JP2519363B2 - プリント基板における配線パタ―ンの欠陥検査方法 - Google Patents
プリント基板における配線パタ―ンの欠陥検査方法Info
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- JP2519363B2 JP2519363B2 JP3305920A JP30592091A JP2519363B2 JP 2519363 B2 JP2519363 B2 JP 2519363B2 JP 3305920 A JP3305920 A JP 3305920A JP 30592091 A JP30592091 A JP 30592091A JP 2519363 B2 JP2519363 B2 JP 2519363B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板を含む
プリント配線基板において配線パターンの残銅や欠け等
の欠陥を検査するプリント配線基板における配線パター
ンの欠陥検査方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】プリント基板の基材にはガラスエポキ
シ、ガラスポリイミドなどの有機材料が用いられてい
る。これらの材料に光を照射すると、照射した光の波長
よりも長い波長の蛍光が放出されることが知られてい
る。また、フォトレジストやＰＩＱのような有機材料か
らも同様に蛍光が発生する。一方、配線パタ−ン材料と
して用いられる金属（例えば、銅、半田、アルミニウ
ム、タングステン、銀、金）からは、このような蛍光は
発生しない。 【０００３】上記したような蛍光を発生するプリント板
基材と蛍光を発生しない配線パタ−ン材料とからなるプ
リント基板または、有機材料を表面または内部に含むセ
ラミック基材のような蛍光を発生する材料と配線パタ−
ンのような蛍光を発生しない材料とからなるセラミック
基板、等の配線パタ−ンの欠陥を検出する場合におい
て、従来のパタ−ン検出装置は、図１に示すごとく、プ
リント基板１やセラミック基板の配線面２に光３１を照
射する高輝度光源１１と、コンデンサレンズ２１と、ハ
−フミラ−２３と、前記配線面２からの反射光４１を検
出するための検出器１３と、該検出器１３に配線パタ−
ン像を結像するための結像レンズ２５から構成され、プ
リント基板１の配線面２の配線パタ−ン３からの反射光
４１に比し、基板を構成している基材４の表面からの反
射光が無視できるぐらい小さいため、これを利用して配
線パタ−ンを検出する。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかるに図２および第
３図に示すプリント基板１の配線パタ−ン３間に光の反
射率の低い残銅６が存在すると、本来ならプリント基板
１として欠陥であるため配線パタ−ン３と同じように検
出されなければならないにもかかわらず検出されないと
いう課題があった。図２はプリント基板の一例の平面図
で、図３(ａ)および(ｂ)はそれぞれ図２のＡ−Ａ線およ
びＢ−Ｂ線に沿って切った断面図である。 【０００５】図４(ａ)および(ｂ)は図１に示す装置を用
いてそれぞれＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿って走査した
ときの出力波形を示す図で、横軸は位置を示し、縦軸は
検出器１３で光電変換された電圧を示す。いま、図４
(ｂ)を用いて検出結果を説明するに、電圧Ｖ1は基材４
のレベルを示し、電圧Ｖ2は配線パタ−ン３のレベルを
示し、電圧Ｖ4は残銅６の位置Ｂのレベルを示す。電圧
Ｖ4は閾値レベルＶTよりも低いため、残銅６が存在しな
いごとく検出される。 【０００６】スル−ホ−ル８は配線パタ−ン３よりも高
い電圧Ｖ3を発生させる。配線パタ−ン３中に欠け５が
あるときは、図４(ａ)のＡに示すように、そこでは信号
もまた欠ける。 【０００７】また、他のパターン検出装置は図６に示す
ごとく、プリント基板１、高輝度光源１１、コンデンサ
レンズ21、ハーフミラー２３、結像レンズ２５1、検出
器１３1の構成は図１と同じであるが、あらたにフィル
タ２２およびフィルタ２４を設けて有り、高輝度光源１
１から発した光３１がフィルタ２２で波長を限定され、
励起光３２となって配線面２を照射し、基材４から発生
した蛍光と配線面２での反射光の合わさった光４２がフ
ィルタ２４で蛍光のみ透過されて光４３となり検出器１
３で検出されるため、配線パターンのネガパターンとし
て検出される。しかるに、図２および図３に示すプリン
ト基板１の配線パターン３の上部だけ欠けて断面積が小
さくなった欠け５が存在すると本来ならプリント基板１
として欠陥であるため配線パターン３として検出されて
