JPH0436336B2 - - Google Patents
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- JPH0436336B2 JPH0436336B2 JP16917683A JP16917683A JPH0436336B2 JP H0436336 B2 JPH0436336 B2 JP H0436336B2 JP 16917683 A JP16917683 A JP 16917683A JP 16917683 A JP16917683 A JP 16917683A JP H0436336 B2 JPH0436336 B2 JP H0436336B2
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- light
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Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は配線パターンの欠陥を検出するパター
ン検出装置に係り、特にプリント基板の配線パタ
ーンの欠陥を検出するための検査装置の検出部と
して好適なパターン検出装置に関する。
ン検出装置に係り、特にプリント基板の配線パタ
ーンの欠陥を検出するための検査装置の検出部と
して好適なパターン検出装置に関する。
プリント基板の基材にはガラスエポキシ、ガラ
スポリイミドなどの有機材料が用いられている。
これらの材料に光を照射すると、照射した光の波
長よりも長い波長の蛍光が放出されることが知ら
れている。また、フオトレジストやPIQのような
有機材料からも同様に蛍光が発生する。一方、配
線パターン材料として用いられる金属（例えば、
銅、半田、アルミニウム、タングステン、銀、
金）からは、このような蛍光は発生しない。
スポリイミドなどの有機材料が用いられている。
これらの材料に光を照射すると、照射した光の波
長よりも長い波長の蛍光が放出されることが知ら
れている。また、フオトレジストやPIQのような
有機材料からも同様に蛍光が発生する。一方、配
線パターン材料として用いられる金属（例えば、
銅、半田、アルミニウム、タングステン、銀、
金）からは、このような蛍光は発生しない。
上記したような蛍光を発生するプリント板基材
と蛍光を発生しない配線パターン材料とからなる
プリント基板や、有機材料を表面または内部に含
むセラミツク基材のような蛍光を発生する材料と
配線パターンのような蛍光を発生しない材料とか
らなるセラミツク基板等の配線パターンの欠陥を
検出する場合において、従来のパターン検出装置
は、第１図に示すごとく、プリント基板１やセラ
ミツク基板の配線面２に光３１を照射する高輝度
光源１１と、コンデンサレンズ２１と、ハーフミ
ラー２３と、前記配線面２からの反射光４１を検
出するための検出器１３と、該検出器１３に配線
パターン像を結像するための結像レンズ２５から
構成され、プリント基板１の配線面２の配線パタ
ーン３からの反射光４１に比し、基板を構成して
いる基材４の表面からの反射光が無視できるぐら
い小さいため、これを利用して配線パターンを検
出する。しかるに第２図および第３図に示すプリ
ント基板１の配線パターン３間に光の反射率の低
い残銅６が存在すると、本来ならプリント基板１
として欠陥であるため配線パターン３と同じよう
に検出されなければならないにもかかわらず検出
されないという問題があつた。第２図はプリント
基板の一例の平面図で、第３図ａおよびｂはそれ
ぞれ第２図のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿つて切
つた断面図である。
と蛍光を発生しない配線パターン材料とからなる
プリント基板や、有機材料を表面または内部に含
むセラミツク基材のような蛍光を発生する材料と
配線パターンのような蛍光を発生しない材料とか
らなるセラミツク基板等の配線パターンの欠陥を
検出する場合において、従来のパターン検出装置
は、第１図に示すごとく、プリント基板１やセラ
ミツク基板の配線面２に光３１を照射する高輝度
光源１１と、コンデンサレンズ２１と、ハーフミ
