JPH05273138A - 配線パターン検出方法およびその装置 - Google Patents
配線パターン検出方法およびその装置Info
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- JPH05273138A JPH05273138A JP30592091A JP30592091A JPH05273138A JP H05273138 A JPH05273138 A JP H05273138A JP 30592091 A JP30592091 A JP 30592091A JP 30592091 A JP30592091 A JP 30592091A JP H05273138 A JPH05273138 A JP H05273138A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】反射率の低い残銅欠陥や表面だけが欠けた欠け
欠陥を見逃すことなく高信頼度で検査できるようにした
配線パターン検出方法およびその装置を提供する。 【構成】プリント基板やセラミック基板１に高輝度光源
１１から蛍光が含まれない励起光を照射し、前記基板１
からの光をハーフミラー２３1によって二つの光路に分
岐し、フィルタ２２により前記基板の基材が励起されて
発生する蛍光の像を結像レンズ２５により検出器１３に
結像させて該検出器１３から配線のネガパターンを得、
フィルタ２４により前記基板１の配線パターンの表面か
ら反射する反射光の像を結像レンズ２５1により検出器
１３1に結像させて該検出器１３1から配線のポジパター
ンを得、これら検出器１３からの配線のネガパターンと
検出器１３1からの配線のポジパターンとに基づいて残
銅や欠け等の欠陥を正確に検出する。
欠陥を見逃すことなく高信頼度で検査できるようにした
配線パターン検出方法およびその装置を提供する。 【構成】プリント基板やセラミック基板１に高輝度光源
１１から蛍光が含まれない励起光を照射し、前記基板１
からの光をハーフミラー２３1によって二つの光路に分
岐し、フィルタ２２により前記基板の基材が励起されて
発生する蛍光の像を結像レンズ２５により検出器１３に
結像させて該検出器１３から配線のネガパターンを得、
フィルタ２４により前記基板１の配線パターンの表面か
ら反射する反射光の像を結像レンズ２５1により検出器
１３1に結像させて該検出器１３1から配線のポジパター
ンを得、これら検出器１３からの配線のネガパターンと
検出器１３1からの配線のポジパターンとに基づいて残
銅や欠け等の欠陥を正確に検出する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線パタ−ンの欠陥を検
出するパタ−ン検出装置に係り、特にプリント基板の配
線パタ−ンの欠陥を検出するための検査装置の検出部と
して好適なパタ−ン検出装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】プリント基板の基材にはガラスエポキ
シ、ガラスポリイミドなどの有機材料が用いられてい
る。これらの材料に光を照射すると、照射した光の波長
よりも長い波長の蛍光が放出されることが知られてい
る。また、フォトレジストやＰＩＱのような有機材料か
らも同様に蛍光が発生する。一方、配線パタ−ン材料と
して用いられる金属（例えば、銅、半田、アルミニウ
ム、タングステン、銀、金）からは、このような蛍光は
発生しない。 【０００３】上記したような蛍光を発生するプリント板
基材と蛍光を発生しない配線パタ−ン材料とからなるプ
リント基板または、有機材料を表面または内部に含むセ
ラミック基材のような蛍光を発生する材料と配線パタ−
ンのような蛍光を発生しない材料とからなるセラミック
基板、等の配線パタ−ンの欠陥を検出する場合におい
て、従来のパタ−ン検出装置は、図１に示すごとく、プ
リント基板１やセラミック基板の配線面２に光３１を照
射する高輝度光源１１と、コンデンサレンズ２１と、ハ
−フミラ−２３と、前記配線面２からの反射光４１を検
出するための検出器１３と、該検出器１３に配線パタ−
ン像を結像するための結像レンズ２５から構成され、プ
リント基板１の配線面２の配線パタ−ン３からの反射光
４１に比し、基板を構成している基材４の表面からの反
射光が無視できるぐらい小さいため、これを利用して配
線パタ−ンを検出する。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかるに図２および第
３図に示すプリント基板１の配線パタ−ン３間に光の反
射率の低い残銅６が存在すると、本来ならプリント基板
１として欠陥であるため配線パタ−ン３と同じように検
出されなければならないにもかかわらず検出されないと
いう課題があった。図２はプリント基板の一例の平面図
で、図３(ａ)および(ｂ)はそれぞれ図２のＡ−Ａ線およ
びＢ−Ｂ線に沿って切った断面図である。 【０００５】図４(ａ)および(ｂ)は図１に示す装置を用
いてそれぞれＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿って走査した
ときの出力波形を示す図で、横軸は位置を示し、縦軸は
検出器１３で光電変換された電圧を示す。いま、図４
(ｂ)を用いて検出結果を説明するに、電圧Ｖ1は基材４
のレベルを示し、電圧Ｖ2は配線パタ−ン３のレベルを
示し、電圧Ｖ4は残銅６の位置Ｂのレベルを示す。電圧
Ｖ4は閾値レベルＶTよりも低いため、残銅６が存在しな
いごとく検出される。 【０００６】スル−ホ−ル８は配線パタ−ン３よりも高
い電圧Ｖ3を発生させる。配線パタ−ン３中に欠け５が
あるときは、図４(ａ)のＡに示すように、そこでは信号
もまた欠ける。 【０００７】また、他のパターン検出装置は図６に示す
ごとく、プリント基板１、高輝度光源１１、コンデンサ
レンズ21、ハーフミラー２３、結像レンズ２５1、検出
器１３1の構成は図１と同じであるが、あらたにフィル
タ２２およびフィルタ２４を設けて有り、高輝度光源１
１から発した光３１がフィルタ２２で波長を限定され、
励起光３２となって配線面２を照射し、基材４から発生
した蛍光と配線面２での反射光の合わさった光４２がフ
ィルタ２４で蛍光のみ透過されて光４３となり検出器１
３で検出されるため、配線パターンのネガパターンとし
て検出される。しかるに、図２および図３に示すプリン
ト基板１の配線パターン３の上部だけ欠けて断面積が小
さくなった欠け５が存在すると本来ならプリント基板１
として欠陥であるため配線パターン３として検出されて
はいけないにもかかわらず正常な配線パターン３と同じ
に検出されるという課題があった。 【０００８】図２のＡ−Ａ線に沿って走査して得られる
検出結果を示す図６(ａ)を用いて詳細に説明する。図６
は図４と同様、横軸は位置を示し、縦軸は検出器１３で
光電変換された電圧を示す。電圧Ｖ5は配線パターン３
のレベルを示し、電圧Ｖ6は基材４のレベルを示す。欠
け５の位置ＡのレベルはＶ5であり、配線パターン３と
して検出され、欠け５が存在しないごとく検出される。 【０００９】図６(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線に沿って走査し
て得られる検出結果を示し、図中Ｂは残銅６に対応す
る。 【００１０】以上、従来の反射光を検出するパターン検
出装置では光の反射率の低い残銅６を誤検出し、他方蛍
光を検出するパターン検出装置では配線パターンの上部
だけ欠けている欠け５を誤検出するという課題があっ
た。 【００１１】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、反射率の低い残銅欠陥や表面だけが欠けた欠
け欠陥を見逃すことなく高信頼度で検査できるようにし
た配線パターン検出方法およびその装置を提供すること
にある。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、反射光検出と蛍光検出を併用してプリン
ト基板やセラミック基板の配線パターンを検出すること
にある。 【００１３】即ち、本発明は、反射光を検出する方式
と、蛍光を検出する方式を併用した配線パターン検出装
置を研究した結果、反射光を検出する方式において、結
像レンズの前に新たにフィルタを設けて蛍光をカットす
ることにより、反射光の検出による配線パターンの検出
が可能であるという本発明者等の知見に基づいてなされ
たものである。 【００１４】 【作用】前記構成によれば、プリント基板やセラミック
基板の基材から発生する蛍光を検出して配線パターンの
ネガパターンを検出する機能と、配線面から反射する反
射光を検出して配線パターンのポジパターンを検出する
機能とを併用したので、配線パターン間に存在する反射
率が低い残銅等の欠陥と配線パターンの表面だけ欠けて
いる欠け等の欠陥を高信頼度で正確に検出することがで
きる。 【００１５】 【実施例】図７において、プリント基板１、高輝度光源
１１、コンデンサレンズ２１、フィルタ２２、ハーフミ
ラー２３、フィルタ２４、結像レンズ２５1、検出器１
３1の構成は図５に示した蛍光検出方式の配線パターン
検出装置と同じであるが、新たに反射板１２、ハーフミ
ラー２３1、フィルタ２６、結像レンズ２５、検出器１
３が設けてある。図７において、高輝度光源１１から発
した光３１は、コンデンサレンズ２１を通り、フィルタ
２２ヘ入る。フィルタ２２は、プリント基板１の基材４
から蛍光が発生しやすいように高輝度光源１１から発し
た光３１の波長を限定するためのフィルタで、例えば、
波長３００ｎｍから４６０ｎｍまでの波長のみを透過さ
せる一般にブルーフィルタと呼称されているものであ
る。限定された波長の光はハーフミラー２３で光路を９
０度変更されてプリント基板１の配線面２を照射し、基
材４から蛍光を発生させるための励起光として働らく。
一方、配線パターン３に入射した光は反射し、スルーホ