はいけないにもかかわらず正常な配線パターン３と同じ
に検出されるという課題があった。 【０００８】図２のＡ−Ａ線に沿って走査して得られる
検出結果を示す図６(ａ)を用いて詳細に説明する。図６
は図４と同様、横軸は位置を示し、縦軸は検出器１３で
光電変換された電圧を示す。電圧Ｖ5は配線パターン３
のレベルを示し、電圧Ｖ6は基材４のレベルを示す。欠
け５の位置ＡのレベルはＶ5であり、配線パターン３と
して検出され、欠け５が存在しないごとく検出される。 【０００９】図６(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線に沿って走査し
て得られる検出結果を示し、図中Ｂは残銅６に対応す
る。 【００１０】以上、従来の反射光を検出するパターン検
出装置では光の反射率の低い残銅６を誤検出し、他方蛍
光を検出するパターン検出装置では配線パターンの上部
だけ欠けている欠け５を誤検出するという課題があっ
た。 【００１１】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、セラミック基板も含むプリント基板におい
て、反射率の低い残銅欠陥や表面だけが欠けた欠け欠陥
を見逃すことなく高信頼度で検査できるようにしたプリ
ント基板における配線パターンの欠陥検査方法を提供す
ることにある。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、有機材料を含む基材上に配線パターンを
形成したプリント基板における配線パターンの欠陥を検
査するプリント基板における配線パターン欠陥検査方法
において、螢光の波長より短い３００ｎｍ〜４６０ｎｍ
の波長に限定された励起光束を前記プリント基板の表面
に対してほぼ垂直に照明し、該照明された励起光束によ
って励起されて基材から発生する螢光のみを５００ｎｍ
以上の波長の光を透過するフィルタにより分離して結像
光学系で結像させて螢光画像として第１の光電変換手段
で受光して前記配線パターンのネガパターン画像信号と
して検出すると共に前記照明された励起光束によって配
線パターンの表面から反射する反射光およびスルーホー
ルを通して得られる反射光に相応する光を４６０ｎｍ以
下の波長の光を透過するフィルタにより分離して結像光
学系で結像させて反射画像として第２の光電変換手段で
受光して前記配線パターンのポジパターン画像信号とし
て検出し、前記螢光画像として検出された配線パターン
のネガパターン画像信号に基づいて配線パターンに相応
する暗レベルとして検出されたとき、前記反射画像とし
て検出された配線パターンのポジパターン画像信号から
配線パターンに相応しない暗レベルとして検出された場
合には配線パターンに残銅欠陥や欠け欠陥が存在すると
判定することを特徴とするプリント基板における配線パ
ターン欠陥検査方法である。 【００１３】 【００１４】 【作用】前記構成により、３００ｎｍ〜４６０ｎｍの波
長に限定された励起光束の照明によってプリント基板や
セラミック基板の基材から励起されて発生する螢光画像
を検出して残銅等の欠陥も含めて配線パターンのネガパ
ターンを検出する機能と、スルーホールも含めて正常な
配線パターン面から得られる上記励起光束による反射画
像を検出してスルーホールも含めて正常な配線パターン
のポジパターン（残銅等の欠陥及び欠け等の欠陥のいず
れも反射率が低く反射画像からは配線パターンに相応す
る明レベルとして検出されずに暗レベルとして検出され
る）を検出する機能とを併用したので、螢光画像からは
正常の配線パターンとして検出される配線パターン間に
存在する反射率が低い残銅欠陥と配線パターンの表面だ
けが欠けて反射率が低い欠け欠陥との両方を、参照する
ための基準の配線パターンの画像信号を準備することな
く高信頼度で検出することができる。 【００１５】 【実施例】図７において、プリント基板１、高輝度光源
１１、コンデンサレンズ２１、フィルタ２２、ハーフミ
ラー２３、フィルタ２４、結像レンズ２５1、検出器１
３1の構成は図５に示した蛍光検出方式の配線パターン
検出装置と同じであるが、新たに反射板１２、ハーフミ
ラー２３1、フィルタ２６、結像レンズ２５、検出器１
３が設けてある。図７において、高輝度光源１１から発
した光３１は、コンデンサレンズ２１を通り、フィルタ
２２ヘ入る。フィルタ２２は、プリント基板１の基材４
から蛍光が発生しやすいように高輝度光源１１から発し
た光３１の波長を限定するためのフィルタで、例えば、
波長３００ｎｍから４６０ｎｍまでの波長のみを透過さ
せる一般にブルーフィルタと呼称されているものであ
る。限定された波長の光はハーフミラー２３で光路を９
０度変更されてプリント基板１の配線面２を照射し、基
材４から蛍光を発生させるための励起光として働らく。