ラー２３と、前記配線面２からの反射光４１を検
出するための検出器１３と、該検出器１３に配線
パターン像を結像するための結像レンズ２５から
構成され、プリント基板１の配線面２の配線パタ
ーン３からの反射光４１に比し、基板を構成して
いる基材４の表面からの反射光が無視できるぐら
い小さいため、これを利用して配線パターンを検
出する。しかるに第２図および第３図に示すプリ
ント基板１の配線パターン３間に光の反射率の低
い残銅６が存在すると、本来ならプリント基板１
として欠陥であるため配線パターン３と同じよう
に検出されなければならないにもかかわらず検出
されないという問題があつた。第２図はプリント
基板の一例の平面図で、第３図ａおよびｂはそれ
ぞれ第２図のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿つて切
つた断面図である。
第４図ａおよびｂは第１図に示す装置を用いて
それぞれＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿つて走査し
たときの出力波形を示す図で、横軸は位置を示
し、縦軸は検出器１３で光電変換された電圧を示
す。いま、第４図ｂを用いて検出結果を説明する
に、電圧V1は基材４のレベルを示し、電圧V2は
配線パターン３のレベルを示し、電圧V4は残銅
６の位置Ｂのレベルを示す。電圧V4は闘値レベ
ル電圧VTよりも低いため、残銅６が存在しない
ごとく検出される。
それぞれＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿つて走査し
たときの出力波形を示す図で、横軸は位置を示
し、縦軸は検出器１３で光電変換された電圧を示
す。いま、第４図ｂを用いて検出結果を説明する
に、電圧V1は基材４のレベルを示し、電圧V2は
配線パターン３のレベルを示し、電圧V4は残銅
６の位置Ｂのレベルを示す。電圧V4は闘値レベ
ル電圧VTよりも低いため、残銅６が存在しない
ごとく検出される。
スルーホール８は配線パターン３よりも高い電
圧V3を発生させる。配線パターン３中に欠け５
があるときは、第４図ａのＡに示すように、そこ
では信号もまた欠ける。
圧V3を発生させる。配線パターン３中に欠け５
があるときは、第４図ａのＡに示すように、そこ
では信号もまた欠ける。
また従来の他のパターン検出装置は第５図に示
すごとく、プリント基板１，高輝度光源１１，コ
ンデンサレンズ２１，ハーフミラー２３，結像レ
ンズ２５1，検出器１３1の構成は第１図と同じで
あるが、新たにフイルタ２２およびフイルタ２４
を設けてあり、高輝度光源１１から発した光３１
がフイルタ２２で波長を限定され、励起光３２と
なつて配線面２を照射し、基材４から発生した螢
光と配線面２での反射光の合わさつた光４２がフ
イルタ２４で螢光のみ透過されて光４３となり検
出器１３で検出されるため、配線パターンのネガ
パターンとして検出される。しかるに、第２図お
よび第３図に示すプリント基板１の配線パターン
３の上部だけ欠けて断面積が小さくなつた欠け５
が存在すると本来ならプリント基板１として欠陥
であるため配線パターン３として検出されてはい
けないにもかかわらず正常な配線パターン３と同
じに検出されるという問題があつた。
すごとく、プリント基板１，高輝度光源１１，コ
ンデンサレンズ２１，ハーフミラー２３，結像レ
ンズ２５1，検出器１３1の構成は第１図と同じで
あるが、新たにフイルタ２２およびフイルタ２４
を設けてあり、高輝度光源１１から発した光３１
がフイルタ２２で波長を限定され、励起光３２と
なつて配線面２を照射し、基材４から発生した螢
光と配線面２での反射光の合わさつた光４２がフ
イルタ２４で螢光のみ透過されて光４３となり検
出器１３で検出されるため、配線パターンのネガ
パターンとして検出される。しかるに、第２図お
よび第３図に示すプリント基板１の配線パターン
３の上部だけ欠けて断面積が小さくなつた欠け５
が存在すると本来ならプリント基板１として欠陥
であるため配線パターン３として検出されてはい
けないにもかかわらず正常な配線パターン３と同
じに検出されるという問題があつた。
第２図のＡ−Ａ線に沿つて走査して得られる検
出結果を示す第６図ａを用いて詳細に説明する。
