陥、22・・・レーザA、23・
・・レーザB、24゜24s、24p−・・反射率、2
5,25s、25p +++入射光、26゜26s、2
6p・・・反射光、28Jt・・・照明光■」、281
・・・照明光り、 29.50・・・光源、51JL
、512・・・コリメータレンズ、32・・・ビームエ
クスパンダ、33・・・対・物レンズ、34・・・ダイ
クロインクミラー、35・・・送通光、36・・・反射
光、67・・・色フィルタ、40.41・・・検出出力
、42・・・演算回路、43・・・集光レンズ、44・
・・検出素子、44tL・・・自己走査型検出素子、4
5・・・比較器、46・・・2駆動!!!構駆動部、4
7・・・Z駆動機構、48.49・・・X移動機構、5
0・・・Y移動機薄、51・・・レンズ、52.53・
・・比較回路、54.55・・・AND回路、56・・
・ピークホールド回路、57・・・A/D変換器、58
J、584・・・メモ!J−159・・・θ回転機構、
60・・・サンプルボールド回路、61.62・・・ゲ
ート、65・・・ペリクル、65α・・・ペリクル枠、
64・・・ホトマスク、64α・・・ホトマスクの回路
パターン。
イク口イノクミラーと色フィルタの透過特性とを示す図
、第3図は表面及び内面欠陥の照明光11反び照明光り
による各々の散乱光と検出信号を示す原理図、第4図は
照明光の方向による色分解フィルタの散乱光強度の違い
を示す図、第5図は位置検出器に位置検出素子を使用し
た自動焦点例のブロックと位置検出素子の出力特性とを
示す図、第6図は位置検出に自己走介尤検出素子を使用
した自動焦点例のブロックと信号処理タイムチャートと
を示す図、第7図は試料の領域D&びFとアライメント
と、アライメントによる位置補正法のフローチャートと
を示す図、第8図は試料移、@方向と、その時の移動速
度、加速度、検査ゲート、Y移動信号のタイムチャート
とを示す図、第9図はカウンタテーブルと、その時の各
移動速と各加速度とを示す図、第10図は共通のY移動
機構上に2式のX移動隈構を設置し、各X移動機構を左
右対象に移動させ、各々を互いにカウンタバランスとし
て高速化した実施例を示す@親図、第11図は第10図
のX及びY移動機W4克動モータ同期例のブロックと移
動速度のタイムチャートとを示す図、第12図は散乱光
の検出器に一次元自己走査型撮像素子で自己走査した例
の斜視図、第13図は散乱光の検出器にTV左カメラ使
用して試料面全体を1度に検出する例の概略図、第14
図は布面及び内面の欠陥のvz、vJLの分布図、第1
5図はvz、vz各々の信号処理を示す電気回路ブロッ
ク図、第16図は第15図の信号処理のタイムチャート
図、第17図は領域Fにおける欠陥210分布図、第1
8図は領域Fにおける欠陥270分布図、第19図は領
域りにおける欠陥21の分布図、第20図は本発明の能
の実施例を示す原理図、第21図は第14図と同様vz
、vzによる分項と第141メ(に示す方法をV!のみ
により分頌した場合の良・不良判定処理処理法を示す図
、第22図はペリクルを示す断面図、第26図はペリク
ルをホトマスクに装着した状態を示す断面図、第24図
は第23図の斜?JF図、第25図は周波数分離式単管
カラー撮像管の構造を示す断面図、第26図は周波数分
離式単管カラーカメラの信号処理を示すブロック図、第
27図は従来の検出法を示す原理図、第28図はフレネ
ルの定理を示す図(空気中よりn=155のガラスへの
照射)、第29図を玉入射光の入射角と反射率を説明す
る図、第50図は本発明の詳細な説明する図である。 14・・・台板ガラス、1k・・色分解用フィルタ、1
d。 ・・・薄板ガラス、1c・・・接着剤、2・・・′#:
戒幌(光電面)5・・・撮像管、3cL・・・成子ビー
ム、4・・・被写体、5・・・レンズ、7・・・プリア
ンプ、8・・・ローパスフィルタ、9・・・バンドパス
フィルタ、 10・・・色成分信号、11・・・色分離
回路、12A、12B・・・検波器、15・・・輝度信
号、14・・・青色信号、15・・・赤色信号、16・
・・ビデオ信号変換器、17・・・ビデオ(8号、18
.18に、18J−・・・光透変換器、20・・・試料
、21.27・・・欠陥、22・・・レーザA、23・
・・レーザB、24゜24s、24p−・・反射率、2
5,25s、25p +++入射光、26゜26s、2
6p・・・反射光、28Jt・・・照明光■」、281
・・・照明光り、 29.50・・・光源、51JL
、512・・・コリメータレンズ、32・・・ビームエ
クスパンダ、33・・・対・物レンズ、34・・・ダイ
クロインクミラー、35・・・送通光、36・・・反射
光、67・・・色フィルタ、40.41・・・検出出力
、42・・・演算回路、43・・・集光レンズ、44・
・・検出素子、44tL・・・自己走査型検出素子、4
5・・・比較器、46・・・2駆動!!!構駆動部、4
7・・・Z駆動機構、48.49・・・X移動機構、5
0・・・Y移動機薄、51・・・レンズ、52.53・
・・比較回路、54.55・・・AND回路、56・・
・ピークホールド回路、57・・・A/D変換器、58
J、584・・・メモ!J−159・・・θ回転機構、
60・・・サンプルボールド回路、61.62・・・ゲ
ート、65・・・ペリクル、65α・・・ペリクル枠、
64・・・ホトマスク、64α・・・ホトマスクの回路
パターン。
Claims (7)
- (1)照明手段で透明な試料に対して異なる傾斜角度で
もって複数の光を照明し、照明された各照明光について
の試料面がらの散乱光を撮像手段で受光して散乱光の各
々を電気信号に変換し、該撮像手段から得られる各電気
信号の大きさにより試料表面上、及びその面内もしくは
裏面に存在する各々の欠陥を区別して検出することを特
徴とする透明な試料に対する欠陥検出方法。 - (2)上記複数の光を異なる波長とし、上記散乱光を波
長分離光学系で分離して各撮像手段で受光することを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の透明な試料に対す
る欠陥検出方法。 - (3)照明手段で透明な試料に対して、該試料の表面及
び内面もしくは裏面に存在する不良欠陥よりの散乱光が
ほぼ同一の出力となる入射角度でもって光を照明し、照
明された照明光についての試料面からの散乱光を撮像手
段で受光して散乱光を電気信号に変換し、該撮像手段か
ら得られる電気信号の大きさにより、試料表面上、及び
その面内もしくは裏面に存在する各々の欠陥を区別して
検出することを特徴とする透明な試料に対する欠陥検出