一方、配線パターン３に入射した光は反射し、スルーホ
ール８を通過した光は反射板１２に当たって反射する。
従って、図７に示す光４２は基材４から発生した蛍光
と、配線パターン３から反射した反射光と、反射板１２
で反射した反射光の合わさった光である。該光４２はも
う一つのハーフミラー２３1によって光路を２分され、
一方はフィルタ２４および結像レンズ２５1を通って検
出器１３1に入り、他方はフィルタ２６および結像レン
ズ２５を通って検出器１３に入る。フィルタ２４は基材
４から発生した蛍光のみを透過させるため、前記励起光
３２の限定された波長域以外の光を透過させるもので、
例えば波長５００ｎｍ以下の光を反射し、波長５００ｎ
ｍ以上の光を透過させる、一般にイエローフィルタと呼
称されるものである。フィルタ２４を透過した蛍光４３
は結像レンズ２５1で検出器１３1の光電変換面に結像さ
れるため、プリント基板１の配線パターンのネガパター
ンが得られる。検出結果は図６に示した結果と同じであ
る。一方フィルタ２６は配線パターン３から反射した反
射光と反射板で反射した反射光を透過させるため前記励
起光３２の限定された波長域と同じ光を透過させるもの
で、フィルタ２２と同じ特性を有するものである。フィ
ルタ２６を透過した反射光４４は結像レンズ２５で検出
器１３の光電変換面に結像されるため、プリント基板１
の配線パターンのポジパターンが得られる。検出結果は
光量の減少した割合に応じて電圧が小さくなるが、その
信号波形は図４に示した結果とほぼ同じである。検出器
１３1の分光感度特性は波長５００ｎｍ以上７００ｎｍ
以下のところにあるものが適当で、検出器１３の分光感
度特性は波長５００ｎｍ以下のところにあるものが適当
である。 【００１６】次に図８の検出回路および図９の信号波形
を用いて図２におけるＡ−Ａ線上およびＢ−Ｂ線上を検
出する動作を説明する。検出器１３から出力されるビデ
オ信号（反射画像信号）６１は、図４に示した信号（欠
け欠陥５があると反射率が低くなってビデオ信号も正常
の配線パターン面から得られる信号に比べて低くなって
欠け、残銅欠陥６があると反射率が低くなってビデオ信
号も正常の配線パターン面から得られる信号に比べて著
しく低くなる。）に相当し、検出器１３1 から出力され
たビデオ信号（蛍光画像信号）６２は、図６に示した信
号（欠け欠陥５および残銅欠陥６も共に配線パターン３
と同様に基材４から発生する蛍光が遮られる。）に相当
する。これらの信号は、それぞれの比較器５１および５
１1 によって閾値レベルＶT およびＶT1と比較され、デ
ジタル信号６３、６３1、６４、６４1として出力され
る。ここでディジタル信号６３、６４は、図１における
Ａ−Ａ線上の検出結果を示し、図９（ａ）に示す波形６
３、６４が対応する。ディジタル信号６３1、６４1は、
図１におけるＢ−Ｂ線上の検出結果を示し、図９（ｂ）
に示す波形６３1、６４1が対応する。これらディジタル
信号波形６３及び６３1は、欠け欠陥５および残銅欠陥
６が共に“０”レベルで示され、スルーホールも含めて
正常な配線パターン面から、“１”レベル（ポジパター
ン）で示される。一方ディジタル信号波形６４、６４1
は、欠け欠陥５および残銅欠陥６並びにスルーホールも
含めて正常な配線パターンから“０”レベル（ネガパタ
ーン）で示される。そしてディジタル信号６３および６
４は、ＯＲ回路５２でその論理和がとられ、図９（ａ）
に示す波形６５が論理和に対応するディジタル信号６５
となり、図２におけるＡ−Ａ線上の配線パターンの上部
のみが欠けた欠け欠陥５が検出できたことを示す。更に
ディジタル信号６３1および６４1についても、同様にＯ
Ｒ回路５２でその論理和がとられ、図９（ｂ）に示す波
形６５1が論理和に対応するディジタル信号６５1とな
り、図２におけるＢ−Ｂ線上の配線パターン間の残銅欠
陥６が検出されたことを示す。 【００１７】以上本発明の一実施例を説明したが、この
一実施例の他に、いろいろな変形や改良があり得ること
は勿論である。 【００１８】 【発明の効果】本発明によれば、３００ｎｍ〜４６０ｎ
ｍの波長に限定された励起光束の照明によってプリント
基板やセラミック基板の基材から励起されて発生する螢
光画像を検出して残銅等の欠陥も含めて配線パターンの
ネガパターンを検出する機能と、スルーホールも含めて
正常な配線パターン面からの上記励起光束による反射光
に基づく反射画像を検出してスルーホールも含めて正常
な配線パターンのポジパターン（残銅等の欠陥及び欠け
等の欠陥のいずれも反射率が低く反射画像からは配線パ
ターンに相応する明レベルとして検出されずに暗レベル
として検出される）を検出する機能とを併用したので、
従来の技術では難しかった配線パターン間に存在する反
射率が低い残銅欠陥および配線パターンの表面だけが欠
