JPS6319855B2

JPS6319855B2 -

Info

Publication number: JPS6319855B2
Application number: JP10675083A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiko Hara; Koichi Tsukazaki; Noriaki Ujiie
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1983-06-16
Filing date: 1983-06-16
Publication date: 1988-04-25
Also published as: JPS59232344A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は配線パターンの欠陥の有無を検出する
装置に係り、特にプリント基板の光沢のある半田
パターンやレジストパターンの配線パターンの欠
陥を検出するための検査装置の検出部として好適
な配線パターン検出装置に関するものである。

〔発明の背景〕

例えばプリント基板などの表面に形成された配
線パターンの欠陥の有無を検出するには、従来一
般に第１図に示すような検出装置が用いられてい
る。

本列の配線パターン検出装置は、プリント基板
（若しくはセラミツク基板）１の配線面２に光３
１を照射するための高輝度光源１１と、コンデン
サレンズ２１と、ハーフミラー２３および、前記
配線面２からの反射孔４５を検出するための検出
器１３および、該検出器１３に配線パターン像を
結像させるための結像レンズ２５から構成され、
プリント基板１の配線面２の配線パターン３から
の反射光４５に比し、基材４の表面からの反射光
が暗レベルに近いため、これを利用して、２値化
を行ない、配線パターンを検出する。

第２図は検出対象物であるプリント基板の一例
を示す。基材４の配線面２に配線パターン３が形
成されている。

本例のプリント基板１は、配線パターン３の上
に傷５、変色部７を生じており、また配線パター
ンに跨つて残銅６が存在している。

上記の傷５を通るＡ−Ａ断面を第３図ａに、残
銅６を通るＢ−Ｂ断面を第３図ｂに、変色部７を
通るＣ−Ｃ断面を第３図ｃに、それぞれ示す。

第１図に示した従来の配線パターン検出器によ
つて第２図のような欠陥を有するプリント基板１
を検査した場合、傷５や変色部７には配線パター
ンが存在していて機能的には正常であるにも拘ら
ずこれを断線と誤検出する。また、残銅６はパタ
ーン間をシヨートせしめている欠陥であるにも拘
らず、この残銅の表面が暗く見えるので欠陥とし
て検出できないという不具合が有る。

上に述べた従来装置（第１図）による誤検出の
状態を、第４図について次に説明する。本図の横
軸は位置を示し、縦軸は検出器１３で光電変換さ
れた電圧を示す。電圧V₀はスルーホール８のレ
ベル即ち暗レベルを示し、電圧V₁は基材４のレ
ベルを示し、電圧V₂は配線パターン３のレベル
を示し、電圧V₃は検出器１３の飽和レベルを示
し、電圧V_Tはシユレツシヨルドレベルを示す。
傷５については第４図ａに示すごとく、傷５から
の異常に強い正反射光が検出器１３に入り、検出
器１３は飽和電圧V₃に達し、ブルーミング現象
を起こしてA′の位置はシユレツシヨルドレベル
V_Tに対して上下を往復する電圧と成り、異常と
して検出される。変色部７については第４図ｃに
示すごとく、該変色部７の光の反射率が低いた
め、本来の配線パターン３に相当した電圧V₂に
比し、シユレツシヨルドレベルV_Tよりも低い電
圧V₅しか得られずC′の位置はあたかも配線パタ
ーン３が存在しないものと、即ち断線していると
誤検出される。残銅６については第３図ｂに示す
ごとく、肉厚が通常の配線パターン３に比べ薄
く、かつ表面反射率が低いため本来の配線パター
ン３に相当した電圧V₂に比して低く、シユレツ
シヨルドレベルV_Tよりも低い電圧V₄しか得られ
ずB′の位置はあたかも残銅６が存在しないごと
く検出される。

また、配線パターン３の表面が、光沢半田めつ
きでできているいわゆる半田パターンにおいては
光沢のためピカツト光る異常に強い正反射光が検
出器１３に入るため、配線パターン３上に傷５が
存在する場合と同様の現象が発生し、プリント基
板１としては正常であるにもかかわらず、異常と
して検出されるため第１図に示すごとき従来のパ
ターン検出装置では正確にパターンを検出できな
いという問題があつた。