方法。 - (4)透明な試料に対して異なる傾斜角度でもって複数
の光を照明する照明手段と、該照明手段によって照明さ
れた各照明光についての試料面からの散乱光を導びく光
学系と、該光学系によって導びかれ、結像された散乱光
の各々を電気信号に変換する撮像手段と、該撮像手段で
得られる各電気信号の大きさにより試料表面上、及びそ
の面内もしくは裏面に存在する各々の欠陥を区別して検
出する検出手段とを備えたことを特徴とする透明な試料
に対する欠陥検出装置。 - (5)上記照明手段として、各照明光が異なる波長特性
を有するように構成し、上記光学系として、散乱光を波
長でもって分離する波長分離光学系を有することを特徴
とする特許請求の範囲第4項記載の透明な試料に対する
欠陥検出装置。 - (6)上記照明手段による照明光の傾斜角度(i_1、
i_2)において、i_1>i_2かつi_2=i_p
(i_p:偏光角)の条件を満たす傾斜角度に設定した
ことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の透明な試
料に対する欠陥検出装置。 - (7)上記照明手段による各照明光をS偏光、P偏向と
したことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の透明
な試料に対する欠陥検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60212435A JPS6273141A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60212435A JPS6273141A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6273141A true JPS6273141A (ja) | 1987-04-03 |
JPH0562696B2 JPH0562696B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=16622553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60212435A Granted JPS6273141A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6273141A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63186132A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-01 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
JPH01161138A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-23 | Toray Ind Inc | 異物検査方法 |
JPH01187437A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | Nikon Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JPH0261540A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
JPH02186248A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Canon Inc | 表面状態検査装置 |
WO1996028721A1 (fr) * | 1995-03-10 | 1996-09-19 | Hitachi, Ltd. | Procede d'inspection, appareil d'inspection et production d'un dispositif semi-conducteur faisant appel a ce procede et a cet appareil |
EP0764845A2 (de) * | 1995-09-19 | 1997-03-26 | AUTRONIC Gesellschaft für Bildverarbeitung und Systeme mbH | Einrichtung zum Erfassen von Fehlstellen auf einer glatten Oberfläche |
JP2003130808A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP2005156537A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP2005201887A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | ガラス基板の検査方法及び検査装置、並びに表示用パネルの製造方法 |
JP2006250944A (ja) * | 2006-04-17 | 2006-09-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP2007071803A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP2007263884A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 欠陥識別装置及び方法 |
JP2011158453A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Samsung Corning Precision Glass Co Ltd | 平板ガラス表面の異物検出装置 |
JP2016126005A (ja) * | 2014-12-29 | 2016-07-11 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 表示装置の検査装置及び表示装置の検査方法 |
CN106471878A (zh) * | 2014-06-30 | 2017-03-01 | 富士机械制造株式会社 | 检测装置 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60212435A patent/JPS6273141A/ja active Granted