けている反射率の低い欠け欠陥を、参照するための基準
の配線パターンの画像信号を準備することなく、簡単な
構成で、高い信頼度で検出することができる効果を奏す
る。
プリント配線基板において配線パターンの残銅や欠け等
の欠陥を検査するプリント配線基板における配線パター
ンの欠陥検査方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】プリント基板の基材にはガラスエポキ
シ、ガラスポリイミドなどの有機材料が用いられてい
る。これらの材料に光を照射すると、照射した光の波長
よりも長い波長の蛍光が放出されることが知られてい
る。また、フォトレジストやＰＩＱのような有機材料か
らも同様に蛍光が発生する。一方、配線パタ−ン材料と
して用いられる金属（例えば、銅、半田、アルミニウ
ム、タングステン、銀、金）からは、このような蛍光は
発生しない。 【０００３】上記したような蛍光を発生するプリント板
基材と蛍光を発生しない配線パタ−ン材料とからなるプ
リント基板または、有機材料を表面または内部に含むセ
ラミック基材のような蛍光を発生する材料と配線パタ−
ンのような蛍光を発生しない材料とからなるセラミック
基板、等の配線パタ−ンの欠陥を検出する場合におい
て、従来のパタ−ン検出装置は、図１に示すごとく、プ
リント基板１やセラミック基板の配線面２に光３１を照
射する高輝度光源１１と、コンデンサレンズ２１と、ハ
−フミラ−２３と、前記配線面２からの反射光４１を検
出するための検出器１３と、該検出器１３に配線パタ−
ン像を結像するための結像レンズ２５から構成され、プ
リント基板１の配線面２の配線パタ−ン３からの反射光
４１に比し、基板を構成している基材４の表面からの反
射光が無視できるぐらい小さいため、これを利用して配
線パタ−ンを検出する。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかるに図２および第
３図に示すプリント基板１の配線パタ−ン３間に光の反
射率の低い残銅６が存在すると、本来ならプリント基板
１として欠陥であるため配線パタ−ン３と同じように検
出されなければならないにもかかわらず検出されないと
いう課題があった。図２はプリント基板の一例の平面図
で、図３(ａ)および(ｂ)はそれぞれ図２のＡ−Ａ線およ
びＢ−Ｂ線に沿って切った断面図である。 【０００５】図４(ａ)および(ｂ)は図１に示す装置を用
いてそれぞれＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿って走査した
ときの出力波形を示す図で、横軸は位置を示し、縦軸は
検出器１３で光電変換された電圧を示す。いま、図４
(ｂ)を用いて検出結果を説明するに、電圧Ｖ1は基材４
のレベルを示し、電圧Ｖ2は配線パタ−ン３のレベルを
示し、電圧Ｖ4は残銅６の位置Ｂのレベルを示す。電圧
Ｖ4は閾値レベルＶTよりも低いため、残銅６が存在しな
いごとく検出される。 【０００６】スル−ホ−ル８は配線パタ−ン３よりも高
い電圧Ｖ3を発生させる。配線パタ−ン３中に欠け５が
あるときは、図４(ａ)のＡに示すように、そこでは信号
もまた欠ける。 【０００７】また、他のパターン検出装置は図６に示す
ごとく、プリント基板１、高輝度光源１１、コンデンサ
レンズ21、ハーフミラー２３、結像レンズ２５1、検出
器１３1の構成は図１と同じであるが、あらたにフィル
タ２２およびフィルタ２４を設けて有り、高輝度光源１
１から発した光３１がフィルタ２２で波長を限定され、
励起光３２となって配線面２を照射し、基材４から発生
した蛍光と配線面２での反射光の合わさった光４２がフ
ィルタ２４で蛍光のみ透過されて光４３となり検出器１
３で検出されるため、配線パターンのネガパターンとし
て検出される。しかるに、図２および図３に示すプリン
ト基板１の配線パターン３の上部だけ欠けて断面積が小
さくなった欠け５が存在すると本来ならプリント基板１
として欠陥であるため配線パターン３として検出されて
はいけないにもかかわらず正常な配線パターン３と同じ
に検出されるという課題があった。 【０００８】図２のＡ−Ａ線に沿って走査して得られる
検出結果を示す図６(ａ)を用いて詳細に説明する。図６
は図４と同様、横軸は位置を示し、縦軸は検出器１３で
光電変換された電圧を示す。電圧Ｖ5は配線パターン３
のレベルを示し、電圧Ｖ6は基材４のレベルを示す。欠
け５の位置ＡのレベルはＶ5であり、配線パターン３と
して検出され、欠け５が存在しないごとく検出される。 【０００９】図６(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線に沿って走査し
て得られる検出結果を示し、図中Ｂは残銅６に対応す