〔発明の目的〕

本発明は上述の事情に鑑みて為され、その目的
とするところは、配線パターン上の傷や変色を異
常として検出することなく、かつプリント基板と
して欠陥となる残銅等は見逃すことなく検出し、
更に半田パターンやレジストパターンの様な表面
が光沢のある配線面を有する配線パターンであつ
ても正確に欠陥の有無を検知することのできるパ
ターン検出装置を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明者らは、配線パターン上の傷や変色ある
いは光沢に影響されず、かつ表面反射率の小さい
残銅等の検出も可能な配線パターンの影を得る方
法を研究した結果、プリント基板やレジストパタ
ーンあるいはセラミツク基板の配線面に紫系の強
い光を照射すると、基材やレジストから螢光が発
生することが判り、これを検出することにより、
検出対象である配線パターンのネガチブ像か得ら
れることを発見した。

この原理に基づいて配線パターンの欠陥の有無
を正確に検出するため、本発明のパターン検出装
置は、被検物の表面に形成した配線パターンに光
を照射するための光源と、上記の光源から発した
光の中から螢光を発生させる能力の大きい波長の
光を選別する手段と、被検物から発生した螢光を
被検物による反射光から分離する手段と、螢光を
検出する検出器と、被検物から発生した螢光を上
記の検出器に結像させる光学的手段とを備え、被
検物表面の配線パターン以外の部分から発生する
螢光の像を検出して配線パターンのネガチブパタ
ーンを検知できるようにしたことを特徴とする。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を第５図乃至第７図に
ついて詳細に説明する。

第５図において、プリント基板１、高輝度光源
１１、コンデンサレンズ２１、ハーフミラー２
３、結像レンズ２５、検出器１３の構成は第１図
に示した従来のパターン検出装置と同じである
が、新たにフイルタ２２およびフイルタ２４を設
けてある。第５図において、高輝度光源１１から
発した光３１はコンデンサレンズ２１を通りフイ
ルタ２２へ入る。フイルタ２２はプリント基板１
やレジストパターンあるいはセラミツク基板の基
材あるいはレジストから螢光が発生しやすいよう
に、高輝度光源１１から発した光３１の波長を限
定するためのフイルタで、例えば第６図に示すご
とき一般にブルーフイルタＢ３７０と呼称されて
いるもので透過率の最大が波長370nｍにあり、
波長300nｍから460nｍまでの波長の光のみを透
過させるものである。限定された波長の光はハー
フミラー２３で光路を90度変更されてプリント基
板１の配線面２を照射し、基材あるいはレジスト
から螢光を発生させるための励起光として働く。
基材あるいはレジストから発生した螢光と配線面
２での反射光の合わさつた光４１は、再度ハーフ
ミラー２３を通過してフイルタ２４に入る。フイ
ルタ２４はプリント基板１の配線面２の表面で反
射した反射光と螢光とを分離するため前記励起光
３２の限定された波長域以外の螢光４２のみを透
過させるもので、例えば第７図に示すごとき一般
にイエローフイルタＹ５０と呼称されているもの
で、波長500nｍ以下の光を反射し、波長500nｍ
以上の光を透過させるものである。フイルタ２４
で配線面２からの反射光と分離された螢光４２
は、結像レンズ２５で検出器１３の光電変換面に
結像されるため、プリント基板１の配線パターン
のネガチブなパターン像が得られる。第５図に示
した本発明の一実施例ではプリント基板やレジス
トパターンあるいはセラミツク基板の基材やレジ
ストから発生する螢光を検出するパターン検出装
置として作用するので、第２図に示した配線パタ
ーン３上に存在する傷５や変色部７の影響はな
く、また、配線パターンに光沢があつても問題な
く配線パターンのネガチブパターンの検出が可能
である。更に、第２図に示した様な基材４の表面
上に反射率の小さい残銅６が存在すると基材４か
ら発する螢光が遮断されるため、その部分の螢光
は検出されず、従つて欠陥ありとして検出され
る。これらの状態を、検出結果を示す第８図を用
いて次に説明する。第８図は第４図と同様、横軸
は位置を示し、縦軸は検出器１３で光電変換され
た電圧を示す。電圧V₀はスルーホール８のレベ
ル即ち暗レベルを示し、電圧V₆は配線パターン
３のレベルを示し、電圧V₇は基材４のレベルを
示し、電圧V_Tはシユレツシヨルドレベルを示す。
また第８図ａ，ｂ，ｃの各図は第４図ａ，ｂ，ｃ
と同様、それぞれ第２図および第３図に示した傷
５、残銅６、変色部７の各部を検出器１３がとら
えた検出効果を示すものである。傷５について
は、第８図ａに示すごとく、螢光が検出されない
のでA′の位置は電圧V₆のレベルとなり、シユレ
ツシヨルドレベルV_Tよりも低くなつて配線パタ
ーンとして正常に検出される。また変色部７につ
いては、第８図ｃに示すごとく、螢光が検出され
ないのでC′の位置は電圧V₆のレベルとなり、シ
ユレツシヨルドレベルV_Tよりも低くなつて配線
パターンとして正常と検出される。更に残銅６に
ついては、第８図ｂに示すごとく、螢光が検出さ
れないのでB′の位置は電圧V₆のレベルとなり、
シユレツシヨルドレベルV_Tよりも低くなつた異
常として検出され、残銅６の存在が認識されるこ
とになる。