第６図は第４図と同様、横軸は位置を示し縦軸は
検出器１３で光電変換された電圧を示す。電圧
V5は配線パターン３のレベルを示し、電圧V6は
基材４のレベルを示す。欠け５の位置Ａのレベル
はV5であり、配線パターン３として検出され、
欠け５が存在しないごとく検出される。
出結果を示す第６図ａを用いて詳細に説明する。
第６図は第４図と同様、横軸は位置を示し縦軸は
検出器１３で光電変換された電圧を示す。電圧
V5は配線パターン３のレベルを示し、電圧V6は
基材４のレベルを示す。欠け５の位置Ａのレベル
はV5であり、配線パターン３として検出され、
欠け５が存在しないごとく検出される。
第６図ｂは第２図のＢ−Ｂ線に沿つて走査して
得られる検出結果を示し、図中Ｂは残銅６に対応
する。
得られる検出結果を示し、図中Ｂは残銅６に対応
する。
以上、従来の反射光を検出するパターン検出装
置では光の反射率の低い残銅６を誤検出し、螢光
を検出するパターン検出装置では配線パターンの
上部だけ欠けている欠け５を誤検出するという問
題があつた。
置では光の反射率の低い残銅６を誤検出し、螢光
を検出するパターン検出装置では配線パターンの
上部だけ欠けている欠け５を誤検出するという問
題があつた。
本発明の目的とするところは、配線パターン間
の光の反射率の低い残銅も、配線パターン上部だ
け欠けている欠けも見逃すことなく検出し配線パ
ターンの欠陥を正確に検出することのできるパタ
ーン検出装置を提供することにある。
の光の反射率の低い残銅も、配線パターン上部だ
け欠けている欠けも見逃すことなく検出し配線パ
ターンの欠陥を正確に検出することのできるパタ
ーン検出装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明によるパタ
ーン検出装置は、プリント基板やセラミツク基板
の配線面に光を照射する光源と、該光源からの光
を螢光が発生しやすい波長に限定するための第１
のフイルタと、プリント基板やセラミツク基板の
配線面に照射した光がスルーホールを通つて反射
してくるように設定した反射板と配線面および反
射板から反射してくる反射光と基板を構成してい
る基材から発生してくる螢光の合わさつた光の光
路を二つに分離するための手段と、プリント基板
やセラミツク基板の配線面からの反射光をカツト
し、基材から発生する螢光のみを透過する第２の
フイルタと、該第２のフイルタを透過した光を検
出するための第１の検出器と該第１の検出器に配
線パターン像を結像するための第１の結像レンズ
と、さらに、基材から発生する螢光をカツトし、
配線パターンおよび前記反射板から反射してくる
反射光を透過する第３のフイルタと、該第３のフ
イルタを透過した光を検出するための第２の検出
器と該第２の検出器に配線パターン像を結像する
ための第２の結像レンズと、第１の検出器で光電
変換された信号をある闘値で２値化するための第
１の比較器と、第２の検出器で光電変換された信
号をある闘値で２値化するための第２の比較器
と、第１の比較器から出力された信号と第２の比
較器から出力された信号の論理和をとるための
OR回路とから成るパターン検出装置において、
第１の検出器でプリント基板やセラミツク基板の
基材から発生する螢光のみを検出し配線パターン
をネガパターンとして検出し、第２の検出器でプ
リント基板やセラミツク基板の配線パターンおよ
び反射板から反射する反射光を検出し、配線パタ
ーンをポジパターンとして検出し、両者の検出信
号を加算することによつて残銅や欠け等の欠陥を
検出することを要旨とする。
ーン検出装置は、プリント基板やセラミツク基板
の配線面に光を照射する光源と、該光源からの光
を螢光が発生しやすい波長に限定するための第１
のフイルタと、プリント基板やセラミツク基板の
配線面に照射した光がスルーホールを通つて反射
してくるように設定した反射板と配線面および反
射板から反射してくる反射光と基板を構成してい
る基材から発生してくる螢光の合わさつた光の光
路を二つに分離するための手段と、プリント基板
やセラミツク基板の配線面からの反射光をカツト
し、基材から発生する螢光のみを透過する第２の
フイルタと、該第２のフイルタを透過した光を検
出するための第１の検出器と該第１の検出器に配