ール８を通過した光は反射板１２に当たって反射する。
従って、図７に示す光４２は基材４から発生した蛍光
と、配線パターン３から反射した反射光と、反射板１２
で反射した反射光の合わさった光である。該光４２はも
う一つのハーフミラー２３1によって光路を２分され、
一方はフィルタ２４および結像レンズ２５1を通って検
出器１３1に入り、他方はフィルタ２６および結像レン
ズ２５を通って検出器１３に入る。フィルタ２４は基材
４から発生した蛍光のみを透過させるため、前記励起光
３２の限定された波長域以外の光を透過させるもので、
例えば波長５００ｎｍ以下の光を反射し、波長５００ｎ
ｍ以上の光を透過させる、一般にイエローフィルタと呼
称されるものである。フィルタ２４を透過した蛍光４３
は結像レンズ２５1で検出器１３1の光電変換面に結像さ
れるため、プリント基板１の配線パターンのネガパター
ンが得られる。検出結果は図６に示した結果と同じであ
る。一方フィルタ２６は配線パターン３から反射した反
射光と反射板で反射した反射光を透過させるため前記励
起光３２の限定された波長域と同じ光を透過させるもの
で、フィルタ２２と同じ特性を有するものである。フィ
ルタ２６を透過した反射光４４は結像レンズ２５で検出
器１３の光電変換面に結像されるため、プリント基板１
の配線パターンのポジパターンが得られる。検出結果は
光量の減少した割合に応じて電圧が小さくなるが、その
信号波形は図４に示した結果とほぼ同じである。検出器
１３1の分光感度特性は波長５００ｎｍ以上７００ｎｍ
以下のところにあるものが適当で、検出器１３の分光感
度特性は波長５００ｎｍ以下のところにあるものが適当
である。 【００１６】次に図８の検出回路および図９の信号波形
を示した図を用いて図２におけるＡ−Ａ線上およびＢ−
Ｂ線上を検出する動作を説明する。検出器１３から出力
されたビデオ信号６１は図４に示した信号に相当し、検
出器１３1から出力されたビデオ信号６２は図６に示し
た信号に相当する。これらの信号はそれぞれの比較器５
１および５１1によって閾値レベルＶTおよびＶT1と比較
され、ディジタル信号６３、６３1、６４、６４1として
出力される。ここでディジタル信号６３、６４は図１に
おけるＡ−Ａ線上の検出結果を示し、図９(ａ)に示す波
形６３、６４が対応し、ディジタル信号６３1、６４1が
対応する。ディジタル信号６３および６４は次のＯＲ回
路でその論理和がとられ、図９(ａ)に示す波形６５がそ
れに対応するディジタル信号６５となり、図２における
Ａ−Ａ線上の配線パターンの上部のみ欠けた欠け５が検
出できたことを示す。さらにディジタル信号６３1およ
び６４1は同様にＯＲ回路でその論理和がとられ、図９
(ｂ)に示す波形６５1がそれに対応するディジタル信号
６５1となり、図２におけるＢ−Ｂ線上の配線パターン
間の残銅６が検出されたことを示す。 【００１７】以上本発明の一実施例を説明したが、この
一実施例の他に、いろいろな変形や改良があり得ること
は勿論である。 【００１８】 【発明の効果】本発明によれば、蛍光を発生するプリン
ト板基材または、有機材料を表面または内部に含むセラ
ミック基材等から発生する蛍光を検出して配線パターン
のネガパターンを検出する機能と、配線面からの反射光
を検出して配線パターンのポジパターンを検出する機能
とを併用したことにより、従来の技術では難しかった、
配線パターン間に存在する反射率が低い残銅等の欠陥お
よび配線パターンの表面だけ欠けている欠け等の欠陥
を、高い信頼度で検出できるという効果を奏する。
出するパタ−ン検出装置に係り、特にプリント基板の配
線パタ−ンの欠陥を検出するための検査装置の検出部と
して好適なパタ−ン検出装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】プリント基板の基材にはガラスエポキ
シ、ガラスポリイミドなどの有機材料が用いられてい
る。これらの材料に光を照射すると、照射した光の波長
よりも長い波長の蛍光が放出されることが知られてい
る。また、フォトレジストやＰＩＱのような有機材料か
らも同様に蛍光が発生する。一方、配線パタ−ン材料と
して用いられる金属（例えば、銅、半田、アルミニウ
ム、タングステン、銀、金）からは、このような蛍光は
発生しない。 【０００３】上記したような蛍光を発生するプリント板
基材と蛍光を発生しない配線パタ−ン材料とからなるプ
リント基板または、有機材料を表面または内部に含むセ
ラミック基材のような蛍光を発生する材料と配線パタ−
ンのような蛍光を発生しない材料とからなるセラミック
基板、等の配線パタ−ンの欠陥を検出する場合におい
て、従来のパタ−ン検出装置は、図１に示すごとく、プ
リント基板１やセラミック基板の配線面２に光３１を照
射する高輝度光源１１と、コンデンサレンズ２１と、ハ
−フミラ−２３と、前記配線面２からの反射光４１を検
出するための検出器１３と、該検出器１３に配線パタ−
ン像を結像するための結像レンズ２５から構成され、プ