また、配線パターン３の表面が、光沢半田めつ
きでできているいわゆる半田パターンにおいても
第２図における基材４の部分の螢光を検出するこ
とについては詳細に説明した前記例と変わること
がないため、正確に配線パターンを検出すること
ができる。

第５図の実施例においては、高輝度光源１１と
して超高圧水銀灯、又はクセノンランプ或いはレ
ーザーを用いると、これらの光源が螢光励起能力
の大きい波長の光を含んでいるので好適である。
また、本例における検出器１３として高感度リニ
ヤセンサを用いると次記のようにして静止画像を
得るのに好都合である。

この場合プリント基板１は高感度リニアセンサ
の光電素子の並ぶ方向と直角な方向に連続送りを
行ない、かつ平行な方向にステツプ送りする手段
を設けて平行方向にステツプ送りすると、配線パ
ターンのネガチブパターンの静止画像を検出でき
る。

第９図は上記と異なる実施例である。第９図に
おいて、プリント基板１、高輝度光源１１、コン
デンサレンズ２１、フイルタ２２、ハーフミラー
２３、フイルタ２４、及び結像レンズ２５の構成
は第５図に示した実施例と同じであるが、検出器
として高感度テレビカメラ１４を用いた点のみが
異なり、プリント基板１の走査を除きその動作は
第５図の実施例と同じであるため説明を省略す
る。高感度テレビカメラ１４は面として配線パタ
ーン情報を得るため、プリント基板１を縦横方向
にステツプ送りすることによつて、配線パターン
３のネガパターンを検出できる。

第１０図は更に異なる実施例を示す。本図にお
いて、プリント基板１、高輝度光源１１、コンデ
ンサレンズ２１、結像レンズ２５、リニアセンサ
１３の構成は第５図に示した実施例と同じである
が、第５図におけるフイルタ２２、ハーフミラー
２３、フイルタ２４がダイクロイツクミラー２６
に代わつている点が異なる。従つて、第１図に示
した従来の配線パターン検出器と比較して見る
と、主たる相異点は第１図のハーフミラー２３を
ダイクロイツクミラー２６に変えたことである。
第１０図において、高輝度光源１１から発した光
３１はコンデンサレンズ２１を通り、ダイクロイ
ツクミラー２６へ入る。ダイクロイツクミラー２
６は、45度方向からの入射光に対して、青系の光
を反射し、赤系の光を透過する性質を有し、例え
ば、第１１図に示すごとく、45度方向の入射光に
対して、波長460nｍ以下の光の透過率は０％で、
波長510nｍ以上の光の透過率は90％以上である。
従つてダイクロイツクミラー２６に45度方向から
入射した光３１は波長460nｍ以下の光に限定さ
れて光路を90度変更され、プリント基板１の配線
面２を照射し、第５図の実施例におけるフイルタ
２２と、ハーフミラー２３とを兼ね備えた機能を
果たし、照射光は基材あるいはレジストからの螢
光を発生させるための励起光３３として働く。基
材あるいはレジストから発生した螢光と配線面２
での反射光の合わさつた光４１は再度ダイクロイ
ツクミラー２６に入るが、今度は赤系の光が透過
するため、ダイクロイツクミラー２６を透過した
光４３はプリント基板１の配線面２での反射光が
カツトされた螢光のみとなる。従つてダイクロイ
ツクミラー２６は第５図におけるフイルタ２４の
機能も併せ兼ね備えた機能を持つ。螢光４３は結
像レンズ２５でリニアセンサ１３の光電変換面に
結像されるため、第５図と同様プリント基板１の
配線パターンのネガパターン像が得られる。なお
ダイクロイツクミラー２６を使用することによつ
て、フイルタ２２、ハーフミラー２３、フイルタ
２４を用いた実施例に比して光の透過率の減少を
大巾に改善できるため、光量の小さい螢光の検出
にとつては有利なパターン検出装置を構成できる
利点がある。