線パターン像を結像するための第１の結像レンズ
と、さらに、基材から発生する螢光をカツトし、
配線パターンおよび前記反射板から反射してくる
反射光を透過する第３のフイルタと、該第３のフ
イルタを透過した光を検出するための第２の検出
器と該第２の検出器に配線パターン像を結像する
ための第２の結像レンズと、第１の検出器で光電
変換された信号をある闘値で２値化するための第
１の比較器と、第２の検出器で光電変換された信
号をある闘値で２値化するための第２の比較器
と、第１の比較器から出力された信号と第２の比
較器から出力された信号の論理和をとるための
OR回路とから成るパターン検出装置において、
第１の検出器でプリント基板やセラミツク基板の
基材から発生する螢光のみを検出し配線パターン
をネガパターンとして検出し、第２の検出器でプ
リント基板やセラミツク基板の配線パターンおよ
び反射板から反射する反射光を検出し、配線パタ
ーンをポジパターンとして検出し、両者の検出信
号を加算することによつて残銅や欠け等の欠陥を
検出することを要旨とする。
すなわち、本発明は、反射光を検出する方式
と、螢光を検出する方式を結合したパターン検出
装置を研究した結果、反射光を検出する方式にお
いて、結像レンズの前に新たにフイルタを設けて
螢光をカツトすることにより、反射光の検出によ
る配線パターンの検出が可能であるという本発明
者等の知見に基ずいてなされたものである。
と、螢光を検出する方式を結合したパターン検出
装置を研究した結果、反射光を検出する方式にお
いて、結像レンズの前に新たにフイルタを設けて
螢光をカツトすることにより、反射光の検出によ
る配線パターンの検出が可能であるという本発明
者等の知見に基ずいてなされたものである。
以下に、図面を参照しながら、実施例を用いて
本発明を一層詳細に説明するが、それらは例示に
過ぎず、本発明の枠を越えることなしにいろいろ
な変形や改良があり得ることは勿論である。
本発明を一層詳細に説明するが、それらは例示に
過ぎず、本発明の枠を越えることなしにいろいろ
な変形や改良があり得ることは勿論である。
第７図において、プリント基板１，高輝度光源
１１，コンデンサレンズ２１，フイルタ２２，ハ
ーフミラー２３，フイルタ２４，結像レンズ２５
１，検出器１３1の構成は第５図に示した従来のパ
ターン検出装置と同じであるが、新たに反射板１
２，ハーフミラー２３1，フイルタ２６，結像レ
ンズ２５，検出器１３が設けてある。第７図にお
いて、高輝度光源１１から発した光３１は、コン
デンサレンズ２１を通りフイルタ２２へ入る。フ
イルタ２２はプリント基板１の基材４から螢光が
発生しやすいように高輝度光源１１から発した光
３１の波長を限定するためのフイルタで、例え
ば、波長300nmから460nmまでの波長のみを透過
させる、一般にブルーフイルタと呼称されている
ものである。限定された波長の光はハーフミラー
２３で光路を90度変更されてプリント基板１の配
線面２を照射し、基材４から螢光を発生させるた
めの励起光として働らく。一方、配線パターン３
に入射した光は反射し、スルーホール８を通過し
た光は反射板１２に当つて反射する。したがつ
て、第７図に示す光４２は基材４から発生した螢
光と、配線パターン３から反射した反射光と、反
射板１２で反射した反射光の合わさつた光であ
る。該光４２はもうひとつのハーフミラー２３1
によつて光路を２分され、一方はフイルタ２４お
よび結像レンズ２５1を通つて検出器１３1に入
り、他方はフイルタ２６および結像レンズ２５を
通つて検出器１３に入る。フイルタ２４は基材４
から発生した螢光のみを透過させるため、前記励
起光３２の限定された波長域以外の光を透過させ
るもので、例えば波長500nm以下の光を反射し、
波長500nm以上の光を透過させる、一般にイエロ
ーフイルタと呼称されるものである。フイルタ２
４を透過した螢光４３は結像レンズ２５1で検出
器１３1の光電変換面に結像されるため、プリン
ト基板１の配線パターンのネガパターンが得られ
る。検出結果は第６図に示した結果と同じであ
る。一方フイルタ２６は配線パターン３から反射
した反射光と反射板で反射した反射光を透過させ
るため前記励起光３２の限定された波長域と同じ