リント基板１の配線面２の配線パタ−ン３からの反射光
４１に比し、基板を構成している基材４の表面からの反
射光が無視できるぐらい小さいため、これを利用して配
線パタ−ンを検出する。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかるに図２および第
３図に示すプリント基板１の配線パタ−ン３間に光の反
射率の低い残銅６が存在すると、本来ならプリント基板
１として欠陥であるため配線パタ−ン３と同じように検
出されなければならないにもかかわらず検出されないと
いう課題があった。図２はプリント基板の一例の平面図
で、図３(ａ)および(ｂ)はそれぞれ図２のＡ−Ａ線およ
びＢ−Ｂ線に沿って切った断面図である。 【０００５】図４(ａ)および(ｂ)は図１に示す装置を用
いてそれぞれＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿って走査した
ときの出力波形を示す図で、横軸は位置を示し、縦軸は
検出器１３で光電変換された電圧を示す。いま、図４
(ｂ)を用いて検出結果を説明するに、電圧Ｖ1は基材４
のレベルを示し、電圧Ｖ2は配線パタ−ン３のレベルを
示し、電圧Ｖ4は残銅６の位置Ｂのレベルを示す。電圧
Ｖ4は閾値レベルＶTよりも低いため、残銅６が存在しな
いごとく検出される。 【０００６】スル−ホ−ル８は配線パタ−ン３よりも高
い電圧Ｖ3を発生させる。配線パタ−ン３中に欠け５が
あるときは、図４(ａ)のＡに示すように、そこでは信号
もまた欠ける。 【０００７】また、他のパターン検出装置は図６に示す
ごとく、プリント基板１、高輝度光源１１、コンデンサ
レンズ21、ハーフミラー２３、結像レンズ２５1、検出
器１３1の構成は図１と同じであるが、あらたにフィル
タ２２およびフィルタ２４を設けて有り、高輝度光源１
１から発した光３１がフィルタ２２で波長を限定され、
励起光３２となって配線面２を照射し、基材４から発生
した蛍光と配線面２での反射光の合わさった光４２がフ
ィルタ２４で蛍光のみ透過されて光４３となり検出器１
３で検出されるため、配線パターンのネガパターンとし
て検出される。しかるに、図２および図３に示すプリン
ト基板１の配線パターン３の上部だけ欠けて断面積が小
さくなった欠け５が存在すると本来ならプリント基板１
として欠陥であるため配線パターン３として検出されて
はいけないにもかかわらず正常な配線パターン３と同じ
に検出されるという課題があった。 【０００８】図２のＡ−Ａ線に沿って走査して得られる
検出結果を示す図６(ａ)を用いて詳細に説明する。図６
は図４と同様、横軸は位置を示し、縦軸は検出器１３で
光電変換された電圧を示す。電圧Ｖ5は配線パターン３
のレベルを示し、電圧Ｖ6は基材４のレベルを示す。欠
け５の位置ＡのレベルはＶ5であり、配線パターン３と
して検出され、欠け５が存在しないごとく検出される。 【０００９】図６(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線に沿って走査し
て得られる検出結果を示し、図中Ｂは残銅６に対応す
る。 【００１０】以上、従来の反射光を検出するパターン検
出装置では光の反射率の低い残銅６を誤検出し、他方蛍
光を検出するパターン検出装置では配線パターンの上部
だけ欠けている欠け５を誤検出するという課題があっ
た。 【００１１】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、反射率の低い残銅欠陥や表面だけが欠けた欠
け欠陥を見逃すことなく高信頼度で検査できるようにし
た配線パターン検出方法およびその装置を提供すること
にある。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、反射光検出と蛍光検出を併用してプリン
ト基板やセラミック基板の配線パターンを検出すること
にある。 【００１３】即ち、本発明は、反射光を検出する方式
と、蛍光を検出する方式を併用した配線パターン検出装
置を研究した結果、反射光を検出する方式において、結
像レンズの前に新たにフィルタを設けて蛍光をカットす
ることにより、反射光の検出による配線パターンの検出
が可能であるという本発明者等の知見に基づいてなされ
たものである。 【００１４】 【作用】前記構成によれば、プリント基板やセラミック
基板の基材から発生する蛍光を検出して配線パターンの
ネガパターンを検出する機能と、配線面から反射する反
射光を検出して配線パターンのポジパターンを検出する
機能とを併用したので、配線パターン間に存在する反射
率が低い残銅等の欠陥と配線パターンの表面だけ欠けて
いる欠け等の欠陥を高信頼度で正確に検出することがで
きる。 【００１５】 【実施例】図７において、プリント基板１、高輝度光源
１１、コンデンサレンズ２１、フィルタ２２、ハーフミ
ラー２３、フィルタ２４、結像レンズ２５1、検出器１
３1の構成は図５に示した蛍光検出方式の配線パターン