る。 【００１０】以上、従来の反射光を検出するパターン検
出装置では光の反射率の低い残銅６を誤検出し、他方蛍
光を検出するパターン検出装置では配線パターンの上部
だけ欠けている欠け５を誤検出するという課題があっ
た。 【００１１】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、セラミック基板も含むプリント基板におい
て、反射率の低い残銅欠陥や表面だけが欠けた欠け欠陥
を見逃すことなく高信頼度で検査できるようにしたプリ
ント基板における配線パターンの欠陥検査方法を提供す
ることにある。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、有機材料を含む基材上に配線パターンを
形成したプリント基板における配線パターンの欠陥を検
査するプリント基板における配線パターン欠陥検査方法
において、螢光の波長より短い３００ｎｍ〜４６０ｎｍ
の波長に限定された励起光束を前記プリント基板の表面
に対してほぼ垂直に照明し、該照明された励起光束によ
って励起されて基材から発生する螢光のみを５００ｎｍ
以上の波長の光を透過するフィルタにより分離して結像
光学系で結像させて螢光画像として第１の光電変換手段
で受光して前記配線パターンのネガパターン画像信号と
して検出すると共に前記照明された励起光束によって配
線パターンの表面から反射する反射光およびスルーホー
ルを通して得られる反射光に相応する光を４６０ｎｍ以
下の波長の光を透過するフィルタにより分離して結像光
学系で結像させて反射画像として第２の光電変換手段で
受光して前記配線パターンのポジパターン画像信号とし
て検出し、前記螢光画像として検出された配線パターン
のネガパターン画像信号に基づいて配線パターンに相応
する暗レベルとして検出されたとき、前記反射画像とし
て検出された配線パターンのポジパターン画像信号から
配線パターンに相応しない暗レベルとして検出された場
合には配線パターンに残銅欠陥や欠け欠陥が存在すると
判定することを特徴とするプリント基板における配線パ
ターン欠陥検査方法である。 【００１３】 【００１４】 【作用】前記構成により、３００ｎｍ〜４６０ｎｍの波
長に限定された励起光束の照明によってプリント基板や
セラミック基板の基材から励起されて発生する螢光画像
を検出して残銅等の欠陥も含めて配線パターンのネガパ
ターンを検出する機能と、スルーホールも含めて正常な
配線パターン面から得られる上記励起光束による反射画
像を検出してスルーホールも含めて正常な配線パターン
のポジパターン（残銅等の欠陥及び欠け等の欠陥のいず
れも反射率が低く反射画像からは配線パターンに相応す
る明レベルとして検出されずに暗レベルとして検出され
る）を検出する機能とを併用したので、螢光画像からは
正常の配線パターンとして検出される配線パターン間に
存在する反射率が低い残銅欠陥と配線パターンの表面だ
けが欠けて反射率が低い欠け欠陥との両方を、参照する
ための基準の配線パターンの画像信号を準備することな
く高信頼度で検出することができる。 【００１５】 【実施例】図７において、プリント基板１、高輝度光源
１１、コンデンサレンズ２１、フィルタ２２、ハーフミ
ラー２３、フィルタ２４、結像レンズ２５1、検出器１
３1の構成は図５に示した蛍光検出方式の配線パターン
検出装置と同じであるが、新たに反射板１２、ハーフミ
ラー２３1、フィルタ２６、結像レンズ２５、検出器１
３が設けてある。図７において、高輝度光源１１から発
した光３１は、コンデンサレンズ２１を通り、フィルタ
２２ヘ入る。フィルタ２２は、プリント基板１の基材４
から蛍光が発生しやすいように高輝度光源１１から発し
た光３１の波長を限定するためのフィルタで、例えば、
波長３００ｎｍから４６０ｎｍまでの波長のみを透過さ
せる一般にブルーフィルタと呼称されているものであ
る。限定された波長の光はハーフミラー２３で光路を９
０度変更されてプリント基板１の配線面２を照射し、基
材４から蛍光を発生させるための励起光として働らく。
一方、配線パターン３に入射した光は反射し、スルーホ
ール８を通過した光は反射板１２に当たって反射する。
従って、図７に示す光４２は基材４から発生した蛍光
と、配線パターン３から反射した反射光と、反射板１２
で反射した反射光の合わさった光である。該光４２はも
う一つのハーフミラー２３1によって光路を２分され、
一方はフィルタ２４および結像レンズ２５1を通って検
出器１３1に入り、他方はフィルタ２６および結像レン
ズ２５を通って検出器１３に入る。フィルタ２４は基材
４から発生した蛍光のみを透過させるため、前記励起光
３２の限定された波長域以外の光を透過させるもので、
例えば波長５００ｎｍ以下の光を反射し、波長５００ｎ