光を透過させるもので、フイルタ２２と同じ特性
を有するものである。フイルタ２６を透過した反
射光４４は結像レンズ２５で検出器１３の光電変
換面に結像されるため、プリント基板１の配線パ
ターンのポジパターンが得られる。検出結果は光
量の減少した割合に応じて電圧が小さくなるが、
その信号波形は第４図に示した結果とほぼ同じで
ある。検出器１３1の分光感度特性は波長500nm
以上700nm以下のところにあるものが適当で、検
出器１３の分光感度特性は波長500nm以下のとこ
ろにあるものが適当である。
１１，コンデンサレンズ２１，フイルタ２２，ハ
ーフミラー２３，フイルタ２４，結像レンズ２５
１，検出器１３1の構成は第５図に示した従来のパ
ターン検出装置と同じであるが、新たに反射板１
２，ハーフミラー２３1，フイルタ２６，結像レ
ンズ２５，検出器１３が設けてある。第７図にお
いて、高輝度光源１１から発した光３１は、コン
デンサレンズ２１を通りフイルタ２２へ入る。フ
イルタ２２はプリント基板１の基材４から螢光が
発生しやすいように高輝度光源１１から発した光
３１の波長を限定するためのフイルタで、例え
ば、波長300nmから460nmまでの波長のみを透過
させる、一般にブルーフイルタと呼称されている
ものである。限定された波長の光はハーフミラー
２３で光路を90度変更されてプリント基板１の配
線面２を照射し、基材４から螢光を発生させるた
めの励起光として働らく。一方、配線パターン３
に入射した光は反射し、スルーホール８を通過し
た光は反射板１２に当つて反射する。したがつ
て、第７図に示す光４２は基材４から発生した螢
光と、配線パターン３から反射した反射光と、反
射板１２で反射した反射光の合わさつた光であ
る。該光４２はもうひとつのハーフミラー２３1
によつて光路を２分され、一方はフイルタ２４お
よび結像レンズ２５1を通つて検出器１３1に入
り、他方はフイルタ２６および結像レンズ２５を
通つて検出器１３に入る。フイルタ２４は基材４
から発生した螢光のみを透過させるため、前記励
起光３２の限定された波長域以外の光を透過させ
るもので、例えば波長500nm以下の光を反射し、
波長500nm以上の光を透過させる、一般にイエロ
ーフイルタと呼称されるものである。フイルタ２
４を透過した螢光４３は結像レンズ２５1で検出
器１３1の光電変換面に結像されるため、プリン
ト基板１の配線パターンのネガパターンが得られ
る。検出結果は第６図に示した結果と同じであ
る。一方フイルタ２６は配線パターン３から反射
した反射光と反射板で反射した反射光を透過させ
るため前記励起光３２の限定された波長域と同じ
光を透過させるもので、フイルタ２２と同じ特性
を有するものである。フイルタ２６を透過した反
射光４４は結像レンズ２５で検出器１３の光電変
換面に結像されるため、プリント基板１の配線パ
ターンのポジパターンが得られる。検出結果は光
量の減少した割合に応じて電圧が小さくなるが、
その信号波形は第４図に示した結果とほぼ同じで
ある。検出器１３1の分光感度特性は波長500nm
以上700nm以下のところにあるものが適当で、検
出器１３の分光感度特性は波長500nm以下のとこ
ろにあるものが適当である。
つぎに第８図の検出回路および第９図の信号波
形を示した図を用いて第１図におけるＡ−Ａ線上
およびＢ−Ｂ線上を検出する動作を説明する。検
出器１３から出力されたビデオ信号６１は第４図
に示した信号に相当し、検出器１３1から出力さ
れたビデオ信号６２は第６図に示した信号に相当
する。これらの信号はそれぞれの比較器５１およ
び５１1によつて闘値レベルVTおよびVT1と比較
され、デイジタル信号６３，６３1，６４，６４1
として出力される。ここでデイジタル信号６３，
６４は第２図におけるＡ−Ａ線上の検出結果を示
し、第９図ａに示す波形６３，６４が対応し、デ
イジタル信号６３1，６４1は第２図におけるＢ−
Ｂ線上の検出結果を示し、第９図ｂに示す波形６
３1，６４1が対応する。デイジタル信号６３およ
び６４は次のＲ回路でその論理和がとられ、第
９図ａに示す波形６５がそれに対応するデイジタ
ル信号６５となり、第２図におけるＡ−Ａ線上の
配線パターンの上部のみ欠けた欠け５が検出でき
たことを示す。さらにデイジタル信号６３1およ