検出装置と同じであるが、新たに反射板１２、ハーフミ
ラー２３1、フィルタ２６、結像レンズ２５、検出器１
３が設けてある。図７において、高輝度光源１１から発
した光３１は、コンデンサレンズ２１を通り、フィルタ
２２ヘ入る。フィルタ２２は、プリント基板１の基材４
から蛍光が発生しやすいように高輝度光源１１から発し
た光３１の波長を限定するためのフィルタで、例えば、
波長３００ｎｍから４６０ｎｍまでの波長のみを透過さ
せる一般にブルーフィルタと呼称されているものであ
る。限定された波長の光はハーフミラー２３で光路を９
０度変更されてプリント基板１の配線面２を照射し、基
材４から蛍光を発生させるための励起光として働らく。
一方、配線パターン３に入射した光は反射し、スルーホ
ール８を通過した光は反射板１２に当たって反射する。
従って、図７に示す光４２は基材４から発生した蛍光
と、配線パターン３から反射した反射光と、反射板１２
で反射した反射光の合わさった光である。該光４２はも
う一つのハーフミラー２３1によって光路を２分され、
一方はフィルタ２４および結像レンズ２５1を通って検
出器１３1に入り、他方はフィルタ２６および結像レン
ズ２５を通って検出器１３に入る。フィルタ２４は基材
４から発生した蛍光のみを透過させるため、前記励起光
３２の限定された波長域以外の光を透過させるもので、
例えば波長５００ｎｍ以下の光を反射し、波長５００ｎ
ｍ以上の光を透過させる、一般にイエローフィルタと呼
称されるものである。フィルタ２４を透過した蛍光４３
は結像レンズ２５1で検出器１３1の光電変換面に結像さ
れるため、プリント基板１の配線パターンのネガパター
ンが得られる。検出結果は図６に示した結果と同じであ
る。一方フィルタ２６は配線パターン３から反射した反
射光と反射板で反射した反射光を透過させるため前記励
起光３２の限定された波長域と同じ光を透過させるもの
で、フィルタ２２と同じ特性を有するものである。フィ
ルタ２６を透過した反射光４４は結像レンズ２５で検出
器１３の光電変換面に結像されるため、プリント基板１
の配線パターンのポジパターンが得られる。検出結果は
光量の減少した割合に応じて電圧が小さくなるが、その
信号波形は図４に示した結果とほぼ同じである。検出器
１３1の分光感度特性は波長５００ｎｍ以上７００ｎｍ
以下のところにあるものが適当で、検出器１３の分光感
度特性は波長５００ｎｍ以下のところにあるものが適当
である。 【００１６】次に図８の検出回路および図９の信号波形
を示した図を用いて図２におけるＡ−Ａ線上およびＢ−
Ｂ線上を検出する動作を説明する。検出器１３から出力
されたビデオ信号６１は図４に示した信号に相当し、検
出器１３1から出力されたビデオ信号６２は図６に示し
た信号に相当する。これらの信号はそれぞれの比較器５
１および５１1によって閾値レベルＶTおよびＶT1と比較
され、ディジタル信号６３、６３1、６４、６４1として
出力される。ここでディジタル信号６３、６４は図１に
おけるＡ−Ａ線上の検出結果を示し、図９(ａ)に示す波
形６３、６４が対応し、ディジタル信号６３1、６４1が
対応する。ディジタル信号６３および６４は次のＯＲ回
路でその論理和がとられ、図９(ａ)に示す波形６５がそ
れに対応するディジタル信号６５となり、図２における
Ａ−Ａ線上の配線パターンの上部のみ欠けた欠け５が検
出できたことを示す。さらにディジタル信号６３1およ
び６４1は同様にＯＲ回路でその論理和がとられ、図９
(ｂ)に示す波形６５1がそれに対応するディジタル信号
６５1となり、図２におけるＢ−Ｂ線上の配線パターン
間の残銅６が検出されたことを示す。 【００１７】以上本発明の一実施例を説明したが、この
一実施例の他に、いろいろな変形や改良があり得ること
は勿論である。 【００１８】 【発明の効果】本発明によれば、蛍光を発生するプリン
ト板基材または、有機材料を表面または内部に含むセラ
ミック基材等から発生する蛍光を検出して配線パターン
のネガパターンを検出する機能と、配線面からの反射光
を検出して配線パターンのポジパターンを検出する機能
とを併用したことにより、従来の技術では難しかった、
配線パターン間に存在する反射率が低い残銅等の欠陥お
よび配線パターンの表面だけ欠けている欠け等の欠陥
を、高い信頼度で検出できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の配線パターン検出装置を示す側面図であ
る。 【図２】プリント基板の平面図である。 【図３】プリント基板の断面図を示す図であり、(ａ)は
図２のＡ−Ａ線断面図、(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線断面図で
ある。 【図４】図２に示す従来の配線パターン検出装置による
検出結果を示す図であり、(ａ）は図２のＡ−Ａ線上の
検出結果を示す図、（ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の検出結