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63186132A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-01 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
JPH01161138A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-23 | Toray Ind Inc | 異物検査方法 |
JPH01187437A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | Nikon Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JPH0261540A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
JPH02186248A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Canon Inc | 表面状態検査装置 |
US5936726A (en) * | 1995-03-10 | 1999-08-10 | Hitachi Ltd. | Inspection method, inspection apparatus and method of production of semiconductor device using them |
WO1996028721A1 (fr) * | 1995-03-10 | 1996-09-19 | Hitachi, Ltd. | Procede d'inspection, appareil d'inspection et production d'un dispositif semi-conducteur faisant appel a ce procede et a cet appareil |
EP0764845A2 (de) * | 1995-09-19 | 1997-03-26 | AUTRONIC Gesellschaft für Bildverarbeitung und Systeme mbH | Einrichtung zum Erfassen von Fehlstellen auf einer glatten Oberfläche |
EP0764845A3 (de) * | 1995-09-19 | 1997-09-17 | Autronic Bildverarbeitung | Einrichtung zum Erfassen von Fehlstellen auf einer glatten Oberfläche |
JP2003130808A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置 |
US7299147B2 (en) | 2001-10-29 | 2007-11-20 | Hitachi, Ltd. | Systems for managing production information |
US7161671B2 (en) | 2001-10-29 | 2007-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting defects |
JP2005156537A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP4521240B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP4662424B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2011-03-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ガラス基板の検査方法及び検査装置、並びに表示用パネルの製造方法 |
JP2005201887A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | ガラス基板の検査方法及び検査装置、並びに表示用パネルの製造方法 |
JP2007071803A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP2007263884A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 欠陥識別装置及び方法 |
JP2006250944A (ja) * | 2006-04-17 | 2006-09-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP2011158453A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Samsung Corning Precision Glass Co Ltd | 平板ガラス表面の異物検出装置 |
CN106471878A (zh) * | 2014-06-30 | 2017-03-01 | 富士机械制造株式会社 | 检测装置 |
EP3163997A4 (en) * | 2014-06-30 | 2018-02-28 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Detection device |
US10184898B2 (en) | 2014-06-30 | 2019-01-22 | Fuji Corporation | Detection device |
CN106471878B (zh) * | 2014-06-30 | 2019-09-03 | 株式会社富士 | 检测装置 |
JP2016126005A (ja) * | 2014-12-29 | 2016-07-11 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 表示装置の検査装置及び表示装置の検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0562696B2 (ja) | 1993-09-09 |
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