ｍ以上の光を透過させる、一般にイエローフィルタと呼
称されるものである。フィルタ２４を透過した蛍光４３
は結像レンズ２５1で検出器１３1の光電変換面に結像さ
れるため、プリント基板１の配線パターンのネガパター
ンが得られる。検出結果は図６に示した結果と同じであ
る。一方フィルタ２６は配線パターン３から反射した反
射光と反射板で反射した反射光を透過させるため前記励
起光３２の限定された波長域と同じ光を透過させるもの
で、フィルタ２２と同じ特性を有するものである。フィ
ルタ２６を透過した反射光４４は結像レンズ２５で検出
器１３の光電変換面に結像されるため、プリント基板１
の配線パターンのポジパターンが得られる。検出結果は
光量の減少した割合に応じて電圧が小さくなるが、その
信号波形は図４に示した結果とほぼ同じである。検出器
１３1の分光感度特性は波長５００ｎｍ以上７００ｎｍ
以下のところにあるものが適当で、検出器１３の分光感
度特性は波長５００ｎｍ以下のところにあるものが適当
である。 【００１６】次に図８の検出回路および図９の信号波形
を用いて図２におけるＡ−Ａ線上およびＢ−Ｂ線上を検
出する動作を説明する。検出器１３から出力されるビデ
オ信号（反射画像信号）６１は、図４に示した信号（欠
け欠陥５があると反射率が低くなってビデオ信号も正常
の配線パターン面から得られる信号に比べて低くなって
欠け、残銅欠陥６があると反射率が低くなってビデオ信
号も正常の配線パターン面から得られる信号に比べて著
しく低くなる。）に相当し、検出器１３1 から出力され
たビデオ信号（蛍光画像信号）６２は、図６に示した信
号（欠け欠陥５および残銅欠陥６も共に配線パターン３
と同様に基材４から発生する蛍光が遮られる。）に相当
する。これらの信号は、それぞれの比較器５１および５
１1 によって閾値レベルＶT およびＶT1と比較され、デ
ジタル信号６３、６３1、６４、６４1として出力され
る。ここでディジタル信号６３、６４は、図１における
Ａ−Ａ線上の検出結果を示し、図９（ａ）に示す波形６
３、６４が対応する。ディジタル信号６３1、６４1は、
図１におけるＢ−Ｂ線上の検出結果を示し、図９（ｂ）
に示す波形６３1、６４1が対応する。これらディジタル
信号波形６３及び６３1は、欠け欠陥５および残銅欠陥
６が共に“０”レベルで示され、スルーホールも含めて
正常な配線パターン面から、“１”レベル（ポジパター
ン）で示される。一方ディジタル信号波形６４、６４1
は、欠け欠陥５および残銅欠陥６並びにスルーホールも
含めて正常な配線パターンから“０”レベル（ネガパタ
ーン）で示される。そしてディジタル信号６３および６
４は、ＯＲ回路５２でその論理和がとられ、図９（ａ）
に示す波形６５が論理和に対応するディジタル信号６５
となり、図２におけるＡ−Ａ線上の配線パターンの上部
のみが欠けた欠け欠陥５が検出できたことを示す。更に
ディジタル信号６３1および６４1についても、同様にＯ
Ｒ回路５２でその論理和がとられ、図９（ｂ）に示す波
形６５1が論理和に対応するディジタル信号６５1とな
り、図２におけるＢ−Ｂ線上の配線パターン間の残銅欠
陥６が検出されたことを示す。 【００１７】以上本発明の一実施例を説明したが、この
一実施例の他に、いろいろな変形や改良があり得ること
は勿論である。 【００１８】 【発明の効果】本発明によれば、３００ｎｍ〜４６０ｎ
ｍの波長に限定された励起光束の照明によってプリント
基板やセラミック基板の基材から励起されて発生する螢
光画像を検出して残銅等の欠陥も含めて配線パターンの
ネガパターンを検出する機能と、スルーホールも含めて
正常な配線パターン面からの上記励起光束による反射光
に基づく反射画像を検出してスルーホールも含めて正常
な配線パターンのポジパターン（残銅等の欠陥及び欠け
等の欠陥のいずれも反射率が低く反射画像からは配線パ
ターンに相応する明レベルとして検出されずに暗レベル
として検出される）を検出する機能とを併用したので、
従来の技術では難しかった配線パターン間に存在する反
射率が低い残銅欠陥および配線パターンの表面だけが欠
けている反射率の低い欠け欠陥を、参照するための基準
の配線パターンの画像信号を準備することなく、簡単な
構成で、高い信頼度で検出することができる効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の配線パターン検出装置を示す側面図であ
る。 【図２】プリント基板の平面図である。 【図３】プリント基板の断面図を示す図であり、(ａ)は
図２のＡ−Ａ線断面図、(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線断面図で
ある。 【図４】図２に示す従来の配線パターン検出装置による
検出結果を示す図であり、(ａ）は図２のＡ−Ａ線上の