第１２図は本発明の他の実施例を示す。第１２
図において、プリント基板１、高輝度光源１１、
コンデンサレンズ２１、フイルタ２２、フイルタ
２４、結像レンズ２５、及びリニアセンサ１３の
構成は第５図に示した実施例と同じであるが、第
５図におけるハーフミラー２３の代わりに凹面鏡
２７を設けた点が異なる。上記の凹面鏡２７の代
りに平面鏡（図示せず）を用いることもできる。
本例の作用は第５図の実施例と同じであるため説
明を省略する。なお凹面鏡（あるいは平面鏡）２
７を使用した場合、第５図に示すハーフミラー２
３を使用する場合に比べ、ハーフミラー２３で反
射あるいは透過することによる光量の損失がなく
なり、光量の小さい螢光の検出にとつては有利な
パターン検出装置を構成できる利点がある。

第１３図に、本発明の他の一実施例を示す。第
１３図において、プリント基板１、コンデンサレ
ンズ２１、フイルタ２２、ハーフミラー２３、フ
イルタ２４、結像レンズ２５、及び高感度テレビ
カメラ１４の構成は第９図に示した実施例と同じ
であるが、第９図における高輝度光源１１の代わ
りにストロボスコープ１２を設置した点が異な
り、プリント基板１の走査を除きその動作は第９
図と同じである。

プリント基板１の縦方向、あるいは横方向のど
ちらか一方は連続送りし、ストロボスコープ１２
をプリント基板１の送り速度と同期をとつて発光
させることによつて、配線パターンの面としての
情報を静止画像としてとらえ、配線パターン３の
ネガパターンを検出できる。本実施例によれば、
プリント基板１を連続送りしながら、配線パター
ンの静止画像を検出できるため、高輝度光源１１
を使用する場合のようにプリント基板１をステツ
プ送りする必要がないため、配線パターンの検出
に要する時間を大巾に縮減できる利点がある。

第１４図は更に異なる実施例を示す。本図にお
いて、プリント基板１、高輝度光源１１、コンデ
ンサレンズ２１、フイルタ２４、ハーフミラー２
３、フイルタ２４、結像レンズ２５、及び高感度
テレビカメラ１４の構成は第９図に示した実施例
と同じであるが、シヤツタ２８を新たに設けてあ
る点が異なり、プリント基板１の走査を除きその
動作は第９図と同じであるため説明は省略する。
第１４図における動作は第１３図におけるストロ
ボスコープ１２の発光のタイミングをシヤツタ２
８の開閉動作によつて行なうもので、配線パター
ン３のネガチブパターンの静止画像の検出につい
ては第１３図と同じであるので説明は省略する。