び６４1は同様にＲ回路でその論理和がとられ、
第９図ｂに示す波形６５1がそれに対応するデイ
ジタル信号６５1となり、第２図におけるＢ−Ｂ
線上の配線パターン間の残銅６が検出されたこと
を示す。
形を示した図を用いて第１図におけるＡ−Ａ線上
およびＢ−Ｂ線上を検出する動作を説明する。検
出器１３から出力されたビデオ信号６１は第４図
に示した信号に相当し、検出器１３1から出力さ
れたビデオ信号６２は第６図に示した信号に相当
する。これらの信号はそれぞれの比較器５１およ
び５１1によつて闘値レベルVTおよびVT1と比較
され、デイジタル信号６３，６３1，６４，６４1
として出力される。ここでデイジタル信号６３，
６４は第２図におけるＡ−Ａ線上の検出結果を示
し、第９図ａに示す波形６３，６４が対応し、デ
イジタル信号６３1，６４1は第２図におけるＢ−
Ｂ線上の検出結果を示し、第９図ｂに示す波形６
３1，６４1が対応する。デイジタル信号６３およ
び６４は次のＲ回路でその論理和がとられ、第
９図ａに示す波形６５がそれに対応するデイジタ
ル信号６５となり、第２図におけるＡ−Ａ線上の
配線パターンの上部のみ欠けた欠け５が検出でき
たことを示す。さらにデイジタル信号６３1およ
び６４1は同様にＲ回路でその論理和がとられ、
第９図ｂに示す波形６５1がそれに対応するデイ
ジタル信号６５1となり、第２図におけるＢ−Ｂ
線上の配線パターン間の残銅６が検出されたこと
を示す。
以上説明したとうり、本発明によれば、蛍光を
発生するプリント基板材と蛍光を発生しない配線
パターン材料とからなるプリント基板の基材や、
有機材料を表面または内部に含むセラミツク基板
のような蛍光を発生する材料と配線パターンのよ
うな蛍光を発生しない材料とからなるセラミツク
基板の基材から発生する螢光を検出し、配線パタ
ーンのネガパターンを検出する機能と、配線面か
ら反射する反射光を検出し、配線パターンのポジ
パターンを検出する機能を合わせ持つたパターン
検出装置であるため、配線パターン間の光の反射
率の低い残銅等は配線パターンのネガパターンと
して検出し配線パターン上部だけ欠けている欠け
等は配線パターンのポジパターンとして検出でき
ることによつて配線パターンの欠陥を正確に検出
できる。
発生するプリント基板材と蛍光を発生しない配線
パターン材料とからなるプリント基板の基材や、
有機材料を表面または内部に含むセラミツク基板
のような蛍光を発生する材料と配線パターンのよ
うな蛍光を発生しない材料とからなるセラミツク
基板の基材から発生する螢光を検出し、配線パタ
ーンのネガパターンを検出する機能と、配線面か
ら反射する反射光を検出し、配線パターンのポジ
パターンを検出する機能を合わせ持つたパターン
検出装置であるため、配線パターン間の光の反射
率の低い残銅等は配線パターンのネガパターンと
して検出し配線パターン上部だけ欠けている欠け
等は配線パターンのポジパターンとして検出でき
ることによつて配線パターンの欠陥を正確に検出
できる。
第１図は従来のパターン検出装置を示す側面
図、第２図はプリント基板の平面図、第３図はプ
リント基板の断面図で、ａは第２図のＡ−Ａ線断
面図、ｂは第２図のＢ−Ｂ線断面図、第４図は従
来のパターン検出装置による検出結果を示す図
で、ａは第２図のＡ−Ａ線上の検出結果を示す
図、ｂは第２図のＢ−Ｂ線上の検出結果を示す
図、第５図は従来の他のパターン検出装置を示す
側面図、第６図は従来の他のパターン検出装置に
よる検出結果を示す図で、ａは第２図のＡ−Ａ線
上の検出結果を示す図、ｂは第２図のＢ−Ｂ線上
の検出結果を示す図、第７図は本発明の一実施例
のパターン検出装置を示す側面図、第８図はパタ
ーンの異常検出回路の一例の構成を示す回路図、
第９図は検出回路の動作を説明するための波形図
で、ａは第２図のＡ−Ａ線上の波形を示す図、ｂ
は第２図のＢ−Ｂ線上の波形を示す図である。 １…プリント基板、２…配線面、３…配線パタ
ーン、４…基材、５…欠け、６…残銅、８…スル
ーホール、１１…高輝度光源、１２…反射板、１
３，１３1…検出器、２１…コンデンサレンズ、
２２…フイルタ、２３，２３1…ハーフミラー、
２４…フイルタ、２５，２５1…結像レンズ、２
６…フイルタ、３１…光源の光、３２…励起光、