検出結果を示す図、（ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の検出結
果を示す図である。 【図５】本発明に係る他の配線パターン検出装置を示す
側面図である。 【図６】図５に示す他の配線パターン検出装置による検
出結果を示す図であり、(ａ)は図２のＡ−Ａ線上の検出
結果を示す図、(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の検出結果を示
す図である。 【図７】本発明に係る配線パターン検出装置の一実施例
を示す側面図である。 【図８】本発明に係る配線パターンの異常検出回路の一
実施例を示す回路構成図である。 【図９】図８に示す検出回路の動作を説明するための波
形図であり、(ａ)は図２のＡ−Ａ線上の波形を示す図、
(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の波形を示す図である。 【符号の説明】 １…プリント基板、２…配線面、３…配線パターン、４
…基材、５…欠け、６…残銅、８…スルーホール、１１
…高輝度光源、１２…反射板、１３、１３1…検出器、
２１…コンデンサレンズ、２２…フィルタ、２３、２３
1…ハーフミラー、２４…フィルタ、２５、２５1…結像
レンズ、２６…フィルタ、３１…光源の光、３２…励起
光、４１…反射光、４２…蛍光、４３…励起光の波長域
をカットされた蛍光、４４…蛍光の波長域をカットされ
た反射光、５１、５１1…比較器、５２…ＯＲ回路、６
１、６２…ビデオ信号、６３、６３1、６４、６４1、６
５、６５1…ディジタル信号
る。 【図２】プリント基板の平面図である。 【図３】プリント基板の断面図を示す図であり、(ａ)は
図２のＡ−Ａ線断面図、(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線断面図で
ある。 【図４】図２に示す従来の配線パターン検出装置による
検出結果を示す図であり、(ａ）は図２のＡ−Ａ線上の
検出結果を示す図、（ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の検出結
果を示す図である。 【図５】本発明に係る他の配線パターン検出装置を示す
側面図である。 【図６】図５に示す他の配線パターン検出装置による検
出結果を示す図であり、(ａ)は図２のＡ−Ａ線上の検出
結果を示す図、(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の検出結果を示
す図である。 【図７】本発明に係る配線パターン検出装置の一実施例
を示す側面図である。 【図８】本発明に係る配線パターンの異常検出回路の一
実施例を示す回路構成図である。 【図９】図８に示す検出回路の動作を説明するための波
形図であり、(ａ)は図２のＡ−Ａ線上の波形を示す図、
(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の波形を示す図である。 【符号の説明】 １…プリント基板、２…配線面、３…配線パターン、４
…基材、５…欠け、６…残銅、８…スルーホール、１１
…高輝度光源、１２…反射板、１３、１３1…検出器、
２１…コンデンサレンズ、２２…フィルタ、２３、２３
1…ハーフミラー、２４…フィルタ、２５、２５1…結像
レンズ、２６…フィルタ、３１…光源の光、３２…励起
光、４１…反射光、４２…蛍光、４３…励起光の波長域
をカットされた蛍光、４４…蛍光の波長域をカットされ
た反射光、５１、５１1…比較器、５２…ＯＲ回路、６
１、６２…ビデオ信号、６３、６３1、６４、６４1、６
５、６５1…ディジタル信号
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．有機材料を含む基材上に配線パターンを形成したプ
リント基板における配線パターンの欠陥を検査するプリ
ント基板における配線パターン欠陥検査方法において、
螢光の波長より短い３００ｎｍ〜４６０ｎｍの波長に限
定された励起光束を前記プリント基板の表面に対してほ
ぼ垂直に照明し、該照明された励起光束によって励起さ
れて基材から発生する螢光のみを５００ｎｍ以上の波長
の光を透過するフィルタにより分離して結像光学系で結
像させて螢光画像として第１の光電変換手段で受光して
前記配線パターンのネガパターン画像信号として検出す
ると共に前記照明された励起光束によって配線パターン
の表面から反射する反射光およびスルーホールを通して
得られる反射光に相応する光を４６０ｎｍ以下の波長の
光を透過するフィルタにより分離して結像光学系で結像
させて反射画像として第２の光電変換手段で受光して前
記配線パターンのポジパターン画像信号として検出し、