果を示す図である。 【図５】本発明に係る他の配線パターン検出装置を示す
側面図である。 【図６】図５に示す他の配線パターン検出装置による検
出結果を示す図であり、(ａ)は図２のＡ−Ａ線上の検出
結果を示す図、(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の検出結果を示
す図である。 【図７】本発明に係る配線パターン検出装置の一実施例
を示す側面図である。 【図８】本発明に係る配線パターンの異常検出回路の一
実施例を示す回路構成図である。 【図９】図８に示す検出回路の動作を説明するための波
形図であり、(ａ)は図２のＡ−Ａ線上の波形を示す図、
(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の波形を示す図である。 【符号の説明】 １…プリント基板、２…配線面、３…配線パターン、４
…基材、５…欠け、６…残銅、８…スルーホール、１１
…高輝度光源、１２…反射板、１３、１３1…検出器、
２１…コンデンサレンズ、２２…フィルタ、２３、２３
1…ハーフミラー、２４…フィルタ、２５、２５1…結像
レンズ、２６…フィルタ、３１…光源の光、３２…励起
光、４１…反射光、４２…蛍光、４３…励起光の波長域
をカットされた蛍光、４４…蛍光の波長域をカットされ
た反射光、５１、５１1…比較器、５２…ＯＲ回路、６
１、６２…ビデオ信号、６３、６３1、６４、６４1、６
５、６５1…ディジタル信号
る。 【図２】プリント基板の平面図である。 【図３】プリント基板の断面図を示す図であり、(ａ)は
図２のＡ−Ａ線断面図、(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線断面図で
ある。 【図４】図２に示す従来の配線パターン検出装置による
検出結果を示す図であり、(ａ）は図２のＡ−Ａ線上の
検出結果を示す図、（ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の検出結
果を示す図である。 【図５】本発明に係る他の配線パターン検出装置を示す
側面図である。 【図６】図５に示す他の配線パターン検出装置による検
出結果を示す図であり、(ａ)は図２のＡ−Ａ線上の検出
結果を示す図、(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の検出結果を示
す図である。 【図７】本発明に係る配線パターン検出装置の一実施例
を示す側面図である。 【図８】本発明に係る配線パターンの異常検出回路の一
実施例を示す回路構成図である。 【図９】図８に示す検出回路の動作を説明するための波
形図であり、(ａ)は図２のＡ−Ａ線上の波形を示す図、
(ｂ)は図２のＢ−Ｂ線上の波形を示す図である。 【符号の説明】 １…プリント基板、２…配線面、３…配線パターン、４
…基材、５…欠け、６…残銅、８…スルーホール、１１
…高輝度光源、１２…反射板、１３、１３1…検出器、
２１…コンデンサレンズ、２２…フィルタ、２３、２３
1…ハーフミラー、２４…フィルタ、２５、２５1…結像
レンズ、２６…フィルタ、３１…光源の光、３２…励起
光、４１…反射光、４２…蛍光、４３…励起光の波長域
をカットされた蛍光、４４…蛍光の波長域をカットされ
た反射光、５１、５１1…比較器、５２…ＯＲ回路、６
１、６２…ビデオ信号、６３、６３1、６４、６４1、６
５、６５1…ディジタル信号
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
// Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ 8406−4Ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．有機材料を含む基材上に配線パターンを形成したプ
リント基板またはセラミック基板に光を照射し、前記基
材から発生した蛍光の画像と前記配線パターンからの反
射光の画像とを用いて配線パターンの欠陥を検出するこ
とを特徴とする配線パターン検出方法。 ２．有機材料を含む基材上に配線パターンを形成したプ
リント基板またはセラミック基板に光を照射する光照射
手段と、前記基材から発生した蛍光の画像を検出する蛍
光画像検出手段と、前記配線パターンからの反射光の画
像を検出する反射光画像検出手段と、前記蛍光画像検出
手段と前記反射光画像検出手段からの出力信号に基づい
て配線パターンの欠陥を検出する欠陥検出手段とを備え