４１…反射光、４２…螢光、４３…励起光の波長
域をカツトされた螢光、４４…螢光の波長域をカ
ツトされた反射光、５１，５１1…比較器、５２
…OR回路、６１，６２…ビデオ信号、６３，６
３1，６４，６４1，６５，６５1…デイジタル信
号。
図、第２図はプリント基板の平面図、第３図はプ
リント基板の断面図で、ａは第２図のＡ−Ａ線断
面図、ｂは第２図のＢ−Ｂ線断面図、第４図は従
来のパターン検出装置による検出結果を示す図
で、ａは第２図のＡ−Ａ線上の検出結果を示す
図、ｂは第２図のＢ−Ｂ線上の検出結果を示す
図、第５図は従来の他のパターン検出装置を示す
側面図、第６図は従来の他のパターン検出装置に
よる検出結果を示す図で、ａは第２図のＡ−Ａ線
上の検出結果を示す図、ｂは第２図のＢ−Ｂ線上
の検出結果を示す図、第７図は本発明の一実施例
のパターン検出装置を示す側面図、第８図はパタ
ーンの異常検出回路の一例の構成を示す回路図、
第９図は検出回路の動作を説明するための波形図
で、ａは第２図のＡ−Ａ線上の波形を示す図、ｂ
は第２図のＢ−Ｂ線上の波形を示す図である。 １…プリント基板、２…配線面、３…配線パタ
ーン、４…基材、５…欠け、６…残銅、８…スル
ーホール、１１…高輝度光源、１２…反射板、１
３，１３1…検出器、２１…コンデンサレンズ、
２２…フイルタ、２３，２３1…ハーフミラー、
２４…フイルタ、２５，２５1…結像レンズ、２
６…フイルタ、３１…光源の光、３２…励起光、
４１…反射光、４２…螢光、４３…励起光の波長
域をカツトされた螢光、４４…螢光の波長域をカ
ツトされた反射光、５１，５１1…比較器、５２
…OR回路、６１，６２…ビデオ信号、６３，６
３1，６４，６４1，６５，６５1…デイジタル信
号。
Claims (1)
- １ 有機材料を含む基材の上に配線パターンを形
成したプリント基板やセラミツク基板の配線パタ
ーンの欠陥を検出するパターン検出装置におい
て、前記基板に光を照射する光源と、該光源から
の光を蛍光が発生しやすい波長に限定するための
第１のフイルタと、前記基板の配線面に照射した
光がスルーホールを通つて反射してくるように設
置した反射板と、前記配線パターンおよび前記反
射板から反射してくる反射光と前記基材から発生
してくる蛍光の合わさつた光の光路を二つに分岐
するための手段と、前記分岐手段で分岐された光
路の一方において、前記配線パターンからの反射
光をカツトし、前記基材から発生する蛍光のみを
透過する第２のフイルタと、該第２のフイルタを
透過して光を検出するための第１の検出器と該第
１の検出器に配線パターン像を結像するための第
１の結像レンズと、さらに、前記分岐手段で分岐
された他方の光路において、前記基材から発生す
る蛍光をカツトし、前記配線パターン及び前記反
射板から反射してくる反射光を透過する第３のフ
イルタと、該第３のフイルタを透過した光を検出
するための第２の検出器と、該第２の検出器に配
線パターン像を結像するための第２の結像レンズ
と、前記第１の検出器で光電変換された信号をあ
る闘値で２値化するための第１の比較器と、前記
第２の検出器で光電変換された信号をある闘値で
２値化するための第２の比較器と、前記第１の比
較器から出力された信号と前記第２の比較器から
出力された信号の論理和をとるためのOR回路と
を備え、前記第１の検出器で前記基材から発生す
る蛍光のみを検出して前記配線パターンをネガパ
ターンとして検出し、前記第２の検出器で前記配
線パターン及び前記反射板から反射する反射光を
検出して前記配線パターンをポジパターンとして
検出し、両者の検出信号を加算することによつて
残銅や欠け等の欠陥を検出することを特徴とする