前記螢光画像として検出された配線パターンのネガパタ
ーン画像信号に基づいて配線パターンに相応する暗レベ
ルとして検出されたとき、前記反射画像として検出され
た配線パターンのポジパターン画像信号から配線パター
ンに相応しない暗レベルとして検出された場合には配線
パターンに残銅欠陥や欠け欠陥が存在すると判定するこ
とを特徴とするプリント基板における配線パターン欠陥
検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3305920A JP2519363B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | プリント基板における配線パタ―ンの欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3305920A JP2519363B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | プリント基板における配線パタ―ンの欠陥検査方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58169176A Division JPS6061648A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | パタ−ン検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273138A JPH05273138A (ja) | 1993-10-22 |
| JP2519363B2 true JP2519363B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=17950893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3305920A Expired - Lifetime JP2519363B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | プリント基板における配線パタ―ンの欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2519363B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IN176027B (ja) * | 1988-08-12 | 1995-12-23 | Alcan Int Ltd | |
| US8290239B2 (en) | 2005-10-21 | 2012-10-16 | Orbotech Ltd. | Automatic repair of electric circuits |
| WO2011037121A1 (ja) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 宇部興産株式会社 | 金属パターン形成樹脂基板の表面検査方法及び製造方法 |
| JP5471236B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-04-16 | 宇部興産株式会社 | 金属パターン形成樹脂基板の表面検査方法及び製造方法 |
| CN109459438B (zh) * | 2018-11-27 | 2023-06-20 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种缺陷检测设备及方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436336A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-06 | C I Kasei Co Ltd | 低自然収縮性ポリ塩化ビニル系フイルム |
-
1991
- 1991-11-21 JP JP3305920A patent/JP2519363B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436336A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-06 | C I Kasei Co Ltd | 低自然収縮性ポリ塩化ビニル系フイルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05273138A (ja) | 1993-10-22 |
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