第１５図は更に異なる実施例を示す。本実施例
においては、プリント基板１やセラミツク基板の
配線面２に光３４を照射するレーザー１６と、レ
ーザー光ビームを拡大するビーム拡大器１７と、
配線面２にレーザービームを走査するための回転
ミラー１８と、レーザ光をスポツト光に絞るため
のスキヤニングレンズ１９と、プリント基板１や
レジストパターンあるいはセラミツク基板の基材
４あるいはレジストから発生する螢光を効率良く
集光し、かつ検出器に導く光フアイバー２０と、
配線面２から発生する反射光をカツトし、前記の
螢光のみを透過するフイルタ２４と、前記の螢光
を検出するためのフオトマルチプライヤ１５を設
置してある。前記の螢光が発生しやすいように波
長が限定されたレーザー１６から発したビーム光
３４をビーム拡大器１７で拡大し、回転ミラー１
８によつてプリント基板１の配線面２の所定の位
置を走査しながらスキヤンニングレンズ１９でス
ポツト光にして配線面２を照射する。基材４ある
いはレジストに照射された場合には螢光が発生
し、配線パターン３に照射された場合には螢光は
発生しない。螢光は光フアイバー２０で集光し、
レーザー光の波長域の光の透過率を０％にして螢
光のみ透過するようにしたフイルタ２４を通して
フオトマルチプライヤ１５で検出する。従つて、
本発明の他の実施例と同様、プリント基板１の配
線パターンのネガチブパターン像が得られる。

第１６図乃至第１８図は、前述した各実施例の
装置を用いてレジストパターンを検出する方法の
説明図である。これらの図について次に述べる検
出方法は、既述の第５図の実施例装置をはじめ、
第９図、第１０図、第１２図、第１４図、第１５
図にそれぞれ示した各実施例装置によつて行なう
ことができる。

第１６図はレジストパターン９が形成された状
態のプリント基板半製品１′の配線面２′を示すも
のでレジスト配線パターン９以外は銅箔１０であ
り、第１６図のＤ−Ｄ断面図を第１７図に示す。
このプリント基板１′は銅箔１０の上にレジスト
パターン９が形成されている。第１８図は第１６
図のＤ−Ｄ線上を前記の本発明の実施例のパター
ン検出装置で走査して欠陥を検出した結果を示す
もので、横軸は位置を示し、縦軸は検出器で光電
変換された電圧を示す。電圧V₈は銅箔１０のレ
ベルを示し、電圧V₉はレジスト配線パターン９
のレベルを示し、電圧V_Tはシユレツシヨルドレ
ベルを示す。この第１８図から明らかなようにレ
ジスト配線パターン９の検出が可能である。

次に、本発明の他の実施例を第１９図を用いて
詳細に説明する。第１９図において、プリント基
板１、フイルタ２４、結像レンズ２５、検出器１
３の構成は第５図に示した実施例と同じである
が、高輝度光源１１、コンデンサレンズ２１を、
プリント基板１の配線面２の裏面に相当する配線
面２″側に配設し、高輝度光源１１から発した光
が配線面２″を斜め下方から照射するように構成
してある。即ち、第５図の実施例に比べて見る
と、第５図におけるハーフミラー２３に代わつて
１対のミラー２９と１対の凹面鏡（あるいは平面
鏡）３０とを新たに追加した構成となつている。
従つて、配線面２″を照射する光３２はプリント
基板１の基材４を透過し、あるいはスルーホール
を通過して、配線面２から上方へ出ていく。その
後の作用は第５図の実施例とほぼ同様であるが、
次記の長所が有る。

第５図の実施例においては、フイルタ２２の
光特性が不完全で波長500nｍ以上の光が若干漏
れた場合、この漏洩光が検出器１３に入射してノ
イズを発生させるという不具合を生じる。しか
し、第１９図に示した実施例においては、配線パ
ターン３の表面（図において上面）で反射光が発
生しないので、フイルタ２２の光特性が完全で
なくても、漏洩した光が反射光として検出器１３
に達してノイズ源となる虞れが無い。なお、本例
において配線面２″に対して斜め方向から光を照
射する目的は配線面２″の配線パターンによつて
基材４に入射する光の影ができることを防止する
ためである。