パターン検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169176A JPS6061648A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | パタ−ン検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169176A JPS6061648A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | パタ−ン検出装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3305920A Division JP2519363B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | プリント基板における配線パタ―ンの欠陥検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6061648A JPS6061648A (ja) | 1985-04-09 |
| JPH0436336B2 true JPH0436336B2 (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=15881651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58169176A Granted JPS6061648A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | パタ−ン検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6061648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4716678B2 (ja) * | 2004-06-01 | 2011-07-06 | キヤノンファインテック株式会社 | インク供給装置、インク供給方法および印刷装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62133341A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-16 | Hitachi Ltd | はんだ付部検査装置 |
| JPS62138987A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-22 | Nec Corp | スル−ホ−ル画像のパタ−ン認識方法 |
| JPH0658206B2 (ja) * | 1986-07-28 | 1994-08-03 | 株式会社日立製作所 | 位置決め組付装置 |
| US4877326A (en) | 1988-02-19 | 1989-10-31 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus for optical inspection of substrates |
| JP2558193B2 (ja) * | 1991-09-09 | 1996-11-27 | 池上通信機株式会社 | 被検体表面の撮像及び検査装置 |
| US5301012A (en) * | 1992-10-30 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Optical technique for rapid inspection of via underetch and contamination |
| US5986271A (en) * | 1997-07-03 | 1999-11-16 | Lazarev; Victor | Fluorescence imaging system |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP58169176A patent/JPS6061648A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4716678B2 (ja) * | 2004-06-01 | 2011-07-06 | キヤノンファインテック株式会社 | インク供給装置、インク供給方法および印刷装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6061648A (ja) | 1985-04-09 |
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