たことを特徴とする配線パターン検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3305920A JP2519363B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | プリント基板における配線パタ―ンの欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3305920A JP2519363B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | プリント基板における配線パタ―ンの欠陥検査方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58169176A Division JPS6061648A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | パタ−ン検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273138A true JPH05273138A (ja) | 1993-10-22 |
| JP2519363B2 JP2519363B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=17950893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3305920A Expired - Lifetime JP2519363B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | プリント基板における配線パタ―ンの欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2519363B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0358338A2 (en) * | 1988-08-12 | 1990-03-14 | Alcan International Limited | Method and composition for surface treatment |
| WO2011037121A1 (ja) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 宇部興産株式会社 | 金属パターン形成樹脂基板の表面検査方法及び製造方法 |
| JP2011069689A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Ube Industries Ltd | 金属パターン形成樹脂基板の表面検査方法及び製造方法 |
| US8290239B2 (en) | 2005-10-21 | 2012-10-16 | Orbotech Ltd. | Automatic repair of electric circuits |
| CN109459438A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-03-12 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种缺陷检测设备及方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436336A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-06 | C I Kasei Co Ltd | 低自然収縮性ポリ塩化ビニル系フイルム |
-
1991
- 1991-11-21 JP JP3305920A patent/JP2519363B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436336A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-06 | C I Kasei Co Ltd | 低自然収縮性ポリ塩化ビニル系フイルム |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0358338B1 (en) * | 1988-08-12 | 1994-07-27 | Alcan International Limited | Method and composition for surface treatment |
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| CN109459438B (zh) * | 2018-11-27 | 2023-06-20 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种缺陷检测设备及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2519363B2 (ja) | 1996-07-31 |
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