〔発明の効果〕

以上詳述したように、本発明の配線パターン検
出装置によれば、配線パターン上の傷や変色を異
常として検出することなく、しかも残銅などの有
害物を異常として検出することができ、更に、半
田パターンやレジストパターンのような表面に光
沢のある配線面を有する配線パターンであつても
正確に欠陥の有無を検知することができるという
優れた実用的効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の配線パターン検出装置の側面
図、第２図はプリント基板の平面図、第３図ａは
第２図のＡ−Ａ断面図、第３図ｂは第２図のＢ−
Ｂ断面図、第３図ｃは第２図のＣ−Ｃ断面図、第
４図ａ，ｂ，ｃはそれぞれ従来の配線パターン検
出装置における検出結果を示す図表である。第５
図は本発明の配線パターン検出装置の１実施例の
側面図、第６図及び第７図はそれぞれ上記実施例
に用いたフイルタの特性を示す図表、第８図ａ，
ｂ，ｃはそれぞれ上記の実施例装置における検出
結果を示す図表である。第９図及び第１０図はそ
れぞれ上記と異なる実施例の側面図、第１１図は
第１０図の実施例に用いたダイクロイツクミラー
の特性を示す図表である。第１２図、第１３図、
第１４図、第１５図はそれぞれ更に異なる実施例
の側面図である。第１６図はレジスト配線パター
ンを備えたプリント基板半製品の平面図、第１７
図は第１６図のＤ−Ｄ断面図、第１８図は第１６
図のプリント基板半製品の検出結果を示す図表で
ある。第１９図は前記と更に異なる実施例の側面
図である。１……プリント基板、１′……プリント基板半
製品、２，２′，２″……配線面、３……配線パタ
ーン、４……基材、５……傷、６……残銅、７…
変色部、８……スルーホール、９……レジスト配
線パターン、１０……銅箔、１１……高輝度光
源、１２……ストロボスコープ、１３……リニア
センサ、１４……高感度カメラ、１５……フオト
マルチプライヤ、１６……レーザー、１７……ビ
ーム拡大器、１８……回転ミラー、１９……スキ
ヤンニングレンズ、２０……光フアイバー、２１
……コンデンサレンズ、２２……フイルタ、２３
……ハーフミラー、２４……フイルタ、２５……
結像レンズ、２６……ダイクロイツクミラー、２
７……凹面鏡、２８……シヤツター、２９……ミ
ラー、３０……凹面鏡、３１……光源の光、３２
……励起光、３３……励起光、３４……レーザー
光、４１，４４……反射光と螢光の合わさつた
光、４２，４３……励起光の波長域をカツトされ
た螢光、４５……反射光。

Claims

【特許請求の範囲】１被検物の表面に形成した配線パターンに光を
照射するための光源と、上記の光源から発した光
の中から螢光励起能力の大きい波長の光を選別す
る手段と、被検物から発生した螢光を被検物によ
る反射光から分離する手段と、螢光を検出する検
出器と、被検物から発生した螢光を上記の検出器
に結像させる光学的手段とを備え、被検物表面の
配線パターン以外の部分から発生する螢光の像を
検出して配線パターンのネガチブパターンを検知
し得べくなしたることを特徴とする配線パターン
検出装置。２前記の光源は、これを超高圧水銀灯およびク
セノンランプおよびレーザーのいずれかの高輝度
光源とし、かつ、前記の螢光検出器はこれを高感
度リニアセンサとしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の配線パターン検出装置。３前記の螢光検出器は、これをテレビカメラと
し、かつ被検物を支承してステツプ送りする手段
を設けて被検物表面の配線パターンのネガチブパ
ターンの静止画像を検知し得べくなしたることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の配線パ
ターン検出装置。４前記の光源は、これを被検物の送り速度と同
期せしめて発光せしめる手段を備えたストロボス
コープとして、被検物を連続送りしながら静止画
像を検出し得べくなしたることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の配線パターン検出装置。５前記の光源と螢光検出器とを結ぶ光路の中間
に、被検物の送り速度に同期せしめて開閉作動せ
しめ得るシヤツタ手段を設け、被検物を連続送り
しながら静止画像を検出し得べくなしたることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の配線パ
ターン検出装置。６前記の光源から発した光を選別する手段およ
び螢光を分離する手段は、これをダイクロイツク
ミラーとしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至同第５項の内いずれか１項に記載の配線
パターン検出装置。７前記の光源は、該光源から発した光を被検物
表面に投射するための鏡を備えたものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の配線
パターン検出装置。８前記の光源はこれをレーザー光源とするとと
もに、前記の螢光検出器はこれをフオトマルチプ
ライヤとし、かつ、上記のレーザ光源はレーザー
光をスポツトに絞るためのスキヤニングレンズ
と、レーザー光を走査するための回転ミラーとを
備えたものとし、前記のフオトマルチプライヤは
被検物から発生した螢光を導くための光フアイバ
ーを備えたものとしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項の配線パターン検出装置。